PowerPoint プレゼンテーション

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection

<4D F736F F F696E74202D208FE393635F928289BB95A894BC93B191CC8CA48B8689EF5F47614E F815B835E5F88F38DFC97702E707074>

21 年 6 月 24 日第 8 回窒化物半導体応用研究会 GaN 系電子デバイスの現状とその可能性 GaN パワーデバイスのインバータ応用 パナソニック株式会社 セミコンダクター社半導体デバイス研究センター 上田哲三 講演内容 GaNインバータによる省エネルギー化 GaNパワーデバイス技術 低コストSi 基板上 GaN 結晶成長 ノーマリオフ化 : Gate Injection Transistor

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第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

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2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

1. Orchard 2. 3. 4. Dynamic Performance 5. Life on Board

10 1. Orchard 2. 3. 4. Dynamic Performance 5. Life on Board Orchard. Harvest Plan. Seeding & Growth Harvest. Soil Enrichment Harvest, Seeding & Growth Harvest 4 Vision 2015 Harvest Plan Life on Board Dynamic

窒化アルミニウムによる 高効率フィールドエミッションを実現 ディスプレイパネル実用レベルのフィールドエミッション特性

Copyright NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation. All rights reserved. ダイヤモンド 高周波電力デバイスの開発とマイクロ波 ミリ波帯電力増幅器への応用 (614314) 研究代表者嘉数誠 (1) NTT 物性科学基礎研究所 研究分担者植田研二 (2) 小林康之 中川匡夫 NTT 物性科学基礎研究所 NTT 未来ねっと研究所

AN41250A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード HQFP048-P-0707A 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 端子説明... 5 絶対最大定格..... 7 動作電圧範囲. 7 次 2 光 Disk 用 7-ch Motor r 用 IC 概要 は Spindle Motor 駆動部に低雑音の Direct

モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサ

モータ HILS の概要 1 はじめに モータ HILS の需要 自動車の電子化及び 電気自動車やハイブリッド車の実用化に伴い モータの使用数が増大しています 従来行われていた駆動用モータ単体のシミュレーション レシプロエンジンとモータの駆動力分配制御シミュレーションの利用に加え パワーウインドやサンルーフなどのボディー系 電動パワーステアリングやそのアシスト機能など 高度な制御 大電流の制御などが要求されています

内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET の課題 4)SiC トレンチ MOSFET

SiC GaN パワー半導体の最新技術 課題 ならびにデバイス評価技術の重要性 2016 年 7 月 12 日 筑波大学数理物質系物理工学域 教授岩室憲幸 1 内 容 1. パワーデバイスの基礎 1) パワーデバイスの仕事 2) 次世代パワーデバイス開発の位置づけ 2.SiC パワーデバイスの最新技術と課題 1) なぜ SiC が注目されているのか 2) 高温動作ができると何がいいのか 3)SiC-MOSFET

Microsoft PowerPoint - 群馬大学_講演6-28.ppt

エコ社会を支えるパワー IC 技術 - 高耐圧 SOI と低耐圧 BCD- 中川明夫 謝辞 本報告で 出 等の表示のない部分の資料は 筆者が東芝在籍中に外部発表で使用した資料に基づいて再構成し 作成したものです 関係する方々に感謝の意を表します 1. 地球温暖化 CO 2 削減 2.IT 化によるエネルギー消費増大 3. エネルギー効率向上 ---インバータ 電源効率 LED HEV 4. 再生可能エネルギー開発

富士通セミコンダクタープレスリリース 2013/04/22

[ プレスリリース ] 2013 年 4 月 22 日富士通セミコンダクター株式会社 低炭素社会に貢献するエナジーハーベスティング電源 IC 2 製品を新発売 ~ 電子機器やワイヤレスセンサーノードなどの電池レス化を実現 ~ 富士通セミコンダクター株式会社 ( 注 1) は エナジーハーベスティング電源 IC として 降圧型 DC/DC コンバーター ( 注 2) MB39C811 と 昇圧型 DC/DC

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

EVにおけるパワーコントロールユニットの放熱・冷却技術の市場展望

< 新刊レポートのご案内 > EV におけるパワーコントロールユニット の放熱 冷却技術の市場展望 * 発刊日 :2019 年 3 月 22 日 * 納品形態 : ハードコピー 1 部 ( 約 241 頁 ), CD1 枚 * 価格 : 530,000-( 税別 ) 103-0004 東京都中央区東日本橋 3-10-14 サンライズ橘ビル株式会社ジャパンマーケティングサーベイ Tel:03-5641-2871

