TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over c
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- こうしょ はまもり
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1 EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C
2 TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection (OCP) characteristics, and Output ripple and noise waveform (2) 過渡応答 過電圧保護特性 その他 Dynamic response, Over voltage protection (OVP) characteristics and Other characteristics (3) 入力サージ電流 ( 突入電流 ) 特性 Inrush current characteristics (4) EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics 1.2 使用測定機器 List of equipment used... T-3 2. 特性データ Characteristics 2.1 静特性 Steady state data (1) 入力変動 負荷変動 温度変動 Line regulation, Load regulation, Temperature drift... T-4 (2) 出力電圧 出力リップル ノイズ電圧対入力電圧 Output voltage and Output ripple and noise voltage vs. Input voltage... T-6 (3) 入力電流 効率対出力電流 Input current and Efficiency vs. Output current... T-8 (4) 効率対入力電圧 Efficiency vs. Input voltage... T-1 (5) 効率対ベースプレート温度 Efficiency vs. Base-plate temperature... T-12 (6) 起動 停止電圧特性 Start and Stop voltage characteristics... T 待機電力特性 Standby power characteristics... T 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics... T 過電流保護特性 Over current protection (OCP) characteristics... T 過電圧保護特性 Over voltage protection (OVP) characteristics... T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 Output rise and fall characteristics... T 過渡応答 ( 負荷急変 ) 特性 Dynamic load response characteristics... T 入力サージ電流 ( 突入電流 ) 特性 Inrush current characteristics... T 出力リップル ノイズ波形 Output ripple and noise waveform... T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristcs... T-37 使用記号 Terminology used Definition Vin... 入力電圧 Input voltage Vo... 出力電圧 Output voltage Vcnt... CNT 電圧 CNT voltage Iin... 入力電流 Input current Io... 出力電流 Output current Tbp... ベースプレート温度 Base-plate temperature Ta... 周囲温度 Ambient temperature f... 周波数 Frequency
3 1. 評価方法 Evaluation Method 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection (OCP) characteristics, and Output ripple and noise waveform (2) 過渡応答 過電圧保護特性 その他 Dynamic response, Over voltage protection (OVP) characteristics and Other characteristics (3) 入力サージ電流 ( 突入電流 ) 特性 Inrush current characteristics C1 : 22uF Electrolytic Capacitor C4 : 47pF Ceramic Capacitor C2 : 2.2μF Ceramic Capacitor C5 : 8uF Electrolytic Capacitor C3 : 5V-22uF Electrolytic Capacitor R1 : 5Ω : 12V-56uF Electrolytic Capacitor R2 :.1Ω : 24V-22uF Electrolytic Capacitor : 48V-22uF 2series Electrolytic Capacitor TDK-Lambda T-1
4 (4) EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (a) 雑音端子電圧 ( 帰還ノイズ ) Conducted Emission Noise (b) 雑音電界強度 ( 輻射ノイズ ) Radiated Emission Noise VCCI class A 対応アプリケーションシステム VCCI class A application system * 入出力ケーブルとしてシールドケーブルを使用 Shielded cable used to input and output cable. C1,C2 : 47pF Ceramic Capacitor C1 : 5V-22uF Electrolytic Capacitor C3 : 1.5μF Film Capacitor : 12V-56uF Electrolytic Capacitor C4 : 1.5μF Film Capacitor : 24V-22uF Electrolytic Capacitor C5,C6 : 22pF Ceramic Capacitor : 48V-22uF 2series Electrolytic Capacitor C7 : 22uF Electrolytic Capacitor L1 :.6mH C8 :.22μF Ceramic Capacitor L2 : 3.mH C9 : 2.2μF Ceramic Capacitor TDK-Lambda T-2
5 TDK-Lambda T 使用測定機器 List of equipment used EQUIPMENT USED MANUFACTURER MODEL NO. 1 AC POWER SUPPLY KIKUSUI PCR2L 2 DYNAMIC DUMMY LOAD Chrome DUMMY LOAD ARCOL HS5 SERIES 4 DATA ACQUISITION / SWITCH UNIT AGILENT 3497A 5 SHUNT RESISTER YOKOGAWA ELECT CONTROLLED TEMP. CHAMBER ESPEC CORP. SH DIGITAL STORAGE OSCILLOSCOPE YOKOGAWA DLM254 8 CURRENT PROBE YOKOGAWA EMI TEST RECEIVER 9 SPECTRUM ANALYZER ROHDE & SCHWARZ ESCI 1 PRE AMP. SONOMA 31N 11 AMN SCHWARZBECK NNLK ANTENNA(BI-LOG ANTENNA) TESEQ CBL6111D
