LT1720/LT レール・トゥ・レール出力3V/5V単一電源、4.5nsデュアル/クワッド・コンパレータ

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1 特長 2mV 4.5ns 5mV 7ns 1 4mA 3Vおよび 動作に最適 高速用の使いやすいピン配置 入力電圧範囲は負電源レール以下 1mV まで TTL/CMOS 互換のレール トゥ レール出力 リミットが規定された内部ヒステリシス 少ない動作時流出電流 :15μA/(V-MHz) ほとんどの回路において負荷で決定 3mm 3mm.75mm の小型 DFN パッケージ (LT172) アプリケーション 高速差動ライン レシーバ 水晶発振回路 ウィンドウ コンパレータ スレッショルド検出器 / ディスクリミネータ パルス ストレッチャ ゼロクロス検出器 高速サンプリング回路 概要 LT172/LT1721 レール トゥ レール出力 3V/ 単一電源 4.5nsデュアル / クワッド コンパレータ LT 172/LT V 6V UltraFast / 1mV 1.2V LT172/LT1721 TTL CMOS LT SO MSOP 3mm 3mm.8mm DFN LT SSOP S LT172/LT1721 LT172/ LT1721 LT LTC および LTM はリニアテクノロジー社の登録商標です UltaFast はリニアテクノロジー社の商標です 他のすべての商標はそれぞれの所有者に所有権があります 標準的応用例 2.7V TO 6V TTL/CMOS 2.7V 6V 2k 62Ω 22Ω 1MHz TO 1MHz CRYSTAL (AT-CUT) C1.1µF 1.8k GROUND CASE 2k 1721 TA1 OUTPUT DELAY (ns) RISING EDGE (t PDLH ) 25 C V STEP = 1mV = C LOAD = 1pF FALLING EDGE (t PDHL ) OVERDRIVE (mv) 1721 TA2 1

2 絶対最大定格 (Note 1) 電源電圧 - GND 間... 7V 入力電流... ±1mA 出力電流 ( 連続 )... ±2mA 接合部温度 (DD パッケージ ) リード温度 ( 半田付け 1 秒 )... 3 保存温度範囲 ~15 (DD パッケージ ) ~125 動作温度範囲 C グレード... ~7 I グレード... 4 ~85 ピン配置 TOP VIEW IN A IN A IN B IN B DD PACKAGE 8-LEAD (3mm 3mm) PLASTIC DFN T JMAX = 125 C, q JA = 16 C/W UNDERSIDE METAL INTERNALLY CONNECTED TO GND OUT A OUT B GND IN A IN A IN B IN B TOP VIEW MS8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC MSOP 8 7 OUT A 6 OUT B 5 GND T JMAX = 15 C, q JA = 23 C/W TOP VIEW IN A 1 IN A 2 IN B 3 IN B 4 TOP VIEW S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO T JMAX = 15 C, q JA = 2 C/W OUT A OUT B GND IN A IN A GND OUT A OUT B GND IN B IN B GN PACKAGE 16-LEAD NARROW PLASTIC SSOP 16 IN D 15 IN D OUT D 12 OUT C 11 1 IN C 9 IN C S PACKAGE 16-LEAD PLASTIC SO T JMAX = 15 C, q JA = 135 C/W (GN) T JMAX = 15 C, q JA = 115 C/W (S) 2

