α α α α α α

Size: px
Start display at page:

Download "α α α α α α"

Transcription

1 α α α α α α

2 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある 一方この装置はゲート上の チャネル部のみを部分的に結晶化することができるので結 晶性制御が容易である 図 2 プロセスフロー 3 結果 部分レーザアニール装置を用いる 図 1 11 この装置は 3.1 G10 基板上のゲート電極上の TFT チャネル部などの任意の 結晶化に 351 nm XeF エキシマレーザを使用した 移動 部分的な箇所を結晶化アニールすることができ ボトム 度のエネルギー密度とショット回数依存を図 4 に示す 350 ゲート構造における結晶性や TFT 特性の基板面内ばらつ mj/cm2 以下では移動度はエネルギー密度に比例した 一 きを改善することが可能である レーザアニールの位置合 方 350 mj/cm 2 以上では微結晶化に起因する急激な移動度 わせは 高速 高解像度カメラでゲート電極をキャプチャ の低下が確認された したがってわれわれは し 目標の TFT チャネル部をリアルタイムで計算 mj/cm2 のエネルギー密度を採用した Excimer Laser Annealing フィードバック制御することで行う この技術により G10 などの大型基板において高精度な位置合わせと高ス ループットを達成することが可能である PLAS はエキシ マまたは YAG レーザどちらも使用できる 図 2 に α-si TFT と PLAS TFT のプロセスフローを示す PLAS チャネルエッチング型 CE TFT のプロセスフロー は α -Si TFT のものと基本的には同じであり 脱水素ア ニール レーザアニール 2nd n+/α-si CVD の工程が追 加されるのみである そのため α-si と同じ 4 5 枚のフォ トマスクで製造が可能であり コストメリットがある PLAS CE TFT と比較して PLAS エッチストッパー型 ES TFT はバックチャネルダメージとチャネル部 Si の膜 厚分布に対して強みがある このプロセスでは SiO2 のフォ トリソとエッチング工程がさらに追加され 5 枚マスクプ 図 4 PLAS CE TFT の移動度のエネルギー密度 ショット回数依存 ロセスになる J220

3 論 文 G10 大型基板向けの革新的な LTPS 技術で製造した 19.5 型 4K LCD 図 5 PLAS CE, ES TFT の伝達特性 図 6 PLAS ES TFT の伝達特性のレーザ幅依存性 レーザー幅 X = 12 μ m W/L = 10/4 μ m レーザ幅 X = 4, 6, 7, 9, 11 μ m W/L = 10/6.3 μ m Vds = 10 V ソース-ドレイン間電圧 Vds = 10 V 3.2 表 1 TFT 特性まとめ CE ES TFT プロセス比較 PLAS CE TFT と ES TFT の伝達特性を図 5 に示す レ ー ザ 条 件 は m J / c m 回 シ ョ ッ ト ま た は mj/cm 2 50 回ショット レーザ幅は 12 μ m である CE TFT 300 mj/cm 2 20 shots の CE TFT は移動度が 7.32 cm2/vs しきい値電圧 Vth が 1.48 V 最小オフ電流 Ioff が 37.1 pa であった 300 mj/cm2 20 shots の ES TFT は 移動度が cm2/vs, Vth が 1.67 V, Ioff が 50.7 pa であっ た ES TFT の方が CE TFT よりも大きな移動度を示した さらに 350 mj/cm2 50 shots の ES TFT は移動度 cm2/vs を示し 量産されている IGZO よりも大きい値を示 した 3.3 部分レーザアニール 伝達特性のレーザ幅依存を図 6 に示す PLAS CE TFT はチャネル部 Si の残膜により 特性がばらつくことが懸念 される ここではその影響を最小限にするため PLAS ES TFT 構造を用いてレーザ幅依存性を調査した レーザ幅はレーザアニールのマスクで フォトリソ工程 の増加なしに製作した レーザ条件は 300 mj/cm 2 20 回 図 7 移動度と Ion Vg = 30 V のレーザ幅依存性 ショットである レーザ幅 X=11 μ m では 移動度 11.3 cm2/vs を示し Vth は 4.2 V Ioff は 77.7 pa だった その 他のレーザ幅の TFT 特性を表 1 に示す さらに移動度とオ ン電流 Ion Vg=30 V のレーザ幅依存を図 7 に示す Ion と レーザアニールなど 異なる特性を持つ TFT をレーザア Ioff はレーザ幅に比例した 一方 Vth はレーザ幅にほと ニールのマスクにより同時に作り分けることができること んど依存しなかった 移動度はレーザ幅に対して若干の増 を示す さらにこのコントロール可能な TFT 技術は 2 加が確認された これはレーザ照射面積が大きくなると照 T1C 二つの TFT に一つのキャパシタを有する 回路など 射時温度上昇が大きくなるためと想定される 絵素内に複数の TFT がある 例えば OLED バックプレー PLAS 技術はレイヤを追加することなく 同一レーザ条 ンのようなものにも適用が可能である 3.4 件でもレーザ幅で電流値を制御することが可能である こ 光安定性 れは 例えば低いオフ電流が求められる絵素 TFT には幅 dark と light 測定環境下の TFT 特性を図 8 に示す PLAS の小さいレーザアニール 高いオン電流が求められる gate CE TFT ES TFT ともに dark 環境下から light 環境下で driver on array のような駆動回路 TFT には幅の大きい の Vth シフトはほとんどなかった 図 8 a b 一方 αj221

