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1 マスク説明書 (CAST-T3 マスク )

2 1. マスク概要 2. 各素子の詳細 内容 頁番号 マスク仕様 (1)(2) (03)-(04) ショット レイアウト (1)(2) (05)-(06) パッドブロック (07) コンタクトパッドとその周辺 (08) 測定 PADの構造 (09) SUBPADの構造 (10) スクライブラインの構造 (11) ウェハアライメントマーク (12)-(13) CMPダミー (14) 頁番号 MOSトランジスタ (16)-(26) PN 接合 (27)-(40) MOS 容量 (41)-(53) FEOL 抵抗 (54)-(57) コンタクト抵抗 (58)-(60) シート抵抗 (61)-(64) リングオシレータ / コンタクトチェーン (65)-(73) 櫛 / つづら付リングオシレータ (74)-(76) アンテナTEG (77)-(80) 腐食 TEG (81)-(84) BEOLつづら / 櫛 / ビアチェーン (85)-(91) SEM 観察用トランジスタ (92) SEM 観察用ライン (93) (01)

3 1. マスク概要 (02)

4 マスク仕様 (1) マスク名 : CAST-T3 用途 : FEOL 素子を用いたBEOL 材料の評価マスク数 :13 枚 BEOLマスクはペリクル無し種類 : KrF 用 (i 線兼用 ) バイナリ倍率 :4 倍ショット寸法 : 21.5mm x 26.9mm レチクル寸法 :6 inch レチクル合せマーク :Canon 露光機用 (SFRAマーク) No. 層名 パターン 最小 最大 目的 1 L A 素子分離 2 FG A ゲート Poly-Si 抵抗 3 N1 B 0.5 N 型拡散層 (LDD) 4 N2 B 0.5 N 型拡散層 (S/D) 5 P B 0.5 SUB 引き上げ 6 SP A 0.5 Silicide 無し領域 7 CNT B コンタクトプラグ 8 B Cu1 層配線 9 Via B 接続孔 10 M2 B Cu2 層配線 11 PRO B 0.5 PRO 12 AL A PV B 100 FEOL マスク BEOL マスク (03)

5 マスク仕様 (2) 合わせツリー L FG CNT M2 PRO AL N1 Via PV N2 P SP 各層のウェハ合わせマークの有無 層名露光機ウェハ合わせマーク プリ ファイン L KrF FG KrF N1 KrF N2 KrF P KrF SP KrF CNT KrF ArF Via ArF M2 ArF PRO i 線 AL i 線 PV i 線 (04)

6 8.44mm ショット レイアウト (1) 21.5mm 8.44mm 4.14mm 8.44mm 4.14mm 26.9mm 8.44mm 5.34mm スクライブライン幅 160um (05)

7 ショット レイアウト (2) +X X-cord ( パッドブロックX 座標 ) Y ( パッドブロック Y 座標 ) コンタクト 櫛 ビアチェーン つづら PN 接合 L 型 α3 アンテナ大 PN 接合 N1 型 α 2 MOSTrs.3 SEM 観察 MOSTrs. CNT 抵抗 1 シート抵抗 1 PN 接合 N1 型 α 1 SEM 観察ライン アンテナ小 CNT 抵抗 2 シート抵抗 2 FEOL 抵抗 2 PN 接合 N1 型 β 1 Gate 容量 FG 型 3 Gate 容量 FG 型 2 リングオシレータ &CNT チェーン 櫛 / つづら抵抗付リングオシレータ PN 接合 L 型 β3 PN 接合 N1 型 β 2 MOSTrs MOSTrs.1 PN 接合 L 型 α 2 PN 接合 L 型 α 1 PN 接合 L 型 β 1 PN 接合 L 型 β 2 MOSTrs.2 Gate 容量 FG 型 1 (06)

8 パッドブロック 100um 55um um PAD 番号 測定パッドはオートプローバのプローブカード用にパッドの集合 ( パッドブロック ) を構成しており ショット内に規則的に配置 測定パッドは PAD 番号とパッドブロック座標の組み合わせで指定する パッドブロック座標はパッドブロックの原点からの位置で 左上のパッドブロックを原点 下方向を +Y 軸 右方向を +X 軸とした座標系 (07)