USER'S GUIDE

スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

USER'S GUIDE

スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F100EFJLB 評価ボード (24V ±15V, 0.165A) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F100EFJLB を使用して 24V の入力から 15V,15V の 2 種類の電圧を出力します 出力電流は最大 0.165A を供給します 性能仕様 これは代表値であり

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt

第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

TC74HC00AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

HV PHV EV 向け推奨点検について 一般社団法人日本自動車整備振興会連合会 近年増加傾向にあるハイブリッド車及び電気自動車等は 法定定期点検項目に設定されていない特殊装置が多く用いられており その性能の維持や安全性を確保するためには他の一般的な装置と同様に定期的な点検 整備が必要不可欠でありま

HV PHV EV 向け推奨点検について 一般社団法人日本自動車整備振興会連合会 近年増加傾向にあるハイブリッド車及び電気自動車等は 法定定期点検項目に設定されていない特殊装置が多く用いられており その性能の維持や安全性を確保するためには他の一般的な装置と同様に定期的な点検 整備が必要不可欠であります 当該 HV PHV EV 向け推奨点検は ハイブリッド車及び電気自動車の特殊装置に関して 幅広い車種に対応可能な点検メニューとして設定したものとなりますので

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt

集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

SSM6J505NU_J_

MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS

パナソニック技報

67 Next-generation Power Switching Devices for Automotive Applications: GaN and SiC Tetsuzo Ueda Yoshihiko Kanzawa Satoru Takahashi Kazuyuki Sawada Hiroyuki Umimoto Akira Yamasaki GaNSiCGaNSiGate Injection

XP233P1501TR-j.pdf

P-channel MOSFET -3V, -1.5A JTR114-1 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=.19Ω@VGS =-1V : -4.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT-23(TO-236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT-23(TO-236)

TPW5200FNH_J_

MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 8.2 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 44 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い :

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です

TPD1032F_J_P10_030110

東芝インテリジェントパワーデバイスシリコンモノリシックパワー MOS 型集積回路 TPD32F TPD32F モータ ソレノイド ランプドライブ用 2in ローサイドパワースイッチ TPD32F は縦型パワー MOSFET 出力の 2in ローサイドスイッチで CMOS TTL ロジック回路 (MPU など ) から直接ドライブができ 各種保護機能を内蔵しています 特長 コントロール部と縦型出力パワー

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

<4D F736F F F696E74202D2091E F BB95A894BC93B191CC899E97708CA48B8689EF E9197BF>

1 豊田合成の GaN 系 LED の開発と製品化 豊田合成株式会社オプト E 事業部柴田直樹 Outline 2 A. TG LED チップの歴史と特性の紹介 PC タブレット向けチップ 照明向けチップ B. TG の結晶成長技術について AlN バッファ層上 GaN 層成長メカニズム C. TG の最新 LED チップの紹介 GaN 基板上 LED 非極性 m 面 GaN LED A-1. 省エネ

スライド 1

パワーデバイスの故障解析 あらゆるサイズ 形状のダイオード MOS FET IGBT 等のパワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面 IR-OBIRCH 解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします 解析の前処理 - 裏面研磨 - 平面研磨 各種サンプル形態に対応します Si チップサイズ :200um~15mm 角 ヒートシンク チップ封止樹脂パッケージ状態の裏面研磨 開封済みチップの裏面研磨

XP231P0201TR-j.pdf

Pchannel MOSFET 3V,.2A JTR11381 特長オン抵抗 駆動電圧環境への配慮 : RDS(on)=5Ω@VGS =4.5V : 2.5V : EU RoHS 指令対応 鉛フリー 用途 スイッチング用 内部接続図 端子配列 SOT23(TO236) Drain Gate Source 製品名 PRODUCT NAME PACKAGE ORDER UNIT * SOT23(TO236)

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/Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

Microsoft Word - TA79L05_06_08_09_10_12_15_18_20_24F_J_P11_070219_.doc

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA79L05F,TA79L06F,TA79L08F,TA79L09F,TA79L10F, TA79L12F,TA79L15F,TA79L18F,TA79L20F,TA79L24F 5, 6, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 三端子負出力固定定電圧電源 特長 TTL C 2 MOS の電源に最適です 外付け部品は不要です

TPC8407_J_

MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 モータドライブ用 CCFLインバータ用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 18 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 14 mω (