4 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No 図 8 Dark から cd/m2 環境下の伝達特性 Vds = 10 V 図 11 G10 ラインにおいて試作した 19.5 型 4K LCD 表 型 4K 試作パネルの仕様 図 9 NBTIS 下での Vth シフト Vg=-30 V, Vds=0 V cd/m2 ぞれ 0.25 と 0.75 の間では Vth のシフトに差は確認されな かった この結果は TFT の実効領域はレーザアニールさ れた領域によってのみ決められ α-si 領域の影響は考える 必要がないことを示している この LTPS 同等の光耐性 は PLAS が OLED バックプレーンや HDR TV 屋外用 ディジタルサイネージに適していることを示している 3.5 パネル表示品位 G10 ラインで PLAS ES TFT の 19.5 型 4K LCD を試作し た 図 11 表 2 ムラもなく良好な表示品位を示した わ れわれは G10 工場にて 2017 年には高解像度 高精細 高輝 図 10 NBTIS のレーザ幅依存 度屋外用ディジタルサイネージなどの大型パネルの量産を Vg = -30 V, Vds = 0 V, cd/m2 予定している 4 む Si の Vth はマイナス方向に大きく変化し オフ電流も悪化 す び 表 3 に示すように われわれは Oxide TFT と同等の移動 した 図 8 c NBTIS 試験による Vth シフトを図 9 に示す PLAS CE 度と LTPS と同等の光安定性を持つ PLAS TFT をボトム TFT と PLAS ES TFT の Vth シフトはそれぞれ 0.76 V と ゲート構造で開発した この革新的な技術は α-si TFT を最 0.34 V であり α-si TFT の 1.86 V よりも小さかった ここ も容易にかつ安価に高移動度へ転換することが可能である 本論文では Ion と Ioff が 新たなレイヤを必要とせずに で PLAS CE TFT と PLAS ES TFT の差はチャネルエッ チダメージによるものと考えられる レーザの幅を変えるだけでコントロールできることが示さ われわれは残された α-si 領域についても調査した レー れた 加えて 良好な光耐性も示された PLAS の光安定 ザ幅の異なる PLAS CE TFT の NBTIS 結果を図 10 に示 性は OLED バックプレーンや HDR TV 屋外用ディジタル す レーザ幅 X=4 μ m と 12 μ m レーザ領域の割合はそれ サイネージとしても期待される さらに G10 やそれ以上 J222

5

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学7.ppt

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学7.ppt 集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード] 1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt 半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

More information

【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端<第4回>

【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端<第4回> 企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 4 3 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発

More information

Acrobat Distiller, Job 2

Acrobat Distiller, Job 2 2 3 4 5 Eg φm s M f 2 qv ( q qφ ) = qφ qχ + + qφ 0 0 = 6 p p ( Ei E f ) kt = n e i Q SC = qn W A n p ( E f Ei ) kt = n e i 7 8 2 d φ( x) qn = A 2 dx ε ε 0 s φ qn s 2ε ε A ( x) = ( x W ) 2 0 E s A 2 EOX

