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- みいか むらかわ
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1 13:30 14:30 HDD TDK :00 11:00 1A-1 1 1A-2 RSA 3 1A-3 5 1A-4 7 1A :20 12:20 1B-1 2ch 3ch 11 1B B B B-5 19
2 15:30 16:30 1C C C C C-5 DS-UWB Rake 29 Mohammad Azizur Rahman 16:50 17:50 1D-1 On the Error in the Stopband of Mth band Max-flat FIR Filters 31 Linn Aung Pe Toshinori Yoshikawa Yoshinori Takei Nagaoka Univ. of Technology Xi Zhang Univ, of Electro-Communications 1D-2 Hamming 33 1D D D-5 JPEG :00 11:00 2A-1 DPSK/OFDM 41 2A A A-4 47
3 2A :20 12:20 2B-1 end-to-end 51 2B B-3 M 55 2B B :30 16:30 2C C C C-4 FDTD Rough Surface 67 2C :50 17:50 2D D D-3 MIMO 75
4 2D-4 POLSAR 77 2D-5 SAR :00 11:00 3A-1 OFET 81 3A-2 FET 83 3A-3 Cups-Stacked Carbon Nanofiber 85 3A-4 Cups-stacked carbon nanofiber 87 3A :20 12:20 3B-1 EL 91 ( ) 3B-2 MEH-PPV 93 3B-3 95 Adi Nasreen 3B B-5 99 Soo Young Park
5 15:30 16:30 3C ATR 3C-2 STAP 103 3C C C-5 Betweenness :50 17:50 3D D D-3 CNT 115 3D D :00 11:00 4A A A-3 AT 125
6 4A :20 12:20 4B B B B B :30 16:30 4C C C C C :50 17:50 4D D D-3 PBG 153
7 4D-4 SNAP 155 F. RUTTANUT 4D-5 Rb :20 12:20 5B-1 van der Pauw -FeSi 2 /Si 159 5B B B B :30 16:30 5C-1 ZnO 169 5C-2 Hot-mesh CVD Si(100) SiC 171 5C C-4 Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O y 175 5C A.Durand La Rochelle University
8 16:50 17:50 5D-1 / 179 5D-2 6H-SiC NH D-3 Co 183 5D-4 Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O y 185 5D :00 11:00 6A-1 EDLC 189 6A-2 EDLC 191 6A-3 A Ta/n SiC 193 6A-4 Sm-Co/Cu Cr 195 6A-5 FePt-Al 2 O :20 12:20 6B-1 Carbon Nanotube 199 6B-2 CCVD 201
9 6B-3 Magnetic properties of TbFeCo perpendicular magnetic recording media deposited on TiN underlayer 203 T. Rahman X. Liu A. Morisako M. Matsumoto Shinshu Univ. 6B-4 Sr 205 6B-5 Bi :30 16:30 6C-1 NdFeB W 209 6C-2 C-axis oriented Ba-ferrite thin film deposited on Pd-Pt underlayer 211 Yohei Okubo Nazmun Nahar Shams Xiaoxi Liu Mitsunori Matsumoto Akimitsu Morisako Shinshu Univ. 6C C-4 SWCNT 215 6C-5 Carbon Nanotube :50 17:50 6D-1 Si(001) MMSi SiC 219 6D-2 FeCo 221 6D-3 Cups-Stacked Carbon Nanotube 223 6D D-5 ab initio Carbon Nanotube 227
10 301 10:00 11:00 7A-1 HMM 229 7A-2 PSOLA 231 7A A Chris M. Harris Institute of Neuroscience University of Plymouth 7A :20 12:20 7B B B B B-5 EOG :30 16:30 7C-1 PAS 249 7C-2 PAS 251 7C-3 Brain Computer Interface 253
11 7C C :50 17:50 7D-1 GSPN LAN 259 7D D-3 IT 263 7D D-5 WWW :00 11:00 8A-1 CAI 269 8A-2 CAI 271 8A A A :20 12:20 8B-1 279
12 8B B B B :30 16:30 8C C C C C-5 DSP :50 17:50 8D D D D D-5 307
