MSM51V18165F
|
|
|
- ともみ かつま
- 7 years ago
- Views:
Transcription
1 1 電子デバイス MSM51V1165F 1,04,576-Word 16-Bit DYNAMIC RAM : EDO 機能付き高速ページモード MSM51V1165F CMOS 1,04, CMOS 42 SOJ 50/44 TSOP 1,04, V 0.3V LVTTL LVTTL 1024 /16ms EDO!"# $"# $"# mil SOJ SOJ42-P MSM51V1165F-xxJS 50/ mil TSOP TSOPII50/44-P KMSM51V1165F-xxTS-K xx t RAC MSM51V1165F ns 25 ns 13 ns 13 ns 4 ns 450 mw MSM51V1165F ns 30 ns 15 ns 15 ns 104 ns 414 mw 1. mw MSM51V1165F ns 35 ns 20 ns 20 ns 124 ns 37mW 1/15
2 42 SOJ 50/44 TSOP (K ) NC 11 NC $"# 14 NC 15 NC 16 A0 17 A1 1 A2 19 A V SS V SS NC 31 %!"# 30 &!"# 29 2 A9 27 A 26 A7 25 A6 24 A5 23 A4 22 V SS NC NC 15 NC $"# 1 NC 19 NC 20 A0 21 A1 22 A2 23 A V SS V SS NC 36 NC 35 %!"# 34 &!"# A9 31 A 30 A7 29 A6 2 A5 27 A4 26 V SS A0 A9 $"# %!"# &!"# 1 16 V SS NC (3.3V) (0V) : V SS 2/15
3 $"# %!"# &!"# 10 Timing Generator Buffers 10 I/O Controller I/O Controller Decoders Output Buffers Input Buffers 1- A0-A9 Internal Counter Refresh Control Clock Sense Amplifiers 16 I/O Selector Buffers 10 Decoders Word Drivers Memory Cells Input Buffers Output Buffers 9-16 On Chip V BB Generator On Chip I Generator V SS $"# %!"# &!"# H * * * * High-Z High-Z L H H * * High-Z High-Z L L H H L D OUT High-Z L H L H L High-Z D OUT L L L H L D OUT D OUT L L H L H D IN Don t Care L H L L H Don t Care D IN L L L L H D IN D IN L L L H H High-Z High-Z * : 3/15
4 V T V I OS 50 ma P D * 1 W T opr 0 70 C T stg C * Ta = 25 C Ta = 0 70 C Min. Typ. Max V V SS V H *1 V L 0.3 *2 0. V : *1. 20ns + 1.0V *2. 20ns V SS 1.0V V SS = 3.3 V ± 0.3 V, Ta = 25 C, f = 1 MHz Min. Max. (A0 A9) C IN1 5 F ($"#, %!"#, &!"#,, ) C IN2 7 F (1 16) C I/O 7 F 4/15
5 = 3.3 V ± 0.3 V, Ta = 0 70 C MSM51V1165 F-50 MSM51V1165 F-60 MSM51V1165 F-70 Min. Max. Min. Max. Min. Max. H V OH I OH = 2.0mA V L V OL I OL = 2.0mA V I LI 0V V I +0.3V; 0V µa I LO disable 0V V O µa ( ) I CC1 $"#,!"# cycling, = Min ma 1, 2 ( ) $"#,!"# = I CC2 $"#,!"# 0.2V ma 1 ($"# ) I CC3 $"# cycling,!"# =, = Min ma 1, 2 ( ) $"# =, I CC5!"# =, = enable ma 1 (!"# $"# ) I CC6 $"# = cycling,!"# $"# ma 1, 2 ( ) $"# =, I CC7!"# cycling, t HPC = Min ma 1, 3 : 1. I CC Max. I CC 2. $"# = 3.!"# = 5/15
6 1/2 MSM51V1165 F-50 = 3.3V ± 0.3V, Ta = 0 70 C 1,2,3 MSM51V1165 F-60 MSM51V1165 F-70 Min. Max. Min. Max. Min. Max ns t RWC ns t HPC ns t HPRWC ns $"# t RAC ns 4, 5, 6!"# ns 4, ns 4, 6!"# A ns 4, ns 4!"# t CLZ ns 4!"# t DOH ns!"# t CEZ ns 7, $"# t REZ ns 7, t OEZ ns 7 t WEZ ns 7 t T ns 3 t REF ms $"# ns $"# 50 10, , ,000 ns $"# P , , ,000 ns!"# $"# t RSH ns $"# t ROH ns!"# ns 15!"# 7 10, , ,000 ns $"#!"#!"# $"#!"# $"# t CSH ns ns 13 t RHCP ns 13 6/15
7 2/2!"# MSM51V1165 F-50 = 3.3V ± 0.3V, Ta = 0 70 C 1,2,3 MSM51V1165 F-60 MSM51V1165 F-70 Min. Max. Min. Max. Min. Max. t CHO ns $"#!"# D ns 5 $"# ns ns t RAH ns ns ns 12 $"# t RAL ns S ns 12 H ns 9, 12 $"# t RRH ns 9 t WCS ns 10, 12 t WCH ns 12 t WP ns t WPE ns t OEH ns t OEP ns!"# t OCH ns $"# t RWL ns!"# t CWL ns 14 t DS ns 11, 12 t DH ns 11, 12 t OED ns!"# t CWD ns 10 t AWD ns 10 $"# t RWD ns 10!"# $"#!"#!"# (!"# $"#) WD ns 10 C ns 12 t CSR ns 12!"# (!"# $"#) t CHR ns 13 7/15