More information

PowerPoint 프레젠테이션

PowerPoint 프레젠테이션 2017 OLED Manufacturing Equipment Annual Report SAMPLE 2017.06 1 目次 1. エグゼクティブサマリ 4 2. 基板及びTFT 工程分析 6 2.1 フレキシブルOLED 用基板 2.1 LTPS TFT 2.2 Oxide TFT 3. OLED 画素工程分析 20 3.1 RGB OLED 3.2 WRGB OLED 3.3 ソリューションプロセスOLED

More information

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学5.ppt

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学5.ppt MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

More information

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - tft.ppt [互換モード] 薄膜トランジスター 九州大学大学院 システム情報科学研究科 服部励治 薄膜トランジスターとは? Thin Film Transistor: TFT ソース電極 ゲート電極 ドレイン電極ソース電極ゲートドレイン電極 n poly 電極 a:h n n ガラス基板 p 基板 TFT 共通点 電界効果型トランジスター nmosfet 相違点 誘電膜上に作成される スタガー型を取りうる 薄膜トランジスター

More information

電子回路I_4.ppt

電子回路I_4.ppt 電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

More information

新技術説明会 様式例

新技術説明会 様式例 フレキシブル太陽電池向け微結晶シリコン薄膜の低温成長 山口大学工学部電気電子工学科技術専門職員河本直哉 背景 軽量で安価なプラスチックなどポリマー基板上の微結晶 Si 建材一体型太陽電池の実現 フレキシブル ディスプレイ プラスチック上に微結晶 Si を実現することで製品の軽量化 低価格化が実現される 現在の目標 : 軟化点 250 程度のプラスチック基板での高品質微結晶 Si 形成プロセスの開発

More information

Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用]

Microsoft PowerPoint - SDF2007_nakanishi_2.ppt[読み取り専用] ばらつきの計測と解析技術 7 年 月 日設計基盤開発部先端回路技術グループ中西甚吾 内容. はじめに. DMA(Device Matrix Array)-TEG. チップ間 チップ内ばらつきの比較. ばらつきの成分分離. 各ばらつき成分の解析. まとめ . はじめに 背景 スケーリングにともない さまざまなばらつきの現象が顕著化しており この先ますます設計困難化が予想される EDA ツール 回路方式

More information

SP8WS

SP8WS GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化

More information

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt 第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

More information

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>

<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63> 量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは

More information

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

More information

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ

電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

More information

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm 集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

More information

untitled

untitled 100 n=98 n=122 n=98 n=98 n=98 n=122 n=121 n=119 n=98 n=122 n=103 n=75 n=89 n=62 n=87 n=62 の ス ー パ ー イ ン の パ ー ト の の コ ン ビ ニ エ ン ス ス ト ア ネ ッ ト ア ン シ ョ ッ プ イ ベ ン ト そ の の の の る シ ョ ッ プ コ ン ビ ニ

More information

特集 : 電子 電気材料 / 機能性材料および装置 FEATURE : Electronic and Electric technologies (Advanced Materials and Apparatuses) ( 解説 ) 高移動度酸化物半導体材料 High Mobility OXIDE

特集 : 電子 電気材料 / 機能性材料および装置 FEATURE : Electronic and Electric technologies (Advanced Materials and Apparatuses) ( 解説 ) 高移動度酸化物半導体材料 High Mobility OXIDE 特集 : 電子 電気材料 / 機能性材料および装置 FEATURE : Electronic and Electric technologies (Advanced Materials and Apparatuses) ( 解説 ) 高移動度酸化物半導体材料 High Mobility OXIDE Semiconducting Material 釘宮敏洋 ( 博士 ( 工学 )) Dr. Toshihiro

More information

総合カタログ1.indd

総合カタログ1.indd 移 動 ラ ッ 2 移 動 ラ ッ 3 移 動 ラ ッ 4 移 動 ラ ッ 5 移 動 ラ ッ 6 移 動 ラ ッ 7 移 動 ラ ッ 8 移 動 ラ ッ 9 移 動 ラ ッ 10 移 動 ラ ッ 11 移 動 ラ ッ 12 移 動 ラ ッ 13 ボ ル ト レ ス ラ ッ 14 ボ ル ト レ ス ラ ッ 15 ボ ル ト レ ス ラ ッ 16 ボ ル ト レ ス ラ ッ 17 ボ ル ト レ ス

