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ECO-MODE™ 搭載、1.5A、42V、降圧型 SWIFT™ DC/DC コンバータ

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o

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絶対最大定格 共通条件 : T a =+2 C, Z s =Z l =Ω 項目記号条件定格単位 電源電圧 V DD. V 切替電圧 V CTL. V 入力電力 P IN V DD =2.8V +1 dbm 消費電力 P D 4 層 (1.x114.mm スルーホール有 ) FR4 基板実装時 T j

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Transcription:

参考資料 TPS7A42 www.tij.co.jp JAJSBV4 入力電圧 28V 50mA リニア レギュレータ 特長 幅広い入力電圧範囲 :7V~28V 精度 : 公称 :1% 全入力 全負荷 全温度の範囲に対して :2.5% 低静止時自己消費電流 :25mA シャットダウン時自己消費電流 :4.1mA 最大出力電流 :50mA CMOSロジック レベル互換のイネーブル ピン 可変出力電圧 :1.175V~26V セラミック コンデンサで安定動作 : 入力容量 :1mF 以上 出力容量 :4.7mF 以上 ドロップアウト電圧 :290mV 過電流制限および過熱保護を内蔵 パッケージ : 熱特性の優れたMSOP-8 PowerPAD TM パッケージ 動作温度範囲 : 40 ~+125 アプリケーション 高い過渡電圧の生じる産業機器用バスから電源供給されるマイクロプロセッサやマイクロコントローラ 産業用自動化機器 車載機器 LED 照明 3-mm FB NC GND DGN PACKAGE 5-mm MSOP-8 PowerPAD (TOP VIEW) 1 2 3 4 8 7 6 5 NC NC 概要 TPS7A42は 熱特性強化パッケージ ( MSOP-8) で供給される超高耐電圧のリニア レギュレータであり 最大 28Vの連続した直流または過渡の入力電圧に耐えることができます TPS7A42は 4.7mF 以上の任意の出力容量および1mF 以上の任意の入力容量 ( 温度変動および公差を考慮した実容量 ) で安定して動作します これにより 小型のパッケージ ( MSOP-8) に加えて小さな出力コンデンサを使用できるため デバイスの実装に必要な基板領域は最小限で済みます また TPS7A42 では 標準 CMOSロジックと互換性のあるイネーブル ピン () を使用して 低消費電流のシャットダウン モードにする事ができます TPS7A42は 障害発生時にシステムを保護するため 過熱シャットダウンおよび過電流制限機能を内蔵しています MSOP-8パッケージの動作温度範囲は T J = 40 C~+125 Cです さらに TPS7A42は 通信および産業機器用アプリケーションで使用される中間電圧レールから低電圧電源を生成するのに最適です 適切にレギュレーションされた電圧レールを提供するだけでなく 非常に高くて高速な過渡電圧にも耐え レギュレーションを維持できます これらの機能により幅広いアプリケーションに対して より単純でコスト効果の高いサージ保護回路を実現できます アプリケーション V 28 V V V C Device C BYP R 1 GND 高性能ア ロ 用の DC/DC コンバータ出力の 安定化電源 FB R 2 C V PowerPAD は テキサス インスツルメンツの商標です すべて商標および登録商標は それぞれの所有者に帰属します この資料は Texas Instruments Incorporated(TI) が英文で記述した資料を 皆様のご理解の一助として頂くために日本テキサス インスツルメンツ ( 日本 TI) が英文から和文へ翻訳して作成したものです 資料によっては正規英語版資料の更新に対応していないものがあります 日本 TI による和文資料は あくまでも TI 正規英語版をご理解頂くための補助的参考資料としてご使用下さい 製品のご検討およびご採用にあたりましては必ず正規英語版の最新資料をご確認下さい TI および日本 TI は 正規英語版にて更新の情報を提供しているにもかかわらず 更新以前の情報に基づいて発生した問題や障害等につきましては如何なる責任も負いません SBVS184 翻訳版 最新の英語版資料 http://www.ti.com/lit/gpn/tps7a4201