13 303 11:20 12:20 9B B B B B :30 16:30 9C C C C C :50 17:50 9D D D-3 333
14 9D D cm 85cm 14:30 15:20 P-1 D/U 339 P-2 DS/SS 341 P P P P P-7 TCM 351 P P P P P P
15 P P P P P ch 373 P-19 PBG 375 P-20 TiOx/ NO P P P-23 MBE Sn GaAs 1- Sb x 383 P-24 GaMnAs/Si Si 385 P P P-27 EA 391 P P Bin He P
16 P P P-33 MNK-Landscape 403 P P P-36 GA 409 P P-38 Multiobjective Random Bit Climbers on MNK-Landscapes 413 Hernan E. Aguirre Kiyoshi Tanaka Shinshu Univ. P-39 Controlling Drift and Elite's Age to Improve Multiobjective Evolutionary Algorithms on MNK-Landscapes 415 Hernan E. Aguirre Kiyoshi Tanaka Shinshu Univ. P-40 Characteristics of Multiobjective MNK-Landscapes 417 Hernan E. Aguirre Kiyoshi Tanaka Shinshu Univ. P-41 GA P P-43 WWW 423 P
03J_sources.key
Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E
1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e
No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh
I A-7 Fe β-ga 2 O 3 31 I A-8 I A-9 I A-10 I A-11 X Ce Tb A A A A A X 43 A A 47 A A B B A A B I A-12 SrI 2 :Eu 51 A B B C D A B C D I A I A
28 12 8 ( ) I A I B 10:00 10:05 10:05 11:10 11:25 12:25 13:45 15:15 TL-1 1 I A 15:30 17:30 I A-3 ZnO 15 I A-4 ZnO 19 A B B A,C A,B D A A B C D I A-5 255 I A-6 27 Ian Friel A J. Isberg B A Element Six Innovation
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2008-11/13 12 4 12 5 401 501 702 401 501 A-1 9:00-10:30 B-1 9:15-10:30 C-1 9:00-10:30 A-5 9:00-10:30 B-5 9:15-10:30 A A-2 10:45-12:15 B-2 10:45-12:15 C-2 10:45-12:15 A-6 10:45-12:15 B-6 10:45-12:15 A B
RAA-05(201604)MRA対応製品ver6
M R A 対 応 製 品 ISO/IEC 17025 ISO/IEC 17025は 試験所及び校正機関が特定の試験又は 校正を実施する能力があるものとして認定を 受けようとする場合の一般要求事項を規定した国際規格 国際相互承認 MRA Mutual Recognition Arrangement 相互承認協定 とは 試験 検査を実施する試験所 検査機関を認定する国際組織として ILAC 国際試験所認定協力機構
I A-7 CNT 27 A A A A A B A,C,D A B C D ( ) I A-8 Ce:YIG 31 A A,B A B JST I A-9 Cr 2 O 3 35 I A-10 CuO 39 A B A A A B I A-11 Co BiCoO 3 43 A A,B A A A
24 12 13 ( ) I-A 9:50 9:55 9:55 10:50 12:20 13:50 TL-1 1 14:00 15:00 OL-2 7 JST CREST I-B I A 15:10 16:05 16:05 17:50 10F S10A I A-3 X 11 A B B B A B I A-4 X 15 A A I A-5 X 19 A A I A-6 X 23 A A i I A-7
IS(A3) 核データ表 ( 内部転換 オージェ電子 ) No.e1 By IsoShieldJP 番号 核種核種半減期エネルギー放出割合核種番号通番数値単位 (kev) (%) 核崩壊型 娘核種 MG H β-/ce K A
IS(A3)- 284 - No.e1 核種核種半減期エネルギー放出割合核種通番数値単位 (kev) (%) 1 1 1 MG-28 20.915 H 29.08 27.0000 β-/ce K Al-28 2 1 2 MG-28 20.915 H 30.64 2.6000 β-/ce L Al-28 3 2 1 SC-44M 58.6 H 270.84 0.0828 EC/CE CA-44 4 2
36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1
36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic
I A-9 45 A,B, A,B, A,B, A,B, C, A, A, A A, B, C I A A,B, A,B, B,C, A, A A, B, C ( ) I A-11 LuFe 2 O 4 53, A,, B, C,, A, B, C I A-12 I A-13 Lumin
23 12 7 ( ) I A, I B I A 10:00 10:05 10F L 10:05 11:45 10F L 12:45 14:45 10F S10A I A-1 DC AC Bloch Zener 341 21, JST CREST I A-2 (6,5) 17,,,, A, B, A, B I A-3 X 21, A,, A I A-4 25 A, A, A,B, A A, B JST
RN201602_cs5_0122.indd
ISSN 1349-1229 No.416 February 2016 2 SPECIAL TOPIC113 SPECIAL TOPIC 113 FACE Mykinso 113 SPECIAL TOPIC IUPAC 11320151231 RI RIBFRILAC 20039Zn30 Bi83 20047113 20054201283 113 1133 Bh107 20082009 113 113
H1-H4
42 S H He Li H He Li Be B C N O F Ne Be B C N O F Ne H He Li Be B H H e L i Na Mg Al Si S Cl Ar Na Mg Al Si S Cl Ar C N O F Ne Na Be B C N O F Ne Na K Sc T i V C r K Sc Ti V Cr M n F e C o N i Mn Fe Mg
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合
1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度
Yano E plus見本誌200912
2009.12 E Yano plus www.yano.co.jp/eplus/ LED EL Si 1,2,3) TFT1986 FETField Effect Transistor 2000 1cm 2 /Vs TFT Si-TFT TFTThin Film Transistor TFT Si TFT TFT TFT Si TFT TFT FETField Effect Transistor
BIT -2-
2004.3.31 10 11 12-1- BIT -2- -3-256 258 932 524 585 -4- -5- A B A B AB A B A B C AB A B AB AB AB AB -6- -7- A B -8- -9- -10- mm -11- fax -12- -13- -14- -15- s58.10.1 1255 4.2 30.10-16- -17- -18- -19-6.12.10
MP-AES ICP-QQQ Agilent 5100 ICP-OES Agilent 5100 (SVDV) ICP-OES (DSC) 1 5100 SVDV ICP-OES VistaChip II CCD Agilent 7900 ICP-MS 7700 / 10 7900 ICP-MS ICP-MS FTIR Agilent 7900 ICP-MS Agilent Cary 7000 (UMS)
PowerPoint プレゼンテーション
2004 3 3 2 3 4 5 6 7 8 9 10 T. Ito, A. Yamamoto, et al., J. Chem. Soc., Chem. Commun., 136 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1783 (1974) J. Chem. Soc., Dalton Trans., 1398 (1975) 11 T.Ito, A. Yamamoto,
2_R_新技術説明会（佐々木）
% U: 6.58%, Np, Am:.5%, Pu:.% 5.8% Cs 6.5% Sr %.9%Mo 8.74% Tc.9% TODA C 8 H 7 C 8 H 7 N CH C CH N CH O C C 8 H 7 O N MIDOA C 8 H 7 DOODA NTA + HN(C 8 H 7 ) + H O DCC + SOCl + HN(C 8 H 7 ) + Cl TODA (TODA)
2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4
2006122 2/13
2006122 HEMT IT 1/13 2006122 2/13 2006122 3/13 2006122 4/13 2006122 5/13 2006122 Dingle 9 GaAs 6/13 2006122 7/13 2006122 8/13 2006122 9/13 2006122 10/13 2006122 4 11/13 2006122 GaAs MOSFET HEMT HEMT MBE
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1 211022 2 11150 211022384 3 1000 23% 77% 10% 10% 5% 20% 15% 40% 5% 3% 8% 16% 15% 42% 5% 6% 4 =1000 = 66 5 =1000 = 59 6 52%(42% 1000 7 56% 41% 40% 97% 3% 11%, 2% 3%, 41 7% 49% 30%, 18%, 40%, 83% =1000
CuSO POINT S 2 Ni Sn Hg Cu Ag Zn 2 Cu Cu Cu OH 2 Cu NH CuSO 4 5H 2O Ag Ag 2O Ag 2CrO4 Zn ZnS ZnO 2+ Fe Fe OH 2 Fe 3+ Fe OH 3 2 Cu Cu OH 2 Ag Ag
