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フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

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HA17458シリーズ データシート

BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント

USER'S GUIDE

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

AN41250A

出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F

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S1F77330 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1

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高速度スイッチングダイオード

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BU4S66G2 : アナログスイッチ/ロジックIC

S-1206シリーズ ボルテージレギュレータ

ブロック図 真理値表 入力出力 OUTn (t = n) CLOCK LATCH ENABLE SERIAL-IN OUT 0 OUT 7 OUT 15 SERIAL OUT H L D n D n D n 7 D n 15 D n 15 L L D n No Change D n 15 ( 注 )

MIP5310MT

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極小サイズ出力電圧可変型高圧電源 2W~2.6W 中高圧 DC-DC コンバータ 0V~470V 1000V 1500V 2000V MHV Series MHV シリーズは業界で初めて高圧電源を最新の SMT( 面実装技術 ) によって従来品の 1/5~1/6 に超小型化した出力電圧可変型の中高圧

PFC回路とAC-DC変換回路の研究

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降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

ブロック図 真理値表 STEP CLOCK LATCH ENABLE SERIAL IN OUT 0 OUT5 OUT 7 SERIAL OUT 1 UP H L D n D n D n 5 D n 7 D n 7 2 UP L L D n+1 No change D n 6 3 UP H L D

AN41904A

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フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

富士通セミコンダクタープレスリリース 2013/04/22

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[AK8132A] AK8132A Multi Clock Generator AK8132A は MHz の水晶振動子からビデオ用クロック オーディオ用クロックおよび 25MHz を同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できます 特 長 電源電圧 : 3.0V 3.6V 低

enus MLD-030-ST ブラシレス DC モータドライバ スイッチ詳細 内蔵ポテションメータ ピーク出力設定 ( モータ保護機能 ) 配線説明 ドライバ側マーク Ref+ Hu Hv Hw Ref- モータ配線色黄色茶色オレンジ青色灰色緑黒赤 安心のフェニックスコンタクト社製コネクターを搭載

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

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AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ

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S-8426A バッテリバックアップ切換用IC

モジュール式アナログアンプ 形式 VT-MSPA1-1 VT-MSPA1-10 VT-MSPA1-11 RJ 形式 : 改訂 : シリーズ 1X H6833_d 特長 内容 電磁比例圧力弁の制御に適しています : DBET-6X DBEM...-7X (Z)D

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TC74HCT245AP/AF

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電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -

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PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

Transcription:

概要 ELM600xB は電流モード制御 1.5MHz 固定周波数で動作する高効率の同期整流降圧 PWM 型 DC/DC コンバータです 同期整流方式のため外部ダイオードは不要です 内部消費電流は 100μAで動作し シャットダウン電流は1μA 以下です 入力 2.5V から 5.5V で動作し 1A の出力電流を 0.6V までの設定電圧にレギュレーションします スイッチング周波数は 1.5MHz のため小型の面実装コイルとコンデンサを使用可能です 入力電圧が設定出力電圧より低い場合 スイッチデューティ比は連続 ON 最大 100% です 特長 電流モード制御 過熱保護 短絡保護 固定周波数 : Typ.1.5MHz 出力電流 : 1A 高効率 : Max.95% シャットダウン電流 : Max.1μA(Ven=0V, =5.5V) 動作入力電圧 : 2.5V ~ 5.5V 消費電流 : Typ.110μA( 発信停止時 ) デューティ比制御 : 0 ~ 100% ( ドロップアウト時 ) パッケージ : DFN6-2x2, TSOT-25 用途 携帯電話 PDA スマートホン MP3 プレーヤ デジタルカメラ 無線 LAN DSL カード マイコン DSP 用電源 携帯機器 絶対最大定格値 項目 記号 規格値 単位 VIN 電源電圧 -0.3 ~ +6.0 V SW 端子印加電圧 Vsw GND-0.3 ~ +0.3 V EN 端子印加電圧 Ven GND-0.3 ~ +0.3 V FB 端子印加電圧 Vfb GND-0.3 ~ +0.3 V SW ピーク電流 3.0 (*2) A 容許損失 Pd 1000 (DFN6-2x2) (*3) mw 600 (TSOT-25) (*3) 動作温度 Top -40 ~ +85 保存温度 Tstg -65 ~ +150 * 1. 上記定格を超えるストレスは デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります * 2. 出力電流は許容損失の定格を超えないようご注意ください * 3. ガラスエポキシ両面基板 ( EIJ/JEDEC 標準サイズ : 76.2mm 114.3mm 1.6mm) 銅箔の厚さ 35μm 銅箔面積率表面 20%, 裏面 100% に実装した場合 1 / 7