9 コンタクトパッドとその周辺 オートプローバ用アライメントマーク ( と M2) プロセス進捗確認用マーク ショット左上にあるオートプローバ位置合わせ用パッドブロック パッドブロック座標は (0,0) 上行と下行のパッドがそれぞれつながっていて針のショートチェックに利用可能 コンタクトパッドの下のパッドブロックは素子がなく針のオープンチェックに利用可能 (08)

10 測定 PAD の構造 120um 100um パッド開口部の寸法は 100um Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k Cu(M2) Cu(Via) Via 径 0.2um Cu() SiO LOCOS p-sub (09)

11 SUBPAD の構造 120um 100um SUB 引き上げ用 Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k W(CNT) CNT 径 1um P+ Silicide SiO LOCOS p-sub (10)

12 スクライブラインの構造 160um Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k W(CNT) CNT 径 1um SiO Silicide P+ LOCOS p-sub CNT 径 0.4um (11)

13 ウェハ合わせプリアライメントマーク 60um Canon 露光機用 X 方向 Y 方向に 1 ヶ所づつあるが使用するのは 1 ヶ所のみ 線幅 6um 長さ 40um 層名 X 方向 Y 方向 X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm) L FG CNT Via M PRO (12) ショット中心からの距離

14 ウェハ合わせファインアライメントマーク 20um Canon 露光機用 X 方向 Y 方向に 1 ヶ所づつあるが両方使用する 30um 34um 線幅 4um 層名 X 方向 Y 方向 X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm) L FG CNT Via M PRO (13) ショット中心からの距離

15 CMP ダミー M2 10um 10um 0.8um M2 Via 1um 0.25um 0.8um CMP ダミーの断面図 0.8um CMP ダミーは または M2 配線から 10um 先に配置 断面形状はダンベル型に Via M2 が接続 (14)

16 2. 各素子の詳細 (15)

17 MOS トランジスタ 1234 配置図赤字は詳細説明無 Diode 付 1x1 Diode 付 1x3 Diode 付 1x10 FG 奇 2.6x3 FG 0.6 奇 2.6x3 0.8 M2 奇 2.6x3 M2 0.8 GS 短絡 0.2x3 GS 短絡 0.2x10 GS 短絡 0.5x3 GS 短絡 0.5x10 GS 短絡 1x3 GS 短絡 1x10 奇 2.6x3 3.4 奇 3.6x3 4.4 M2 奇 2.6x3 M2 3.4 M2 奇 3.6x3 M2 4.4 Diode 付 0.5x1 Diode 付 0.5x10 奇 1.6x3 0.8 奇 1.6x M2 奇 0.6x3 M2 0.5 M2 奇 0.6x10 M2 0.3 M2 奇 1.6x3 M2 0.8 M2 奇 1.6x10 M x10 10x30 10x 100 FG 奇 3.6x3 FG 0.6 奇 3.6x3 0.8 M2 奇 3.6x3 M2 0.8 FG 奇 0.6x3 FG 0.3 FG 奇 0.6x10 FG 0.3 FG 奇 1.6x3 FG 0.6 FG 奇 1.6x10 FG 0.6 奇 0.6x3 0.5 奇 0.6x x1 1x3 1x10 3x3 3x10 3x30 並列 1 0.5x10 並列 x10 並列 x10 並列 1 1x10 並列 10 1x10 並列 100 1x10 0.5x1 0.5x3 0.5x10 0.6x1 0.6x3 0.6x10 並列 1 0.2x10 並列 x10 並列 x10 並列 1 0.3x10 並列 x10 並列 x10 0.2x1 0.2x3 0.2x10 0.3x1 0.3x3 0.3x10 Ring 3x3 5x5 Ring 3x3 6x6 30x 100 並列 1 タ ミー 並列 10 タ ミー 並列 100 タ ミー (16)

