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- はな えいさか
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1 RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda C C
2 INDEX PFE300SA,500SA,700SA PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 2. 部品ディレーティング Component Derating R-2 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-4 4. アブノーマル試験 Abnormal Test R-6 5. 振動試験 Vibration Test R-9 6. ノイズシミュレート試験 Noise Simulate Test R はんだ耐熱性試験 Resistance to Soldering Heat Test R 熱衝撃試験 Thermal Shock Test R 高温連続通電試験 High Temperature Operating Bias Test R-16 PFE300SA PFE700SA は PFE500SA と同一機構を採用しており ほぼ同等な特性を示します 従って 一部のデータは PFE500SA のデータにて代用しております 尚 試験結果は代表データであり 参考値とお考え願います Since PFE300SA and PFE700SA adopt the same mechanical structure as PFE500SA, properties of both series are almost the same. Therefore, some data is substituted with PFE500SA data. Furthermore, test results are representative data and shall be considered as reference data. TDK-Lambda
3 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF MODEL : PFE500SA,PFE700SA (1) 算出方法 Calculating Method Telcordiaの部品ストレス解析法 (*1) で算出されています 故障率 λ SS は それぞれの部品ごとに電気ストレスと動作温度によって決定されます Calculated based on parts stress reliability projection of Telcordia (*1). Individual failure rate SS is calculated by the electric stress and temperature rise of the each device. *1: Telcordia (Bellcore) Reliability Prediction Procedure for Electronic Equipment (Document number TR-332, Issue5) < 算出式 > 1 MTBF SSi Gi equip Qi Si m E i 1 Ti 1 N i SSi 10 9 時間 (hours) λ equip : 全機器故障率 (FITs) Total Equipment failure rate (FITs = Failures in10 9 hours) λ Gi :i 番目の部品に対する基礎故障率 Generic failure rate for the i th device π Qi :i 番目の部品に対する品質ファクタ Quality factor for the i th device π Si :i 番目の部品に対するストレスファクタ Stress factor for the i th device π Ti :i 番目の部品に対する温度ファクタ Temperature factor for the i th device m : 異なる部品の数 Number of different device types N i :i 番目の部品の個数 Quantity of i th device type π E : 機器の環境ファクタ Equipment environmental factor (2) MTBF 値 MTBF Values 条件 Conditions 入力電圧 :100VAC 環境ファクタ :GB (Ground, Benign) Input Voltage Environmental Factor PFE500SA-28 出力電流 :18A Output Current Base-plate temperature vs. MTBF Base-plate temperature MTBF 25 2,595,876 (hours) 40 1,641,918 (hours) ,334 (hours) ,863 (hours) PFE700SA-48 出力電流 :14A Output Current MTBF(hours) Base-plate temperature 25 2,564,187 (hours) 40 1,662,809 (hours) ,638 (hours) MTBF Base-plate temperature ( ) TDK-Lambda R-1
4 2. 部品ディレ-ティング Component Derating MODEL : PFE500SA, PFE700SA (1) 算出方法 Calculating Method (a) 測定条件 Measuring Conditions 入力電圧 : 100VAC Input Voltage 出力電流 : PFE500SA-28 18A(100%) Output Current PFE700SA-48 14A(100%) 取付方法 : 標準取付 ( 放熱器有 ) Mounting Method Standard Mounting Method (with Heatsink) ベ-スプレート温度 : PFE500SA Base-plate Temperature PFE700SA (b) 半導体 Semiconductors ケ - ス温度 消費電力および熱抵抗より使用状態の接合点温度を求め 最大定格との比較を行いました The maximum rating temperature is compared with junction temperature which is calculated based on case temperature, power dissipation and thermal impedance. (c) IC 抵抗 コンデンサ - 等 IC, Resistors, Capacitors, etc. 周囲温度 使用状態 消費電力など 個々の値は設計基準内に入っています Ambient temperature, operating condition, power dissipation, etc are within derating criteria. (d) 熱抵抗算出方法 Calculating Method of Thermal Impedance = T j(max) -T j-c Pc(max) c = T j(max) -T j-a Pc(max) a j - l = T P j(max) c(max) - T l Tc : ディレ - ティングの始まるケ - ス温度一般に 25 Case Temperature at Start Point of Derating;25 in General Ta : ディレ - ティングの始まる周囲温度一般に 25 Ambient Temperature at Start Point of Derating;25 in General Tl : ディレ - ティングの始まるリード温度一般に 25 Lead Temperature at Start Point of Derating;25 in General Pc(max) (Pch(max)) : 最大コレクタ ( チャネル ) 損失 Maximum Collector(Channel) Dissipation Tj(max) (Tch(max)) : 最大接合点温度 Maximum Junction(Channel) Temperature θj-c (θch-c) : 接合点からケ-スまでの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Case θj-a (θch-a) : 接合点から周囲までの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Air θj-l (θch-l) : 接合点からリードまでの熱抵抗 Thermal Impedance between Junction(Channel) and Lead TDK-Lambda R-2