静電気放電対策 これらのデバイスは 限定的な ESD( 静電破壊 ) 保護機能を内蔵しています 保存時または取り扱い時に MOSゲートに対する静電破壊を防止するために リード線どうしを短絡しておくか デバイスを導電性のフォームに入れる必要があります の (1) 製品 TPS7A4201 yyy z YYY V 対最大定 (1) VALUE M MAX pin to GND pin 0.3 +30 V pin to GND pin 0.3 +30 V pin to pin 30 +0.3 V Voltage FB pin to GND pin 0.3 +2 V FB pin to pin 30 +0.3 V pin to pin 30 0.3 pin to GND pin 0.3 +30 V Current Peak output Internally limited Temperature Operating virtual junction, T J 40 +125 C Storage, T stg 65 +150 C Electrostatic discharge rating Human body model (HBM) 2.5 kv Charged device model (CDM) 500 V 熱特性に いて TPS7A42 THERMAL METRIC (1) DGN (MSOP) 8 PS θ JA Junction-to-ambient thermal resistance 66.7 θ JC(top) Junction-to-case(top) thermal resistance 54.1 θ JB Junction-to-board thermal resistance 38.1 ψ JT Junction-to-top characterization parameter 2.0 C/W ψ JB Junction-to-board characterization parameter 37.8 θ JC(bottom) Junction-to-case(bottom) thermal resistance 15.5 許容損失 DERATG FACTOR T A +25 C POWER T A = +70 C POWER T A = +85 C POWER BOARD PACKAGE R θja R θjc ABOVE T A = +25 C RATG RATG RATG High-K (1) DGN 55.9 C/W 8.47 C/W 16.6mW/ C 1.83W 1.08W 0.833W 2

μ μ μ TPS7A42 M TYP MAX V Input voltage range 7.0 28.0 V V REF Internal reference T J = +25 C, V FB = V REF, V = 9 V, I = 25 ma 1.161 1.173 1.185 V Output voltage range (1) V V (NOM) + 2.0 V V REF 26 V Nominal accuracy T J = +25 C, V = 9 V, I = 25 ma 1.0 +1.0 %V V V (NOM) + 2.0 V V 24 V (2) Overall accuracy 2.5 +2.5 %V 100 μa I 50 ma ΔV O(ΔVI) Line regulation 7 V V 28 V 0.03 %V ΔV O(ΔVL) Load regulation 100 μa I 50 ma 0.31 %V V DO I LIM I GND Dropout voltage Current limit Ground current V = 17 V, V (NOM) = 18 V, I = 20 ma 290 mv V = 17 V, V (NOM) = 18 V, I = 50 ma 0.78 1.3 V V = 90% V (NOM), V = 7.0 V, T J +85 C 51 117 200 ma V = 90% V (NOM), V = 9.0 V 51 128 200 ma 7 V V 28 V, I = 0 ma 25 65 μa I = 50 ma 25 μa I SHDN Shutdown supply current V = +0.4 V 4.1 20 μa I FB Feedback current (3) 0.1 0.01 0.1 μa I Enable current 7 V V 28 V, V = V 0.02 1.0 μa V _HI Enable high-level voltage 1.5 V V V _LO Enable low- level voltage 0 0.4 V V NOISE Output noise voltage V = 12 V, V (NOM) = V REF, C = 10 μf, BW = 10 Hz to 100 khz V = 12 V, V (NOM) = 5 V, C = 10 μf, (4) CBYP = 10 nf, BW = 10 Hz to 100 khz 58 μv RMS 73 μv RMS V = 12 V, V (NOM) = 5 V, C = 10 μf, PSRR Power-supply rejection ratio 65 db C BYP (4) = 10 nf, f = 100 Hz T SD T J Thermal shutdown temperature Operating junction temperature range Shutdown, temperature increasing +170 C Reset, temperature decreasing +150 C 40 +125 C μ 3

UVLO Thermal Shutdown Pass Device Current Limit Enable Error Amp FB V V C 10 F Device GND FB CBYP 10 nf R 1 C 10 F V Where: V R + R 1 2 R = R 1 2 10 A, and V V REF 1 R 2 DGN PACKAGE MSOP-8 (TOP VIEW) FB NC GND 1 2 3 4 8 7 6 5 NC NC TPS7A42 5 FB 2 GND 4 8 NC 3, 6, 7 1 μ PowerPAD 4