More information

PowerPoint Presentation

PowerPoint Presentation 半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

More information

SSM3K7002KFU_J_

SSM3K7002KFU_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 1. 用途 高速スイッチング用 2. 特長 (1) ESD(HBM) 2 kv レベル (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 1.05 Ω ( 標準 ) (@V GS = 10 V) R DS(ON) = 1.15 Ω ( 標準 ) (@V GS = 5.0 V) R DS(ON) = 1.2 Ω ( 標準 ) (@V GS = 4.5

More information

電子回路I_6.ppt

電子回路I_6.ppt 電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

More information

研修コーナー

研修コーナー l l l l l l l l l l l α α β l µ l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l l

More information

招待論文 フルスペック 8K スーパーハイビジョン圧縮記録装置の開発 3.3 記録制御機能と記録媒体 144 Gbps の映像信号を 1/8 に圧縮した場合 18 Gbps 程度 の転送速度が要求される さらに音声データやその他のメ タデータを同時に記録すると 記録再生には 20 Gbps 程度 の転送性能が必要となる また 記録媒体は記録装置から 着脱して持ち運ぶため 不慮の落下などにも耐性のあるこ

More information

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて 16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

More information

MTM13227

MTM13227 シリコン N チャネル MOSFET スイッチング回路用 Unit: mm 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :RDS(on) typ. = 85 mω (VGS = 4. V) 低電圧駆動 : 2.5 V 駆動 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V- / MSL:Level 適合 ) 形名表示記号 : ET 包装仕様 エンボスタイプ ( 熱圧着方式 ) :

More information

untitled

untitled 20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

More information

hetero

hetero ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 製造プロセス及び研究開発 / 技術動向 ( その 1) 平成 29 年 11 月 APT 代表 村田正義 ヘテロ接合型太陽電池の原理 構造 あ ( 出典 )https://www.panasonic.com/jp/corporate/technology-design/technology/hit.html ヘテロ接合型太陽電池セルの歴史 1980 年に当時の三洋電機

More information

untitled

untitled インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,

More information

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt 6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

More information

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学2.ppt

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学2.ppt チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

More information

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

More information

13 2 9

13 2 9 13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

More information

SSM6J505NU_J_

SSM6J505NU_J_ MOSFET シリコン P チャネル MOS 形 (U-MOS) 1. 用途 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) 1.2 V 駆動です (2) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 61 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.2 V) R DS(ON) = 30 mω ( 最大 ) (@V GS = -1.5 V) R DS(ON) = 21 mω ( 最大 ) (@V GS

More information

スライド 1

スライド 1 SPring-8 利用推進協議会次世代先端デバイス研究会 ( 第 1 回 ) a-igzo 薄膜の局所構造及び電子状態解析 コベルコ科研エレクトロニクス事業部安野聡 1 1. 背景 a-ingazno(igzo) の特徴と課題 2. 研究の目的 Outline 研究事例の紹介 3. XAFSによるa-IGZO 薄膜の局所構造解析 4. a-igzo 薄膜における諸特性の成膜ガス圧力依存性 (HAXPES)

More information

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt

Microsoft PowerPoint 修論発表_細田.ppt 0.0.0 ( 月 ) 修士論文発表 Carrier trasort modelig i diamods ( ダイヤモンドにおけるキャリヤ輸送モデリング ) 物理電子システム創造専攻岩井研究室 M688 細田倫央 Tokyo Istitute of Techology パワーデバイス基板としてのダイヤモンド Proerty (relative to Si) Si GaAs SiC Ga Diamod

More information

Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt

Microsoft PowerPoint - 2.devi2008.ppt 第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

More information

Microsoft Word - 原稿.doc

Microsoft Word - 原稿.doc [ 特別招待論文 ] TV 応用を目指す有機 EL ディスプレイの方式 - 現状と課題 - 服部励治 九州大学大学院システム情報科学研究院 819-0395 福岡市西区元岡 744 番地 E-mail: hattori@ed.kyushu-u.ac.jp あらまし大型 TV 応用のためのアクティブマトリックス有機 EL ディスプレイ (AMOLED) の方法は, 小型携帯応用パネルと異なり周辺回路へのコスト低減要求が緩和されるために,

