Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage
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- ゆずさ とこたに
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1 Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC
2 は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図3は ステージの走査速度を 0.5mm/sec に固定し 出 ない状況にあるが 本研究では直線の溝加工を重ね合わ 力による加工部周辺のワーク 銅 表面状態の違いを示 せて 三次元形状の作成を行うので 現行で全く問題は す これより 照射レーザー出力が 10 mw と小さい場合 ない また 本装置では サブミリのスケールから 数 加工周辺部にはほとんど影響を与えないが 30 mw にな センチのワークまで加工できるように 比較的大きなス ると 表面に大きな影響を与えることがわかる ステー テージを搭載している また ステージ自体の真直度は ジの走査速度を小さくした場合にも この影響は顕著に 1.5 ミクロンほどしかない これでは マイクロ構造物 なることから 加工中に発生するプラズマによる熱影響 を作成する十分な精度を有しない そこで 数値的に補 によるものと思われる 正を加えることにより 300 ナノまで真直度を高めてい る この程度の精度があれば 上記の手法を用いて マ イクロスケールの構造物を作成できる能力を有すると考 えられる 表2 3軸リニアステージの基本性能 真直度 0.3µm 1.2µm 0.3µm ストローク 100mm スケール分解能 テーブルサイズ mm 20mm 10 nm 180mm 180 mm (a) 10mW, 0.5 mm/s 加工方法 レーザーを用いて 三次元形状の加工物を作成する方 法には 光造形法がある 本研究では 図2のように 光造形法を真似て レーザービームを直線状に照射して 溝加工を行い それを重ね合わせ 面加工を行い 等高 線状に面加工を重ね合わせ 三次元の構造物を作成する 手法を試みた 光造形法では 樹脂を硬化させるために レーザーを照射するが 本手法では不要部分を除去する ために レーザーを照射する違いがある Pitch (b) 30mW, 0.5 mm/s 図3 図2 3次元微細形状加工手法 3 実験結果及び考察 本章では 金属材料の代表として銅 結晶性材料とし てサファイア アモルファス材料の材料としてガラスの 溝加工 面加工の加工特性を評価した 3 1 溝加工特性 銅 サファイア ガラス 本研究で提案する3次元微細加工は 溝加工を重ねて行 う 従って 溝加工の大きさ 溝周辺に与える影響が3 次元微細形状加工をする際の重要な要因となる そこで 銅 サファイア ガラスの加工特性を調査した いずれ のワークも溝加工前に研磨を施し ワーク表面に 焦点 位置がくるようにステージの高さを調整し レーザー加 工を行った 図3 4 5は 銅 サファイア ガラス の溝加工の代表的な表面状態を示すCCD画像である 銅の溝加工 図4は 出力を 50 mw に固定し ステージの走査速度の 違いによる加工部周辺のワーク サファイア 表面状態 の違いを示す これより 走査速度が 0.1mm/s と小さい 場合 加工周辺部にクラックが見られるが 1mm/s と大 きくすると クラックの発生が見られない サファイア の場合 出力が 10mW に抑えても 走査速度が 0.1mm/s の 場合 クラックが起きる このことから 加工中に発生 した衝撃波により クラックが起きたものと思われる 図5は サファイアの場合と同様に 出力を 50mW に固定 し ステージの走査速度の違いによる加工部周辺のワー ク ガラス 表面状態の違いを示す これより ガラス 加工では サファイア加工とは違い 走査速度の違いに よりクラックの発生は確認できないが 走査速度が小さ い方が 溝と表面の界面状態は鮮明である ガラスの場 合 出力を 20 mw 走査速度を 0.1 mm/s として加工する と 図5 (b)のように 境界が不鮮明になる このこと
3 から できるだけ周辺に影響のない溝加工を行うために は 金属材料の場合 出力を抑え 走査速度を高める必 要があり 結晶性材料の場合 出力よりも走査速度に対 する影響が顕著であり 走査速度を高める必要があり アモルファス材料の場合 出力を高めに走査速度を遅く する必要があることがわかる 微細加工を行うためには 表面状態の他に 溝の大きさが重要な要因となる そこ で 溝の深さの走査速度 出力依存性を調査した 図6 に銅 サファイア ガラスの溝深さの走査速度 出力依 存性を示す いずれの材料に関しても溝深さのレーザー 強度依存性評価の場合 走査速度を 1mm/sec に固定して (a)50mw, 0.1mm/s おり 走査速度依存性評価の場合 出力を 20 mw に固定 した これより いずれの材料に関してもレーザー強度 と溝の深さには 比例関係があり サファイア ガラス の場合 10mW のレーザー光を照射しても 全く加工でき ないことがわかる これより 加工閾値は 銅はサファ イア ガラスに比べて低いことがわかる 走査速度と溝 の深さの関係は 銅 ガラスの場合 速度が小さくなる につれ 指数関数的に溝の深さが大きくなるが サファ イアの場合 一定の深さになる傾向があることがわかる また 走査速度が 0.1 mmsec の場合 加工速度は