8 1. 200µs $"#!"# $"# 2. t T = 2ns 3. t T 4. MSM51V1165F-50 1TTL 50pF MSM51V1165F-60 MSM51V1165F-70 1TTL 100pF V OH =2.0V, V OL =0.V 5. D t RAC D D 6. t RAC 7. t CEZ t REZ t WEZ t OEZ. t CEZ t REZ 9. t RRH H 10. t WCS t CWD t RWD t AWD WD t WCS t WCS t CWD t CWD t RWD t RWD t AWD t AWD WD WD 11. &!"# %!"# 12. &!"# %!"# 13. &!"# %!"# 14. t CWL &!"# %!"# 15. &!"# %!"# /15
9 $"# t CSH D t RSH!"# t RAL t RAH S t RRH t ROH H t REZ t RAC t OEZ t CEZ V OH V OL Open t CLZ $"# t CSH!"# D t RSH t RAL t RAH tasc t WCS t WCH t CWL t WP t RWL t DS t DH Data-in Open 9/15
10 t RWC $"# t CSH D t RSH!"# t RAH t CWL t RWL S t CWD t RWD t WP t AWD t OEH t OED t DH t RAC t OEZ t DS V I/OH V I/OL t CLZ Data-in 10/15
11 P $"#!"# tcrp D t CSH t HPC trah t RHCP S t OCH t RRH t RAC t CHO t OEP t OEP A t OEZ t DOH t OEZ t REZ V OH V OL t CLZ * * * : Same Data, P t HPC t RHCP $"# t CSH t HPC D!"# trah tasc S S t RAC H t WPE A t WEZ t DOH t CEZ V OH V OL t CLZ 11/15
12 P t CSH t HPC t HPC $"# D t RSH!"# trah t WCS t WCH t WCS t WCH t WCS t WCH t DS t DH t DS t DH t DS t DH Data-in Data-in Data-in P t RWD WD $"# D t CWD trwl!"# t RAH t HPRWC t CWL tcpa S trcs t CWD t RAC t WP tds t WP t DS t AWD t AWD t OED t OEH t OED t OEH t OEZ tdh t OEZ t DH V I/OH V I/OL t CLZ Data-in t CLZ Data-in 12/15
13 $"# $"# C!"# t RAH t CEZ V OH V OL Open Note:, =!"# $"# $"# C t CSR C!"# t CHR t CEZ V OH V OL Open Note:,, = 13/15
14 $"# D t RSH!"# t CHR t RAH S t RRH t RAL t REZ t ROH t CEZ t RAC t OEZ V OH V OL Open tclz $"# D t RSH t CHR!"# t RAH t RAL t RWL t WP twcs t WCH t DS t DH Data-in 14/15
15 ご注意 設計に際しましては 最大定格 動作電源電圧範囲 放熱特性など保証範囲内でお使いください 保証値を超えての使用など本製品の誤った使用または不適切な使用等に起因する本製品の具体的な運用結果につきましては 当社は責任を負いかねますのでご了承ください Copyright 2000 OKI ELECTRIC INDUSTRY CO., LTD FAX /15
MSM51V18165F
OKI 2008 10 1 OKI OKI OKI 2008 10 1 OKI 193-8550 550-1 http://www.okisemi.com/jp/ OKI MSM51V18165F FJDD51V18165F-03 2005 6 3 1,048,576-Word 16-Bit DYNAMIC RAM : EDO MSM51V18165F CMOS 1,048,576 16 4 2 CMOS
HN58V256Aシリーズ/HN58V257Aシリーズ データシート
HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max)
HN58C256A シリーズ/HN58C257A シリーズ データシート
HN58C256A HN58C257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58C257A) RJJ03C0133-0600Z Rev. 6.00 2006. 10. 26 HN58C256A HN58C257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 5V±10% 85ns/100ns (max)
R1LV1616H-I シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
R1LV0416Dシリーズ データシート
Wide Temperature Range Version 4M SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C0237-0100 Rev. 1.00 2007.05.24 262,144 16 4M RAM TFT 44 TSOP II 48 CSP 0.75mm 3.0V 2.7V 3.6V 55/70ns max 3µW typ V CC =3.0V 2CS 40 +85 C
R1EV5801MBシリーズ データシート