セレクションガイド ELM600xB-x 記号 a パッケージ G: DFN6-2x2 L: TSOT-25 b 製品バージョン B c テーピング方向 N:DFN6-2x2( パッケージファイル参照 ) S:TSOT-25( パッケージファイル参照 ) ( 注 ) テーピング方向は一種類のみ ELM600 x B - x a b c 端子配列図 DFN6-2x2(TOP VIEW) DFN6-2x2(BOTTOM VIEW) 端子番号 端子記号 ピン説明 1 NC 内部接続なし 2 EN イネーブル制御入力 3 VIN 電源入力 4 SW スイッチ出力 5 GND グラウンド 6 FB フィードバック入力 Exposed Pad NC 内部接続なし TSOT-25(TOP VIEW) 端子番号 端子記号 ピン説明 1 EN イネーブル制御入力 2 GND グラウンド 3 SW スイッチ出力 4 VIN 電源入力 5 FB 電圧フィードバック 2 / 7

ELM600xB 1A 1.5MHz 高効率 同期整流 PWM 降圧 DC/DC コンバータ 標準回路図 L=2.2μH VIN C1= 4.7μF C5 SW GND EN FB C6 C2= 10μF C4 R2 R3 C3 R1 ELM600xB =Vfb (1+R1/R2) with R1 = 300k for typical application, and C3 should be in the range between 10pF and 47pF for component selection. ブロック図 VIN Slope Comp Shut down control Current Sense Amplifier Reference UG M1 + _ 0.6V FB PWM Logic PWM Comparator Error Amplifier Oscillator LG SW GND M2 Clock DCC Zero-current Comparator + _ EN + _ 3/7

電気的特性 特記無き場合, =5V, =1.8V, L=2.2μH, Cout=10μF, Top=25 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 2.5 5.5 V 出力電圧ラインレギュレーション =2.5V ~ 5.5V -3 +3 %/V 出力電圧負荷レギュレーション Vlr -3 +3 % リファレンス電圧 Vref For adjustable 0.588 0.600 0.612 V 出力レンジ ( 可変電圧 ) =2.5V ~ 5.5V -3 +3 % シャットダウン電流 Is Ven=0V, =6V 0.1 1.0 μa 消費電流 Iq Ven=, Vfb=Vref 1.1 スイッチングなし 110 μa SW リーク電流 Ileak Ven=0V, Vsw=0V or Vsw=0V or 6V -1 1 μa PMOSFET オン抵抗 RdsonP =100mA 250 mω NMOSFET オン抵抗 RdsonN =-100mA 200 mω PMOSFET 電流制限 IPcl デューティサイクル =100% 電流パルス幅 <1ms 2 A 発振周波数 Fosc 1.2 1.5 1.8 MHz サーマルシャットダウン閥値 Ts 160 EN 高レベル入力電圧 Venh -40 Top +85 1.5 V EN 低レベル入力電圧 Venl -40 Top +85 0.4 V EN 入力電流 Ien Ven=0V ~ -1 1 μa マーキング DFN6-2x2 マーク a ~ f 内容組み立てロット番号 : 0 ~ 9 & A ~ Z TSOT-25 マーク a ~ e 内容組み立てロット番号 : 0 ~ 9 & A ~ Z 4 / 7