0.9% 1.1% 0.5% 1.0% 19.3% 20.1% 14.7% 29.0% 13.5% 0.9% FF 21.9% FR 1.3% 4WD 76.0% 9.1% 0.4% 0.1% 3.1% 87.4% 400500 3.7% 500 3.5% 0.1% 300400 13.7% 100 14.1% 200300 27.0% 100200 37.9% 20,000km 30,000km

TPCP8406_J_

MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 携帯電話用 モータドライブ用 2. 特長 (1) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 33 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 24 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (2) 漏れ電流が低い Pチャネル I DSS = -10 µa

三菱パワーデバイス　HVIC

三菱パワーデバイス HVIC HVIC Innovative Power Devices for a Sustainable Future マイコンなどの入力信号で直接ゲート駆動が可能各種の保護機能内蔵で機器の信頼性向上に貢献する三菱電機 HVIC HVIC(High Voltage IC) は パルストランスやフォトカプラを用いたパワー MOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧

Microsoft PowerPoint - 4.1I-V特性.pptx

4.1 I-V 特性 MOSFET 特性とモデル 1 物理レベルの設計 第 3 章までに システム~ トランジスタレベルまでの設計の概要を学んだが 製造するためには さらに物理的パラメータ ( 寸法など ) が必要 物理的パラメータの決定には トランジスタの特性を理解する必要がある ゲート内の配線の太さ = 最小加工寸法 物理的パラメータの例 電源配線の太さ = 電源ラインに接続されるゲート数 (

TPCA8056-H_J_

MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 高効率 DC-DCコンバータ用 ノートブックPC 用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 17 nc ( 標準 ) (4) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 2.2 mω ( 標準 ) (V

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C CMOS リニアイメージセンサ S 等用 C は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C と PCを接続

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C13015-01 CMOS リニアイメージセンサ S11639-01 等用 C13015-01は当社製 CMOSリニアイメージセンサ S11639-01 等用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて C13015-01と PCを接続することにより PCからC13015-01 を制御して センサのアナログビデオ信号を 16-bitデジタル出力に変換した数値データを

(Microsoft PowerPoint - \203E\203B\203\223\203N\210\244\222m.ppt)

IGBT 発展の経緯と限界特性 中川明夫 中川コンサルティング事務所 1 パワーデバイス応用分野の変遷 1997 2005 HVDC Transmission HVDC Transmission IGBT 2 パワーデバイス発展の経緯 ( 東芝の例 ) Power rating (VA) 100M 10M 1M 100K 1 st wave 10K 1960 500A2500V 80A400V 150A1000V

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

スライド 1

Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

TC74HC14AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約

SSM3K7002KFU_J_

MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例 プリント基板設計における推奨パターン及び注意点 Fuji Electric Co., Ltd. MT6M12343 Rev.1.0 Dec

第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例. 5-2 2. プリント基板設計における推奨パターン及び注意点.. 5-5 5-1 1. 応用回路例 この章では 推奨配線とレイアウトについて説明しています プリント基板設計時におけるヒントと注意事項については 以下の応用回路例をご参照下さい 図.5-1 と図.5-2 には それぞれ 2 種類の電流検出方法での応用回路例を示しており

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

ACモーター入門編 サンプルテキスト

技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方

車載式故障診断装置 (OBD) に関する制度と運用の現状 資料 4

車載式故障診断装置 (OBD) に関する制度と運用の現状 資料 4 OBD( 車載式故障診断装置 ) とは 車載式故障診断装置 (OBD:On-Board Diagnostics) とは エンジンやトランスミッションなどの電子制御装置 (ECU:Electronic Control Unit) 内部に搭載された故障診断機能である ECU は 自動車が安全 環境性能を発揮するため センサからの信号等に基づき最適な制御を行っているが

第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発

第 1 回窒化物半導体応用研究会 平成 20 年 2 月 8 日 GaN 結晶成長技術の開発 半導体事業部 伊藤統夫 第 1 回窒化物半導体応用研究会平成 20 年 2 月 8 日 講演内容 1. 弊社の概要紹介 2. 弊社における窒化物半導体事業への展開 3. 知的クラスター創生事業での取り組み Si 基板上 HEMT 用 GaN 系エピ結晶結晶成長成長技術技術開発 弊社社名変更について 2006

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F

東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です

事務連絡

二酸化炭素排出抑制に資する革新的技術の創出 平成 21 年度採択研究代表者 H23 年度 実績報告 橋詰保 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 研究課題 異種接合 GaN 横型トランジスタのインバータ展開 1. 研究実施体制 (1) 北大 グループ 1 研究代表者 : 橋詰保 ( 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター 教授 ) 2 研究項目 ドライエッチ面を含む Al 2