μ μ μ 1mA BYP 10 7.5 5 40 C +25 C +85 C +105 C +125 C 50mV/div V V (NOM) (%) 2.5 0 2.5 5 10mA/div I 7.5 10 5 10 15 20 25 30 Input Voltage (V) G001 1 2 V FB (V) 1.275 1.225 1.175 40 C +25 C +85 C +105 C +125 C I Q (μa) 100 80 60 40 40 C +25 C +85 C +105 C +125 C 1.125 20 1.075 5 10 15 20 25 30 Input Voltage (V) G002 I = 0 ma 0 5 10 15 20 25 30 Input Voltage (V) G003 3 4 I FB (na) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 40 25 10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Temperature ( C) 5 I GND (μa) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 40 C + 25 C + 85 C + 105 C + 125 C 0 10 20 30 40 50 Output Current (ma) 6 5

μ μ μ 2 1.75 1.5 40 C + 25 C + 85 C + 105 C + 125 C 2.5 2 V DROP (V) 1.25 1 0.75 V (V) 1.5 1 OFF TO ON 0.5 0.25 0.5 ON TO OFF 0 0 10 20 30 40 50 Output Current (ma) 7 0 40 25 10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 Temperature ( C) 8 10 200 1 160 Noise (µv/ Hz) 0.1 0.01 0.001 V = 12V V = V REF C = 10µF C BYP = 10nF I = 100µA,V NOISE = 60µV RMS I = 50mA,V NOISE = 100µV RMS 10 100 1k 10k 100k 1M 10M Frequency (Hz) 9 I CL (ma) 120 80 40 0 40 C + 25 C + 85 C + 105 C + 125 C 6 9 12 15 18 21 24 Input Voltage (V) 10 PSRR (db) 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 V = 12V V = 5V C = 10µF C BYP = 10nF I = 50mA I = 100µA 10 100 1k 10k 100k 1M 10M Frequency (Hz) 11 6

動作原理全般説明 TPS7A4201は 新世代のリニア レギュレータ ファミリに属し 革新的なBiCMOSプロセス技術を使用して 非常に高い最大入力電圧および高出力電圧を実現しています このプロセスにより TPS7A4201は最大 28Vという高い高速過渡電圧の発生時にもレギュレーションを維持できるだけでなく TPS7A4201は連続的な高電圧入力レールからもレギュレーションを行えます バイポーラ技術で製造される他のレギュレータと異なり TPS7A4201のグランド電流は その出力電流範囲全体にわたって一定であるため 効率の向上および消費電力の低減につながります これらの機能と 優れた熱特性を持つMSOP-8 PowerPAD パッケージの組み合わせにより 産業機器用および通信用アプリケーションに対して理想的なデバイスとなっています 可変出力電圧動作 TPS7A4201の出力電圧範囲は 1.175V~26Vです 図 12 に示すように デバイスの公称出力電圧は2つの外付け抵抗によって設定されます イネーブル ピンの動作 TPS7A4201には V > 1.5Vのときにレギュレータをオンにするイネーブル ピン () 機能があります コンデンサに関する推奨事項 出力 およびバイパスの各コンデンサには 等価直列抵抗 (ESR) の低いコンデンサを使用する必要があります X7R およびX5R 誘電体を使用したセラミック コンデンサが推奨されます これらの誘電体は より安定した特性を提供します X7Rセラミック コンデンサは幅広い温度特性に優れる一方で X5Rセラミック コンデンサは最もコスト効率が高く より大きな容量値が用意されています ESRの高いコンデンサを使用するとPSRRが低下する可能性があることに注意してください 入力および出力コンデンサの要件 TPS7A4201 高電圧リニア レギュレータは 4.7mF 以上の出力容量と1mF 以上の入力容量で安定した動作を実現します ただし AC 特性を最大限に高めるために 10mFの出力および入力コンデンサを使用することを強く推奨します バイパス コンデンサの要件 V C 10 F Device GND FB CBYP 10 nf R 1 V C 10 F 安定動作のためにバイパス コンデンサ (C BYP ) は必須ではありませんが AC 特性 ( ライン過渡 ノイズ PSRRを含む ) を最大限に高めるために 10nFのバイパス コンデンサを使用することを強く推奨します R 2 最大 AC 特性 12. 最高のAC 特性を るための可変出力電圧の設定 R 1 およびR 2 は どの出力電圧範囲に対しても式 (1) を用いて計算できます 無負荷状態での安定性を確保するため この抵抗回路には10mA 以上の電流を流しておく必要があります ライン過渡 ノイズ およびPSRRの特性を最大限に高めるため 図 12に示すように 10mF 以上の入力および出力コンデンサ および10nFのバイパス コンデンサを使用することを推奨します ここに示されるソリューションでは 最小ノイズ レベルが58mV RMS 10Hz~10MHzでの電源リップル除去比が36dB 以上となります 1 2 V V REF 1 V 1 2 10 A より高い電圧精度が必要な場合は 帰還ピン電流による出力 電圧オフセットの影響を考慮し さらに公差 0.1% の抵抗を使用します (1) 過渡応答 他のレギュレータと同様に 出力コンデンサのサイズを大きくすると オーバーシュート / アンダーシュートが小さくなりますが 過渡応答の時間が増加します 注釈に示されているように C BYP コンデンサを使用すると TPS7A4201のライン過渡応答を大きく向上できる場合があります 7

