R1RW0416DI シリーズ
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- えみ じゅふく
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1 お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ ( 年 4 月 1 日ルネサスエレクトロニクス株式会社 発行 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ( 問い合わせ先
2 OA AV RoHS
3 R1RW0416DI Wide Temperature Range Version 4M High Speed SRAM (256-kword 16-bit) RJJ03C Z Rev R1RW0416DI 256k 16 4M RAM CMOS6 R1RW0416DI 400-mil 44 SOJ 400-mil 44 TSOPII 3.3V 3.3V ± 0.3V 12ns (max) TTL 130mA (max) TTL 40mA (max) CMOS 5mA (max) V CC V SS C Type No. Access time Package R1RW0416DGE-2PI 12 ns 400-mil 44-pin plastic SOJ (44P0K) R1RW0416DSB-2PI 12 ns 400-mil 44-pin plastic TSOPII (44P3W-H) Rev.1.00, , page 1 of 12
4 R1RW0416DI 44-pin SOJ 44-pin TSOP A0 A1 A2 A3 A4 CS# I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 V CC V SS I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 WE# A5 A6 A7 A8 A A17 A16 A15 OE# UB# LB# I/O16 I/O15 I/O14 I/O13 V SS V CC I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 NC A14 A13 A12 A11 A10 A0 A1 A2 A3 A4 CS# I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 V CC V SS I/O5 I/O6 I/O7 I/O8 WE# A5 A6 A7 A8 A A17 A16 A15 OE# UB# LB# I/O16 I/O15 I/O14 I/O13 V SS V CC I/O12 I/O11 I/O10 I/O9 NC A14 A13 A12 A11 A10 (Top View) (Top View) Pin name Function A0 to A17 Address input I/O1 to I/O16 Data input/output CS# Chip select OE# Output enable WE# Write enable UB# Upper byte select LB# Lower byte select V CC Power supply V SS Ground NC No connection Rev.1.00, , page 2 of 12
5 R1RW0416DI (LSB) A14 A13 A12 A5 A6 A7 A11 A10 A3 (MSB) A1 I/O1. I/O8 I/O9. I/O16 WE# CS# LB# UB# Row decoder CS Input data control (LSB) Memory matrix 1024 rows 32 columns 8 blocks 16 bit (4,194,304 bits) Column I/O Column decoder CS A8 A9 A17 A15 A16 A0 A2 A4 (MSB) V CC V SS OE# CS Rev.1.00, , page 3 of 12
6 R1RW0416DI CS# OE# WE# LB# UB# Mode V CC current I/O1 I/O8 I/O9 I/O16 Ref. cycle H Standby I SB, I SB1 High-Z High-Z L H H Output disable I CC High-Z High-Z L L H L L Read I CC Output Output Read cycle L L H L H Lower byte read I CC Output High-Z Read cycle L L H H L Upper byte read I CC High-Z Output Read cycle L L H H H I CC High-Z High-Z L L L L Write I CC Input Input Write cycle L L L H Lower byte write I CC Input High-Z Write cycle L L H L Upper byte write I CC High-Z Input Write cycle L L H H I CC High-Z High-Z H: V IH, L: V IL, : V IH or V IL Parameter Symbol Value Unit Supply voltage relative to V SS V CC 0.5 to +4.6 V Voltage on any pin relative to V SS V T 0.5* 1 to V CC + 0.5* 2 V Power dissipation P T 1.0 W Operating temperature Topr 40 to +85 C Storage temperature Tstg 55 to +125 C Storage temperature under bias Tbias 40 to +85 C 1. (under shoot) 6ns 2.0V 2. (over shoot) 6ns V CC + 2.0V DC (Ta = 40 to +85 C) Parameter Symbol Min Typ Max Unit Supply voltage V CC * V V SS * V Input voltage V IH 2.0 V CC + 0.5* 2 V V IL 0.5* V 1. (under shoot) 6ns 2.0V 2. (over shoot) 6ns V CC + 2.0V 3. V CC 4. V SS Rev.1.00, , page 4 of 12
7 R1RW0416DI DC (Ta = 40 to +85 C, V CC = 3.3 V ± 0.3 V, V SS = 0 V) Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions Input leakage current I LI 2 µa V IN = V SS to V CC Output leakage current I LO 2 µa V IN = V SS to V CC Operating power supply current I CC 130 ma Min cycle CS# = V IL, I OUT = 0 ma Other inputs = V IH /V IL Standby power supply current I SB 40 ma Min cycle, CS# = V IH, Other inputs = V IH /V IL I SB1 5 ma f = 0 MHz V CC CS# V CC 0.2 V, (1) 0 V V IN 0.2 V or (2) V CC V IN V CC 0.2 V Output voltage V OL 0.4 V I OL = 8 ma V OH 2.4 V I OH = 4 ma (Ta = +25 C, f = 1.0 MHz) Parameter Symbol Min Max Unit Test conditions Input capacitance* 1 C IN 6 pf V IN = 0 V Input/output capacitance* 1 C I/O 8 pf V I/O = 0 V 1. Rev.1.00, , page 5 of 12