6 TDK-Lambda T-4 2. 特性データ Characteristics 2.1 静特性 Steady state data (1) 入力変動 負荷変動 温度変動 Line regulation, Load regulation, Temperature drift 5V 1. Line regulation and Load regulation Condition Tbp : 25 Io \ Vin 2VDC 28VDC 38VDC 425VDC % 5.1V 5.1V 5.1V 5.11V 1mV 5% 5.11V 5.11V 5.11V 5.11V mv 1% 5.11V 5.11V 5.11V 5.11V mv Load 1mV 1mV 1mV mv regulation.2%.2%.2%.% Line regulation.1%.8%.2% 2. Temperature drift Conditions Vin : 28VDC Io : 1% Tbp Temperature stability Vo 4.98V 5.11V 5.2V 4mV.8% 12V 1. Line regulation and Load regulation Condition Tbp : 25 Io \ Vin 2VDC 28VDC 38VDC 425VDC % V V V V mv 5% V V V V 4mV 1% V V V V 2mV Load 4mV 3mV 7mV 8mV regulation.33%.25%.58%.67% Line regulation.4%.34%.2% 2. Temperature drift Conditions Vin : 28VDC Tbp Temperature stability Vo V V V 72mV.6% Io : 1%
7 TDK-Lambda T-5 (1) 入力変動 負荷変動 温度変動 Line regulation, Load regulation, Temperature drift 24V 1. Line regulation and Load regulation Condition Tbp : 25 Io \ Vin 2VDC 28VDC 38VDC 425VDC % 23.86V 23.86V 23.86V 23.86V mv 5% V 23.82V 23.8V V 3mV 1% V 23.81V V V 4mV Load 7mV 5mV 7mV 9mV regulation.29%.21%.29%.38% Line regulation.1%.13%.17% 2. Temperature drift Conditions Vin : 28VDC Io : 1% Tbp Temperature stability Vo V 23.81V 23.81V 14mV.432% 48V 1. Line regulation and Load regulation Condition Tbp : 25 Io \ Vin 2VDC 28VDC 38VDC 425VDC % V V V V 3mV 5% V V V V 7mV 1% V V V V 5mV Load 14mV 13mV 12mV 12mV regulation.29%.27%.25%.25% Line regulation.6%.14%.1% 2. Temperature drift Conditions Vin : 28VDC Io : 1% Tbp Temperature stability Vo V V V 156mV.325%
8 TDK-Lambda T-6 (2) 出力電圧 出力リップル ノイズ電圧対入力電圧 Output voltage and Output ripple and noise voltage vs. Input voltage Conditions Io : 1 % Tbp : -4 : 25 : 1 5V Output voltage (V) Output voltage Output ripple and noise voltage Output ripple and noise voltage (mv) Input voltage (V) 12V Output voltage (V) Output voltage Output ripple and noise voltage Output ripple and noise voltage (mv) Input voltage (V)
9 TDK-Lambda T-7 (2) 出力電圧 出力リップル ノイズ電圧対入力電圧 Output voltage and Output ripple and noise voltage vs. Input voltage Conditions Io : 1 % Tbp : -4 : 25 : 1 24V Output voltage (V) 24. Output voltage 23.6 Output ripple and noise voltage Output ripple and noise voltage (mv) Input voltage (V) 48V Output voltage (V) 48. Output voltage 47.2 Output ripple and noise voltage Output ripple and noise voltage (mv) Input voltage (V)
10 TDK-Lambda T-8 (3) 入力電流 効率対出力電流 Input current and Efficiency vs. Output current Conditions Vin : 2 VDC : 28 VDC : 38 VDC : 425 VDC 5V Efficiency 9 Input current (A) Efficiency (%).4 Input current 6 12V Output current (%) (2A) Efficiency 9 Input current (A) Efficiency (%).4 Input current Output current (%) (8.4A) 5
11 TDK-Lambda T-9 (3) 入力電流 効率対出力電流 Input current and Efficiency vs. Output current Conditions Vin : 2 VDC : 28 VDC : 38 VDC : 425 VDC 24V Efficiency 1 9 Input current (A) Efficiency (%) 48V Input current Output current (%) (4.2A) Efficiency Input current (A) Efficiency (%).4. Input current Output current (%) (2.1A) 6 5
12 TDK-Lambda T-1 (4) 効率対入力電圧 Efficiency vs. Input voltage Conditions Io : 5 % : 1 % 5V 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency Input voltage (V) 12V 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency Input voltage (V)
13 TDK-Lambda T-11 (4) 効率対入力電圧 Efficiency vs. Input voltage Conditions Io : 5 % : 1 % 24V 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency Input voltage (V) 48V 1 Efficiency Efficiency (%) Input voltage (V)