動作説明 ELM600xB は固定周波数で動作する電流モード制御の PWM 降圧 DCDC コンバータです 高効率と高密度実装が要求される リチウムイオン電池など低電圧電源を使用する電子機器向けに設計されています 出力電圧は外部分圧抵抗により0.6V から 6V の範囲で設定可能です 高効率動作のため内部にはスイッチ素子と同期整流素子が内蔵されており 外部ショットキーダイオードは不要です 降圧型 DCDC コンバータのデューティ比 D は以下のように定義されます ELM600xB は 100% デューティ比まで動作します D = Ton Fosc 100% (/) 100% (Ton = スイッチのオン時間 Fosc = 発振周波数 =1.5MH z = 出力電圧 = 入力電圧 ) 1) 電流モード制御 PWM スロープ補償付き電流モード制御 PWM は安定したスイッチングと スイッチサイクルごとの電流制限動作によりすぐれた入力変動負荷変動応答性 内部スイッチ素子と同期整流素子の保護が可能です スイッチサイクルごとに PWM コンパレータは誤差電圧の帰還量に応じてコイルのピーク電流を変化させて負荷への電力供給量を調整します 通常の動作状態では 内部発振器の立ち上がりに同期して内部スイッチ素子はある時間オンしてコイルの電流を増加させます そしてコイルピーク電流が誤差電圧を超えたところで内部スイッチはオフします 内部スイッチがオフしたのちに同期整流トランジスタがオンします つぎのスイッチサイクルに入るまであるいはコイル電流がゼロになるまでオン状態を維持します 軽い負荷の時はパルスをスキップして効率を改善します 2) ドロップアウト動作入力電圧が出力設定電圧以下に低下したときは ELM600xB はデューティ比を増加させて 主スイッチトランジスタを 1 スイッチサイクル期間以上オンしつづけることが可能です デューティ比が 100% に達すると 主スイッチトランジスタは電流制限のかかるまで出力に電流を供給するために連続でオンします この時 出力電圧は入力電圧から主スイッチとコイルの電圧降下分を引いた電圧となります 3) ショート保護 ELM600xB はショート保護回路を内蔵しています 出力ピンがグランドにショートしたとき 発振周波数を低下させ 主スイッチトランジスタの電力制限を利用してショート電流を制限します 発振周波数はショート条件から回復してフィードバック電圧が0.6V に戻ると通常の値に復帰します 4) 最大負荷電流 ELM600xB は入力電圧 2.5V まで動作します しかし最大負荷電流は入力電圧低下にともない主スイッチと同期整流トランジスタのオン抵抗増加による IR ロス増加により減少します スロープ補償信号はデューティ比が 50% 以上のときサブハーモニック発振を防ぐためにコイル電流のピーク値を減少させます 逆にデューティ比が減少するとピーク電流制限値は増加します 5 / 7

標準特性曲線図 1.90 Iout- =5V, =1.8V 100 Iout-Efficiency =5V 1.88 90 1.86 80 (V) 1.84 1.82 1.80 1.78 1.76 Eefficiency (%) 70 60 50 40 30 1.74 20 1.72 1.70 0.1 1 10 100 Iout (ma) 1000 10000 10 0 0.1 1 10 100 Iout (ma) 1000 10000 Startup =5.0V, =1.8V, Iload=1A Shutdown =5.0V, =1.8V, Iload=1A Ven Ven 1V/div 1V/div 200μs/div 10μs/div 6 / 7

Output Ripple =5.0V, =1.8V, Iload=1A Load Transient =5.0V, =1.8V, Iload=0.05A~1A 10mV/div 50mV/div 1L 500ns/div 200μs/div Short Protection/Current limit =5.0V, =1.8V, Iload=0A~short 1V/div 2A/div 200μs/div 7 / 7