More information

..... 兆円 約 5.1 兆円 年 2010 年 約 12 兆円 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオ

..... 兆円 約 5.1 兆円 年 2010 年 約 12 兆円 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオ . 1 ..... 兆円 14.0 12.0 10.0 8.0 6.0 4.0 2.0 0.0 0.1 0.2 0.7 1.2 0.3 約 5.1 兆円 1.1 1.5 2000 年 2010 年 約 12 兆円 0.3 0.5 1.5 2.2 3.4 2.5 1.5 小型 中型 大型 車載パネル用 ビデオカメラ用 デジタルカメラ用 電卓用等携帯電話用 携帯情報端末 (PDA) 用ノートPC 用 デスクトップ

More information

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

More information

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

More information

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET 1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

More information

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析

600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析 [17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション

More information

( ) ) 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 9 7 7 5 3 4 3 5 4 6 ( ) 10 510

More information

TK50P04M1_J_

TK50P04M1_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い

More information

O1-1 O1-2 O1-3 O1-4 O3-1 O3-2 O3-3 O3-4 ES1-1 ES1-2 ES1-3 ES2-1 ES2-2 ES2-3 ES2-4 O2-1 O2-2 O2-3 O2-4 O2-5 O4-1 O4-2 O4-3 O4-4 O5-1 O5-2 O5-3 O5-4 O7-1 O7-2 O7-3 O7-4 O9-1 O9-2 O9-3 O9-4 O12-1 O12-2

More information

TPHR7904PB_J_

TPHR7904PB_J_ MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 車載用 モータドライブ用 スイッチングレギュレータ用 2. 特長 (1) AEC-Q101 適合 (2) 小型, 薄型で実装面積が小さい (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 0.65 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い : I DSS = 10 µa ( 最大 ) (V

More information

TJAM3 電気的特性 (Ta = 5 C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト 漏 れ 電 流 I GSS V GS = ± V, V DS = V ± na ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 I DSS V DS = V, V GS = V μa V (BR)

TJAM3 電気的特性 (Ta = 5 C) 項 目 記 号 測 定 条 件 最小 標準 最大 単位 ゲ ー ト 漏 れ 電 流 I GSS V GS = ± V, V DS = V ± na ド レ イ ン し ゃ 断 電 流 I DSS V DS = V, V GS = V μa V (BR) 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSⅥ) TJAM3 TJAM3 スイッチングレギュレータ用 オン抵抗が低い : R DS (ON) = 63 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 5 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = μa ( 最大 ) (V DS = V) 取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです : V th

More information

4_Laser.dvi

4_Laser.dvi 1 1905 A.Einstein 1917 A.Einstein 1954 C.H.Townes MASER Microwave Amplification by Stimulated Emission of Radiation 23.9 GHz 1.26 cm 1960 T.H.Maiman LASER Light Amplification by Stimulated Emissin of Radiation

More information

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho 1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

More information

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc.

< コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 DOC#: GPD Copyright Gigaphoton Inc. < コマツ IR-DAY 2017 事業説明会 > ギガフォトンについて 2017 年 9 15 ギガフォトン取締役常務執 役員榎波 雄 Copyright Gigaphoton Inc. ギガフォトンの事業概要 2 半導体露光 光源ビジネス 液晶アニール 光源ビジネス 本体販売先 部品販売先 ASML, Nikon, Canon Intel, Toshiba, Samsung, TSMC など半導体メーカ

More information

2SK2313

2SK2313 東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (L 2 π MOSⅤ) リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 単位 : mm 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) = 8mΩ ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 60S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = 100μA ( 最大 ) (V DS = 60V) 取り扱いが簡単な

More information

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject

GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Inject 高耐圧 GaN パワーデバイス開発 松下電器産業 ( 株 ) 半導体社半導体デバイス研究センター 上田哲三 GaNの特長とパワーデバイス応用に向けての課題 GaNパワーデバイスの低コスト化技術 大面積 Si 上 MOCVD 結晶成長技術 Si 上大電流 AlGaN/GaNパワー HFET GaN パワーデバイスのノーマリオフ動作 伝導度変調を用いたAlGaN/GaNトランジスタ - Gate Injection

More information

Microsoft Word - sp8m4-j.doc

Microsoft Word - sp8m4-j.doc 4V 駆動タイプ Nch+Pch MOS FET 構造シリコン N チャネル / P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ 外形寸法図 (Unit : mm) SOP8 5..4.75 (8) (5) 特長 ) 新ライン採用により 従来品よりオン抵抗大幅低減 2) ゲート保護ダイオード内蔵 3) 小型面実装パッケージ (SOP8) で省スペース pin mark () (4).27 3.9 6..2.4Min.