5 (2) 部品ディレーティング表 Component Derating List PFE500SA-28 部品番号 部品名 最大定格 使用状態 ディレーティング率 Location No. Part Name Maximum Rating Actual Rating Derating Factor Q301 CHIP MOS FET Tj(max):150 Tj: % Q304 CHIP MOS FET Tj(max):150 Tj: % D301 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D306 CHIP SBD Tj(max):175 Tj: % D307 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D309 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D401 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % A2 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % A3 CHIP IPD Tj(max):150 Tj: % A4 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % A5 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % PC1 CHIP COUPLER Tj(max):125 Tj: % SR301 CHIP SCR Tj(max):125 Tj: % PFE700SA-48 部品番号 部品名 最大定格 使用状態 ディレーティング率 Location No. Part Name Maximum Rating Actual Rating Derating Factor Q301 CHIP MOS FET Tj(max):150 Tj: % Q304 CHIP MOS FET Tj(max):150 Tj: % D301 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D306 CHIP SBD Tj(max):175 Tj: % D307 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D309 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % D401 CHIP FRD Tj(max):150 Tj: % A2 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % A3 CHIP IPD Tj(max):150 Tj: % A4 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % A5 CHIP IC Tj(max):150 Tj: % PC1 CHIP COUPLER Tj(max):125 Tj: % SR301 CHIP SCR Tj(max):125 Tj: % TDK-Lambda R-3
6 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List PFE300SA,500SA,700SA (1) 測定条件 Measuring Conditions ベースプレート温度測定方法 測定方法 Measuring Method Base-plate Temperature Measuring Method ヒートシンク Heat sink ベースプレート Base-plate 底面 Bottom View 中心 Center 電源 Power Supply ベースプレート温度測定点 Base-plate Temperature Measuring point 周囲温度測定方法 Ambient Temperature Measuring Method 遮熱板 Thermal isolation 周囲温度測定点 Measuring point of Ambient Temperature Z:25mm Z X Y ヒートシンク Heat sink モデル Model 入力電圧 Input Voltage 出力電圧 Output Voltage 出力電流 Output Current ベースプレート温度 Base-plate Temperature 周囲温度 Ambient Temperature PFE500SA VAC 28VDC 18A (100%) PFE700SA VAC 51VDC 14A (100%) TDK-Lambda R-4
7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List PFE300SA,500SA,700SA (2) 測定結果 Measuring Results 部品番号 Location No. Q301 部品名 Part Name 温度上昇値 ( ) Temperature Rise PFE500SA-28 PFE700SA-48 CHIP MOS FET Tc: 11.9 Tc: 17.9 Q304 D301 D306 D307 D309 D401 A2 A3 A4 A5 PC1 SR301 T1 T303 L301 L401 CHIP MOS FET CHIP FRD CHIP SBD CHIP FRD CHIP FRD CHIP FRD CHIP IC CHIP IPD CHIP IC CHIP IC CHIP COUPLER CHIP SCR TRANS,PULSE TRANS,PULSE CHOKE COIL CHOKE COIL BASE-PLATE AMBIENT Tc: 16.2 Tc: 10.0 Tc: 6.9 Tc: 8.2 Tc: 6.5 Tc: 13.1 Tc: 3.7 Tc: 8.2 Tc: 5.3 Tc: 8.5 Tc: 9.3 Tc: 5.7 Tc: 14.6 Tc: 19.2 Tc: 25.9 Tc: 25.9 Tc: 14.9 Tc: 14.7 Tc: 20.2 Tc: 19.8 Tc: 9.8 Tc: 9.2 Tc: 7.3 Tc: 8.5 T: 19.8 T: 16.4 T: 35.1 T: 51.0 T: 25.9 T: 48.3 T: 8.5 T: 8.5 Tbp: (basis) Tbp: 85.0 (basis) Ta: Ta: 85.0 TDK-Lambda R-5
8 4. アブノーマル試験 Abnormal Test MODEL : PFE500SA-48 (1) 試験条件及び回路 Test Condition and Circuit 入力電圧 :230VAC 電解コンデンサ (C15,C17) :100V 220μF Input Voltage Electrolytic Cap. ベースプレート温度 :25 C セラミックコンデンサ (C16) :100V 2.2μF Base-plate Temperature Ceramic Cap. フィルムコンデンサ (C1,C4,C5) :250VAC 1μF 出力電流 :10.5A(100%) Film Cap. Output Current セラミックコンデンサ (C2,C3) :250VAC 4700pF 使用ヒューズ (F1) :15A Ceramic Cap. Additional Fuse セラミックコンデンサ (C6,C7,C14) :250VAC 1000pF チョークコイル (L1,L2) :6mH Ceramic Cap. Choke Coil フィルムコンデンサ (C8,C9) :450V 1μF 抵抗 (R1) :0.5W 470kΩ Film Cap. Resistor 電解コンデンサ (C10,C11) :450V 390μF 温度ヒューズ抵抗 (TFR1) :10Ω 139 C Electrolytic Cap. Thermal Fuse Resistor フィルムコンデンサ (C12,C13) :250VAC 0.033μF Film Cap. (2) 試験結果 ( Test Results ) 試験試験箇所モード Test Point Test Mode No. Fi:Fire So:Smoke Bu:Burst Se:Smell Re:Red Hot Da:Damaged Fu:Fuse Blown NO:No Output NC:No Change Ot:Others 試験 S O ヒ 部品 端子 H P 発 発 破 異 発 破 ュ O O 出 変 そ Location Test O E V C 力 化 の No. Terminal R N 火 煙 裂 臭 熱 損 ズ P P 断 な 他 T 断 し Fi So Bu Se Re Da Fu NO NC Ot 1 G-D 試験結果 Test Results 2 G-S Da:TFR1 3 Q301 D-S Da:D301,D302 4 G Da:Q301,Q302,D301,D302 5 D 効率低下 Efficiency down 6 S 効率低下 Efficiency down 備考 Note Da:Q301,Q302,Q303,Q3,Q4,D303,D304, A2,R301 TDK-Lambda R-6