3 発注情報 * LT172CDD#PBF LT172CDD #TPRBF LAAV 8-Lead (3mm 3mm) Plastic DFN C to 7 C LT172IDD#PBF LT172IDD#TRPBF LAAV 8-Lead (3mm 3mm) Plastic DFN 4 C to 85 C LT172CMS8#PBF LT172CMS8#TRPBF LTDS 8-Lead Plastic MSOP C to 7 C LT172IMS8#PBF LT172IMS8#TRPBF LTACW 8-Lead Plastic MSOP 4 C to 85 C LT172CS8#PBF LT172CS8#TRPBF Lead Plastic SO C to 7 C LT172IS8#PBF LT172IS8#TRPBF 172I 8-Lead Plastic SO 4 C to 85 C LT1721CGN#PBF LT1721CGN#TRPBF Lead Narrow Plastic SSOP C to 7 C LT1721IGN#PBF LT1721IGN#TRPBF 1721I 16-Lead Narrow Plastic SSOP 4 C to 85 C LT1721CS#PBF LT1721CS#TRPBF Lead Plastic SO C to 7 C LT1721IS#PBF LT1721IS#TRPBF 1721I 16-Lead Plastic SO 4 C to 85 C さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては 弊社または弊社代理店にお問い合わせください * 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます 非標準の鉛ベース仕様の製品の詳細については 弊社または弊社代理店にお問い合わせください 鉛フリー仕様の製品マーキングの詳細については をご覧ください テープアンドリールの仕様の詳細については をご覧ください 電気的特性 T A = 25 C = V CM = 1V C OUT = 1pF V OVERDRIVE = 2mV SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Supply Voltage l V I CC Supply Current (Per Comparator) = = 3V V CMR Common Mode Voltage Range (Note 2) l V V TRIP Input Trip Points (Note 3) mv l mv V TRIP Input Trip Points (Note 3) mv l mv V OS Input Offset Voltage (Note 3) mv l 4.5 mv V HYST Input Hysteresis Voltage (Note 3) l mv V OS / T Input Offset Voltage Drift l 1 µv/ C I B Input Bias Current l 6 µa I OS Input Offset Current l.6 µa CMRR Common Mode Rejection Ratio (Note 4) l 55 7 db PSRR Power Supply Rejection Ratio (Note 5) l 65 8 db A V Voltage Gain (Note 6) V OH Output High Voltage I SOURCE = 4mA, V IN = V TRIP 1mV l.4 V V OL Output Low Voltage I SINK = 1mA, V IN = V TRIP 1mV l.4 V t PD2 Propagation Delay V OVERDRIVE = 2mV (Note 7) ns l 8. ns t PD5 Propagation Delay V OVERDRIVE = 5mV (Notes 7, 8) 7 1 ns l 13 ns l l ma ma 3

4 電気的特性 T A = 25 C = V CM = 1V C OUT = 1pF V OVERDRIVE = 2mV SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS t PD Differential Propagation Delay (Note 9) Between Channels.3 1. ns t SKEW Propagation Delay Skew (Note 1) Between t PDLH /t PDHL ns t r Output Rise Time 1% to 9% 2.5 ns t f Output Fall Time 9% to 1% 2.2 ns t JITTER Output Timing Jitter V IN = 1.2V P-P (6dBm), Z IN = 5Ω t PDLH 15 V CM = 2V, f = 2MHz t PDHL 11 f MAX Maximum Toggle Frequency V OVERDRIVE = 5mV, = 3V V OVERDRIVE = 5mV, = ps RMS ps RMS MHz MHz Note 1 絶対最大定格はそれを超えるとデバイスに永続的な損傷を与える可能性がある値 また 絶対最大定格状態が長時間続くと デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える恐れがある Note 2 一方の入力がこれらの同相リミット内であれば 他方の入力は同相リミットから外れてもよく 出力は有効である Note 3 LT172/LT1721 コンパレータは内部ヒステリシスを備えている トリップ ポイントは 各方向で出力の状態を変化させるのに必要な入力電圧である オフセット電圧は V TRIP と V TRIP の平均として定義され ヒステリシス電圧はこの 2 つの電圧の差である Note 4 同相除去比は = で測定され V CM =.1V から 3.8V までのオフセット電圧の変化を 3.9V で除算した値として定義される Note 5 電源除去比は V CM = 1V で測定され = 2.7V から 6V までのオフセット電圧の変化を 3.3V で除算した値として定義される Note 6 内部ヒステリシスがあるので 利得を測定する小信号領域は存在しない わずか 1mV のオーバードライブで V OH と V OL を測定することにより 内部回路の適切な動作が確認されている Note 7 伝搬遅延は 1mV ステップで測定される オーバードライブは V TRIP ± を基準にして測定される Note 8 t PD は低い値のオーバードライブでは 自動計測装置で測定することはできない LT172/LT1721 は 1mV のステップと 2mV のオーバードライブによって 1% テストされている 相関テストは すべての内部バイアスの条件が正しいことを保証するための追加 DC テストが行われている場合 t PD のリミットをこのテストで保証できることを示している Note 9 差動伝搬遅延は次の 2 つの式の大きい方で定義される Δt PDLH = t PDLH(MAX) t PDLH(MIN) Δt PDHL = t PDHL(MAX) t PDHL(MIN) ここで (MAX) と (MIN) は 異なるコンパレータ チャネル間での所定の測定値の最大値と最小値を意味する Note 1 伝搬遅延スキューは次式で定義される t SKEW = t PDLH t PDHL 標準的性能特性 V OS AND TRIP POINT VOLTAGE (mv) V TRIP V OS V TRIP 2 25 C V CM = 1V SUPPLY VOLTAGE (V) V OS AND TRIP POINT VOLTAGE (mv) V TRIP V OS V TRIP TEMPERATURE ( C) COMMON MODE INPUT VOLTAGE (V) 4.2 = TEMPERATURE ( C) 1721 G G G3 4