More information

Influence of Residual Fluxes on Electrical Properties of Printed Circuit Boards Mitsuhiro NONOGAKI*,Teruhito MATSUI*,Takashi MASUDA** and Yoshiyuki MORIHIRO* * Manufacturing Engineering Center, Mitsubishi

More information

Microsoft Word - N-TM307取扱説明書.doc

Microsoft Word - N-TM307取扱説明書.doc Page 1 of 12 2CHGATEANDDELAYGENERATORTYPE2 N-TM307 取扱説明書 初版発行 2015 年 10 月 05 日 最新改定 2015 年 10 月 05 日 バージョン 1.00 株式会社 テクノランドコーポレーション 190-1212 東京都西多摩郡瑞穂町殿ヶ谷 902-1 電話 :042-557-7760 FAX:042-557-7727 E-mail:info@tcnland.co.jp

More information

プログラム

プログラム 15:00 16:00 16:45 17:00 17:00 18:30 18:40 19:00 9:30 11:00 11:30 12:30 13:40 15:00 15:10 15:20 9:00 9:30 9:40 10:10 10:20 10:40 12:40 13:30 13:40 15:10 9:00 9:20 9:30 9:50 9:50 10:10 10:20 10:40 12:40

More information

EOS: 材料データシート(アルミニウム)

EOS: 材料データシート(アルミニウム) EOS EOS は EOSINT M システムで処理できるように最適化された粉末状のアルミニウム合金である 本書は 下記のシステム仕様により EOS 粉末 (EOS art.-no. 9011-0024) で造形した部品の情報とデータを提供する - EOSINT M 270 Installation Mode Xtended PSW 3.4 とデフォルトジョブ AlSi10Mg_030_default.job

More information

<4D F736F F F696E74202D208FE393635F928289BB95A894BC93B191CC8CA48B8689EF5F47614E F815B835E5F88F38DFC97702E707074>

<4D F736F F F696E74202D208FE393635F928289BB95A894BC93B191CC8CA48B8689EF5F47614E F815B835E5F88F38DFC97702E707074> 21 年 6 月 24 日第 8 回窒化物半導体応用研究会 GaN 系電子デバイスの現状とその可能性 GaN パワーデバイスのインバータ応用 パナソニック株式会社 セミコンダクター社半導体デバイス研究センター 上田哲三 講演内容 GaNインバータによる省エネルギー化 GaNパワーデバイス技術 低コストSi 基板上 GaN 結晶成長 ノーマリオフ化 : Gate Injection Transistor

More information

FC8V2215

FC8V2215 ゲート抵抗内蔵デュアル N チャネル MOSFET リチウムイオン 2 次電池保護回路用 2.9 Unit: mm 0.3 0. 特長 低ドレイン ソース間オン抵抗 :Rds(on)typ. = 9.0 m (VGS = 4. V) ゲート抵抗内蔵 ハロゲンフリー 鉛フリー対応パッケージ (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 適合 ) 2.4 2. 形名表示記号 : 3

More information

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_5

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_5 CMO レイアウト設計法 -5 ( ノイズと特性バラツキをおさえる CMO レイアウト設計法 ) (C)2007 umiaki Takei 1.IC のノイズ対策 CMO 回路では微細加工技術の進歩によりデジタル回路とアナログ回路の両方を混載して 1 チップ化した LI が増えてきた 昨今では 携帯電話用の高周波 1 チップ CMOLI が頻繁に話題になる しかし 混載した場合 デジタル回路のノイズがアナログ回路へ混入し

More information

TPCA8030-H

TPCA8030-H 東芝電界効果トランジスタシリコン N チャネル MOS 形 (U-MOSⅤ-H) TPCA-H TPCA-H 高効率 DC/DC コンバータ用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用.27. ±. 単位 : mm. M A 小型, 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い ゲート入力電荷量が小さい : Q SW =. nc ( 標準 ) オン抵抗が低い : R DS (ON) = 7. mω