9 試験箇所 Test Point 試験モード Test Mode 試験結果 Test Results PFE300SA,500SA,700SA Fi:Fire So:Smoke Bu:Burst Se:Smell Re:Red Hot Da:Damaged Fu:Fuse Blown NO:No Output NC:No Change Ot:Others No. 試験 S O ヒ部品端子 H P 発発破異発破ュ O O 出変そ備考 Location Test O E V C 力化の No. Terminal R N 火煙裂臭熱損ズ P P 断な他 Note T 断し Fi So Bu Se Re Da Fu NO NC Ot Da:Q301,Q302,Q303,Q3,Q4, D303,D305, 7 G-D A2,R302 8 G-S Da:TFR1 9 Q302 D-S Da:D301,D G Da:Q301,Q302,D301,D D 効率低下 Efficiency down 12 S 効率低下 Efficiency down 13 G-D 14 G-S Da:Q303,TFR1 15 D-S Q G Da:TFR1 17 D Da:TFR1 18 S Da:TFR1 19 G-D Da:Q304,Q305,R312,R313,R314,T301,T1 20 G-S 21 D-S Da:Q303,Q305,SR301,D302,R313 Q G Da:Q303,Q304,Q305,SR301,D302,R D 24 S 25 G-D Da:Q304,Q305,R312,R313, R315,T301,T1 26 G-S 27 D-S Da:Q303,Q304,SR301,D302,R312 Q G Da:Q303,Q304,Q305,SR301,D302,R D 30 S 31 B-C Da:Q301,Q302,D301,D B-E Da:TFR1 33 C-E Da:Q301,Q302,D301,D302 Q3 34 B Da:TFR1 35 C Da:TFR1 36 E Da:TFR1 37 B-E Da:TFR1 38 C-E Da:TFR1 39 B-C Da:TFR1 Q4 40 B Da:Q301,Q302,D301,D C Da:Q301,Q302,D301,D E Da:Q301,Q302,D301,D Da:D Da:D301,D Da:D302 D 起動停止を繰り返す Start_stop repeated 起動停止を繰り返す Start_stop repeated 49 A-K D A/K 51 A-K D A/K TDK-Lambda R-7
10 試験箇所 Test Point 試験モード Test Mode 試験結果 Test Results PFE300SA,500SA,700SA Fi:Fire So:Smoke Bu:Burst Se:Smell Re:Red Hot Da:Damaged Fu:Fuse Blown NO:No Output NC:No Change Ot:Others No. 試験 S O ヒ部品端子 H P 発発破異発破ュ O O 出変そ備考 Location Test O E V C 力化の No. Terminal R N 火煙裂臭熱損ズ P P 断な他 Note T 断し Fi So Bu Se Re Da Fu NO NC Ot 53 A-K D9 54 A/K 55 A-K D10 56 A/K 57 A-K D11 58 A/K Da:TFR1 59 G-A 60 G-K Da:TFR1,R310,R A-K SR G Da:TFR1 63 A Da:TFR1 64 K Da:TFR 出力電圧低下 Output Voltage lower value Da:Q303,Q305,SR301,D302,R T ,2 70 3,4 71 5, T ,3 75 7, T ,2 80 3,6 81 4, 効率低下 Efficiency down L ,2 85 3,4 Da:TFR T1 88 1,5 89 9,7 TDK-Lambda R-8
11 5. 振動試験 Vibration Test MODEL : PFE500SA PFE300SA,500SA,700SA (1) 振動試験種類 Vibration Test Class 掃引振動数耐久試験 Frequency Variable Endurance Test (2) 使用振動試験装置 Equipment Used EMIC ( 株 ) 製 制御部 F-400-BM-DCS-7800 加振部 905-FN EMIC Controller Vibrator (3) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PFE500SA-28 : 1 台 (unit) (4) 試験条件 Test Conditions 周波数範囲 : 10~55Hz Sweep Frequency 掃引時間 : 1 分間 Sweep Time 1 min. 振幅 : 0.825mm ( 一定 ) Amplitude 0.825mm (constant) 振幅方向 : X, Y, Z Directions 試験時間 : 各方向 1 時間 Test Time : 1 hour each (5) 試験方法 Test Method 供試品を基板に取付け (M3 ビスで 4 箇所固定 ) それを取付台に固定する Fix the D.U.T. on the circuit board ( fitting by four M3-tapped-holes) and fit it on the fitting-stage. (6) 試験結果 Test Results 合格 OK 試験条件 Test Conditions 入力電圧 :100VAC 出力電流 :18A(100%) ベースプレート温度 :25 Input Voltage Output Current Base-plate Temperature 測定確認項目 出力電圧 (V) 出力リップルノイズ電圧 (mvp-p) 機構 実装状態 Check Item Output Voltage Output Ripple Noise Voltage D.U.T. State 試験前 Before Test 試験後 X 異常無し OK After Y 異常無し OK Test Z 異常無し OK TDK-Lambda R-9
12 6. ノイズシミュレ - ト試験 Noise Simulate Test MODEL : PFE500SA, PFE700SA (1) 使用計測器 Equipment Used シミュレーター :INS-4320 ( ノイズ研究所 ) Simulator (Noise Labolatory) (2) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PFE500SA-12 : 1 台 (unit) PFE500SA-48 : 1 台 (unit) PFE500SA-28 : 1 台 (unit) PFE700SA-48 : 1 台 (unit) (3) 試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 100VAC, 230VAC Input Voltage 出力電圧 : 定格 Output Voltage Rated 出力電流 : PFE500SA-12 0A, 33A(100%) Output Current PFE500SA-28 0A, 18A(100%) PFE500SA-48 0A, 10.5A(100%) PFE700SA-48 0A, 14A(100%) ベースプレート温度 : 25 Base-plate Temperature パルス幅 : 50ns, 1000ns Pulse Width ノイズ電圧 入力ポート : 0V ~ 2kV Noise Level Input port 位相 : 0 ~ 360 Phase shift 極性 : +, - Polarity 印加モード 入力ポート : ノーマル コモン Mode Input port Normal, Common トリガ選択 : ライン Trigger Select Line TDK-Lambda R-10
13 (4-1) 試験回路 Test Circuit MODEL : PFE500SA 入力ポート : N L FGに注入 Input port : Apply to N, L and FG. フィルムコンデンサ (C1,C4,C5) :250VAC 1μF セラミックコンデンサ (C16) :100V 2.2μF Film Cap. Ceramic Cap. セラミックコンデンサ (C2,C3) :250VAC 4700pF チョークコイル (L1,L2) :6mH Ceramic Cap. Choke Coil セラミックコンデンサ (C6,C7,C14) :250VAC 1000pF 抵抗 (R1) :0.5W 470kΩ Ceramic Cap. Resistor フィルムコンデンサ (C8,C9) :450V 1μF 温度ヒューズ抵抗 (TFR1) :10Ω 139 Film Cap. Thermal Fuse Resistor 電解コンデンサ (C10,C11) :450V 390μF Electrolytic Cap. フィルムコンデンサ (C12,C13) :250VAC 0.033μF Film Cap. 電解コンデンサ (C15,C17) 12V :25V 1000μF Electrolytic Cap. 28V :50V 470μF 48V :100V 220μF TDK-Lambda R-11