サフ ァイア 銅 ガラスの順に加工速度が高くなるが 走査 (a) 50 mw, 1.0 mm/s 図4 サファイアの溝加工 速度が 0.5 mmsec の場合 銅 ガラス サファイアの順 に加工速度が高くなることがわかる 以上のから 加工 速度は 加工条件 材料により 顕著に変化するといえ る 故に 加工を行う場合 これらの事柄を踏まえなが ら 加工条件を割り出す必要がある 3 2 面加工特性 銅 サファイア カバーガラス 前節で 溝加工の特徴を紹介した 次に 溝加工を重 ね合わせ 面走査を1回した場合の表面の状態が問題と なる そこで 銅 出力 20mW 走査速度 1mm/s サファ イア 出力 20mW 走査速度 0.5mm/s カバーガラス 出 力 20mW 走査速度 1mm/s を ピッチ幅 µm で面加工を行った いずれの場合も溝幅が約30ミ (a) 50 mw, 0.1 mm/s クロンとなるように加工条件を設定した 表3に加工結果を示す これより 銅は本研究で行っ た中で最も表面粗さが小さく ピッチ幅を溝幅の 10.0 µm とした場合に一番粗さが小さくなっている 一方 サフ ァイアやガラスの場合 ピッチ幅が小さくなるほど表面 粗さが小さくなっていることがわかる また 図7に示すように サファイアの場合 ピッチ幅 を溝幅の 10.0 µm ではクラックが入らないが 7.5 µm に するとクラックが入った 銅やガラスでは ピッチ幅を 小さくしてもクラックは入らなかった これより 金属 系の材料は 面粗さを小さくするために ピッチ幅を適 当な値に設定する必要があり 無定形材料の場合 ピッ (b) 50 mw, 1.0 mm/s 図5 ガラスの溝加工 チ幅を小さくして 加工する必要性のあることがわかる また 結晶性材料の場合 クラックの発生を考慮にいれ ながら ピッチ幅を設定する必要があることがわかる
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5 µ µ µ µ
6 0Number of face scanning 0Number of face scanning µ
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フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法
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第18回海岸シンポジウム報告書
2011.6.25 2011.6.26 L1 2011.6.27 L2 2011.7.6 2011.12.7 2011.10-12 2011.9-10 2012.3.9 23 2012.4, 2013.8.30 2012.6.13 2013.9 2011.7-2011.12-2012.4 2011.12.27 2013.9 1m30 1 2 3 4 5 6 m 5.0m 2.0m -5.0m 1.0m
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液晶ディスプレイ取説TD-E432/TD-E502/TD-E552/TD-E652/TD-E432D/TD-E502D
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平成24年財政投融資計画PDF出後8/016‐030
24 23 28,707,866 2,317,737 26,390,129 29,289,794 2,899,665 24 23 19,084,525 21,036,598 1952,073 24 23 8,603,613 8,393,427 967,631 925,404 202,440 179,834 217,469 219,963 66,716 64,877 3,160,423 2,951,165
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑
報道関係者各位 平成 24 年 4 月 13 日 筑波大学 ナノ材料で Cs( セシウム ) イオンを結晶中に捕獲 研究成果のポイント : 放射性セシウム除染の切り札になりうる成果セシウムイオンを効率的にナノ空間 ナノの檻にぴったり収容して捕獲 除去 国立大学法人筑波大学 学長山田信博 ( 以下 筑波大学 という ) 数理物質系 系長三明康郎 守友浩教授は プルシャンブルー類似体を用いて 水溶液中に溶けている
3. 測定方法 測定系統図 測定風景写真
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FT-IRにおけるATR測定法
ATR 法は試料の表面分析法で最も一般的な手法で 高分子 ゴム 半導体 バイオ関連等で広く利用されています ATR(Attenuated Total Reflectance) は全反射測定法とも呼ばれており 直訳すると減衰した全反射で IRE(Internal Reflection Element 内部反射エレメント ) を通過する赤外光は IRE と試料界面で試料側に滲み出した赤外光 ( エバネッセント波
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series Installed by 精密加工技術の 世界最高峰へ MB series 精密加工の頂点を追い求めた MBシリーズ より正確に より精密に より効率良く 山頂を目指すかの如く着実に一歩ずつ 日々 世界最高技術への探求を続けています 全機種に新開発NC装置 Smart NC を搭載 M35B MM35B MB MMB MB MMB UltraMMB 3シリーズ7機種 UltraMMB
