スライド 1

<5461726F2D3137944E8AEE967B95FB906A8DC58F492E6A7464>

187 188 189 30 4 1 60 190 17 191 18 5 15 192 etc. 193 195 196 ( ) HP 197 198 199 200 201 202 203 , 1 -- NPO 204 205 43 11 40 207 m 208 m 209 4 210 211 213 214 215 216 217 218 219 220 1 221 233

untitled

WG 2013 P P P P WG WG P WG 12 12 P P20 200 200 200 200 2011 2012 2012 11 1 2 21 2 2 1 2 2 2 2 1 2 1 2 11 720,450(8.0) 37,845(0.4) 4) 37.7 7 5.4 0.1 8,299,154(91.6)

untitled

19 - 1 - - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - - 6 - - 7 - - 8 - - 9 - - 10 - - 11 - - 12 - - 13 - - 14 - - 15 - - 16 - - 17 - - 18 - - 19 - - 20 - - 21 - - 22 - - 23 - - 24 - - 25 - - 26 - - 27 - - 28 - - 29 - -

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SoC -SWG ATE -SWG 2004 2005 1 SEAJ 2 VLSI 3 How can we improve manageability of the divergence between validation and manufacturing equipment? What is the cost and capability optimal SOC test approach?

14 4 12 10 8 6 3 2 4 2 1 0 0 100200300400500600 100200300400500600700 0 0 100200300400500600 100200300400500600700 (ppm) (ppm) 7 4 6 5 4 3 3 2 2 1 1 0 0 100200300400500600 100200300400500600700 0 0 100200300400500600

untitled

b 0 1PPm 10PPm 100PPm 1000PPm 10000PPm 0.0001% 0.001% 0.01% 0.1% 1% 10% 1PPm 10PPm 100PPm 1000PPm 10000PPm 0.0001% 0.001% 0.01% 0.1% 1% 10% 1PPm 10PPm 100PPm 1000PPm 10000PPm 0.0001% 0.001% 0.01%

(1)2004年度　日本地理

1 2 3 4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12-5.0-5.1-1.4 4.2 8.6 12.4 16.9 19.5 16.6 10.8 3.3-2.0 6.6 16.6 16.6 18.6 21.3 23.8 26.6 28.5 28.2 27.2 24.9 21.7 18.4 22.7 5 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 2.2 3.5 7.7 11.1

untitled

ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005

NPO 1 NPO 2 2002 (WG) 20043 20041 20044 20049WG3(WG4 NPO 3 NPO 4 SOHO etc ) 18 NPO 5 11 (IDC) NPO 6 HP NPO 7 (= (= (= (= NPO 8 (= (= (= (= ( = 5 NPO 9 NPO 10 1000 de 11 NPO 11 1 2 3 4 NPO 12 2005170 20053

歩留向上 (Yield Enhancement )活動報告

STRJ WS: March 5, 2010, WG11 YE 1 Non-visual defect & Contamination への挑戦 2009 改定内容説明 2009 年度活動報告 STRJ WG11 YE (Yield Enhancement) 用語集 STRJ WS: March 5, 2010, WG11 YE 2 YMDB (Yield Model & Defect Budget)

歩留向上 (Yield Enhancement )活動報告

1 STRJ-WG11 WG11-YE (Yield( Enhancement) 飽くなき歩留向上をめざして -ウェーハ表面汚染低減に向けた超純水への期待 - 2008update 改定骨子骨子内容説明 2008 年度活動報告 - 純水からのメタル汚染と純水の要求値 - 今後の活動計画 NEC エレクトロニクス株式会社白水好美 用語集 2 YMDB (Yield Model & Defect Budget)

人芯経営論 ･･･リーダーシップ考②

2009/12/15 2009/11/17 2009/11/16 2009/10/19 2009/10/15 2009/10/1 2009/9/17 2009/9/1 2009/8/17 2009/8/17 2009/8/14 2009/8/12 2009/7/28 2009/7/17 2009/7/15 2009/6/24 2009/6/18 2009/6/15 2009/5/20 2009/5/15

平成１３年度 地域工業活性化支援事業報告書（多摩全域）

はたらく若者ハンドブック

2

( ) 1 1 2 3000 2500 2000 1500 1000 500 0-500 -1000-1500 18 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 3 3 1980 ( ) 1980 43 87 33 10 10 2001 80 07 58.6