14 (4-2) 試験回路 Test Circuit MODEL : PFE700SA 入力ポート : N L FGに注入 Input port : Apply to N, L and FG. フィルムコンデンサ (C1,C4,C5) :250VAC 1μF セラミックコンデンサ (C16) :100V 2.2μF Film Cap. Ceramic Cap. セラミックコンデンサ (C2,C3) :250VAC 4700pF チョークコイル (L1,L2) :6mH Ceramic Cap. Choke Coil セラミックコンデンサ (C6,C7,C14) :250VAC 1000pF 抵抗 (R1) :0.5W 470kΩ Ceramic Cap. Resistor フィルムコンデンサ (C8,C9) :450V 1μF 温度ヒューズ抵抗 (TFR1) :10Ω 139 Film Cap. Thermal Fuse Resistor 電解コンデンサ (C10,C11) :450V 390μF Electrolytic Cap. フィルムコンデンサ (C12,C13) :250VAC 0.033μF Film Cap. 電解コンデンサ (C15,C17) :100V 220μF Electrolytic Cap. (5) 判定条件 Acceptable Conditions 1. 試験中 5% を超える出力電圧の変動のない事 The regulation of output voltage must not exceed 5% of initial value during test. 2. 試験後の出力電圧は初期値から変動していない事 The output voltage must be within the regulation of specification after the test. 3. 発煙 発火のない事 Smoke and fire are not allowed. (6) 試験結果 Test Result PFE500SA-12 PFE500SA-28 PFE500SA-48 PFE700SA-48 合格 OK 合格 OK 合格 OK 合格 OK TDK-Lambda R-12
15 7. はんだ耐熱性試験 Resistance to Soldering Heat Test MODEL : PFE500SA (1) 使用装置 Machine Used 自動半田付け装置 Automatic Dip Soldering Machine : TLC-350XIV (SEITEC CORP.) (2) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PFE500SA-28 : 1 台 (unit) (3) 試験条件 Test Conditions 溶融はんだ温度 : 260 Dip Soldering Temperature 浸漬保持時間 : 10 秒 Dip Time 10 seconds 予備加熱温度 : 120 Pre-heating Temperature 予備加熱時間 : 60 秒 Pre-heating Time 60 seconds (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後 供試品を基板にのせ 自動はんだ付装置でフラックス浸漬 予備加熱 はんだ付を行う 常温常湿下に 1 時間放置し 出力に異常がない事を確認する Check if there is no abnormal output before test. Then fix the D.U.T. on a circuit board, transfer to flux-dipping, preheat and solder in the automatic dip soldering machine. Leave it for 1 hour at the room temperature, then check if there is no abnormal output. (5) 試験結果 Test Results 合格 OK 試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 100VAC 出力電流 : 18A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Base-plate Temperature 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage 出力リップルノイズ電圧 Output Ripple Noise Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvp-p mv mv 試験前 試験後 Before After Test Test 異常なし 異常なし OK OK 異常なし 異常なし OK OK 異常なし 異常なし OK OK TDK-Lambda R-13
16 8. 熱衝撃試験 Thermal Shock Test MODEL : PFE500SA (1) 使用計測器 Equipment Used 冷熱衝撃試験機 : TSA-101L-A (ESPEC CORP.) Thermal Shock Chamber (2) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PFE500SA-48 : 3 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions 電源周囲温度 : Ambient Temperature 試験時間 : 30 分 30 分 Test Time 30min. 30min. 1 cycle min min. 試験サイクル Test Cycles 非動作 Not Operating : サイクル 100, 200 cycles (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後 供試品を試験槽に入れ 上記サイクルで試験を行う サイクル後に 供試品を常温常湿下に 1 時間放置し 出力に異常がない事を確認する Before the test check if there is no abnormal output and put the D.U.T. in the testing chamber. Then test it in the above cycles. After the test is completed leave it for 1 hour at room temperature and check if there is no abnormal output. (5) 試験結果 Test Results 測定データは 次頁に示す See next page for measuring data. 合格 OK TDK-Lambda R-14
17 48.8 出力電圧 (V) Output Voltage 出力リップルノイズ電圧 (mvp-p) Output Ripple Noise Voltage 試験サイクル (cycle) Test Cycle 試験サイクル (cycle) Test Cycle 8 入力変動 (mv) Line Regulation 試験サイクル (cycle) Test Cycle 負荷変動 (mv) Load Regulation 試験サイクル (cycle) Test Cycle TDK-Lambda R-15
18 9. 高温連続通電試験 High Temperature Operating Bias Test MODEL : PFE500SA (1) 使用計測器 Equipment Used 恒温槽 : SPL-2KPH-A (ESPEC CORP.) Temperature Chamber (2) 供試品台数 The Number of D.U.T. (Device Under Test) PFE500SA-28 :3 台 (units) (3) 試験条件 Test Conditions 電源周囲温度 : 100 Ambient Temperature ベースプレート温度 : 100 Base-plate Temperature 試験時間 : 1000 時間 Test Time 1000hours 入力電圧 : 100VAC Input Voltage 負荷電流 : 18A(100%) Output Current (4) 試験方法 Test Method 初期測定の後 供試品を恒温槽に入れ規定の条件のもとで試験を行う 試験後に出力に異常が無い事を確認する Before the test, check if there is no abnormal output and put the D.U.T. in the testing chamber. After the test, check if there is no abnormal output. (5) 試験結果 Test Results 合格 OK 試験条件 Test Conditions 入力電圧 : 100VAC 出力電流 : 18A(100%) ベースプレート温度 : 25 Input Voltage Output Current Base-plate Temperature 測定確認項目 Check Item 出力電圧 Output Voltage 出力リップルノイズ電圧 Output Ripple Noise Voltage 入力変動 Line Regulation 負荷変動 Load Regulation 絶縁抵抗 Isolation Resistance 耐電圧 Withstand Voltage 外観 Appearance V mvp-p mv mv No.1 No.2 No.3 試験前 試験後 試験前 試験後 試験前 試験後 Before After Before After Before After Test Test Test Test Test Test 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし OK OK OK OK OK OK 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし OK OK OK OK OK OK 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし 異常なし OK OK OK OK OK OK TDK-Lambda R-16