CuSO POINT S 2 Ni Sn Hg Cu Ag Zn 2 CuCu Cu OH 2 Cu NH 3 4 2 CuSO 4 5H 2O AgAg 2O Ag 2CrO4 ZnZnS ZnO 2+ Fe Fe OH 2 Fe 3+ Fe OH 3 2 Cu Cu OH 2 Ag Ag 2O Cl Cl AgCl PbCl 2 Ag Cl AgCl Pb 2 2Cl PbCl2 Cl Hg22
元素分析
: このマークが付してある著作物は 第三者が有する著作物ですので 同著作物の再使用 同著作物の二次的著作物の創作等については 著作権者より直接使用許諾を得る必要があります (PET) 1 18 1 18 H 2 13 14 15 16 17 He 1 2 Li Be B C N O F Ne 3 4 5 6 7 8 9 10 Na Mg 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 Al Si P
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SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g
STC-W10
STC-W10 2013 CASIO COMPUTER CO., LTD. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 2.4 DS / OF4 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
hv (%) (nm) 2
HOLLOW CATHODE LAMPS hv 1 2 1 8 5 3 4 6 (%) 6 4 7 8 2 16 2 24 28 32 36 4 44 (nm) 2 1 328.7 346.5 Ag 47-47NB(AG) 338.28 1 2 Re 75-75NB(RE) 346.47 2 25 39.27 343.49 Al 13-13NB(AL) 396.15 1 2 Rh 45-45NB(RH)
note4.dvi
10 016 6 0 4 (quantum wire) 4.1 4.1.1.6.1, 4.1(a) V Q N dep ( ) 4.1(b) w σ E z (d) E z (d) = σ [ ( ) ( )] x w/ x+w/ π+arctan arctan πǫǫ 0 d d (4.1) à ƒq [ƒg w ó R w d V( x) QŽŸŒ³ džq x (a) (b) 4.1 (a)
(1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) 4 (8) (9) () LAN 1 2 3 ( ) () () () 30 20 5 5 450 450 5 5 30 10 20 15 36 30 6 6 450 450 6 6 36 8 30 14 50 35 20 20 450 450 20 20 50 8 35 14 100 70 20 20 450 450
2 2 1990 17 000 2002 3 22 000 12 5 000 2 10 2 1999 2000 2 ii 2 2 MOS 2001 8 2002 3 2 2 iv (*2002 3 ) vi vii () 1 * 1 1.1 2 1.1.1 2 1.1.2 2 1.2 4 1.2.1 4 1.2.2 1 6 1.2.3 2 9 1.2.4 10 1.2.5 () a b, c 13
genron-3
" ( K p( pasals! ( kg / m 3 " ( K! v M V! M / V v V / M! 3 ( kg / m v ( v "! v p v # v v pd v ( J / kg p ( $ 3! % S $ ( pv" 3 ( ( 5 pv" pv R" p R!" R " ( K ( 6 ( 7 " pv pv % p % w ' p% S & $ p% v ( J /
CRA3689A
AVIC-DRZ90 AVIC-DRZ80 2 3 4 5 66 7 88 9 10 10 10 11 12 13 14 15 1 1 0 OPEN ANGLE REMOTE WIDE SET UP AVIC-DRZ90 SOURCE OFF AV CONTROL MIC 2 16 17 1 2 0 0 1 AVIC-DRZ90 2 3 4 OPEN ANGLE REMOTE SOURCE OFF
工大広報No.238
http: //www.tohtech.ac.jp/ Presented to Professor Shun-ichi Iwasaki Father of Perpendicular Recording In appreciation of your valuable contribution to Hitachis Perpendicular Magnetic Recording Technology
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5 28 EAR CCLECCN ECCN 1. 2. 3. 4. 5.EAR page 1 of 28 WWW.Agilent.co.jp -> Q&A ECCN 10020A 10070A 10070B 10070C 10071A 10071B 10072A 10073A 10073B 10073C 10074A 10074B 10074C 10076A 10229A 10240B 10430A
プログラム集計（座長付）ver11