14 TDK-Lambda T-12 (5) 効率対ベースプレート温度 Efficiency vs. Base-plate temperature Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency Tbp ( ) 12V 1 9 Efficiency Efficiency (%) Tbp ( )
15 TDK-Lambda T-13 (5) 効率対ベースプレート温度 Efficiency vs. Base-plate temperature Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency 48V Tbp ( ) 1 Efficiency (%) 9 8 Efficiency Tbp ( )
16 TDK-Lambda T-14 (6) 起動 停止電圧特性 Start and Stop voltage characteristics 出力電圧対入力電圧 入力電流対入力電圧 Output voltage vs. Input voltage Input current vs. Input voltage Conditions Io : 1 % Conditions Io : 1 % 5V 5V 6 5 Input voltage range 1.5 Input voltage range Output voltage (V) Input current (A) Input voltage (V) Input voltage (V) 12V 12V 15 Input voltage range 1.5 Input voltage range 12 Output voltage (V) Input current (A) Input voltage (V) Input voltage (V)
17 TDK-Lambda T-15 (6) 起動 停止電圧特性 Start and Stop voltage characteristics 出力電圧対入力電圧 入力電流対入力電圧 Output voltage vs. Input voltage Input current vs. Input voltage Conditions Io : 1 % Conditions Io : 1 % 24V 24V 3 Input voltage range 1.5 Input voltage range 24 Output voltage (V) Input current (A) Input voltage (V) Input voltage (V) 48V 48V 6 5 Input voltage range 1.5 Input voltage range Output voltage (V) Input current (A) Input voltage (V) Input voltage (V)
18 TDK-Lambda T 待機電力特性 Standby power characteristics Conditions 5V 5 4 Standby power (W) Control:OFF Io:% Input voltage (V) 12V 5 4 Standby power (W) Control:OFF Io:% Input voltage (V)
19 TDK-Lambda T 待機電力特性 Standby power characteristics Conditions 24V 5 4 Standby power (W) Control:OFF Io:% Input voltage (V) 48V 5 4 Standby power (W) Control:OFF Io:% Input voltage (V)
20 TDK-Lambda T 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % Ta : 25 5V.5 Output voltage drift (%) Time (hours) 12V.5 Output voltage drift (%) Time (hours)
21 TDK-Lambda T 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % Ta : 25 24V.5 Output voltage drift (%) Time (hours) 48V.5 Output voltage drift (%) Time (hours)
22 TDK-Lambda T 過電流保護特性 Over current protection (OCP) characteristics 入力電圧依存性 ベースプレート温度依存性 Input voltage dependence Base-plate temperature dependence Conditions Vin : 2 VDC Conditions Vin : 28 VDC : 28 VDC Tbp : -4 : 38 VDC : 25 : 425 VDC : 1 5V 5V Output voltage (V) Output voltage (V) Output current (%) Output current (%) 12V 12V Output voltage (V) Output voltage (V) Output current (%) Output current (%)
23 TDK-Lambda T 過電流保護特性 Over current protection (OCP) characteristics 入力電圧依存性 ベースプレート温度依存性 Input voltage dependence Base-plate temperature dependence Conditions Vin : 2 VDC Conditions Vin : 28 VDC : 28 VDC Tbp : -4 : 38 VDC : 25 : 425 VDC : 1 24V 24V Output voltage (V) Output voltage (V) Output current (%) Output current (%) 48V 48V Output voltage (V) Output voltage (V) Output current (%) Output current (%)
24 TDK-Lambda T 過電圧保護特性 Over voltage protection (OVP) characteristics 5V Conditions:Vin : 28VDC Iout : % Ta : 25 o C OVP point Vout V 2V/div 2s/div 12V OVP point Vout V 5V/div 2s/div
25 TDK-Lambda T 過電圧保護特性 Over voltage protection (OVP) characteristics 24V Conditions:Vin : 28VDC Iout : % Ta : 25 o C OVP point Vout V 1V/div 2s/div 48V OVP point Vout V 2V/div 2s/div
26 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 Output rise and fall characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : % 5V Vo 45% 45% Vin Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV Vin:2V/DIV 5s/DIV Vo:2V/DIV 12V Vo 45% Vin V Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV Vin:2V/DIV 5s/DIV Vo:5V/DIV