1M EEPROM (128-kword 8-bit) Ready/Busy and function R10DS0209JJ0100 Rev.1.00 131072 8 EEPROM ROM MONOS CMOS 128 2.7V 5.5V 150ns (max) @ Vcc=4.5V 5.5V 250ns(max) @ Vcc=2.7V 5.5V 20mW/MHz (typ) 110µW (max)
NJU3555 NJU
1/16 LCD NJU6573 NJU6573 16 100 LCD 16 100 1/16 1600 LCD NJU6573 LCD CMOS 16 100 1/5 2MHz Max. CR, 16 V DD = 2.4V3.6V P-Sub LQFP144 20.0mm x 20.0mm t=1.7mm(max) 0.50mm pitch - 1 - NJU3555 NJU6573-2 - NJU3555
R1LV3216R データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
R1LP5256E Series Datashet
256Kb Advanced LPSRAM (32k word x 8bit) R10DS0070JJ0100 Rev.1.00 概要 R1LP5256E シリーズは シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 32,768 語 8 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです
R1WV6416R データシート
64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) 概要 RJJ03C0287-0100 Rev.1.00 2009.05.07 は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス技術を用いた 4,194,304 語 16 ビット構成を持ち 単一電源で動作する非同期式のスタティク RAM です メモリセルに新規 TFT 技術を用い 高密度かつ低消費電力を実現したデバイスです
pc910l0nsz_j
PC90L0NSZ0F PC90L0NSZ0F µ µ µ PC90L PC90L Date Sep.. 00 SHARP Corporation 7 NC Anode Cathode NC 7 GND V O (Open collector) V E (Enable) V CC H H L L H H H L H L L H L: (0) H: () PC90L0NSZ0F PC90L0YSZ0F
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
RMLV0816BGBG Datasheet
8Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (512k word 16bit) R10DS0229JJ0200 Rev.2.00 概 要 RMLV0816BGBG は 524,288 ワード 16 ビット 構 成 の 8M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMLV0816BGBG
Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます
DAC121S101/DAC121S101Q 12-Bit Micro Power, RRO Digital-to-Analog Converter (jp)
DAC121S101 DAC121S101/DAC121S101Q 12-Bit Micro Power, RRO Digital-to-Analog Converter Literature Number: JAJSA89 DAC121S101 12 D/A DAC121S101 12 D/A (DAC) 2.7V 5.5V 3.6V 177 A 30MHz 3 SPI TM QSPI MICROWIRE
Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q
Untitled
R1LV0816ABG -5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0295-0100 Rev.1.00 2009.12.14 R1LV0816ABG 0.15µm CMOS 524,288 16 RAM TFT R1LV0816ABG R1LV0816ABG 7.5mm 8.5mm BGA (f-bga [0.75mm, 48 ])
RMWV3216A Series Datasheet
32Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (2M word 16bit) R10DS0259JJ0100 Rev.1.00 概 要 RMWV3216A シリーズは 2,097,152 ワード 16 ビット 構 成 の 32M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMWV3216A
Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
TC74HC4017AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4017AP,TC74HC4017AF Decade Counter/Divider TC74HC4017A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 10 進ジョンソンカウンタです CMOS の特長である低い消費電力で 等価な LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます CK あるいは CE 入力に印加されたカウントパルスの数により
DS90LV V or 5V LVDS Driver/Receiver (jp)
DS90LV019 DS90LV019 3.3V or 5V LVDS Driver/Receiver Literature Number: JAJS563 DS90LV019 LVDS 1 / DS90LV019 Low Voltage Differential Signaling (LVDS) 1 CMOS / DS90LV019 EIA-644 IEEE1596.3 (SCI LVDS) 2
sm1ck.eps