2 11 8 A 17 21 9 30 2A01 2A02 2A03 9:20 9:30 PC 9:30 10:30 9:30 9:50 * WPI-ITbM ** CREST-JST *** Univ. of North Carolina at Chapel Hill **** * M. A. Horwitz **** * *,**,*** J. S. Johnson **** 9:50 10:10
1 1 1 1-1 1 1-9 1-3 1-1 13-17 -3 6-4 6 3 3-1 35 3-37 3-3 38 4 4-1 39 4- Fe C TEM 41 4-3 C TEM 44 4-4 Fe TEM 46 4-5 5 4-6 5 5 51 6 5 1 1-1 1991 1,1 multiwall nanotube 1993 singlewall nanotube ( 1,) sp 7.4eV
物理化学I-第12回(13).ppt
I- 12-1 11 11.1 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) [Mg 2+ O 2 ] Zn(s) + Cu 2+ (aq) Zn 2+ (aq) + Cu(s) - 2Mg(s) 2Mg 2+ (s) + 4e +) O 2 (g) + 4e 2O 2 (s) 2Mg(s) + O 2 (g) 2MgO(s) Zn(s) Zn 2+ (aq) + 2e +) Cu 2+ (aq)
2
Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................
衛生関連総合カタログ
INDEX WHITE MAX TP-14 TP-15 TP-15 1 c /s TP-14 28 300 24 XSSM TP-15 30 100 60 TP-16 28 300 24 XSSM HACCP 100.000 1ft 3 0.5100.000 1ft 3 2.5 TP-1 TP-6 200 100 1 c /s 40 100 SML 1 c /s TP-2 200 40 TP-7 100
Netcommunity SYSTEM X7000 IPコードレス電話機 取扱説明書
4 5 6 7 8 9 . 4 DS 0 4 5 4 4 4 5 5 6 7 8 9 0 4 5 6 7 8 9 4 5 6 4 0 4 4 4 4 5 6 7 8 9 40 4 4 4 4 44 45 4 6 7 5 46 47 4 5 6 48 49 50 5 4 5 4 5 6 5 5 6 4 54 4 5 6 7 55 5 6 4 56 4 5 6 57 4 5 6 7 58 4
.A. D.S
1999-1- .A. D.S 1996 2001 1999-2- -3- 1 p.16 17 18 19 2-4- 1-5- 1~2 1~2 2 5 1 34 2 10 3 2.6 2.85 3.05 2.9 2.9 3.16 4 7 9 9 17 9 25 10 3 10 8 10 17 10 18 10 22 11 29-6- 1 p.1-7- p.5-8- p.9 10 12 13-9- 2
1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ
rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD
社葬事前手続き
2 ... 4... 4... 5 1... 5 2... 5 3... 5 4... 5 5... 5 6... 5 7... 5 8... 6 9... 6 10... 6... 6 1... 6 2... 6 3... 7 4... 7... 8 1 2.... 8 2 2.... 9 3 4.. 3 4. 1 2 3 4 5 6 7 5 8 9 10 I 1 6 2 EL 3 4 24 7
untitled
351 351 351 351 13.0 0.0 25.8 1.0 0.0 6.3 92.9 0.0 80.5 0.0 1.5 15.9 0.0 3.5 13.1 0.0 30.0 54.8 18.0 0.0 27.5 1.0 0.0 2.5 94.7 0.0 91.7 0.0 1.3 14.7 0.0 3.8 14.4 0.0 25.0 50.5 16.0 0.0 27.5 2.0 0.0 2.5
1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L
42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =
![42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =](/thumbs/73/68712188.jpg "42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =")
3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u
橡行動計画最終
1 [ ] 1 1. 2. 3. 4. 2 1. (1) (2) (3) (4) 11 27 (5) 9 12 20 2. (1) (2) 2 3 (1) (2) (3) (4) (5) 4 (1) (2) 4 (3) 11 5 (1) (2) (3) 1 5 ( ) 2 3 4 5 6 7 () 1 10 12 20 10 11 10 11 2 3 LAN LAN 16 4 1 2 3 4 5
K 吸収端 XAFS 用標準試料 Ti Ti-foil 金属箔 縦 1.3 cm 横 1.3 cm 厚さ 3 µm TiO2 anatase ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 TiO2 rutile ペレット φ 7 mm 厚さ 0.5 mm 作製日 2017.