5 標準的性能特性 INPUT CURRENT (µa) C = DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (V) QUIESCENT SUPPLY CURRENT PER COMPARATOR (ma) = = 3V TEMPERATURE ( C) SUPPLY CURRENT PER COMPARATOR (ma) C 25 C 55 C SUPPLY VOLTAGE (V) 1721 G G G6 DELAY (ns) C V STEP = 1mV OVERDRIVE = 2mV = RISING EDGE (t PDLH ) FALLING EDGE (t PDHL ) OUTPUT LOAD CAPACITANCE (pf) PROPAGATION DELAY (ns) = = 3V 5.5 = 5. OVERDRIVE = 2mV 4.5 = 3V TEMPERATURE ( C) t PDLH V CM = 1V V STEP = 1mV C LOAD = 1pF OVERDRIVE = 5mV DELAY (ns) C V STEP = 1mV OVERDRIVE = 2mV C LOAD = 1pF RISING EDGE (t PDLH ) FALLING EDGE (t PDHL ) SUPPLY VOLTAGE (V) 1721 G G G9 OUTPUT VOLTAGE (V) L H = V CM = 1V V IN = 15mV 55 C 125 C = 2.7V 25 C 125 C OUTPUT SINK CURRENT (ma) OUTPUT VOLTAGE RELATIVE TO (V) C 25 C 55 C = V CM = 1V V IN = 15mV 25 C = 2.7V OUTPUT SOURCE CURRENT (ma) SUPPLY CURRENT PER COMPARATOR (ma) C = C LOAD = 2pF FREQUENCY (MHz) NO LOAD 1721 G G G12 5

6 ピン機能 LT172 IN A 1 A IN A 2 A IN B 3 B IN B 4 B GND 5 OUT B 6 B OUT A 7 A 8 LT1721 IN A 1 A IN A 2 A GND 3 6 OUT A 4 A OUT B 5 B IN B 7 B IN B 8 B IN C 9 C IN C 1 C OUT C 12 C OUT D 13 D IN D 15 D IN D 16 D 6

7 テスト回路 V TRIP 1 P-P BANDWIDTH-LIMITED TRIANGLE WAVE ~1kHz V CM 5k 5Ω 5Ω DUT OR 1/4 LT1721.1µF 2k LTC nF 1µF /2 LT1112 1k 1 V TRIP 1 V HYST 1 V OS LTC23 1k /2 LT1638 1k 1k 1nF 1µF 1 V TRIP 1k 2.4k k 1/2 LT µF /2 LT1112 NOTE LT1638 LT1112 LTC23 1 DUT 2kW LTC TC1 V.1µF 13Ω 1mV 25Ω V1* 25Ω 5k DUT OR 1/4 LT1721 5Ω V CM.1µF.1µF 1 SCOPE PROBE (C IN 1pF) V 3V PULSE IN 1N5711 2N3866 V CM 5Ω 4Ω 75Ω *V1 = 1 (OVERDRIVE V TRIP ) NOTE LT TC2 7