18 MOS トランジスタ ( その 1) L(Active) N1(N-) gate drain gate 長 gate 幅 sub へ CNT 1um 1 CNT CNT 0.4um N2(N+) Poly-Si FG(Poly-Si) LOCOS source sub L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 N+ gate 長 p-sub FG-CNT 合わせ余裕 0.4um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 N+ Silicide 1 gate 長が 1um 以下の場合は CNT0.4um を使用 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 1-1 MOSTrs_0.2x1_ MOSTrs_0.2x3_ MOSTrs_0.2x10_ MOSTrs_0.3x1_ MOSTrs_0.3x3_ MOSTrs_0.3x10_ MOSTrs_0.5x1_ MOSTrs_0.5x3_ MOSTrs_0.5x10_ (17)

19 MOS トランジスタ ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 1-10 MOSTrs_0.6x1_ MOSTrs_0.6x3_ MOSTrs_0.6x10_ MOSTrs_1x1_ MOSTrs_1x3_ MOSTrs_1x10_ MOSTrs_3x3_ MOSTrs_3x10_ MOSTrs_3x30_ MOSTrs_10x10_ MOSTrs_10x30_ MOSTrs_10x100_ MOSTrs_30x100_ MOSTrs_0.2x1_ MOSTrs_0.2x3_ MOSTrs_0.2x10_ MOSTrs_0.3x1_ MOSTrs_0.3x3_ MOSTrs_0.3x10_ MOSTrs_0.5x1_ MOSTrs_0.5x3_ MOSTrs_0.5x10_ MOSTrs_0.6x1_ MOSTrs_0.6x3_ MOSTrs_0.6x10_ MOSTrs_1x1_ MOSTrs_1x3_ MOSTrs_1x10_ MOSTrs_3x3_ MOSTrs_3x10_ MOSTrs_3x30_ (18)

20 MOS トランジスタ ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 2-19 MOSTrs_10x10_ MOSTrs_10x30_ MOSTrs_10x100_ MOSTrs_30x100_ MOSTrs_0.2x1_ MOSTrs_0.2x3_ MOSTrs_0.2x10_ MOSTrs_0.3x1_ MOSTrs_0.3x3_ MOSTrs_0.3x10_ MOSTrs_0.5x1_ MOSTrs_0.5x3_ MOSTrs_0.5x10_ MOSTrs_0.6x1_ MOSTrs_0.6x3_ MOSTrs_0.6x10_ MOSTrs_1x1_ MOSTrs_1x3_ MOSTrs_1x10_ MOSTrs_3x3_ MOSTrs_3x10_ MOSTrs_3x30_ MOSTrs_10x10_ MOSTrs_10x30_ MOSTrs_10x100_ MOSTrs_30x100_ MOSTrs_0.2x1_ MOSTrs_0.2x3_ MOSTrs_0.2x10_ MOSTrs_0.3x1_ MOSTrs_0.3x3_ MOSTrs_0.3x10_ (19)

21 MOS トランジスタ ( その 4) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 4-7 MOSTrs_0.5x1_ MOSTrs_0.5x3_ MOSTrs_0.5x10_ MOSTrs_0.6x1_ MOSTrs_0.6x3_ MOSTrs_0.6x10_ MOSTrs_1x1_ MOSTrs_1x3_ MOSTrs_1x10_ MOSTrs_3x3_ MOSTrs_3x10_ MOSTrs_3x30_ MOSTrs_10x10_ MOSTrs_10x30_ MOSTrs_10x100_ MOSTrs_30x100_ (20)

22 MOS トランジスタ ( その 5) FG 寄生 MOS L(Active) gate drain gate 長 gate 幅 FG 長 CNT 0.4um N1(N-) N2(N+) FG(Poly-Si) CNT FG source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 Silicide L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 FG-CNT 合わせ余裕 0.4um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 FG 長 X-cord 1-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_ FGkisei_0.6x10_FG0.3_ FGkisei_1.6x3_FG0.6_ FGkisei_1.6x10_FG0.6_ FGkisei_2.6x3_FG0.6_ FGkisei_3.6x3_FG0.6_ (21)