あいち SR BL5S1 硬 X 線 XAFS ビームライン Ⅰ 標準試料リスト 周期表のリンクをクリックすると 各元素の標準試料リストに飛びます 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga
SIｻｲｴﾝｽ株式会社 stable isotope metal
12 マグネシウム Magnesium 24 Mg 酸化物 78.99 99.7 12 マグネシウム Magnesium 25 Mg 酸化物 10.0 97.0 12 マグネシウム Magnesium 26 Mg 酸化物 11.01 97.0 12 マグネシウム Potassium 39 K 塩化物 93.11 99.97 12 マグネシウム Potassium 40 K 塩化物 0.011 2.10
EPSON エプソンプリンタ共通 取扱説明書 ネットワーク編
K L N K N N N N N N N N N N N N L A B C N N N A AB B C L D N N N N N L N N N A L B N N A B C N L N N N N L N A B C D N N A L N A L B C D N L N A L N B C N N D E F N K G H N A B C A L N N N N D D
ありがとうございました
- 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - 1 2 AB C A B C - 6 - - 7 - - 8 - 10 1 3 1 10 400 8 9-9 - 2600 1 119 26.44 63 50 15 325.37 131.99 457.36-10 - 5 977 1688 1805 200 7 80-11 - - 12 - - 13 - - 14 - 2-1 - 15 -
EPSON エプソンプリンタ共通 取扱説明書 ネットワーク編
K L N K N N N N N N N N N N N N L A B C N N N A AB B C L D N N N N N L N N N A L B N N A B C N L N N N N L N A B C D N N A L N A L B C D N L N A L N B C N N D E F N K G H N A B C A L N N N N D D
公務員人件費のシミュレーション分析
47 50 (a) (b) (c) (7) 11 10 2018 20 2028 16 17 18 19 20 21 22 20 90.1 9.9 20 87.2 12.8 2018 10 17 6.916.0 7.87.4 40.511.6 23 0.0% 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 2.0% 4.0% 6.0% 8.0%
Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 A B (A/B) 1 1,185 17,801 6.66% 2 943 26,598 3.55% 3 3,779 112,231 3.37% 4 8,174 246,350 3.32% 5 671 22,775 2.95% 6 2,606 89,705 2.91% 7 738 25,700 2.87% 8 1,134
橡hashik-f.PDF
1 1 1 11 12 13 2 2 21 22 3 3 3 4 4 8 22 10 23 10 11 11 24 12 12 13 25 14 15 16 18 19 20 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 144 142 140 140 29.7 70.0 0.7 22.1 16.4 13.6 9.3 5.0 2.9 0.0
198
197 198 199 200 201 202 A B C D E F G H I J K L 203 204 205 A B 206 A B C D E F 207 208 209 210 211 212 213 214 215 A B 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225 226 227 228 229 A B C D 230 231 232 233 A
ネットショップ・オーナー２ ユーザーマニュアル
1 1-1 1-2 1-3 1-4 1 1-5 2 2-1 A C 2-2 A 2 C D E F G H I 2-3 2-4 2 C D E E A 3 3-1 A 3 A A 3 3 3 3-2 3-3 3-4 3 C 4 4-1 A A 4 B B C D C D E F G 4 H I J K L 4-2 4 C D E B D C A C B D 4 E F B E C 4-3 4
1