27 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 Output rise and fall characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : % 24V Vo Vin V Vin:2V/DIV Vo:1V/DIV Vin:2V/DIV 1ms/DIV 5s/DIV Vo:1V/DIV 48V Vo Vin Vin:2V/DIV Vo:2V/DIV Vin:2V/DIV Vo:2V/DIV 1ms/DIV 5s/DIV
28 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 Output rise and fall characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V Vo 45% 45% Vin Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV 12V Vo Vin Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV Vin:2V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV
29 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 Output rise and fall characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V Vo Vin V Vin:2V/DIV Vo:1V/DIV Vin:2V/DIV Vo:1V/DIV 1ms/DIV 1ms/DIV 48V Vo Vin Vin:2V/DIV Vo:2V/DIV Vin:2V/DIV Vo:2V/DIV 1ms/DIV 1ms/DIV
30 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 (ON/OFFコントロール時) Output rise and fall characteristics with ON/OFF CONTROL Conditions Vin : 28 VDC Io : % 5V Vo 45% 45% Vcnt Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV Vcnt:5V/DIV 5s/DIV Vo:2V/DIV 12V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV Vcnt:5V/DIV 5s/DIV Vo:5V/DIV
31 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 (ON/OFFコントロール時) Output rise and fall characteristics with ON/OFF CONTROL Conditions Vin : 28 VDC Io : % 24V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV Vo:1V/DIV Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV 5s/DIV Vo:1V/DIV 48V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV Vo:2V/DIV Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV 5s/DIV Vo:2V/DIV
32 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 (ON/OFFコントロール時) Output rise and fall characteristics with ON/OFF CONTROL Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V Vo 45% 45% Vcnt Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:2V/DIV 12V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV Vcnt:5V/DIV 1ms/DIV Vo:5V/DIV
33 TDK-Lambda T 出力立ち上がり 立ち下がり特性 (ON/OFFコントロール時) Output rise and fall characteristics with ON/OFF CONTROL Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV Vo:1V/DIV Vcnt:5V/DIV Vo:1V/DIV 1ms/DIV 1ms/DIV 48V Vo Vcnt Vcnt:5V/DIV Vo:2V/DIV Vcnt:5V/DIV Vo:2V/DIV 1ms/DIV 1ms/DIV
34 TDK-Lambda T 過渡応答 ( 負荷急変 ) 特性 Dynamic load response characteristics Conditions Vin : 28 VDC 5V Load current tr = tf = 1us Io 5% 1% f=1khz Vo 6 Io Io:1A/DIV 2μs/DIV Vo:2mV/DIV 12V Load current tr = tf = 1us Io 5% 1% f=1khz Vo Io Io:5A/DIV 2μs/DIV Vo:2mV/DIV
35 TDK-Lambda T 過渡応答 ( 負荷急変 ) 特性 Dynamic load response characteristics Conditions Vin : 28 VDC 24V Load current tr = tf = 1us Io 5% 1% f=1khz Vo Io Io:2A/DIV 2μs/DIV Vo:2mV/DIV 48V Load current tr = tf = 1us Io 5% 1% f=1khz Vo Io Io:1A/DIV 2μs/DIV Vo:2mV/DIV
36 TDK-Lambda T 入力サージ電流 ( 突入電流 ) 特性 Inrush current characteristics Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 48V Iin Vin Iin:1A/DIV 2μs/DIV Vin:2V/DIV
37 TDK-Lambda T 出力リップル ノイズ波形 Output ripple and noise waveform Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V 5mV/DIV 2μs/DIV 12V 5mV/DIV 2μs/DIV
38 TDK-Lambda T 出力リップル ノイズ波形 Output ripple and noise waveform Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V 5mV/DIV 2μs/DIV 48V 1mV/DIV 2μs/DIV
39 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (a) 雑音端子電圧 ( 帰還ノイズ ) Conducted Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V +Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] -Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] EN5511-A, EN5522-A, FCC Part.15 Subpart.B ClassA の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A and FCC Part.15 Subpart.B ClassA are same as its VCCI ClassA.