アプリケーション情報過渡電圧保護 TPS7A4201の主要なアプリケーションの1つは 高電圧スパイクによって損傷を受ける可能性のある敏感な回路に対して 過渡電圧保護を提供することです この過渡電圧保護は 過渡電圧抑制 (TVS) ブロックを使用したトポロジと比較して よりコスト効果が高く よりコンパクトに実現できます L E D アレイ ドライバ TPS7A4201は 高い電圧定格を持つため 複数のLEDを駆動するだけでなく ピンにPWM 信号を使用してLEDアレイの輝度の制御にも適しています このPWM 信号でレギュレータのイネーブル / ディスエーブルを切り替えることで LED 照明の輝度を変化させることができます レギュレータがディスエーブルのとき LEDアレイには電流が流れません この状態は アレイ内の最初のLEDに印加されたのと同じ高電圧がレギュレータの入力に印加されることを意味します 図 14に TPS7A4201 高電圧レギュレータを使用する事によるこの問題の解決方法を示します TPS7A4201は 図 13に示すように 直列に接続された複数のLEDアレイを駆動できます I LED V I LED = REF R SET 28 V Device C R SET GND FB 13. LED アレイ ドライバ アプリケーション 28 V I = 0 ma 28 V 28 V Device C R SET Low GND FB 14. レギュレータがディスエーブル状態の LED アレイ ドライバ 8

レイアウト パッケージの実装 TPS7A4201 での半田パッドのフットプリントに関する推奨事項 については この製品データシートの巻末 およびwww.ti.comを参照してください PSRR およびノイズ性能向上のための推奨基板レイアウト PSRR 出力ノイズ 過渡応答などのAC 特性を向上させるために 基板設計ではとに別々のグランド プレーンを設け 各グランド プレーンをデバイスのGNDピンのみで接続することをお勧めします さらに 出力コンデンサのグランド接続はデバイスのGNDピンに直接接続する必要があります 性能を最大限に高め 安定性を確保するために 等価直列インダクタンス (ESL) およびESRは最小限に抑える必要があります すべてのコンデンサ (C C C BYP ) は デバイスにできる限り近づけて配置し PCB 上でレギュレータ自体と同じ面に配置する必要があります どのコンデンサも PCB 上でレギュレータ自体と反対の面には配置しないでください システムの性能に悪影響を与え 動作が不安定となる可能性もあるため ビアや長いパターンの使用はできる限り避けてください 可能であれば このデータシートに記載された最大性能を確保するため TPS7A42 評価ボードに使用されているのと同じレイアウト パターン (www.ti.comから入手可能) を使用してください 過熱保護 過熱保護機能により 接合部温度が約 +170 に上昇すると出力がディスエーブルになり デバイスは温度が下がるのを待ちます 接合部温度が約 +150 まで低下すると 出力回路がイネーブルになります 消費電力 熱抵抗 および周囲温度に応じて 過熱保護回路はオン / オフを繰り返します これによりレギュレータの消費電力が制限され 過熱による損傷から保護されます 過熱保護回路が作動する傾向がある場合 消費電力が高すぎるか ヒートシンクが不十分である可能性があります 動作の信頼性を高めるために 接合部温度は最大 +125 に制限してください 完成設計 ( ヒートシンクを含む ) における安全性の余裕を評価するには ワーストケースの負荷および動作条件を使用している状態で過熱保護が作動するまで周囲温度を上昇させます 高い信頼性のためには 各アプリケーションでの最大想定周囲温度よりも35 以上上昇した場合に過熱保護が作動するのが望ましい状態です この状態であれば 最大想定周囲温度におけるワーストケース負荷でのワーストケース接合部温度は +125 となります TPS7A4201の内部保護回路は 過負荷状態に対して保護を行うよう設計されています これは 適切なヒートシンクの代わりとなるよう意図されたものではありません TPS7A4201 を過熱保護が作動するまで使用し続けると デバイスの信頼性が低下します 許容損失 ダイから熱を取り除く能力はパッケージ タイプによって異なるため PCBレイアウトにおける考慮事項も異なってきます デバイスの周辺の 他の部品が搭載されていないPCB 領域は デバイスからの熱を周囲の大気に逃がします 許容損失 の表には JEDECのLow-KおよびHigh-K 基板の性能データを示しています より厚い銅を使用することで デバイスの放熱効果が高まります また 放熱層へスルーホールで接続することによっても ヒートシンクとしての能力が向上します 損失電力は 入力電圧および負荷条件に依存します 損失電力 ( P D ) は 式 (2) に示されるように 出力パス素子での電圧降下と出力電流との積に等しくなります D (2) 9