1 2 3 4 5 (2,433 ) 4,026 2710 243.3 2728 402.6 6 402.6 402.6 243.3 7 8 20.5 11.5 1.51 0.50.5 1.5 9 10 11 12 13 100 99 4 97 14 A AB A 12 14.615/100 1.096/1000 B B 1.096/1000 300 A1.5 B1.25 24 4,182,500
05[ ]戸田(責)村.indd
![05[ ]戸田(責)村.indd](/thumbs/91/106164845.jpg "05[ ]戸田(責)村.indd")
147 2 62 4 3.2.1.16 3.2.1.17 148 63 1 3.2.1.F 3.2.1.H 3.1.1.77 1.5.13 1 3.1.1.05 2 3 4 3.2.1.20 3.2.1.22 3.2.1.24 3.2.1.D 3.2.1.E 3.2.1.18 3.2.1.19 2 149 3.2.1.23 3.2.1.G 3.1.1.77 3.2.1.16 570 565 1 2
/9/ ) 1) 1 2 2) 4) ) ) 2x + y 42x + y + 1) 4) : 6 = x 5) : x 2) x ) x 2 8x + 10 = 0
1. 2018/9/ ) 1) 8 9) 2) 6 14) + 14 ) 1 4 8a 8b) 2 a + b) 4) 2 : 7 = x 8) : x ) x ) + 1 2 ) + 2 6) x + 1)x + ) 15 2. 2018/9/ ) 1) 1 2 2) 4) 2 + 6 5) ) 2x + y 42x + y + 1) 4) : 6 = x 5) : x 2) x 2 15 12
14:15-15:15 OS-9 (3) A141 A142 A143 A144 ( ), ( ) ( ), ( ) ( ), OrejonDaniel( ), ( ), ( ), KimJungho( ), SefianeKhellil( ) ( ), ( ) B 9:00-10:15 OS-2
1 [11 8 ( )] A 9:15-10:15 (1) A111 A112 A113 A114 ( ), ( ), ( ), ( ) LiBr ( ), ( ), ( ) ( ), ( ), ( ), ( ), ( ), ( ) ( ), ( ), ( ), ( ) 10:30-11:45 OS-9 (1) A121 A122 A123 A124 A125 ( ) ( ), ( ) ( ), (
** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite
** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite Thin Films by Dip-Coating Method and Magnetic Properties
A4単頁
718 クラシック ( 旧型式 ) E4/00 E4/4 クラシック ( 旧型式 ) 719 600 601 R608 E4/00 108 108 70.0 60.0 50.0 40.0 30.0 FL B 20.0 10.0 FL G 6.0 2.0 1.5 1.0 6.5 0.5 0 0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 1.0 2.5 3.5 4.5 5.5 F 0 4 6 8
4_Laser.dvi
1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation
技術創造の社会的条件
1999 10 21 21 i ... 1 1... 3 1-1. 20...3 1900 1945 3 1945 198x 4 198x 1999 5 1-2....7 1945 198x 7 HEMT 8 198x 1999 9 9 1-3....11 11 12 13 18 2 New Institutions... 21 2-1....21 22 24 26 2-2....27 28 29
”‚„¹…v…“…O…›…•
OHP XPXP CD-R USB 9:30 9:45 LBM DEM 10:00 10:15 10:30 15 10:45 11:00 11:15 11:30 9:15 9:30 9:45 10:00 10:15 3 10:30 15 10:45 SCB 11:00 11:15 11:30 11:45 10:00 2 10:15 10:30 10:45 11:00 15 11:15 11:30 11:45
SIRIUS_CS3*.indd
SIRIUS Innovations SIRIUS SIRIUS Answers for industry. SIRIUS SIRIUS S00 S0 SIRIUS SIRIUS ZX0-ORAZ-0AB0 7.5kW 6 S00 7 8 7.5kW 9 S00 0 8.5kW S0 8.5kW S0 5 6 7 IO-Link AS-InterfaceRT 8 8US 5 6 SIRIUS SIRIUS