23 MOS トランジスタ ( その 6) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 FG 長 X-cord 2-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_ FGkisei_0.6x10_FG0.3_ FGkisei_1.6x3_FG0.6_ FGkisei_1.6x10_FG0.6_ FGkisei_2.6x3_FG0.6_ FGkisei_3.6x3_FG0.6_ FGkisei_0.6x3_FG0.3_ FGkisei_0.6x10_FG0.3_ FGkisei_1.6x3_FG0.6_ FGkisei_1.6x10_FG0.6_ FGkisei_2.6x3_FG0.6_ FGkisei_3.6x3_FG0.6_ FGkisei_0.6x3_FG0.3_ FGkisei_0.6x10_FG0.3_ FGkisei_1.6x3_FG0.6_ FGkisei_1.6x10_FG0.6_ FGkisei_2.6x3_FG0.6_ FGkisei_3.6x3_FG0.6_ (22)

24 MOS トランジスタ ( その 7) 寄生 MOS L(Active) gate drain gate 幅 gate 長 長 CNT 0.4um CNT N1(N-) N2(N+) Silicide source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 CNT- 合わせ余裕 0.3um 以上 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 1-1 kisei_0.6x3 0.5_ kisei_0.6x10 0.3_ kisei_1.6x3 0.8_ kisei_1.6x10 0.6_ kisei_2.6x3 0.8_ kisei_2.6x3 3.4_ kisei_3.6x3 0.8_ kisei_3.6x3 4.4_ (23)

25 MOS トランジスタ ( その 8) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 2-1 kisei_0.6x3 0.5_ kisei_0.6x10 0.3_ kisei_1.6x3 0.8_ kisei_1.6x10 0.6_ kisei_2.6x3 0.8_ kisei_2.6x3 3.4_ kisei_3.6x3 0.8_ kisei_3.6x3 4.4_ kisei_0.6x3 0.5_ kisei_0.6x10 0.3_ kisei_1.6x3 0.8_ kisei_1.6x10 0.6_ kisei_2.6x3 0.8_ kisei_2.6x3 3.4_ kisei_3.6x3 0.8_ kisei_3.6x3 4.4_ kisei_0.6x3 0.5_ kisei_0.6x10 0.3_ kisei_1.6x3 0.8_ kisei_1.6x10 0.6_ kisei_2.6x3 0.8_ kisei_2.6x3 3.4_ kisei_3.6x3 0.8_ kisei_3.6x3 4.4_ (24)

26 MOS トランジスタ ( その 9) M2 寄生 MOS L(Active) N1(N-) M2 gate drain gate 幅 gate 長 M2 長 N2(N+) CNT 0.4um M2 CNT Silicide source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 CNT- 合わせ余裕 0.3um 以上 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 M2 長 X-cord 1-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_ M2kisei_0.6x10_M2_0.3_ M2kisei_1.6x3_M2_0.8_ M2kisei_1.6x10_M2_0.6_ M2kisei_2.6x3_M2_0.8_ M2kisei_2.6x3_M2_3.4_ M2kisei_3.6x3_M2_0.8_ M2kisei_3.6x3_M2_4.4_ (25)

27 MOS トランジスタ ( その 10) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 2-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_ M2kisei_0.6x10_M2_0.3_ M2kisei_1.6x3_M2_0.8_ M2kisei_1.6x10_M2_0.6_ M2kisei_2.6x3_M2_0.8_ M2kisei_2.6x3_M2_3.4_ M2kisei_3.6x3_M2_0.8_ M2kisei_3.6x3_M2_4.4_ M2kisei_0.6x3_M2_0.5_ M2kisei_0.6x10_M2_0.3_ M2kisei_1.6x3_M2_0.8_ M2kisei_1.6x10_M2_0.6_ M2kisei_2.6x3_M2_0.8_ M2kisei_2.6x3_M2_3.4_ M2kisei_3.6x3_M2_0.8_ M2kisei_3.6x3_M2_4.4_ M2kisei_0.6x3_M2_0.5_ M2kisei_0.6x10_M2_0.3_ M2kisei_1.6x3_M2_0.8_ M2kisei_1.6x10_M2_0.6_ M2kisei_2.6x3_M2_0.8_ M2kisei_2.6x3_M2_3.4_ M2kisei_3.6x3_M2_0.8_ M2kisei_3.6x3_M2_4.4_ (26)