INDEX PH150A280* PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R1 2. 部品ディレーティング Components Derating R3 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T Lis
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDKLambda C2635701 INDEX PH150A280* PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R1 2. 部品ディレーティング Components Derating R3 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R5 4.
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 4 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 6 4. アブノー
C270 57 01 1/18 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 4 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 6 4. アブノーマル試験 Abnormal Test 8 5. 振動試験 Vibration
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディ
C266 57 1A 1/23 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディレーティング Output Derating 9 5. アブノーマル試験
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディ
C268 57 1 1/23 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 PAGE 2. 部品ディレーティング Components Derating 5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise ΔT List 7 4. 出力ディレーティング Output Derating 9 5. アブノーマル試験
INDEX RWS15B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T Li
RWS15B RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A26-57-1B INDEX RWS15B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List
CA xls
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda CA73-57-1 INDEX 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 PAGE. 部品ディレーティング Component Derating R-~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-~11. 電解コンデンサ推定寿命計算値
INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC004 57 01B 1/13 INDEX 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 PAGE 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解
FC002 57 01A 1/13 INDEX PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3~4 2. 部品ディレーティング Component Derating 5~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 8 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値 Electrolytic Capacitor
INDEX RWS1B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T Lis
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda CA7-57-1D INDEX RWS1B PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6~7.
I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A255-57-1B I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6~7.
INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 2. 部品ディレーティング Component Derating R-2 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-8 4. 電
RELIABILITY DATA 信頼性データ DWG NO.V008-57-01 TDK-Lambda INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1 2. 部品ディレーティング Component Derating R-2 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-8 4.
INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A261-57-01B INDEX PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Component Derating R-3~5 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List R-6 4. 電解コンデンサ推定寿命計算値
HWS5A I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise
HWS5A RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A257-57-1B HWS5A I N D E X PAGE 1.MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF R-1~2 2. 部品ディレーティング Components Derating R-3~7 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise
INDEX HMS15 RWS 5B 6B Series PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 2. 部品ディレーティング Components Derating ~ 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature
RWS 5B 6B Series A27 57 1 1/23 INDEX HMS15 RWS 5B 6B Series PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated Values of MTBF 3 2. 部品ディレーティング Components Derating ~ 3. 主要部品温度上昇値 Main Components Temperature Rise T List 9~1. 電解コンデンサ推定寿命計算値
I N D E X PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated values of MTBF R 部品ディレーティング Component derating R 主要部品温度上昇値 Main components temperature rise T list
RELIABILITY DATA 信頼性データ TDK-Lambda A231-57-01A I N D E X PAGE 1. MTBF 計算値 Calculated values of MTBF R - 1 2. 部品ディレーティング Component derating R - 3 3. 主要部品温度上昇値 Main components temperature rise T list R -
○MTBF_HFS150A_ xls
-24 Calculated values of MTBF 1. 算出方法 Part count reliability projection MIL-HDBK-217F NOTICE 2 の部品点数信頼度予測法により算出されています Calculated based on part count reliability projection of MIL-HDBK-217F NOTICE 2.
INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC ) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated, radio-frequency,
PH50A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C273-58-01 INDEX PH50A280-* PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
82 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over c
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C271-53-1 TDK-Lambda INDEX 1. 評価方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits... T-1 (1) 静特性 過電流保護特性 出力リップル ノイズ波形 Steady state characteristics, Over current protection
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
67 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C
PH150A280 TEST DATA IEC61000 SERIES テストデータ IEC61000 シリーズ TDK-Lambda C263-58-01 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 Electrostatic discharge immunity test (IEC61000-4-2) E-1 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 E-3 Radiated,
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
68 58 01 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3) 3.
INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic
WC037 58 01 1/16 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC61000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated, Radio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IEC61000 4 3)
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C267 53 1A 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
LFS 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 150.1k k k V ata List
LFS150-5 雑音端子電圧 onducted Emission Vin: 100V / 50Hz Limit(QP): VI lass Limit(V): VI lass 192.9k 63.9 18.6 260.6k 61.4 15.5 2.59M 56.0 18.0 260.9k 61.4 15.4 E 521.1k 56.0 19.2 F 2.59M 56.0 18.8 V ata List
PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感
特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and
C268 53 1 1/35 INDEX PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Measurement Circuits 3 (1) 静特性 待機電力特性 通電ドリフト特性 その他特性 Steady state, Standby power, Warm up voltage drift and Other characteristics (2) 入力サージ電流 (
LM35 高精度・摂氏直読温度センサIC
Precision Centigrade Temperature Sensors Literature Number: JAJSB56 IC A IC D IC IC ( ) IC ( K) 1/4 55 150 3/4 60 A 0.1 55 150 C 40 110 ( 10 ) TO-46 C CA D TO-92 C IC CA IC 19831026 24120 11800 ds005516
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
5 11 3 1....1 2. 5...4 (1)...5...6...7...17...22 (2)...70...71...72...77...82 (3)...85...86...87...92...97 (4)...101...102...103...112...117 (5)...121...122...123...125...128 1. 10 Web Web WG 5 4 5 ²
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特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10
端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Fiel
A27 58 0A /7 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000 4 3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
Specification for Manual Pulse Generator, GFK-2262
Specification change in Manual Pulse Generator () A) Abstract This document explains about the specification change in Manual Pulse Generator (). The production of the former specifications written in
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagn
70 58 01A 1/23 INDEX PE000FA PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000 4 2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 adiated, adio Frequency, Electromagnetic Field Immunity Test (IE1000 4 3)
LM3886
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe TM (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4
1_30B_Top_INDEX_OK.xls
EALUATION DATA 型式データ CA797-53-1B INDEX ZWS3B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 過電流保護特性 Over current
Visio-CA A.vsd
RWS 50B-600B Series CA836-58-01A 1/18 INDEX PAGE 1. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IE1000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 5 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
LM150/LM350A/LM350 3A 可変型レギュレータ
LM150,LM350,LM350A LM150/LM350A/LM350 3-Amp Adjustable Regulators Literature Number: JAJSBC0 LM350A/LM350 3A LM350 1.2V 33V 3A 3 IC 2 & IC ADJ 6 ADJ LM350 100V ADJ LM350 ADJ 1.2V 3A LM350A 3A LM350 3A
PA M01 LITEON SPEC Rev A
規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,
INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state da
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda CA806-53-01C INDEX RWS50B 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性
音響部品アクセサリ本文(AC06)PDF (Page 16)
Guide for Electret Condenser Microphones A microphone as an audio-electric converting device, whose audio pickup section has a structure of a condenser consisting of a diaphragm and a back plate opposite
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
OPA134/2134/4134('98.03)
OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In
Microsoft PowerPoint - n161_163.ppt
