各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High ゲイン : 差動出力 ) 外乱光の影響を低減 過大光照射時に波形の乱れが小さい 用途距離計測オプション駆動回路 C13283-3 構成 項目記号 NEW 単位検出素子 - Si APD - 受光面サイズ * 1 A ϕ.2 ϕ.5 mm パッケージ プラスチック - *1: 増倍作用が得られる範囲 絶対最大定格 項目 記号 条件 定格値 単位 電源電圧 ( プリアンプ用 ) Vcc max 4.5 V 逆電圧 (APD 用 ) ~ VBR V 逆電流 (DC) IR max.2 ma 順電流 IF max 1 ma 端子電圧 - Vcc +.7 V 端子電圧 - Vcc +.7 V 動作温度 Topr 結露なきこと * 2-3 ~ +85 C 保存温度 Tstg 結露なきこと * 2-3 ~ +85 C はんだ付け条件 * 3 - ピーク温度 24 C, 1 回 (P.6 参照 ) - *2: 高湿環境においては 製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく 特性や信頼性に影響が及ぶことがあります *3: JEDEC level 5a 注 ) 絶対最大定格を一瞬でも超えると 製品の品質を損なう恐れがあります 必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください 浜松ホトニクス株式会社 1
, 電気的および光学的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. Min. Typ. Max. 単位 電源電圧, 3.135 3.3 3.465 3.135 3.3 3.465 V 感度波長範囲 λ 4 ~ 11 4 ~ 11 nm 最大感度波長 λp M=1-84 - - 84 - nm 受光感度 S λ=λp, M=1, Lowゲイン.1.2.4.1.2.4 λ=λp, M=1, Highゲイン 2 4 8 2 4 8 MV/W 量子効率 QE λ=9 nm, M=1-7 - - 7 - % 降伏電圧 VBR ID=1 µa 12 16 2 12 16 2 V 降伏電圧の温度係数 TVBR - 1.1 - - 1.1 - V/ C 暗電流 ID M=1-1 1-1 1 pa 暗電流の温度係数 TID M=1-1.1 - - 1.1 - 倍 / C 消費電流 Ic Lowゲイン 17 25 32 17 25 32 Highゲイン 2 28 35 2 28 35 ma 低域遮断周波数 fcl Lowゲイン -.1 - -.1 - Highゲイン -.5 - -.5 - MHz 高域遮断周波数 fch Lowゲイン 12 18 24 11 17 24 Highゲイン 1 16 22 9 15 22 MHz 入力換算雑音電力 en f=1 MHz, M=1-5 1-5 1 f=1 MHz, M=1-65 13-1 21 fw/hz 1/2 出力電圧レベル - Lowゲイン.6.9 1.2.6.9 1.2 Highゲイン.7 1 1.5.7 1.1 1.5 V 出力オフセット電圧 Voffset Highゲイン - - ±1 - - ±1 mv 最大出力電圧振幅 Vp-p max Low ゲイン -.3 -.5 - -.3 -.5 - V High ゲイン ±.4 ±.7 - ±.4 ±.7 - 分光感度特性 量子効率 - 波長 6 (Typ. Ta=25 C, M=1) 1 (Typ. Ta=25 C) 9 5 8 (A/W) 4 3 2 (%) 7 6 5 4 3 1 2 1 4 6 8 1 12 4 6 8 1 12 (nm) (nm) KPICB187JB KPICB188JA 2
, 暗電流 - 逆電圧 増倍率 - 逆電圧 1 μa (Typ. Ta=25 C) 1 C (Typ. λ=95 nm) 1 μa -1 C 1 μa 1 na 1 1 na 1 na 1 pa 1 2 C 4 C 6 C 8 C 1 pa 1 pa 2 4 6 8 1 12 14 16 18 2 1 1 12 14 16 18 2 22 24 (V) (V) KPICB189JB KPICB191JB 周波数特性 ( 代表例 ) 5 (Ta=25 C, λ=85 nm) 5 (Ta=25 C, λ=85 nm) Low Low (db) -5-1 -15 High (db) -5-1 -15 High -2-2 -25.1 1 1 1 1-25.1 1 1 1 1 (MHz) (MHz) KPICB192JC KPICB241JA 3
, 指向特性 (Typ. : ) 4 3 2 1 1 2 3 4 5 5 6 6 7 7 8 8 9 9 1 8 6 4 2 2 4 6 8 1 (%) KPICB193JA 真理値表 ゲイン 設定ゲイン Lowゲイン ( 1) 1 Highゲイン ( 2) DC フィードバック回路 設定外乱光除去機能 OFF 1 ON 注 ) デジタル入力端子は IC 内蔵の1 kωにてプルアップされています ブロック図 APD Rf SW1 TIA VGA SW2 SW3 (DC ) DC KPICC285JD 4
, 外形寸法図 ( 単位 : mm) ɸ.2 3.9.2 ɸ.5 3.9.2 推奨ランドパターン ( 単位 : mm) 2.6 4.8.8.6 1. 1..34.34 1.6 5.5.3 1.6 5.5.3.6 2.7 : ±.1 : 1 pcs/.6 2.7 : ±.1 : 1 pcs/.6.3 (6 ) P.8=4.8.6.6 No. No..6.3 (6 ) P.8=4.8.6.6 No. No. KPICA1JG KPICA19JA 1.1 1.1 5.1 KPICC286JC 5
, 接続例 1 kω L L.47 µf/ 63 V 1 µf.1 µf 1 µf.1 µf L BLM18PG221SN1 APD Rf TIA VGA 2 Ω 2 Ω KPICC298JA 推奨リフローはんだ付け条件 3 C 24 C max. 22 C 19 C 17 C 7 9 s 4 s max. KPICB171JA 本製品は 鉛フリーはんだ付けに対応しています なお 梱包開封後は 温度 3 C 以下 湿度 6% 以下の環境で保管して 24 時間以内にはんだ付けをしてください 使用する基板 リフロー炉によって リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります リフローはんだ条件の設定時には あらかじめ実験を行って 製品に問題が発生しないことを確認してください 6
, 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 製品に関する注意事項とお願い メタル セラミック プラスチックパッケージ製品 / 使用上の注意 表面実装型製品 / 使用上の注意 (, ) 評価キット C13283-3 用の評価キット C13283-3 [48 mm (H) 5 mm (V)] を用意しています 詳細は 当社営業までお問い合わせください 本資料の記載内容は 令和元年 6 月現在のものです www.hamamatsu.com Cat. No. KPIC196J12 Jun. 219 DN 7