271124【議運】レジュメ

94.7 H22 H22 140,000 120,000 3.31 3.24 3.02 2.85 116,435 122,529 126,317 3.5 3 100,000 80,000 77,498 93,159 105,099 112,878 2.73 2.62 2.51 2.5 2 60,000 40,000 20,000 23,412 28,790 34,786 39,571

untitled

P125(2) ()()()() ()()() ()()()()()()() 1 - - - - - - - - - - - - - - -1 - - - 105 105 105120 105120 105120 105120 105120 90 90 90 90 90 105 105 105 105 105120 105120 105120 105120 90 90 90 90 85 85 85

Taro12-第４回意見募集結果（改訂

- - - - - - - - - - - - - - HP - - - - - - - - - - - - - - -

2 4 5 6 7 8 9 HP 10 11 12 14 15 , 16 17 18 19 20 21 22 24 25 26 27 28 29 30 31 34 35 36 37 38 39, 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 1 70 71 72

14号A4indd

平成１６年度外務省事後評価実施計画策定について

2005 1 HP http://www.mofa.go.jp/mofaj/area/n_korea/index.html http://www.mofa.go.jp/mofaj/area/n_korea/abd/rachi_mondai.html HP http://www.mofa.go.jp/mofaj/area/n_korea/abd/6kaigo3_gh.html http://www.mofa.go.jp/mofaj/press/danwa/17/dga_0414b.html

()

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モデリング & シミュレーションの 現状と経済的効果 モデリング / シミュレーション WG (WG10) 佐藤成生青木伸俊 國清辰也 木村光紀 泉直希 麻多進 海本博之 林洋一 藤原秀二 西尾修 中村光利 小方誠司 和田哲典 佐野伸行 三浦道子 大野隆央 谷口研二 小谷教彦 STRJ WS: March 6, 2009, WG10 1 構成メンバー 氏名組織役割主担当領域 佐藤成生 富士通マイクロエレクトロニクス主査

TEG 107 Yield Enhancement Difficult Challenges 45nm 2009 DFM, DFT SMLY IC 1/2 LER(Line Edge Roughness) ACLV(Across Chip Line width Variation)

1 (YIELD ENHANCEMENT) YE R&D Yield Model and Defect Budget Defect Detection and Characterization Yield Learning Wafer Environmental Contamination Control 4 300mm 4 WIP TEG 90nm 107 Non-visual defects 2

Microsoft Word - 0-1_Ishiuchi.doc

第 14 章 WG11 歩留り向上 14-1 はじめに ITRS の Yield Enhancement (YE) 章には 4 つの技術領域があり それぞれを各極で分担する形で運営されている その中で 日本 (WG11) は歩留まりモデルと装置許容欠陥数 (YMDB:Yield Model & Defect Budget) を分担している 今年度は 2 年毎に行われる ITRS 改定の中間年にあたるので

Linda

1 YIELD ENHANCEMENT YE R&D / Yield Model and Defect Budget Defect Detection and Characterization Yield Learning Wafer Environment(s) Contamination Control 300mm WIP TEG POS POP Table115 Table108 / Table

-2-

-1-2009 3 2 2 HP http://homepage3.nifty.com/office-wada/ -2- -3-1 01 X Y 100 Y Y 02 A B B C A -4- 2 03 X Y Y X XY Y X Y X Y Z XY Z Z X 261 24 14 49 41 77 1 48 6 21 27 6 712 11 1 53 9 14 906 88 X1 X2 X3

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見えない化進行の中での歩留向上 _WG11YE - 微細化による歩留技術のパラダイムシフトー 2007 改定内容説明 Scope, Difficult Challenges, YMDB, DDC, WECC 見えない化進行の中での歩留向上エッジ検査 電気特性 TEG 微小 Particle の特性 WG11YE- 津金賢, 白水好美, 二ツ木高志, 岡本彰, 清田久晴, 櫻井光一, 長塚義則, 中川義和,

Microsoft Word - 第14章　WG11 欠陥低減.doc

第 14 章 WG11 歩留まり向上 14-1 はじめに YE(Yield Enhancement) 章は YMDB(Yield Model & Defect Budget) DDC(Defect Detection and Characterization) YL(Yield Learning) 及び WECC(Wafer Environmental Contamination Control)

橡13解説.PDF

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Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

CSR報告書2005 (和文)

A 250 200 150 100 50 0 25,000 20,000 15,000 10,000 5,000 0 1,000 800 600 400 200 0 168 14 14 27 54 60 2000 16,975 1,314 1,207 8,977 5,477 2000 698 112 115 292 178 2000 223 24 28

ブック 1.indb

21 1211 27 11 27 12 16 20 11 27 10 20 28 29 30 12 10 11 12 30 13 30 14 10 30 15 11 16 12 17 13 18 14 19 15 20 16 10 21 11 27 106 21 107 108 109 110 21 111 28 112 28 10 113 29 11 11421 30 12 11521 32 13