特長 ケースサイズ 製品の特長 12.5 x 19.0 mm (W x H) アノードコモンとカソードコモン対応 ケース色はブラックとグレー対応 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長 Green Orange Red : 565nm : 605nm : 660nm 桁数文字形状文字高素子材質 1 桁ヤバネタイプ 15.24 mm Green Orange Red : GaP : GaAsP
LM3876
Overture 56W ( ) 8 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 56W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA(Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V( ) 95dB(Min) SN 0.06 THD N IMD (SMTPE) 0.004 8 56W 100W SN 95dB(min)
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201471.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH101N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
LM117/LM317A/LM317 可変型3 端子レギュレータ
LM117,LM317 LM117/LM317A/LM317 3-Terminal Adjustable Regulator Literature Number: JAJSBC1 LM317A/LM317 3 3 LM317A 3 LM317 1.2 37V 1.5A 3 IC 2 / IC AC IC 6 3 LM317 3-Terminal Adjustable Regulator LM117
Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt
Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm
LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)
Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz
PowerPoint プレゼンテーション
一般機器用 For Consumer Products 汎用パワーインダクタ Common Power Inductors HER series RoHS HER327 HER427 HER527 HER627 HER88 HER9 特徴 直流重畳特性に優れている為 DC-DC コンバータ用インダクタとして最適 ドラムコアとリングコアに異なる磁性材料を使い電流特性を向上 * 既存同サイズと比べて電流特性を約
R1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項
![THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項](/thumbs/102/156201358.jpg "THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 項")
THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature
AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ
7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40
INDEX HMS5 RWS 5B B Series PAGE 1. MTBF 計算値 Clculted Vlues of MTBF 3. 部品ディレーティング Components Derting ~ 3. 主要部品温度上昇値 Min Components Temperture Rise T Li
RWS 5B B Series 1 7 1 1 1 e e 1 L 1 7 1 1 1 1 1 7 1 1 1 1 1 7 1 A75 57 1 1/3 INDEX HMS5 RWS 5B B Series PAGE 1. MTBF 計算値 Clculted Vlues of MTBF 3. 部品ディレーティング Components Derting ~ 3. 主要部品温度上昇値 Min Components
LM2940
1A 3 1A 3 0.5V 1V 1A 3V 1A 5V 30mA (V IN V OUT 3V) 2 (60V) * C Converted to nat2000 DTD updated with tape and reel with the new package name. SN Mil-Aero: Order Info table - moved J-15 part from WG row
EFE SERIES 基ユ板a_EFE_1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください EFE 3 UL EN 電圧 CSA C22.2 EN (300M ) N 特長 型名呼称方法 デジタル制御回
SERIES 基ユ板a 1 記載内容は 改良その他により予告なく変更する場合がありますので あらかじめご了承ください 3 UL60950-1 EN60950-1 電圧 CS C22.2 EN60601-1(300M ) N.60950-1 特長 型名呼称方法 デジタル制御回路内蔵 高効率化 :90%(300J) 300 J 24 - 小型化 : 従来モデル体積比較 35% 減 :1Uラック実装可能な薄型形状
USER'S GUIDE
AC/DC Converter 非絶縁降圧型 PWM 方式 2W -12V 出 BM2P129TF 評価ボード 評価ボードは 90Vac 264Vacの から-12Vの負電圧を出 します 出 電流は最 0.167Aを供給します 650V MOSFET 内蔵 PWM 方式 DC/DCコンバータICのBM2P129TFを使用しています BM2P129TFは 650V 耐圧起動回路内蔵により 低消費電 に貢献します
Description
Metal Hybrid Inductor Description Metal Hybrid Inductor Magnetically shielded Suitable for Large Current Size: 4.3 x 4.3 x H2.1 mm Max. Product weight:.18g (Ref.) Halogen Free available Operating temperature
LM317A
3 3 LM317A 3 LM317 1.2 37V 1.5A 3 IC 2 / IC AC IC 6 3 LM317 3-Terminal Adjustable Regulator LM117 19860710 33200 24060 11800 ds009063 Increase the print percent on all Typical Curves modified formatting
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
TOCOS indd
巻線形可変抵抗器 WIRE WOUND POTENTIOMETERS φ25 Type RA25シリーズ 特徴 FEATURES JIS 準拠品です Meets JIS. 品名構成 PART NUMBER COMPOSITION 1 軸単連形の場合 Single-shaft, single-unit RA 25 Y 20 S B 102 1 2 3 5 6 7 8 RoHS 指令対応 RoHS compliant
R1RW0408D シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
R1RP0416D シリーズ
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untitled
1.0 1. Display Format 8*2 Character 2. Power Supply 3.3V 3. Overall Module Size 30.0mm(W) x 19.5mm(H) x max 5.5mm(D) 4. Viewing Aera(W*H) 27.0mm(W) x 10.5mm(H) 5. Dot Size (W*H) 0.45mm(W) x 0.50mm(H) 6.
elm1117hh_jp.indd
概要 ELM7HH は低ドロップアウト正電圧 (LDO) レギュレータで 固定出力電圧型 (ELM7HH-xx) と可変出力型 (ELM7HH) があります この IC は 過電流保護回路とサーマルシャットダウンを内蔵し 負荷電流が.0A 時のドロップアウト電圧は.V です 出力電圧は固定出力電圧型が.V.8V.5V.V 可変出力電圧型が.5V ~ 4.6V となります 特長 出力電圧 ( 固定 )
LM4663 2 Watt Stereo Class D Audio Pwr Amp w/Stereo Headphone Amplifier (jp)
2 Watt Stereo Class D Audio Power Amplifier with Stereo Headphone Amplifier Literature Number: JAJS693 Boomer 2006 4 A very minor text edit (typo). (MC) Converted to nat2000 DTD. Few edits on Table 1 and
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
R1LV1616H-I シリーズ
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INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC ) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Fiel
RWS 009-58-0 /9 INDEX PAGE. 静電気放電イミュニティ試験 3 Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC6000-4-2) 2. 放射性無線周波数電磁界イミュニティ試験 4 Radiated Radio-Frequency Electromagnetic Field Immunity Test (IEC6000-4-3) 3. 電気的ファーストトランジェントバーストイミュニティ試験