パッケージ情報 製品情報 Orderable Device Status (1) Package Type TPS7A4201DGNR ACTIVE MSOP- PowerPAD TPS7A4201DGNT ACTIVE MSOP- PowerPAD Package Drawing Pins Package Qty Eco Plan (2) DGN 8 2500 Green (RoHS & no Sb/Br) DGN 8 250 Green (RoHS & no Sb/Br) Lead/ Ball Finish MSL Peak Temp (3) Op Temp ( C) Top-Side Markings (4) CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 40 to 125 SBC CU NIPDAU Level-1-260C-UNLIM 40 to 125 SBC Samples (1) マーケティング ステータスは次のように定義されています ACTIVE: 製品デバイスが新規設計用に推奨されています LIFEBUY:TI によりデバイスの生産中止予定が発表され ライフタイム購入期間が有効です NRND: 新規設計用に推奨されていません デバイスは既存の顧客をサポートするために生産されていますが TIでは新規設計にこの部品を使用することを推奨していません PRE VIE W: デバイスは発表済みですが まだ生産が開始されていません サンプルが提供される場合と 提供されない場合があります OB SO LE TE:TI によりデバイスの生産が中止されました (2) エコ プラン - 環境に配慮した製品分類プランであり Pb-Free(RoHS) Pb-Free(RoHS Expert) およびGreen(RoHS & no Sb/Br) があります 最新情報および製品内容の詳細については http://www.ti.com/productcontentでご確認ください TBD:Pb-Free/Green 変換プランが策定されていません Pb-Free(RoHS):TI における Lead-Free または Pb-Free ( 鉛フリー ) は 6つの物質すべてに対して現在の RoHS 要件を満たしている半導体製品を意味します これには 同種の材質内で鉛の重量が0.1% を超えないという要件も含まれます 高温で半田付けするように設計されている場合 TIの鉛フリー製品は指定された鉛フリー プロセスでの使用に適しています Pb-Free(RoHS Exempt): この部品は 1) ダイとパッケージの間に鉛ベースの半田バンプ使用 または 2) ダイとリードフレーム間に鉛ベースの接着剤を使用 が除外されています それ以外は上記の様にPb-Free(RoHS) と考えられます Green(RoHS & no Sb/Br):TI における Green は Pb-Free (RoHS 互換 ) に加えて 臭素 (Br) およびアンチモン (Sb) をベースとした難燃材を含まない ( 均質な材質中のBrまたはSb 重量が0.1% を超えない ) ことを意味しています (3) MSL ピーク温度 -- JEDEC 業界標準分類に従った耐湿性レベル およびピーク半田温度です (4) 括弧内に示されるマーキングのうち 1つだけがデバイスに表示されます 重要な情報および免責事項 : このページに記載された情報は 記載された日付時点でのTIの知識および見解を表しています TIの知識および見解は 第三者によって提供された情報に基づいており そのような情報の正確性について何らの表明および保証も行うものではありません 第三者からの情報をより良く統合するための努力は続けております TIでは 事実を適切に表す正確な情報を提供すべく妥当な手順を踏み 引き続きそれを継続してゆきますが 受け入れる部材および化学物質に対して破壊試験や化学分析は実行していない場合があります TIおよびTI 製品の供給者は 特定の情報を機密情報として扱っているため CAS 番号やその他の制限された情報が公開されない場合があります TIは いかなる場合においても かかる情報により発生した損害について TIがお客様に1 年間に販売した本書記載の問題となった TIパーツの購入価格の合計金額を超える責任は負いかねます 10