28 PN 接合 L 型 α123 配置図赤字は詳細説明無 L 型 α は カ ート リンク 1.2x x 1.2 カ ート リンク 付 2x2 カ ート リンク 付 10x10 とは CNT 上の 面積が接合領域より大きい場合を指す 2x10 x10 3x30 x10 10x 100x 10 =L 1.2x x 1.2 2x2 2x2 10x x 100 2x10 10x 100 2x2 3x3 10x 10 30x x x 100x9 2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x 100 (27)

29 PN 接合 L 型 β123 配置図赤字は詳細説明無 L 型 β は M2 カ ート リンク 1.2x x 1.2 M2 カ ート リンク 付 2x2 M2 カ ート リンク 付 10x10 とは CNT 上の 面積が接合領域より大きい場合を指す 2x10 x10 3x30 x10 10x 100x 10 =L 1.2x x 1.2 2x2 2x2 10x x 100 2x10 10x 100 2x2 3x3 10x 10 30x x x 100x9 2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x 100 (28)

30 PN 接合 L 型 ( その 1) 接合領域が L マスクで決まる cathode N2(N+) W N1(N-) CNT Silicide LOCOS L N+ p-sub 接合領域 N ー anode L(Active) CNT 1um 1 P(P+) 1 接合領域 2x2um 2x10um 2x30um は CNT0.4um それ以外は 1um L-CNT 合わせ余裕 0.8um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 接合領域 2x2um 3x3um は CNT1 個 10x10um は 9 個配置 2x10um ならば 2x2um が 5 個あると考えて CNT5 個 No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 1-1 PNJC_L_2x2_α PNJC_L_3x3_α PNJC_L_10x10_α PNJC_L_30x30_α PNJC_L_100x100_α PNJC_L_2x10_α PNJC_L_2x30_α PNJC_L_3x10_α PNJC_L_3x30_α PNJC_L_10x100_α (29)

31 PN 接合 L 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 2-1 PNJC_L_2x2_α PNJC_L_3x3_α PNJC_L_10x10_α PNJC_L_30x30_α PNJC_L_100x100_α PNJC_L_2x10_α PNJC_L_2x30_α PNJC_L_3x10_α PNJC_L_3x30_α PNJC_L_10x100_α PNJC_L_2x2_α PNJC_L_3x3_α PNJC_L_10x10_α PNJC_L_30x30_α PNJC_L_100x100_α PNJC_L_2x10_α PNJC_L_2x30_α PNJC_L_3x10_α PNJC_L_3x30_α PNJC_L_10x100_α PNJC_L_2x2_β PNJC_L_3x3_β PNJC_L_10x10_β PNJC_L_30x30_β PNJC_L_100x100_β PNJC_L_2x10_β PNJC_L_2x30_β PNJC_L_3x10_β PNJC_L_3x30_β PNJC_L_10x100_β (30)

32 PN 接合 L 型 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 5-1 PNJC_L_2x2_β PNJC_L_3x3_β PNJC_L_10x10_β PNJC_L_30x30_β PNJC_L_100x100_β PNJC_L_2x10_β PNJC_L_2x30_β PNJC_L_3x10_β PNJC_L_3x30_β PNJC_L_10x100_β PNJC_L_2x2_β PNJC_L_3x3_β PNJC_L_10x10_β PNJC_L_30x30_β PNJC_L_100x100_β PNJC_L_2x10_β PNJC_L_2x30_β PNJC_L_3x10_β PNJC_L_3x30_β PNJC_L_10x100_β (31)