8 LT172/LT1721 1mV 3.8V 1mV 1.2V 1 1mA PN 4mV 15mV 1 1μs 2pF RC LT172/LT1721 ESD ESD ESD IN IN GND 1V PNP LT172/ LT1721 1mV LT172/LT % 4μA 8

9 LT172/LT1721 4mV 4mV LT172/LT1721 2V/ns.2pF 1Ω 4mV LT172/LT LT GND 1nF 2.2μF 5cm 4mA 1kΩ LT172/LT1721 1cm LT172/LT Ω DC AC (a) (b) 1721 F1 LT172/LT PCB 1 LT172 SO-8 LT X7R 1nF 5 LT V OS V HYST LT172/LT1721 V OUT V HYST (= V TRIP VTRIP ) V HYST /2 V OH 1b LT1721 V OL V TRIP V TRIP VTRIP V OS = 2 V TRIP V IN = V IN VIN 1721 F2 2. I/O 9

10 LT172/LT1721 LT172/LT1721 LT172/ LT1721 CMRR PSRR CMRR PSRR LT172/ LT1721 LT172/LT1721 V OH H TTL 3 R3 R3 LT172/LT1721 2mV 4mV R3 3mV 3mV ( 3mV) 3mV = 6mV 2 R3 R3 = (R1 R2)(.6V)/( 追加ヒステリシス ) 3.5mV R2 V TH = (V REF ) (R1)/(R1 R2) R2 /2 4 V TH R2 = (V REF V TH )/(V TH /R1(V TH /2)/R3) 1mV R2 1% R2 mv R3 R1 R1/R2 LT172/LT1721 5% 12μA(6μA I B.5) V REF V REF R3 R2 R2 R1 INPUT 1721 F3 R1 V TH R3 V AVERAGE = F

11 LT172/LT1721 ECL LT172/LT1721 ECL LT172/LT1721 ECL 1H124 1H TTL/CMOS ECL ns 5mA 5 TTL ECL PECL 5a NPN TTL V OH 82Ω LT172/LT1721 CMOS LT172/LT1721 1mA PNP LT172/LT1721 ECL 3 5b LT172/LT1721 R3 PECL V IH ECL V IH ECL LT172/LT1721 3V LT172/LT1721 PECL 5c ECL 4 1KH/E R3 5a TTL R4 R4 LT172/ LT1721 H R1 LT172/LT1721 ESD 2mA 1μA R4 LT172/LT1721 ECL 5d ECL 3V LT172/LT1721 LT172/LT1721 L ESD/ 4 R4 LT172/LT1721 R4 11Ω 1ns ECL ECL 1 I IH ECL PECL 1V 5% 1KH/E LT172/LT1721 ECL ECLiPS DL14 1KH HB25 PECL AN146 ON Semiconductor 11

12 18Ω LSTTL 27Ω 1KH/E LT172/LT Ω a TTL PECL R1 R2 R3 1KH/E 1K/E OR 5.2V 4. R1 51Ω 62Ω R2 18Ω 18Ω R3 75Ω 51Ω b LT172/LT1721 PECL 3V R4 R1 R2 R3 1KH/E 1K/E OR 5.2V 4. R1 3Ω 33Ω R2 18Ω 18Ω R3 OMIT 15Ω R4 56Ω 1Ω c 3V LT172/LT1721 PECL R4 R1 R2 R3 ECL FAMILY 1KH/E 1K/E V EE 5.2V 4. 3V 3V R1 56Ω 27Ω 68Ω 33Ω R2 27Ω 51Ω 27Ω 39Ω R3 33Ω 3Ω 3Ω 27Ω R4 12Ω 33Ω 15Ω 43Ω V EE 1721 F5 d LT172/LT1721 ECL 5 12

13 LT172/LT1721 LT172/LT IN/ IN OUT 1 GND 2 LT172/LT V 1.6V 1mV 2 2 5mV 15mV 3mV TTL CMOS ECL 2pF 3 32μA/MHz 6.5pF 2pF 133μA/MHz 11μA/MHz 2μA/MHz-V pf LT172/LT1721 5pF 15pF NONLINEAR STAGE IN IN A V1 Σ Σ A V2 OUT 1721 F6 GND 6. LT172/LT