8 R1RW0416DI AC (Ta = 40 to +85 C, V CC = 3.3 V ± 0.3 V, unless otherwise noted.) 3.0V/0.0V 3ns 1.5V 1.5 V 3.3 V D OUT Zo = 50 Ω RL = 50 Ω D OUT 319 Ω 30 pf 353 Ω 5 pf Output load (A) Output load (B) (for t CLZ, t OLZ, t BLZ, t CHZ, t OHZ, t BHZ, t WHZ, and t OW ) R1RW0416DI -2 Parameter Symbol Min Max Unit Notes Read cycle time t RC 12 ns Address access time t AA 12 ns Chip select access time t ACS 12 ns Output enable to output valid t OE 6 ns Byte select to output valid t BA 6 ns Output hold from address change t OH 3 ns Chip select to output in low-z t CLZ 3 ns 1 Output enable to output in low-z t OLZ 0 ns 1 Byte select to output in low-z t BLZ 0 ns 1 Chip deselect to output in high-z t CHZ 6 ns 1 Output disable to output in high-z t OHZ 6 ns 1 Byte deselect to output in high-z t BHZ 6 ns 1 Rev.1.00, , page 6 of 12
9 R1RW0416DI R1RW0416DI Parameter Symbol Min Max Unit Notes Write cycle time t WC 12 ns Address valid to end of write t AW 8 ns Chip select to end of write t CW 8 ns 8 Write pulse width t WP 8 ns 7 Byte select to end of write t BW 8 ns Address setup time t AS 0 ns 5 Write recovery time t WR 0 ns 6 Data to write time overlap t DW 6 ns Data hold from write time t DH 0 ns Write disable to output in low-z t OW 3 ns 1 Output disable to output in high-z t OHZ 6 ns 1 Write enable to output in high-z t WHZ 6 ns 1 1. B±200mV 2. CS# LB# UB# low WE# low WE# high-z 3. WE# CS# high 4. CS# OE# LB# UB# low I/O 5. t AS CS# WE# LB# UB# low 6. t WR CS# WE# LB# UB# high 7. CS# lowwe# lowlb# UB# low t WP CS# low WE# low LB# UB# low CS# high WE# high LB# UB# high 8. t CW CS# low -2 Rev.1.00, , page 7 of 12
10 R1RW0416DI (1) (WE# = V IH ) t RC Address Valid address t AA t ACS CS# t OE t CHZ * 1 OE# t BA t OHZ * 1 LB#, UB# t BLZ * 1 t OLZ * 1 t BHZ * 1 t OH t CLZ * 1 D OUT High impedance * 4 Valid data * 4 Rev.1.00, , page 8 of 12
11 R1RW0416DI (2) (WE# = V IH, LB#= V IL, UB# = V IL ) t RC Address CS# Valid address t AA t ACS t OE t OH t CHZ * 1 t OHZ * 1 OE# t OLZ * 1 t CLZ * 1 D OUT High impedance* 4 * 4 Valid data Rev.1.00, , page 9 of 12
12 R1RW0416DI (1) (WE# Controlled) t WC Address Valid address t AW t WR WE#* 3 t AS t WP t CW CS#* 3 OE# t BW LB#, UB# t WHZ t OLZ t OHZ t OW D OUT High impedance * 2 t DW t DH D IN Valid data Rev.1.00, , page 10 of 12
13 R1RW0416DI (2) (CS# Controlled) t WC Address Valid address t AW t WR t AS t WP WE# * 3 t CW CS# * 3 OE# t BW LB#, UB# t WHZ t OHZ t OLZ t OW D OUT High impedance * 4 * 2 t DW t DH D IN Valid data Rev.1.00, , page 11 of 12
14 R1RW0416DI (3) (LB#, UB# Controlled, OE# = V IH ) t WC Address Valid address t AW t WP t WR WE#* 3 t CW CS#* 3 t AS t BW UB# (LB#) t BW LB# (UB#) t DW t DH D IN -UB (D IN -LB) Valid data t DW t DH D IN -LB (D IN -UB) Valid data D OUT High impedance Rev.1.00, , page 12 of 12
15 R1RW0416DI Rev Sep. 30,
16 ( () () (2F) 4-1 (5F) (13F) 4-9 (3F) (1F) (3F) (7F) (4F) F () (8F) 5-25 (8F) (GE23F) () (5F) 12-2 () (03) (044) (042) (011) (022) (0246) (029) (025) (0263) (052) (053) (06) (076) (082) (089) (0857) (092) (099) , Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 2.0
R1RW0408D シリーズ
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
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