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント

DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V

untitled

謝辞 本報告で 出 等の表示のない部分の資料は 筆者が東芝在籍中に外部発表で使用した資料に基づいて再構成し 作成したものです 関係する方々に感謝の意を表します 中川コンサルティング事務所 Application fields of Power Devices 1997 2005 Evolution of high power devices in Toshiba Three waves in device

アニュアル レポート 2017｜長期戦略

IoT At a Glance 2030 CO2 IoT 2 CO 2 / AI 5 At a Glance 18 AI 2011 3 AI AI 100 2030 GR 2 AI QDR EV/FCV HV/PHV QDR: Quality DurabilityReliability 6 At a Glance IT p.9 p.17 1,000 CO2 FCV EV EV 20 CO2 GPS

SiC 高チャネル移動度トランジスタ

エレクトロニクス SiC 高チャネル移動度トランジスタ 日吉透 * 増田健良 和田圭司 原田真 築野孝 並川靖生 SiC MOSFET with High Channel Mobility by Toru Hiyoshi, Takeyoshi Masuda, Keiji Wada, Shin Harada, Takashi Tsuno and Yasuo Namikawa SiC (silicon

IGBT モジュール「V シリーズ」の系列化

特集IGBT モジュール V シリーズ の系列化 New Lineup of V-Series IGBT Modules 高橋孝太 Kouta Takahashi 吉渡新一 Shinichi Yoshiwatari 関野裕介 Yusuke Sekino 富士電機では, 最新世代の Ⅴシリーズ IGBT を用いた製品の系列化を進めている Ⅴシリーズ IGBT モジュールは, チップ損失の低減とパッケージ放熱性の改善により,IGBT

2SK2313

東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な

MTM13227

シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

EV のモーター技術 1 電源の分類 技術の進歩と共に私たちの身近なところに多くのモーターが使用されています 携帯電話や扇風機 冷蔵庫やパソコンなど生活に身近な所はもちろん コンベアや工作ロボットなどの工業用としても数多く使用されています 自動車の業界でも近年の省エネや二酸化炭素削減などが注目されハ

文部科学省委託事業 次世代自動車エキスパート養成教育プログラム開発事業 実証実験授業講座名 次世代自動車基礎地域版 EV 車のモーター技術 氏名 1 EV のモーター技術 1 電源の分類 技術の進歩と共に私たちの身近なところに多くのモーターが使用されています 携帯電話や扇風機 冷蔵庫やパソコンなど生活に身近な所はもちろん コンベアや工作ロボットなどの工業用としても数多く使用されています 自動車の業界でも近年の省エネや二酸化炭素削減などが注目されハイブリッド車や電気自動車

開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー

ダイヤモンドパワーデバイスの高速 高温動作を実証 - 次世代半導体材料としての優位性を確認 - 平成 22 年 9 月 8 日独立行政法人産業技術総合研究所国立大学法人大阪大学 ポイント ダイヤモンドダイオードを用いたパワーデバイス用整流素子の動作を世界で初めて確認 高速かつ低損失の動作を確認でき 将来の実用化に期待 将来のパワーデバイスとして省エネルギー効果に期待 概要 独立行政法人産業技術総合研究所

1. Introduction SOI(Silicon-On-Insulator) Monolithic Pixel Detector ~µm) 2

Introduction TEG 2005.10.4 @KEK 1 1. Introduction SOI(Silicon-On-Insulator) Monolithic Pixel Detector ~µm) 2005.10.4 @KEK 2 SOI 2005.10.4 @KEK 3 SOI : Smart Cut (UNIBOND) by SOITEC Low-R Hi-R 2005.10.4

特性の算出方法と解説 L1 9% 6 C 信頼性と期待寿命 ファン期待寿命 1 2 h (L1, 6 C) 8 h (L1, 6 C) 18 h (L1, 6 C) 15 h (L1, 6 C) 6 h (L1, 6 C) 1 h (L1, 6 C) 1 4 h (L1, 85 C) 4 h (L1

ファンの概要と特徴 概要 1965San Ace 特徴 2 ファン 1965 4 ファン 1982 57 CPU ファンの選定手引き ファンの選定方法 装置の仕様 条件の決定 V W=1W T K=15K V T Q' 冷却に必要な動作風量の算出 Q' m 3 /min Q'= V = 1 (W).33 (m 3 /min) 2T 2 15 (K) ファンの選定 1.5 21/2 2/3 2/3 Q