More information

TPC8107

TPC8107 TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い

More information

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動き

平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動き 平成 28 年 12 月 27 日 科学技術振興機構 ( J S T ) 有機 EL ディスプレイの電子注入層と輸送層用の新物質を開発 ~ 有機 EL ディスプレイの製造への活用に期待 ~ ポイント 金属リチウムと同じくらい電子を放出しやすく安定な物質と 従来の有機輸送層よりも 3 桁以上電子が動きやすい物質を 透明アモルファス酸化物半導体で実現 これらを電子注入層と輸送層に用い 逆積みで順積みよりも優れた特性の有機

More information

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図3は ステージの走査速度を

More information

79-5ron-18.indd

79-5ron-18.indd ( やじまあやこ ) ( わきもとせつこ ) ( いちかわゆきみ ) Vol.79 No.5 2006トレンチは,( ) や ( ),,( ) のキャパシタなど, さまざまなデバイスでされている それらのデバイスにおいて, トレンチエッチングはキープロセスであり, トレンチのさ,,などにおいてさまざまなを される こうしたトレンチをするためにはトレンチエッチングのメカニズムをすることがである また,はいトレンチをしたデバイスがく

More information

平成○○年度(第○次補正予算)地域新生コンソーシアム研究開発事業

平成○○年度(第○次補正予算)地域新生コンソーシアム研究開発事業 平成 25 年度戦略的基盤技術高度化支援事業 面荒れ抑制シリコンアニール法の研究と装置開発 研究開発成果等報告書 平成 26 年 3 月 委託者関東経済産業局 委託先公益財団法人浜松地域イノベーション推進機構 目次 第 1 章研究開発の概要 1-1 研究開発の背景 研究目的及び目標 1-2 研究体制 ( 研究組織 管理体制 研究者氏名 協力者 ) 1-3 成果概要 1 レーザ光源搭載光ヘッドの開発

More information

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc 東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

More information

TPC8407_J_

TPC8407_J_ MOSFET シリコン P/N チャネル MOS 形 (U-MOS/U-MOS-H) 1. 用途 モータドライブ用 CCFLインバータ用 携帯電子機器用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい (2) スイッチングスピードが速い (3) オン抵抗が低い PチャネルR DS(ON) = 18 mω ( 標準 ) (V GS = -10 V) NチャネルR DS(ON) = 14 mω (

More information

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02 項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

More information

QOBU1011_40.pdf

QOBU1011_40.pdf 印字データ名 QOBU1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

More information

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 545

IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 545 IGZO 技術 松尾 拓哉 ディスプレイデバイス開発本部 スマートフォンに代表されるモバイル機器は目覚ましい進化を遂げています 通信速度の飛躍的な高速化に伴って送受信される情報量も増え, それらをより正確に表現できる超高精細ディスプレイの需要が急激に拡大しています 当社の商標 ( 商標登録第 5451821 号 ) である IGZO は, これからのモバイル用ディスプレイに必須となる超高精細対応,

More information

2SJ668

2SJ668 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) SJ668 リレー駆動 DC DC コンバータ用 モータドライブ用 4V 駆動です オン抵抗が低い : R DS (ON) =. Ω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 5. S ( 標準 ) 漏れ電流が低い : I DSS = μa ( 最大 ) (V DS = V) 取り扱いが簡単な エンハンスメントタイプです

More information

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt 9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

More information

Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface (低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構)

Conduction Mechanism at Low Temperature of 2-Dimensional Hole Gas at GaN/AlGaN Heterointerface  (低温におけるGaN/AlGaN ヘテロ界面の2 次元正孔ガスの伝導機構) 2014/03/19 応用物理学会 2014 年春季学術講演会 コンダクタンス法による AlGaN/GaN ヘテロ 接合界面トラップに関する研究 Investigation on interface traps in AlGaN/GaN heterojunction by conductance method 劉璞誠 1, 竇春萌 2, 角嶋邦之 2, 片岡好則 2, 西山彰 2, 杉井信之 2,

More information

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver8青柳(最終版)

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver8青柳(最終版) 別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

More information