14 LT172/LT pF LT172/LT LT172/LT mA 45mA t PD LT172/LT1721 2mV 3V 1 t PDLH t PDHL LT172/LT1721 PNP NPN.5ns 1 1ps 2ps SO-8 LT172 A B B S16 LT1721 MSOP SSOP LT172/LT1721 V OH V OL 8ns 62.5MHz 125MB 15MHz LT1715 LT172/LT1721 2mV 4.5ns 5mV 7ns LT172/LT1721 5mV LT172/LT1721 3V 2mV 3V LT172/LT ns = 7 4.5

15 LT172/LT1721 V TRIP 1kHz LT172/LT LT172/LT LT172/LT k-62Ω 2k-1.8k-.1μF DC LT172/LT DC LT172/LT Ω 1MHz 1MHz AT 2.7V 6V LT172/LT1721 2V 2.2V 25 5% 5% 7 5% C1 C2 2 A1 C1 C1 5% 2.7V 6V 2 8 LT V TO 6V 2k 62Ω 22Ω C1 C2 1MHz TO 1MHz CRYSTAL (AT-CUT).1µF GROUND CASE 2k 1.8k 1k.1µF A1 LT % 1k 1k OUTPUT.1µF OUTPUT 1721 F7 15

16 OUTPUT SKEW (ps) A1 44% H SUPPLY VOLTAGE (V) 172/21 F8 Q 2V/DIV LT C1 C2 H H 44% L 56% H 2ns 1 2 Q1 2V/DIV 2ns/DIV F1 2.7V TO 6V 2k 22Ω 1MHz CRYSTAL (AT-CUT) 62Ω C1 GROUND CASE 2k OPTIONAL SEE TEXT A1 LT1636 1k OUTPUT 1.3k.1µF.1µF 2.2k 1k.1µF C2 1k OUTPUT F9 9. 1MHz 16

17 LT172/LT ps Δt PD LT172/LT k 2pF 4ns Δt = 3ns 12 X Y X H Y L X L Y H U1A U1B L U1C X*_Y 13 3ns 1.8ns C1 1 1 X と Y の入力レベルが R8-R9 の抵抗分割器によって設定される. のスレッショルドに近づきすぎないようにします 誤った出力が続くのであれば C1 を 1pF 以上にしてみます U1C の入力でのインピーダンス バランス (R5 R6 = R7) の問題を探すこともできます R5 を小さくすることでオフセットを増やすことにより 誤った出力を防ぐことができますが インピーダンス バランスを保つため R7 も小さくする必要があります 設計の簡素化と寄生整合のため R7 を R5 と R6 に等しい 2 本の並列抵抗に置き換えることができます LT172 LT172 C IN INPUT C IN 2.5k C IN C IN INPUT 2.5k DIFFERENTIAL ±4ns RELATIVE SKEW ns TO 4ns SINGLE-ENDED DELAY C IN C IN C IN C IN V REF V REF 1721 F LT172 17

18 DELAY DETECTOR Y.1µF X 51Ω* R9 487Ω* 51Ω* U1A 1/4 LT1721 R8* 4.53k U1B 1/4 LT Ω* 31Ω* 31Ω* R5 1.82k* C1 5.6pF R7 261Ω* R6 31Ω* U1C 1/4 LT1721 Z V IN OPTIONAL LOGARITHMIC PULSE STRETCHER (SEE TEXT) 1N5711 CAPTURE R1 499Ω* V C C2 54pF ** R2 1k* 475Ω* R3 1Ω* V OFF U1D 1/4 LT µF L 1V X V 1V Y V DECAY R4 3Ω* Z V * 1% METAL FILM RESISTOR ** 27pF 2 FOR REDUCED LEAD INDUCTANCE 1721 F12 RESULT OF X AND NOT Y 12. 3ns 13. Y 18