cms.pdf
RoHS compliant INTERNAL STRUTURE FEATURES Part name over Slider Housing Slider contact Fixed contact Terminal pin lick spring Ground terminal Material Steel (SP), Tin-plated Polyamide opper alloy, Gold-plated
スプリングプローブコネクタ、ライトアングルコネクタ
スフ リンク フ ローフ コネクタ 8Y254B eries pring Probe Connectors MT type pecifications Dielectric strength : C300Vrms 1minute Insulation resistance : 1000MΩmin Contact resistance : 50mΩmax * Durability : 100,000
NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V
R1RW0416DI シリーズ
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INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
A265 53 01 1/18 INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト
FC005 53 01A 1/36 INDEX KWS25A PAGE 1. Evaluation Method 1 1. 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination 4 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm up voltage drift characteristics
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
Microsoft Word - CDEIR10D50ME_Ver1.0_E.docx
CDEIR1D5ME Description Metal alloy core construction Magnetically shielded L W H: 11.5 1.7 5.mm Max. Product weight :.7 g (Ref.) Moisture Sensitivity Level: 1 Applications Ideally used in Notebook, PDA
LM mA 低ドロップアウト・リニア・レギュレータ
800mA 800mA LM1117I 800mA LM1117 Chris Russell LM1117 800mA 1.2V LM1117 LM317 LM1117 2 1.25V 13.8V 1.8V 2.5V 2.85V 3.3V 5V 5 LM1117 1 LM1117 LLP TO-263 SOT-223 TO-220 TO-252 10 F 19970801 23900 DS100919
LT 高信号レベル・アップコンバーティング・ミキサ
LT 高信号レベルアップコンバーティング ミキサ 特長 MHz RF RF IF IP 7dBm 9MHz dbm IF db RF LO dbm LO 二重平衡ミキサ イネーブル機能.V~.Vの単一電源電圧範囲 露出パッド付き ピン TSSOPパッケージ アプリケーション CATV ダウンリンク インフラストラクチャ ワイヤレス インフラストラクチャ 高直線性ミキサ アプリケーション 概要 LT
LP3470 Tiny Power On Reset Circuit (jp)
Tiny Power On Reset Circuit Literature Number: JAJS547 IC ( C) CMOS IC 2.63V 2.93V 3.08V 3.65V 4.00V 4.38V 4.63V 6 (V RTH ) 2.4V 5.0V V CC (L ow ) ( ) V CC ( ) IC SOT23-5 1 : 2.63V 2.93V 3.08V 3.65V 4.00V
MAX DS.J
9-83; Rev ; / µ µ PART TEMP. RANGE PIN- PACKAGE TOP M ARK MAX442EXK-T -4 C to +85 C 5 SC7-5 ABH MAX442EUK-T -4 C to +85 C 5 SOT23-5 ADOL MAX443EKA-T -4 C to +85 C 8 SOT23-8 AADR 2..9 SUPPLY CURRENT vs.
過電流保護用／突入電流抑制用／過熱検知用"ポジスタ"
r rr r r! r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r r 9 8 7 9 8 7 6 5 4 6 5 4 3 3-3 4 5 6-3 4 5 6 4 8 6 4 8 6 4-3
LM6172 デュアル高速低消費電力、低歪み電圧帰還アンプ
Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers Literature Number: JAJS854 100MHz 3000V/ s 50mA 2.3mA/ 15V ADSL 5V VIP III (Vertically Integrated PNP) LM6171 Dual High Speed, Low
0_表紙_A.xls
EVALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda C265-53-1A INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Measurement Circuits (1) 静特性 Steady state characteristics... T-1 (2) 過渡応答 保護機能 出力リップル ノイズ波形 その他 Dynamic, protection,output
I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result
IMMUNITY DATA イミュニティデータ TDK-Lambda A258-58-01B I N D E X PAGE 1. イミュニティ試験結果サマリ R-1 Summary of Immunity Test Result ---------------------------------------------------- -----------------------------------------------------------
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリ
EALUATION DATA 型式データ TDK-Lambda 005-53-01B INDEX 1. 測定方法 Evaluation Method PAGE 1.1 測定回路 Circuit used for determination 測定回路 1 Circuit 1 used for determination... T-1 静特性 Steady state data 通電ドリフト特性 Warm
58 W type W タイプコネクタとは 58 コネクタ S タイプ (M ターミナルタブ幅 2.8mm) の防水コネクタです W TYPE CONNECTOR: THE BLADE WIDTH OF THE MALE TERMINAL FOR THIS CONNECTOR IS IN
58 W type W タイプコネクタとは 58 コネクタ S タイプ (タブ幅 2.8mm) の防水コネクタです W TYPE CONNECTOR: THE BLADE WIDTH OF THE FOR THIS CONNECTOR IS 0.110 INCHES./ SEALED TYPE OF 58 S TYPE CONNECTOR. [ 特徴 ] DISTINCTIVE FEATURES 1
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
UL 746A 第 6 版の短期特性評価に関する規格について 2016 年 4 月 29 日付で比較トラッキング指数試験 (CTI) 傾斜面トラッキング試験 (IPT) 及びホットワイヤー着火試験 (HWI) について一部改定がありました 以下 参考和訳をご参照ください なお 参考和訳と原文 ( 英
UL 746A 第 6 版の短期特性評価に関する規格について 2016 年 4 月 29 日付で比較トラッキング指数試験 (CTI) 傾斜面トラッキング試験 (IPT) 及びホットワイヤー着火試験 (HWI) について一部改定がありました 以下 参考和訳をご参照ください なお 参考和訳と原文 ( 英文 ) と差異のある場合は原文を優先頂くものとします 比較トラッキング指数試験 (CTI) 第 24
mbed祭りMar2016_プルアップ.key
1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET
LTC 単一5VAppleTalk トランシーバ
LTC µ µ µ µ TYPICAL APPLICATI O LTC 0.µF CHARGE PMP CPEN EN EN O O 0 DO 0 V µf 0.µF µf D D = Ω TO 0Ω Ω TO 0Ω 00pF LTC TA0 - LTC ABSOLTE AXI RATI GS Supply Voltage ( )... V Input Voltage Logic Inputs...
DC-Heating Directly-Heated Connected in Parallel Twin Triode 1. Ratings Parameter Symbol MIN TYP MAX Unit Operating Temp. To Storage Temp. T
DC-Heating Directly-Heated Connected in Parallel Twin Triode 1. Ratings Parameter Symbol MIN TYP MX Unit Operating Temp. To -40 - +85 Storage Temp. Ts -50 - +85 Filament Voltage Ef #1 0.6 0.7 0.8 V Grid