DATA SHEET DS0 0 ASSP, IC,,,,, (VS =. V.%) (VCC = 0. V ) (VR =. V.%) ( ) DIP, SIP, SOP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) (FRONT VIEW) (TOP VIEW) C T C T V S V REF V CC V CC V REF V S (DIP-P-M0) (FPT-P-M0)
MO 2 E 2 POM -248/16 ev. 1.3_2 L D WP V GND 2* D IN LOD / W D OU OMP LOD 3 Min. yp. Max. V IN Y V IH V = V V = V V IL V = V 2 V =
ev. 1.3_2 MO 2 E 2 POM -248/16 8-Pin DIP ( DP8-DP8-E) 8-Pin OP ( FJ8-DFJ8-E) :µ Max. (V =5.5 V) :.8 m Max. (V =5.5 V, f=4khz).4 m Max. (V =4.5 V, f=1khz) :2.5 5.5 V :1.8 5.5 V 16 (-248, -2416) GN 1 2 8-Pin
DS90LV047A
3V LVDS 4 CMOS 4 CMOS Low Voltage Differential Signaling (LVDS) 400Mbps (200MHz) TLL/CMOS 350mV TRI-STATE 13mW ( ) PCB ENABLE ENABLE* AND TRI- STATE 4 DS90LV04 A (DS90LV048A ) ECL 1 1 Dual-In-Line 3V LVDS
untitled
: SOU1AP2011003 2011/12/25 & Copyright 2010, Toshiba Corporation. : SOU1AP2011003 1. 2.CMOS 3.CMOS 4.CMOS 5.CMOS 6. 2 : SOU1AP2011003 3 : SOU1AP2011003 NAND,OR,, IC 1A 1 1B 2 14 13 V CC 4B 1Y 2A 2B 3 4
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
NJW4124 IC ( ) NJW4124 AC-DC 1cell/2cell IC / 1 NJW4124M / Bi-CMOS NJW4124M : DMP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 TX-SW 3 18 CS2 GND 4 17 VS PC 5 16 V
IC ( ) AC-DC 1cell/2cell IC / 1 M / Bi-CMOS M : DMP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 TX-SW 3 18 CS2 GND 4 17 VS PC 5 16 VREF ADP 6 15 V + 7 14 TDET 8 13 TH C1 9 12 TL C2 10 11 CHG-SW M - 1 - (Ta=25 C) V
TC4017BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)
ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV
Microsoft Word - AK8133_MS0930_J_05.doc
AK8133 Multi Clock Generator for Audio AK8133 は 高性能オーディオ用 PLL クロックジェネレータ IC です 27MHz 水晶振動子または外部からの 27MHz 入力から複数のオーディオ用クロックを同時に生成します 出力周波数は端子設定により選択できますので各種オーディオシステムに適用することができます AK8133 は出力周波数近傍のスプリアスを大幅に軽減していますので水晶発振器を用いた場合と同等の
NJW4108 IC ( ) NJW4108 1cell/2cell IC NJW4108V / Bi-CMOS NJW4108V : SSOP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 CNT 3 18 CS2 GND 4 17 VS NC 5 16 VREF F-CHG 6
IC ( ) 1cell/2cell IC V / Bi-CMOS V : SSOP20 P-CHG 1 20 Q-CHG NFB 2 19 CS1 CNT 3 18 CS2 GND 4 17 VS NC 5 16 VREF F-CHG 6 15 V + 7 14 TDET 8 13 TH C1 9 12 TL C2 10 11 V - 1 - (Ta=25 C) V + +15 V C1 V C1
The DatasheetArchive - Datasheet Search Engine
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFT TC4069UBP/TC4069UBF/TC4069UBFT Hex Inverter は 6 回路のインバータです 内部回路はシンプルな 1 段ゲート構成のため 本来のインバータの他に CR 発振回路 / 水晶発振回路 / リニアアンプ等の応用に適しています 1 段ゲート構成のため
S1F77330 シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1
シリーズテクニカルマニュアル Rev.2.1 本資料のご使用につきましては 次の点にご留意願います 本資料の内容については 予告無く変更することがあります 1. 本資料の一部 または全部を弊社に無断で転載 または 複製など他の目的に使用することは堅くお断りいたします 2. 本資料に掲載される応用回路 プログラム 使用方法等はあくまでも参考情報であり これらに起因する第三者の知的財産権およびその他の権利侵害あるいは損害の発生に対し
TC4093BP/BF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4093BP, TC4093BF TC4093BP/TC4093BF Quad 2-Input NAND Schmitt Triggers は 全入力端子にシュミットトリガ機能をもった 4 回路の 2 入力 NAND ゲートです すなわち 入力波形の立ち上がり時と立ち下がり時に回路しきい値電圧が異なる ( P N ) のため 通常の NAND
mbed祭りMar2016_プルアップ.key