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

高耐圧SiC MOSFET

エレクトロニクス 高耐圧 S i C M O S F E T 木村錬 * 内田光亮 日吉透酒井光彦 和田圭司 御神村泰樹 SiC High Blocking Voltage Transistor by Ren Kimura, Kousuke Uchida, Toru Hiyoshi, Mitsuhiko Sakai, Keiji Wada and Yasuki Mikamura Recently,

AN41904A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード UBGA064-P-0606ACA 発行年月 : 2007 年 6 月 1 目 概要. 3 特長. 3 用途. 3 外形. 3 構造.... 3 ブロック図.... 4 応用回路例.... 5 端子説明... 6 絶対最大定格..... 8 動作電源電圧範囲. 8 次 2 カムコーダ用レンズドライバ ( アイリス制御内蔵 ) 概要 は, カムコーダ用レンズドライバ

(Microsoft Word - E0-0299Z BID-40D18N \203f\201[\203^\203V\201[\203g_ doc)

本製品は ショットキ ダイオードに代わる低損失の OR 接続デバイスです 内蔵の MOS-FET の端子間電圧を検出することで ダイオードの様に順方向電圧に対しては ON 逆方向電圧に対しては OFF となるよう動作します 電圧降下が低いため ダイオードで構成した場合に比べて 大幅に損失を低減することができます 特徴 ショットキ ダイオードに代わる 高信頼性 高性能 低損失 OR 接続デバイス 動作温度

事例8_ホール素子

省エネルギーその 7- ホール素子 ホール IC 1. 調査の目的エアコンの室内機と室外機には空調を行うための FAN 用のモータが搭載されている モータには DC ブラシレスモータと AC モータ ( 誘導モータ ) とがある DC ブラシレスモータを搭載したエアコンはインバータエアコンと呼ばれ 電力の周波数を変えてモータの回転数を制御できることから 非インバータエアコン (AC モータを搭載 )

NJW V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 NJW4320 は 24Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD

2V 単相 DC ブラシレスモータドライバ 概要 は 2Vファンモータ用の単相 DCブラシレスモータドライバICです PWMソフトスイッチング方式を採用し 高効率でモータ駆動時の静音化が実現できます ロック保護回路 過電流検出回路 サーマルシャットダウン (TSD) 回路を内蔵し 安全性を高めています 回転数コントロールは 外部からの PWM 入力信号に対応しています 外形 V 特長 電源電圧範囲

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

HA17458シリーズ　データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

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東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA,,5,3,33,5F/S TAF, TAF, TA5F, TA3F, TA33F, TA5F, TAS, TAS, TA5S, TA3S, TA33S, TA5S.,,.5, 3, 3.3, 5 A 三端子正出力ロードロップアウトレギュレータ TA**F/S シリーズは 出力段に -PNP トランジスタを使用した出力電流 A ( 最大 ) の固定正出力ロードロップアウトレギュレータです

Microsoft PowerPoint LCB_8.ppt

( 第 8 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 論理記号 5. 論理機能記号と論理記号 5.. 論理機能記号 5..2 論理記号 5..4 ダイオードによるゲート回路 5..3 論理回路の結線と論理ゲートの入出力特性 (DTL & TTL) 演習 頻度 中間試験結果 35 3 25 2 5 5 最小 3 最大 (6 名 ) 平均 74. 6 以上 86 人 (76%) 6 未満 27 人

Microsoft Word - TC74HC245_640AP_AF_P8_060201_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC245AP,TC74HC245AF,TC74HC640AP,TC74HC640AF Octal Bus Traceiver TC74HC245AP/AF 3-State, Non-Inverting TC74HC640AP/AF 3-State, Inverting TC74HC245AP/640AP TC74HC245A/640A

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電

3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵

TPC8107

TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い

Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc

3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.

TC7WT126FU

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

Microsoft PowerPoint - AN-135J Rev.1.0 FA5650N_7MBR100VP060 評価ボード説明.pptx

1. 概要評価ボード FA5650N_7MBR100VP060 は 富士電機製の600V 耐圧 IGBTモジュールと高耐圧ドライバICを組合わせて評価するための開発支援ツールです IGBT モジュールは整流ダイオードブリッジと3 相インバータおよびブレーキ回路を内蔵したパワー集積モジュール (PIM) を対象にしています 高耐圧ドライバICとブートストラップ回路を内蔵しているので ゲート駆動用に単電源を供給し

TPHR7904PB_J_

MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 車載用 モータドライブ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 (2) 小型, 薄型で実装面積が小さい (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.65 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( 最大 ) (V