パッケージ マテリアル情報 REEL DIMSIONS TAPE DIMSIONS K0 P1 B0 W A Cavity A0 A0 Dimension designed to accommodate the component width B0 Dimension designed to accommodate the component length K0 Dimension designed to accommodate the component thickness W Overall width of the carrier tape TAPE AND REEL FORMATION W1 P1 Pitch between successive cavity centers *All dimensions are nominal Device TPS7A3401DGNR TPS7A3401DGNT Package Type MSOP- Power PAD MSOP- Power PAD Package Drawing Pins SPQ Reel Diameter (mm) Reel Width W1 (mm) A0 (mm) B0 (mm) K0 (mm) P1 (mm) W (mm) Pin1 Quadrant DGN 8 2500 330.0 12.4 5.3 3.4 1.4 8.0 12.0 Q1 DGN 8 250 180.0 12.4 5.3 3.4 1.4 8.0 12.0 Q1 11

パッケージ マテリアル情報 *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm) TPS7A4201DGNR MSOP-PowerPAD DGN 8 2500 346.0 346.0 35.0 TPS7A4201DGNT MSOP-PowerPAD DGN 8 250 203.0 203.0 35.0 12

メカニカル データ D G N( S P D S O G 8 ) PowerPAD TM PLASTIC SMALL LE 注 : A. 直線寸法はすべてミリメートル単位です B. 本図は予告なしに変更することがあります C. ボディ寸法には モールド フラッシュや突起は含まれません D. このパッケージは 基板上のサーマル パッドに半田付けされるように設計されています 推奨基板レイアウトについては テクニカル ブリーフ PowerPAD Thermally Enhanced Package (TI 文献番号 SLMA002) を参照してください これらのドキュメントは ホームページ www.ti.com で入手できます E. 露出サーマルパッドの寸法に関する詳細は 製品データシートをご覧ください F. JEDEC MO 187 variation AA-T に準拠します 13

サーマルパッド メカニカル データ D G N( S P D S O G 8 ) 熱的特性に関する資料このPowerPADTM パッケージには 外部ヒートシンクに直接接続するように設計された 露出したサーマル パッドが装備されています このサーマル パッドは プリント基板 (PCB) に直接半田付けする必要があります 半田付け後は PCBをヒートシンクとして使用できます また サーマル ビアを使用して サーマル パッドをデバイスの回路図に示された適切な銅プレーンに直接接続するか あるいは PCB 内に設計された特別なヒートシンク構造に接続することができます この設計により ICからの熱伝導が最適化されます PowerPADTMパッケージについての追加情報およびその熱放散能力の利用法については テクニカル ブリーフ PowerPAD Thermally Enhanced Package (TI 文献番号 SLMA002) およびアプリケーション ブリーフ PowerPAD Made Easy (TI 文献番号 SLMA004) を参照してください いずれもホームページ www.ti.comで入手できます このパッケージの露出したサーマル パッドの寸法を次の図に示します 注 : 全ての線寸法の単位はミリメートルです サーマル パッド寸法図 14

ランド パターン D G N( S P D S O G 8 ) PowerPAD TM PLASTIC SMALL LE 注 : A. 全ての線寸法の単位はミリメートルです B. 図は予告なく変更することがあります C. 代替設計には IPC 7351 規格を推奨します D. このパッケージは 基板上のサーマル パッドに半田付けされるように設計されています 推奨基板レイアウトについては テクニカル ブリーフ PowerPAD Thermally Enhanced Package (TI 文献番号 SLMA002, SLMA004) を参照してください これらのドキュメントは ホームページ www.ti.com で入手できます 代替設計については 資料 IPC-7351 を推奨します E. レーザ切断開口部の壁面を台形にし 角に丸みを付けることで ペーストの離れがよくなります ステンシル設計要件については 基板組み立て拠点にお問い合わせください 例に示したステンシル設計は 50% 容積のメタルロード半田ペーストに基づいています ステンシルに関する他の推奨事項については IPC-7525 を参照してください F. 信号パッド間および信号パッド周囲の半田マスク許容差については 基板組み立て拠点にお問い合わせください (SBVS184) 15

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