33 PN 接合 L 型 ( その 4) 10 個並列型 cathode anode 単品 2x10um 3x30um 10x100um を 10 個並列化 10x100umx10 個と 100x100um の逆耐圧測定で周辺長のリーク評価が可能 L-CNT 合わせ余裕 0.8um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2um 以上 No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W 並列数 X-cord 1-1 PNJC_L_2x10x10_α PNJC_L_3x30x10_α PNJC_L_10x100x10_α PNJC_L_2x10x10_α PNJC_L_3x30x10_α PNJC_L_10x100x10_α PNJC_L_2x10x10_α PNJC_L_3x30x10_α PNJC_L_10x100x10_α (32)

34 PN 接合 L 型 ( その 5) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W 並列数 X-cord 4-1 PNJC_L_2x10x10_β PNJC_L_3x30x10_β PNJC_L_10x100x10_β PNJC_L_2x10x10_β PNJC_L_3x30x10_β PNJC_L_10x100x10_β PNJC_L_2x10x10_β PNJC_L_3x30x10_β PNJC_L_10x100x10_β (33)

35 PN 接合 L 型 ( その 6) 100x100um 3 行 3 列型 300x300um ではなく 100x100um ごとに素子が分離されている L(Active) CNT cathode L-CNT 合わせ余裕 2.5um CNT- 合わせ余裕 1um anode 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号 X-cord cath ano 1 PNJC_L_100x100x9_α PNJC_L_100x100x9_α PNJC_L_100x100x9_α PNJC_L_100x100x9_β PNJC_L_100x100x9_β PNJC_L_100x100x9_β (34)

36 PN 接合 N1 型 α12 配置図赤字は詳細説明無 N1 型 α は カ ート リンク 2x10 2x30 3x10 3x30 10x 100 2x10 x10 3x10 x10 10x 100x 10 FG カ ート リンク 付 2x10 FG カ ート リンク 付 10x10 2x2 3x3 L=12 10x10 L=8 10x10 L=10 10x10 L=14 10x10 30x30 100x x 100x 9 FG カ ート リンク 付 2x2 32x32 100x x 100x 9 3x10 3x30 10x 100 3x10x 10 10x 100x 10 カ ート リンク 付 2x10 カ ート リンク 付 10x10 2x2 2x10 Silicide >N2 2x30 2x10 x10 3x3 10x10 (L=12) 10x10 (L=12) L=8 10x10 (L 型 8x8) L=10 10x10 L=14 10x10 カ ート リンク 付 2x2 (35)

37 PN 接合 N1 型 β12 配置図赤字は詳細説明無 N1 型 β は M2 カ ート リンク 2x10 2x30 3x10 3x30 10x 100 2x10 x10 3x10 x10 10x 100x 10 FG カ ート リンク 付 2x10 FG カ ート リンク 付 10x10 2x2 3x3 L=12 10x10 L=8 10x10 L=10 10x10 L=14 10x10 30x30 100x x 100x 9 FG カ ート リンク 付 2x2 32x32 100x x 100x 9 3x10 3x30 10x 100 3x10x 10 10x 100x 10 M2 カ ート リンク 付 2x10 M2 カ ート リンク 付 10x10 2x2 2x10 Silicide >N2 2x30 2x10 x10 3x3 10x10 (L=12) 10x10 (L=12) L=8 10x10 (L 型 8x8) L=10 10x10 L=14 10x10 M2 カ ート リンク 付 2x2 (36)

38 PN 接合 N1 型 ( その 1) cathode N2(N+) 接合領域が N1 マスクで決まる W N1(N-) SP(Silicideなし領域 ) L + NOT SPがSilicide 領域 CNT Silicide LOCOS L N+ p-sub 接合領域 N- anode L(Active) CNT 1um 1 1 接合領域 10x10um 32x32um 100x100um 以外は 0.4um P(P+) L-N1 合わせ余裕 1um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上接合領域 2x2um 3x3umはCNT1 個 10x10umは9 個配置 2x10umは5 個 3x10umは4 個 No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1-1 PNJC_N1_2x2_α PNJC_N1_2x10_α PNJC_N1_3x3_α PNJC_N1_10x10_α PNJC_N1_32x32_α PNJC_N1_100x100_α PNJC_N1_3x10_α PNJC_N1_3x30_α PNJC_N1_10x100_α (37)