40 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (a) 雑音端子電圧 ( 帰還ノイズ ) Conducted Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 12V +Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] -Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] EN5511-A, EN5522-A, FCC Part.15 Subpart.B ClassA の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A and FCC Part.15 Subpart.B ClassA are same as its VCCI ClassA.
41 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (a) 雑音端子電圧 ( 帰還ノイズ ) Conducted Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V +Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] -Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] EN5511-A, EN5522-A, FCC Part.15 Subpart.B ClassA の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A and FCC Part.15 Subpart.B ClassA are same as its VCCI ClassA.
42 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (a) 雑音端子電圧 ( 帰還ノイズ ) Conducted Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 48V +Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] -Vin VCCI Class A QP limit VCCI Class A AV limit Level [db] k 5 1M 5M 1M 3M Frequency [Hz] EN5511-A, EN5522-A, FCC Part.15 Subpart.B ClassA の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A and FCC Part.15 Subpart.B ClassA are same as its VCCI ClassA.
43 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (b) 雑音電界強度 ( 輻射ノイズ ) Radiated Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 5V HORIZONTAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) VERTICAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) EN5511-A, EN5522-A の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A are same as its VCCI ClassA.
44 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (b) 雑音電界強度 ( 輻射ノイズ ) Radiated Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 12V HORIZONTAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) VERTICAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) EN5511-A, EN5522-A の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A are same as its VCCI ClassA.
45 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (b) 雑音電界強度 ( 輻射ノイズ ) Radiated Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 24V HORIZONTAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) VERTICAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) EN5511-A, EN5522-A の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A are same as its VCCI ClassA.
46 TDK-Lambda T EMI 特性 Electro-Magnetic Interference characteristics (b) 雑音電界強度 ( 輻射ノイズ ) Radiated Emission Noise Conditions Vin : 28 VDC Io : 1 % 48V HORIZONTAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) VERTICAL VCCI classa QP Limit (Distance: 3m) EN5511-A, EN5522-A の限界値は VCCI ClassA の限界値と同じ Limit of EN5511-A, EN5522-A are same as its VCCI ClassA.
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C275-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, Protection,Output
INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state da
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda CA806-53-01C INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性
INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
FC005 53 01A 1/36 INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
Visio-A A.vsd
A274-53-01A 1/28 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state characteristics 待機
RWS V009-53-01A 1/38 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1-1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state characteristics 待機電力特性 Standby power characteristics
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい
低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲
PA M01 LITEON SPEC Rev A
規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,
NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V
NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F
低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F
AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ
7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40
R2A20135EVB-ND1 アプリケーションノート 調光対応、PFC機能付100V系R2A20135評価ボード
R19AN0012JJ0200 Rev.2.00 1. LED LED LED R2A20135 / ( ) / / THD/ R2A20135SP 2. No. 1 AC90 132V ( 47 63Hz) 2 9.1W (typ.) 3 (VF) DC35V 4 220mA (typ.) 5 85% (@Vin = AC100V) 6 0.9 (@Vin = AC90V 132V) 7 62kHz
untitled
NJM88/A ma.µf SOT-89- TO--(NJM88ADL) ESON6-H(NJM88AKH) NJM88U NJM88ADL NJM88AKH (...97mm) 7dB typ. (f=khz, Vo=V ) Vno=µVrms typ..µf (Vo.7V) Io(max.)=mA Vo±.%.8V typ. (Io=mA ) ON/OFF SOT-89-(NJM88U) / TO--(NJM88ADL)
?????????????????NMOS?250mA????????????????