PressRelease OneCNC 株式会社 2013 年 5 月 21 日 CAD/CAM システム OneCNCXR5 同時 5 軸加工の機能を大幅に強化し スワーフ加工に対応 この度 低コストで導入可能なオールインワン型の CAD/CAM システム OneCNC XR5( ワン シーエヌシ
2013 年 5 月 21 日 CAD/CAM システム OneCNCXR5 同時 5 軸加工の機能を大幅に強化し スワーフ加工に対応 この度 低コストで導入可能なオールインワン型の CAD/CAM システム OneCNC XR5( ワン シーエヌシー エックスアール 5) の無償アップデートを実施し 工具側刃を用いた スワーフ加工 を新たに追加するなど 同時 5 軸加工の機能を大幅に強化しましたのでお知らせ致します
Nov 11
http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます
JUSE-StatWorks/V5 活用ガイドブック
4.6 薄膜金属材料の表面加工 ( 直積法 ) 直積法では, 内側に直交配列表または要因配置計画の M 個の実験, 外側に直交配列表または要因配置計画の N 個の実験をわりつけ, その組み合わせの M N のデータを解析します. 直積法を用いることにより, 内側計画の各列と全ての外側因子との交互作用を求めることができます. よって, 環境条件や使用条件のように制御が難しい ( 水準を指定できない )
0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生
0 21 カラー反射率 slope aspect 図 2.9: 復元結果例 2.4 画像生成技術としての計算フォトグラフィ 3 次元情報を復元することにより, 画像生成 ( レンダリング ) に応用することが可能である. 近年, コンピュータにより, カメラで直接得られない画像を生成する技術分野が生まれ, コンピューテーショナルフォトグラフィ ( 計算フォトグラフィ ) と呼ばれている.3 次元画像認識技術の計算フォトグラフィへの応用として,
BB-WAVE.com『仕事に使えるARCHIVES』 PowerPoint 用テンプレート 其の五
第 1 回 京 と大型実験施設との連携利用シンポジウム 2014 年 9 月 2 日東京 秋葉原 UDX(NEXT-1) タイヤ用ゴム材料の 大規模分子動力学シミュレーション 住友ゴム工業株式会社材料開発本部研究開発本部内藤正登 1 タイヤを取り巻く社会動向とタイヤに求められる性能 2 材料シミュレーションを活用したタイヤ材料の開発 3 材料シミュレーション活用における課題と取り組み 大型実験施設を用いた構造ダイナミクスの計測
「東京こどもネット・ケータイヘルプデスク(こたエール)」平成22年度相談実績の概要
734, 35% 62, 11% 84, 16% 530, 26% 235, 11% PC) 396, 73% 579, 28% ) (21 ) 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 200 150 100 22 182 200 150 100 22 50 54 PC 49 52 PC 50 41 14 17 1 1 4 16 3 6 14 180 250 200 150 235
6 30 2005 10 1 65 2,682 00 21.9 481 1 2,776 21.0 15 1,740 00 5.8 107 13.6 40 2025 24.2-0 - -1 - -2 - -3 - -4 - -5 - -6 - -7 - -8- -9 - - 10 - -11 - - 12 - - 13-10 11 59 4 59 3 10 17 - 14 - - 15 - - 16
2014-11.key
2014-11 1 2 3 4 5 7 8 9 10 11 12 PC 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 45 46 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68
DURACON POM グレードシリーズ ポリアセタール (POM) TR-20 CF2001/CD3501 ミネラル強化 ポリプラスチックス株式会社
DURACON POM グレードシリーズ ポリアセタール (POM) TR-20 CF2001/CD3501 ミネラル強化 ポリプラスチックス株式会社 TR-20 の一般的性質 カラー ISO(JIS) 材質表示 表 1-1 一般物性 (ISO) 項目単位試験方法 ISO11469 (JIS K6999) ミネラル強化 TR-20 高剛性 低そり CF2001/CD3501 >POM-TD15< 密度
<4D F736F F D C82532D E8B5A95F18CB48D655F5F8E878A4F90FC C2E646F63>
技術紹介 6. イオンビームスパッタリング法によるエキシマレーザ光学系用フッ化物薄膜の開発 Development of fluoride coatings by Ion Beam Sputtering Method for Excimer Lasers Toshiya Yoshida Keiji Nishimoto Kazuyuki Etoh Keywords: Ion beam sputtering