19 LT ns C2 18ns 2 R3 1mV 1ns 3 H C2 54ns R3 1mV R4.4V V OL 4 t OUT = τ 2 ln {V CH [1 exp( t P /τ 1 )]/(V OFF V H /2)} τ 1 ln [V CH /(V CH V OFF V H /2)] t P (1) t P = t OUT = τ 1 = R1 R2 C2 τ 2 = R2 C2 V OFF = 1mV V H = 3.5mV V C = V IN V FDIODE V CH = V C R2/(R1 R2) R1 LT1721 t P < τ 1 t OUT = τ 2 ln [(V CH t P /τ 1 )/(V OFF V H /2)] (2) 8ns 1.67μs 2 16ns.37μs 2 32ns.37μs 1.37μs t OUT /octave = τ 2 ln(2) (3).1μs 5 2% 6MHz 3ns 6ps C2 mv 4nV/ Hz LT1721 4MHz R3 τ 2 τ 1 (1) 14 RC (1) 3 3μs 2 この用語が使用されるのは 非常に高速な入力パルスが 後で検証するコンデンサの電荷として 捕捉 されるからです 3 ダイオードの入力パルスのスルーレートが無制限と仮定します この実効遅延定数 (τ 1 の約.4% つまり.8ns) は 下記の式 (1) の第 2 項になります スルーレートが 2.5nsに制限されたLT1721でドライブされるので この実効遅延は2nsになります 4 V C は LT1721の出力電圧と非直線的なダイオード特性に依存します また C2から見たテブナン等価充電電圧は R2がグランドより高い電位に終端されることによってわずかに上昇します 5 入力パルス幅が約 3nsを下回ると 出力ジッタが増加します 19

20 t OUT STRETCHED (µs) MEASURED EQUATION 1 2.7μs 2 (3) 1.5ns 1ns t PULSE (ns) 14. NANOSECOND INPUT RANGE 1 FOOT CABLE X 1721 F14 L MICROSECOND OUTPUT RANGE 1ns 16 LT1721 1ns 3 A RC B D C 4.22kΩ RC 2V V SPLITTER Y CIRCUIT OF FIGURE 12 n FOOT CABLE t OUT (SEE TEXT) 2 LT ns RC 6ns 15ns RC 4ns 1ns 15. = 66% RG-58 Y = (n 1) 1.54ns 1721 F15 1kHz 2MHz 6MHz 1 Y % RG ns 1.7μs ns 75% 2.7V V OL /V OH 2.7V ns A 1kΩ 17 AC 2dB 1MHz 1μV/ 15ns 3ns 2

21 INPUT V REF U1A 1/4 LT Ω 215Ω 681Ω 1k 75Ω 1pF 1.37k U1B 1/4 LT1721 U1C 1/4 LT1721 1ns 1ns OUTPUTS 1ns 1ns 681Ω 4.22k U1D 1/4 LT Ω 1721 F ns 2.2k 2.2k = 1N5711 INPUT ±1mV FULL SCALE 1k LT Ω OUTPUT ±1V FULL SCALE = CA339 DIODE ARRAY (SUBSTRATE TO ) 1.5k 3.6k AC BALANCE 3pF 1Ω 1.1k.1µF 1.1k 1.1k SAMPLE COMMAND 2k 1pF 2k C IN SKEW COMP 2.5k 82Ω MRF MRF51 DC BALANCE 5Ω 8 68Ω 1.1k 82Ω C IN LM Ω 51Ω 1721 F LT172 21

22 LT1227 LT172 1ns AC DC 5Ω 1kHz DC ON OFF AC AC 18 LT172 V 2V 1ns 2.7V 6V CLOCK INPUT 2.7V TO 6V C1 Q FIXED OUTPUT 1ns TRIM 2k 2k* 14k 2.5k* 2.5k FIXED SKEWED 12pF MV-29 VARACTOR DIODE 36pF 1M C2.1µF 2.5k Q SKEWED OUTPUT.5µF 1M 47µF = 1N4148 = 74HC4 INPUT V TO 2V ±1ns SKEW A1 LT M* 2.2µF V IN V C L1** SW LT1317 FB GND 1.1M 1k * 1% FILM RESISTOR ** SUMIDA CD43-1 POLYSTYRENE, 5% 1.82M* 2pF 1721 F