JJTRC 2005

Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 1 Jisso 2006310 STRJ WG-7 () Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 2 ( JEITA Chairman: () Chairman: () :

Original (English version) Copyright 2001 Semiconductor Industry Association All rights reserved ITRS 2706 Montopolis Drive Austin, Texas

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2001 EDITION EECA, European Electronic Component Manufacturers Association () JEITA, Japan Electronics and Information Technology Industries Association

_学生通信Vol16.indd

/7 Humanware ConsultingK.K 2

21 HP 21 2000/7 Humanware ConsultingK.K 1 1. 2000/7 Humanware ConsultingK.K 2 20 21 IT 2000/7 Humanware ConsultingK.K 3 2000/7 Humanware ConsultingK.K 4 4 2000/7 Humanware ConsultingK.K 5 1970-1980 1980

Taro13-第２章まとめ（最終）.PDF

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a a b a b c d e R c d e A a b e a b a b c d a b c d e f a M a b f d a M b a b a M b a M b M M M R M a M b M c a M a R b A a b b a CF a b c a b a M b a b M a M b c a A b a b M b a A b a M b C a M C a M

テストコスト抑制のための技術課題－DFTとATEの観点から

2 -at -talk -talk -drop 3 4 5 6 7 Year of Production 2003 2004 2005 2006 2007 2008 Embedded Cores Standardization of core Standard format Standard format Standard format Extension to Extension to test

Potential Solutions

ITRS 2004 Update ITRS 2004 12 1 2004 ITRS Update,, - P. Gargini - - W. Arden - - H. Sohn - P. Gargini - 2004 ITRS Update 2004 Update Technology Node DRAM M1 2003 ITRS (hpxx ) 2004 Update Technology Node

66 67

untitled

untitled

NO.1 2006 5 10 10 0570-058-669 i- http://www.i-nouryoku.com/index.html 1 NO.1 2006 5 10 2 NO.1 2006 5 10 3 NO.1 2006 5 10 4 NO.1 2006 5 10 15 3 10 140 140 () 5 28 0.01ppm ppm ppm 1ppm 1 5 NO.1 2006 5 10

45nm以降に向けたリソグラフィ技術 －ArF液浸への期待とその後の展開－

1 45nm ArF WG5 WG5 2 3 2004 Update Potential Solutions ArF EUV (ML2) 4 2004 Update Potential Solutions - Potential Solutions CD (total CD control) 4nm(3s) CD "Red" 2005 Changes to coloring, footnotes,

【アフィリコード】総合マニュアル

【アフィリコードプラス】総合マニュアル

…z†[…•…y†[…W‡Ì…R…s†[

教室案内.pptx

untitled

2 3-22 23-24 25-1 - - 2 - 2-3 - 1848 1901 1936 3 1960 2005 10 27.8 1-4 - 2 5 A 3000 4-5 - 4 20 120 160 70 10-6 - 12 40 6070 80 20 20 7 5 9 15 130 I U 8 4 2 3-7 - 4 1,600 500 200 48 100 80-8 - - 9 - 1 12

PowerPoint プレゼンテーション

MATLAB 2008 5 22 Quick history - Cleve Moler s original MATLAB program Quick history The MathWorks in 1984 Cleve Moler Jack Little MATLAB/Simulink MATLAB 80 / MATLAB Toolbox 100 Simulink Blockset Stateflow

( ) ( ) 20 11 11-13 15 20 21 ( ) 114cm 100cm 85cm () () 11 18 19 19-25 26 ( 1 ) 1 2 10 ( ) () 11 16 19 21 24-13 20 3 20 ( ) ( ) 14 15 19 20 23 29 13 20 4/15 600 400 5 7 1 8 5 7 20 3 1999 1000 100 86

122

121 122 123 1 124 2 3 125 4 5 126 7 127 8 9 128 17301 10 1. 2. 3. 4. 5. 11 129 12 13 130 211822 14 15 131 16 17 132 5 19 133 20 21 134 22 23 135 24 25 136 26 137 1. 2. 3. 4. 5. 5 28 1. 5 2. 3. 3 29 138

- 4 -

13

12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 CAR OF THE YEAR Lexus LS460 61 IMPORT CAR OF THE YEAR Alfa Romeo Brera 62 CAR DESIGN OF THE YEAR Mitsubishi i 63 CAR TECHNOLOGY OF THE