1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET
2014.3.10 @stu.hirosaki-u.ac.jp 1 1 1.1 2 3 ( 1) x ( ) 0 1 ( 2)NOT 0 NOT 1 1 NOT 0 ( 3)AND 1 AND 1 3 AND 0 ( 4)OR 0 OR 0 3 OR 1 0 1 x NOT x x AND x x OR x + 1 1 0 x x 1 x 0 x 0 x 1 1.2 n ( ) 1 ( ) n x
RNA51xxシリーズ データシート
RNxx CMOS system RESET IC R0DS0090JJ000 Rev..00 0.0.0 RNxx. V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0 V, ±% CMOS, (0.7 μ),, ( MΩ) (RNxx) CMOS (RNBxx). V,.6 V,.7 V,.8 V,.9 V,.0 V,. V,. V,. V,.6 V,.0
The Intelligent Technology Company ALTERA CPLD/FPGA ELS5004_S000_10 2006 4 ALTERA CPLD/FPGA...3...3 - Absolute Maximum Ratings...3 - Recommended Operating Conditions...4 - DCDC Operating Conditions...4
TC74HC245,640AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A
untitled
H Phase & Enable (UVLO) V DD =2.55.5V =3.08.0V Io=400mA I DD =200uA typ. (Mode Select) 2 Phase & Enable (ALL L ) STB L (UVLO) Alarm CMOS SSOP20-C3 - - (Ta=25 C) (Ta=25) - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - OUTA IN2B
HA17458シリーズ データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
ADC082S021 2 Channel, 50 ksps to 200 ksps, 8-Bit A/D Converter (jp)
2 Channel, 50 ksps to 200 ksps, 8-Bit A/D Converter Literature Number: JAJSAA2 2 200KSPS 8 A/D 2 8 CMOS A/D 50kSPS 200kSPS / IN1 IN2 1 2 SPI QSPI MICROWIRE DSP 2.7V 5.25V 3V 1.6mW 5V 5.8mW 3V 0.12 W 5V
51505agj.PDF
Type No. 2002 7 3 ******** 1.... 2 2.... 3 3.... 7 4. I/O... 9 5.... 11 6.... 12 7.... 16 8.... 16 9.... 16 10.... 17 11.... 18 CORPORATION Page 1/18 1. min. -20max. 70 min. -20max. 70 20 2 5 8 1 83.0
LM358
LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001
TC74HC4060AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4060AP/AF TC74HC4060AP, TC74HC4060AF 14-Stage Binary Counter/Oscillator TC74HC4060A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 14 STAGE RIPPLE CARRY BINARY COUNTER/ OSCILLATOR です CMOS
2 1,384,000 2,000,000 1,296,211 1,793,925 38,000 54,500 27,804 43,187 41,000 60,000 31,776 49,017 8,781 18,663 25,000 35,300 3 4 5 6 1,296,211 1,793,925 27,804 43,187 1,275,648 1,753,306 29,387 43,025
untitled
COPAL ELECTRONICS 32 (DP) DP INC 2 3 3 RH RL RWB 32 C S U/D INC U/D CS 2 2 DP7114 32 SOIC CMOS 2.5 V - 6.0 V / 10 kω 50 kω 100 kω TSSOP MSOP /BFR INC / U/D RH RoHS GND RWB RL CS VCC 2017 6 15 1 : R = 2
pc725v0nszxf_j
PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"
R1EX24256BSAS0I/R1EX24256BTAS0I データシート
R1EX24256BSAS0I R1EX24256BTAS0I Two-wire serial interface 256k EEPROM (32-kword 8-bit) R10DS0003JJ0400 Rev.4.00 R1EX24xxx 2 EEPROM ROM MONOS CMOS 64 1.8V 5.5V 2 (I 2 C ) 400kHz 2.0μA (max) 1.0mA (max)
2STB240AA(AM-2S-H-006)_01
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
TC74HC4511AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC4511AP,TC74HC4511AF BCD-to-7 Segment Latch/Decoder/Driver TC74HC4511A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS ラッチ付き 7 セグメント デコーダ ドライバです 標準 CMOS の 4511B と同一ピン接続 同一ファンクションですが 高速ラッチ