23 2 19 LT172 AND 1V MRF-51 AND 2 AND 3ps 3ns H 5mV 4.5ns TTL CMOS Ω 3.9k 1k 3Ω MRF51 GROUND CASE LEAD OUTPUT.1µF 4 1N5711 3Ω 51Ω 1721 F19 COINCIDENCE COMPARATORS 3ps AND GATE 19. 3ns 23

24 簡略回路図 IN IN GND 15Ω 15Ω 1721 SS OUTPUT 24

25 パッケージ DD 8 DFN 3mm 3mm (Reference LTC DWG # ) R =.115 TYP ± ± ± ± ±.5 (2 SIDES).25 ±.5.5 BSC 2.38 ±.5 (2 SIDES) 1 NOTE 6.2 REF 3. ±.1 (4 SIDES).75 ± ±.1 (2 SIDES) 4.25 ±.5 NOTE 1. JEDEC MO-229 WEED mm ±.1 (2 SIDES) 1.5 BSC (DD) DFN 123 S (Reference LTC DWG # ).5 BSC.45 ± ( ) NOTE MIN.16 ± ( ) ( ) NOTE 3.3 ±.5 TYP ( ).1.2 ( ) 45 8 TYP ( ).4.1 ( ) NOTE ( ) mm ( ) TYP.5 (1.27) BSC SO

26 パッケージ MS8 8 MSOP (Reference LTC DWG # ).889 ±.127 (.35 ±.5) 5.23 (.26) MIN ( ).42 ±.38 (.165 ±.15) TYP.65 (.256) BSC 3. ±.12 (.118 ±.4) (NOTE 3) (.25) REF.254 (.1) DETAIL A 6 TYP 4.9 ±.152 (.193 ±.6) 3. ±.12 (.118 ±.4) (NOTE 4).18 (.7) DETAIL A.53 ±.152 (.21 ±.6) NOTE 1. / (.43) MAX (.9.15) TYP.65 (.256) BSC.152mm.6" mm.6" 5..12mm.4" (.34) REF.116 ±.58 (.4 ±.2) MSOP (MS8) 37 REV F S (Reference LTC DWG # ) N.5 BSC.45 ± ( ) NOTE MIN N/2.16 ± ( ) N N/ ( ) NOTE 3.3 ±.5 TYP.8.1 ( ).1.2 ( ) 45 8 TYP ( ) ( ) ( ) NOTE mm ( ) TYP.5 (1.27) BSC S16 52

27 パッケージ GN 16 SSOP.15 (Reference LTC DWG # ).45 ± * ( ) (.229) REF.254 MIN ( ) ** ( ).165 ± BSC ( ).15 ±.4 (.38 ±.1) 45 8 TYP ( ).4.98 ( ) NOTE ( ).8.12 (.23.35) TYP.25 (.635) BSC GN16 (SSOP) *.6".152mm **.1".254mm 27

28 標準的応用例 1 2 1ns LT172 1pV-s C1 C2 8mV L C1 H C2 H C2 H C R 1ns C2 L C1 L L C1 C 5ns 1ns 14mV 1ns 1mV 6 C1 V OL 1mV 3ns H 14 6 リニアテクノロジーの アプリケーション ノート 47 の 付録 B を参照してください この回路は 4dB の減衰後に 記述されたパルス発生器の出力を検出することができます 15k.1µF OUTPUT PULSE SOURCE 5Ω C1 1ns 51Ω 24Ω 6.8k 1N5711 R 1k C2 C 1pF 2k 2k 1721 F2 2k 2. 1ns 関連製品 LT116 1ns LT ns LT116 LT1394 7ns 6mA LT1671 6ns 45μA LT1715 4ns 15MHz LT172 LT ns 3V/ LT172/LT 東京都千代田区紀尾井町 3-6 紀尾井町パークビル 8F TEL FAX LT 98 REV C PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 1998