TPS732xx µ µ µ µ µ DBV PACKAGE SOT23 (TOP VIEW) DCQ PACKAGE SOT223 (TOP VIEW) TAB IS GND 1 5 GND 2 1 2 3 4 5 EN 3 4 NR/FB Optional Optional GND EN NR/FB V TPS732xx DRB PACKAGE 3mm x 3mm SON (TOP VIEW)
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
68 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
R2A20134EVB-TINW アプリケーションノート R2A20134評価ボード
R2A20134EVB-TINW R19AN0027JJ0100 Rev.1.00 1. R2A20134EVB-TINW LED LED LED R2A20134SP / / THD/ / (IEC61000-3-2 C) R2A20134SP 2. No. 1 AC85 264V ( 47 63Hz) 2 18W (max.) 3 DC55V (typ.) 4 330mA (typ.) 5 85%
Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ
回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフィルター ラインアンプ等に最適です 外形 特徴 動作電源電圧 Vopr= ~ ±V 低雑音 9.nV/ Hz typ. @f=khz 入力オフセット電圧
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
4. 電源仕様 FA5695N Reference Design Item Value Unit Input voltage 85 to 264 Vac Output voltage 390 Vdc Output power 200 W Overcurrent limiting of power M
力率改善制御 IC FA5695N 電源設計例 : 390V/200W Reference Design. 概要本資料は 力率改善制御用 IC FA5695N シリーズを使用した PFC 回路の設計例です 出力電力は 200W で構成されています 2. 特長 入力電圧検出レスにより低待機電力 高精度電流検出 :0.6V±5% 最大周波数制限機能により軽負荷時の効率改善 ソフトスタート ダイナミック
untitled
1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.
高速度スイッチングダイオード
は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します
電力線重畳型機器認証技術
1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理
CISPR 32の概要 (ed. 2)
CISPR 32 (ed. 2) e 2017 7 25 1 1 2 2 2.1.................. 2 2.2............... 2 2.2.1.......... 3 3 3 3.1.............. 4 3.2 EUT............. 4 3.2.1 EUT.............. 4 3.2.2.............. 4 3.3...............
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
Part No. Copyright A
Part No. Z1-AB0-150, IA004562 Feb. 2014 18-1A 18-2A 18-3A 18-5A 35-3A 70-1A 110-0.6A 35-0.5A 35-1A 35-2A 160-0.4A 250-0.25A 350-0.2A 500-0.1A Part No. Copyright 2009 2 -A ! DANGER WARNING CAUTION 1 000
Microsoft Word - CDEIR10D50ME_Ver1.0_E.docx
CDEIR1D5ME Description Metal alloy core construction Magnetically shielded L W H: 11.5 1.7 5.mm Max. Product weight :.7 g (Ref.) Moisture Sensitivity Level: 1 Applications Ideally used in Notebook, PDA
R1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)
ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV
JWTJWT 75 JWT75 JWT75 仕様規格 ( ご使用の前にご覧ください ) 型名 JWT JWT75-5FF JWT 仕様項目 単位 CH 電圧範囲 (*3) V AC85 ~ 265 または DC120 ~ 330 周波数範囲
特長 JWTJWT SERIES JWT75 JWT75 JWT100 JWT100 ( カバー付 ) ( カバー付 ) CE マーキング適合 高調波電流規制対応 100V/200V 系ワイド入力マルチ出力ローコストタイプ FA 産業用設備から化学分析装置など幅広い用途に対応 リモート ON/OFF コントロール : オプション対応 三出力 75W, 100W 型名呼称方法 JWT75 522/ 無
LM150/LM350A/LM350 3A 可変型レギュレータ
LM150,LM350,LM350A LM150/LM350A/LM350 3-Amp Adjustable Regulators Literature Number: JAJSBC0 LM350A/LM350 3A LM350 1.2V 33V 3A 3 IC 2 & IC ADJ 6 ADJ LM350 100V ADJ LM350 ADJ 1.2V 3A LM350A 3A LM350 3A
AP1158ADS Japanese Datasheet
AP1158ADS Active Noise Filter IC 1. 概要 AP1158ADS は 電源ラインに重畳されたリップルノイズを大幅に低減できるアクティブノイズフィルタ IC です 少ない部品で入出力電圧差の少ないノイズフィルタを構成できます 入出力電圧差は外部抵抗 によって調整可能です 汎用性の高い 5 端子 SOT23-5 パッケージを採用しているため セットの小型化に 貢献します
Keysight Technologies スイッチング電源の測定