京都大学博士 ( 工学 ) 氏名宮口克一 論文題目 塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用した断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( 論文内容の要旨 ) 本論文は, 塩害を受けたコンクリート構造物の対策として一般的な対策のひとつである, 断面修復工法を検討の対象とし, その耐久性をより
塩素固定化材を用いた断面修復材と犠牲陽極材を併用し Titleた断面修復工法の鉄筋防食性能に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 宮口, 克一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2015-01-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k18 Right Type Thesis
本日話す内容
6CAE 材料モデルの VV 山梨大学工学部土木環境工学科吉田純司 本日話す内容 1. ゴム材料の免震構造への応用 積層ゴム支承とは ゴムと鋼板を積層状に剛結 ゴム層の体積変形を制限 水平方向 鉛直方向 柔 剛 加速度の低減 構造物の支持 土木における免震 2. 高減衰積層ゴム支承の 力学特性の概要 高減衰ゴムを用いた支承の復元力特性 荷重 [kn] 15 1 5-5 -1-15 -3-2 -1 1
Problem P5
問題 P5 メンシュトキン反応 三級アミンとハロゲン化アルキルの間の求核置換反応はメンシュトキン反応として知られている この実験では DABCO(1,4 ジアザビシクロ [2.2.2] オクタン というアミンと臭化ベンジルの間の反応速度式を調べる N N Ph Br N N Br DABCO Ph DABCO 分子に含まれるもう片方の窒素も さらに他の臭化ベンジルと反応する可能性がある しかし この実験では
軸受内部すきまと予圧 δeff =δo (δf +δt ) (8.1) δeff: 運転すきま mm δo: 軸受内部すきま mm δf : しめしろによる内部すきまの減少量 mm δt: 内輪と外輪の温度差による内部すきまの減少量 mm (1) しめしろによる内部すきまの減少量しめしろを与えて軸受
軸受内部すきまと予圧 8. 軸受内部すきまと予圧 8. 1 軸受内部すきま軸受内部すきまとは, 軸又はハウジングに取り付ける前の状態で, 図 8.1に示すように内輪又は外輪のいずれかを固定して, 固定されていない軌道輪をラジアル方向又はアキシアル方向に移動させたときの軌道輪の移動量をいう 移動させる方向によって, それぞれラジアル内部すきま又はアキシアル内部すきまと呼ぶ 軸受内部すきまを測定する場合は,
Microsoft Word - 4_構造特性係数の設定方法に関する検討.doc
第 4 章 構造特性係数の設定方法に関する検討 4. はじめに 平成 年度 年度の時刻歴応答解析を実施した結果 課題として以下の点が指摘 された * ) 脆性壁の評価法の問題 時刻歴応答解析により 初期剛性が高く脆性的な壁については現在の構造特性係数 Ds 評価が危険であることが判明した 脆性壁では.5 倍程度必要保有耐力が大きくなる * ) 併用構造の Ds の設定の問題 異なる荷重変形関係を持つ壁の
Microsoft PowerPoint - machida0206
広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
Chapter 版 Maxima を用いた LC のインピーダンス測定について [ 目的 ] 電気通信大学 先進理工学科の2 年次後期に実施される電気 電子回路実験において L,C のインピーダンス測定を実施している この実験項目について 無料ソフトの Maxima を用い
Chapter 2 2016.10.14 版 Maxima を用いた LC のインピーダンス測定について [ 目的 ] 電気通信大学 先進理工学科の2 年次後期に実施される電気 電子回路実験において L,C のインピーダンス測定を実施している この実験項目について 無料ソフトの Maxima を用いることで 理論解析と実験値の比較が可能である また 近年のパソコンの性能の向上により Maxima の実行処理速度が大幅に改善された
TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 15 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の
TITAN マルチコンタクト プローブ TITAN マルチコンタクト プローブは MPI の独自の TITAN RF プロービング技術をさらに発展させた RF/ マイクロ波デバイス特性評価用プローブです 最大 5 コンタクトまでのプロービングが可能で 各コンタクトは RF ロジック バイパス電源の中から選択可能です TITAN プローブのもつ優れたインピーダンス整合 電気特性 チップの視認性 長寿命をすべて兼ね備えています
Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF
ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 1 はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト
研究成果報告書
10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