PR

1-4 29 1-13 41 1-23 43 1-39 29 PR 1-42 28 1-46 52 1-49 47 1-51 40 1-64 52 1-66 58 1-72 28 1-74 48 1-81 29 1-93 27 1-95 30 1-97 39 1-98 40 1-100 34 2-1 41 2-5 47 2-105 38 2-108 44 2-110 55 2-111 44 2-114

untitled

1 2 1 1 2 3 1 2 1 2 4 0,76 4 5 0,1 1970 1974 1993 6 7 8 9 4 1920 10 1960 1971 ( ) IC 11 1980 1990 1992 1987 0,269 1996 0,023 2001 2002 1996 1996 1 98 27 70 1 3 7 12 2003 63 2 13 3 5 1 13 5 14 2 14 2 14

橡kaikei_QA_2001_05_11.PDF

行政の実効性確保に関する諸課題

15 7 33 64 12 14 10 12 15 12 12 12 14 12 12 15 42 10 26 497, 1967. 11, p.31. 13 11 16 1983, p.365 36, 1986.9, p.187 49, 1987.10, p.186 58, 1996.10, p.165 1073, 1995.8, p.62., 1989, p.208. 33 16 8 30 21

- 2 -

- 2 - - 3 - - 4 - UJI - 5 - 50 22 3.5 3 50-6 - 60.5 45 10 2004 4 23 500 228-7 - 3 8-8 - - 9 - http://ranking.goo.ne.jp/ranking/011/antenna_shop/ - 10 - 14 4 17 10 90 17 48 66 ) ) - 11 - A () ) 291 2030

1 1 2 2 3 4 5 5 6 7 8 10 9 10 10 10 11 13 14 15 15 16 17 18 19 21 21 22 22 24 28 38 40 41 41 43 45 46 47 47 47 47 48 50 50 50 50 51 52 54 54 55 56 56 57 57 57 58 58 59 59 59 61 61 61 62 62 62 62 63 63

untitled

参考１ 第２回自動車ワーキンググループ議事録（未定稿）

19 9 25 15 30 17 30 10 1012 2 WG 9 10 1 WG 1 CO2 CO2 CO2 WG 1 CO2 CO2 CO2 1/2 1/2 CO2 2 2 CO2 2 WG CO2 1 2 3 7 3 3 3 WG CO CO 10 1.5 50 50 2 1 1 CO 2 CO 4 CO CO 2 2 p.4 7 7 1 7 1 1 5 p.7 2 1 1 1.5 2 1

たたら製鉄についてのまとめ

65 1229 1570 5 3 5 2769 1876 1889 9 1892 1927-73 - - 1619 131 2 5500 43 194 1889 1955-1617 3 2 3 1186 2 9 15 1165-74 - 596 300 200 4 888 4 888 11 3 8892 10 2 969 708781782888 729 749 859 877 3 947 3 1523

untitled

2 76 MPU (MEF mask error factors) nm 9nmCD 14nmCD 2003 MEF 1.0(alt-PSM ) nmCD 5.5nmCD MPU OPC PSM 193nm 157nm 157nm (ROI) 193nm 157nm Ca

1 2003 2 CD 15 ITWG International technology working group[ ] ESH Environment, Safety, and Health[ ] TWG RET resolution enhancement techniques OAI off-axis illumination PSM phase shifting masks OPC optical

1

1 2 3 4 1,000 200 21 63 21 200 5 6 7 8 30 9 10 21 6 9 http://clearing.fsa.go.jp/kashikin/index.php 708 11 54 452 452 454 12 13 14 15 1520 16 17 18 19 20 21 30 60 22 23 221 24 25 26 27 29.2 20% 18% 10 100

14 12 10 8 6 4 2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 20 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 21 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 22 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 23 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 24 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 25 0 0 0 0 0 0 0 0 0

平成26年度 学生要覧

Department of Mechanical Engineering Department of Electrical and Electronic Systems Department of System Information Engineering Department of Biotechnology and Environmental Engineering Department of

2

2 3 4 5 6 7 0 10 20 30 40 50 60 70 9 10 11 12 13 14 15 86.0% 14.0% 79.5% 20.5% 60 111 16 .. 17 ** p

平成１５年度

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LER/LWR WG4 /WG5 /WG6(PIDS)/WG11 65nm WG11 1 LER/LWR 2004 UPDATE LER/LWR 2 1. LER/LWR 2. * * 3. 4. * Lithography/PIDS/Interconnect 5. 3 1. LER/LWR Line-Edge Roughness (LER) L y Line-Width Roughness (LWR)

untitled

J I ~ ~ U F I P E N V I R O N M E N T A L T S R E P O F U R T IT Outsourcing Service Web Service System Integration Service 2002 4 12003 3 31 FUJITSU FIP ENVIRONMENTAL REPORT 2003 2003 2002 2003 IT 1 2

3 3 vision scenario

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