Yuzo Nakamura, Kagoshima Univ., Dept Mech Engr. perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity
perfect crystal imperfect crystal point defect vacancy self-interstitial atom substitutional impurity atom interstitial impurity atom line defect dislocation planar defect surface grain boundary interface
空き容量一覧表（154kV以上）
1/3 A. 電気所 ( 発電所, 変電所, 配電塔 ) における変圧器の空き容量 覧 < 留意事項 > (1) 空容量は 安であり 系統接続の前には 接続検討のお申込みによる詳細検討が必要となります その結果 空容量が変更となる場合があります (2) 熱容量を考慮した空き容量を記載しております その他の要因 ( や系統安定度など ) で連系制約が発 する場合があります (3) 表 は 既に空容量がないため
untitled
5 10% 1 13 15cm 3 4cm 2 RS P Rb Ra S RS Ra Rb P 4 S RS CT MRI Stage 0 Stage I Stage I Stage II Ra Rb P TEM TEM ISR TEM Transanal endoscopic microsurgery 5cm 4cm 5cm TEM 1 2 3 10cm RS 6cm Ra 4cm Rb 2cm
2/8 一次二次当該 42 AX 変圧器 なし 43 AY 変圧器 なし 44 BA 変圧器 なし 45 BB 変圧器 なし 46 BC 変圧器 なし
1/8 A. 電気所 ( 発電所, 変電所, 配電塔 ) における変圧器の空き容量一覧 < 留意事項 > (1) 空容量は目安であり 系統接続の前には 接続検討のお申込みによる詳細検討が必要となります その結果 空容量が変更となる場合があります (2) 特に記載のない限り 熱容量を考慮した空き容量を記載しております その他の要因 ( や系統安定度など ) で連系制約が発生する場合があります (3)
Program4.dvi
12 3 ( ) 10:00 10:05 III I 10:05 11:05 III I-3 I-22 1 3 11:20 12:30 III TL-1 1 / 13:30 14:30 III OL-2 5 A,B ( A, B CREST) II 14:45 16:05 III II-23 II-48 1 3 I 16:05 18:20 I, II I-3 MgAl 2 O 4 :Eu 2 O 3
ブック 1.indb
20 29 29 18 21 29 10 30 31 10 11 12 30 13 10 30 14 11 30 15 12 16 13 17 14 18 15 19 16 20 17 21 18 10 20 29 82 83 84 85 86 87 88 20 10 89 20 12 11 90 20 13 12 91 20 14 13 92 20 14 14 93 15 15 94 15 16
180 30 30 180 180 181 (3)(4) (3)(4)(2) 60 180 (1) (2) 20 (3)
12 12 72 (1) (2) (3) 12 (1) (2) (3) (1) (2) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) (9) (10) (11) (1) (2) 180 30 30 180 180 181 (3)(4) (3)(4)(2) 60 180 (1) (2) 20 (3) 30 16 (1) 31 (2) 31 (3) (1) (2) (3) (4) 30
... 6 1) 2) No. 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 No. 1 2 2 3 3cm 4 untitled
1....1 2....2 2.1...2 2.2...2 3....14 3.1...14 3.2...14 4....15 4.1...15 4.2...18 4.3...21 4.4...23 4.5...26 5....27 5.1...27 5.2...35 5.3...54 5.4...64 5.5...75 6....79 6.1...79 6.2...85 6.3...94 6.4...
113 120cm 1120cm 3 10cm 900 500+240 10 1 2 3 5 4 5 3 8 6 3 8 6 7 6 8 4 4 4 4 23 23 5 5 7