Keysight Technologies Application Note Keysight InfiniiVision 3000T/4000 X Keysight 3000T 4000 X Switching Mode Power Supply SMPS (DUT) SMPS Keysight InfiniiVision 3000T 4000 X DSOX3PWR DSOX4PWR Power
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
○MTBF_HFS150A_ xls
-24 Calculated values of MTBF 1. 算出方法 Part count reliability projection MIL-HDBK-217F NOTICE 2 の部品点数信頼度予測法により算出されています Calculated based on part count reliability projection of MIL-HDBK-217F NOTICE 2.
NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電
3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵
回路シミュレーションに必要な電子部品の SPICE モデル 回路シミュレータでシミュレーションを行うためには 使用する部品に対応した SPICE モデル が必要です SPICE モデルは 回路のシミュレーションを行うために必要な電子部品の振る舞い が記述されており いわば 回路シミュレーション用の部
当社 SPICE モデルを用いたいたシミュレーションシミュレーション例 この資料は 当社 日本ケミコン ( 株 ) がご提供する SPICE モデルのシミュレーション例をご紹介しています この資料は OrCAD Capture 6.( 日本語化 ) に基づいて作成しています 当社 SPICE モデルの取り扱いに関するご注意 当社 SPICE モデルは OrCAD Capture/PSpice 及び
I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result
IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda A258-58-01B I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A262 58 0A /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
FreeSpace.book
IZA 190-HZ IZA 250-LZ ZA 190-HZ ZA 250-LZ FreeSpace Integrated Zone Amplifier/Zone Amplifier * 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 2 2 10. 11. 12. 13. 14. 15. 16. 17. 40 C This product conforms to all EU Directive
HA178L00 シリーズ
HA178L00 100mA 3 RJJ03D0004-0100Z (Previous: ADJ-204-051A) Rev.1.00 2003.04.11 HA178L00 3 IC IC 150mA () 800mW ±8% A ±5% HA178L00P HA178L00PA HA178L00 HA178L00A HA178L00UA Rev.1.00, 2003.04.11, page 1
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
USER'S GUIDE
スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません
R1LV1616H-I シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例 プリント基板設計における推奨パターン及び注意点 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M12343 Rev.1.0 Dec
第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例. 5-2 2. プリント基板設計における推奨パターン及び注意点.. 5-5 5-1 1. 応用回路例 この章では 推奨配線とレイアウトについて説明しています プリント基板設計時におけるヒントと注意事項については 以下の応用回路例をご参照下さい 図.5-1 と図.5-2 には それぞれ 2 種類の電流検出方法での応用回路例を示しており
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC002 57 01A 1/13 INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC004 57 01B 1/13 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagn
70 58 01A 1/23 INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IE1000 4 3)
????????????MUX ????????????????????
PGA116 PGA112 PGA113 PGA117 PGA112, PGA113 PGA116, PGA117 www.tij.co.jp µµ µµ ± µ +5V +3V AV DD 1 C BYPASS.1µF DV DD C BYPASS.1µF C BYPASS.1µF V CAL/CH CH1 3 2 1kΩ MUX CAL1 PGA112 PGA113 R F 1 Output Stage
Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C
www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872
LM2940
1A 3 1A 3 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) 2 (60V) * C Converted to nat2000 DTD updated with tape and reel with the new package name. SN Mil-Aero: Order Info table - moved J-15 part from WG row
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/