39 PN 接合 N1 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 2-1 PNJC_N1_2x2_α PNJC_N1_2x10_α PNJC_N1_3x3_α PNJC_N1_10x10_α PNJC_N1_32x32_α PNJC_N1_100x100_α PNJC_N1_3x10_α PNJC_N1_3x30_α PNJC_N1_10x100_α PNJC_N1_2x2_β PNJC_N1_2x10_β PNJC_N1_3x3_β PNJC_N1_10x10_β PNJC_N1_32x32_β PNJC_N1_100x100_β PNJC_N1_3x10_β PNJC_N1_3x30_β PNJC_N1_10x100_β PNJC_N1_2x2_β PNJC_N1_2x10_β PNJC_N1_3x3_β PNJC_N1_10x10_β PNJC_N1_32x32_β PNJC_N1_100x100_β PNJC_N1_3x10_β PNJC_N1_3x30_β PNJC_N1_10x100_β (38)

40 PN 接合 N1 型 ( その 3) 10 個並列型 cathode anode L-N1 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 1um 以上 No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1-1 PNJC_N1_2x10x10_α PNJC_N1_3x10x10_α PNJC_N1_10x100x10_α PNJC_N1_2x10x10_α PNJC_N1_3x10x10_α PNJC_N1_10x100x10_α PNJC_N1_2x10x10_β PNJC_N1_3x10x10_β PNJC_N1_10x100x10_β PNJC_N1_2x10x10_β PNJC_N1_3x10x10_β PNJC_N1_10x100x10_β (39)

41 PN 接合 N1 型 ( その 4) 100x100um 3 行 3 列型 300x300um ではなく 100x100um ごとに素子が分離されている cathode L(Active) CNT L-CNT 合わせ余裕 1.5um CNT- 合わせ余裕 1um anode 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1 PNJC_N1_100x100x9_α PNJC_N1_100x100x9_α PNJC_N1_100x100x9_β PNJC_N1_100x100x9_β (40)

42 MOS 容量 L 型 配置図赤字は詳細説明無 Poly-Si silicide CNT LOCOS p-sub ゲート酸化膜 Gate on CNT CNT Poly-Si silicide LOCOS p-sub ゲート酸化膜 LOCOS on CNT Di 付 1x1 GoC 1x1 GoC 2x3 2x3 x10 Di 付 2x2 GoC 2x2 GoC 2x10 2x10 x10 Di 付 3x3 GoC 3x3 CNT.4 GoC 2x30 3x10 x10 Di 付 10x 10 GoC 3x3 CNT1 GoC 10x 30 3x30 x10 Di 付 2x3 GoC 10x10 GoC 10x x30 x10 Di 付 2x10 GoC 30x30 GoC 2x10 x10 10x100 x10 Di 付 GoC 1x1 GoC 100x 100 GoC 2x30 x10 2x3 2x10 2x30 3x10 3x30 10x30 10x100 1x1 2x2 3x3 10x 10 30x x 100 (41) Di 付 GoC 2x2 GoC 100x 100x9 GoC 10x30 x10 Di 付 GoC 3x3 GoC 10x100 x10 Di 付 GoC 10x10 Di 付 GoC 2x3 GoC 100x 100x3 GoC=Gate on CNT Di 付 = 保護 Diode 付き 100x 100x9 100x 100x3 Di 付 GoC 2x10

43 MOS 容量 L 型 ( その 1) ゲート領域が L マスクで決まる gate CNT 1um 1 CNT Poly-Si silicide L LOCOS p-sub ゲート酸化膜 sub W FG(Poly-Si) L(Active) CNT 1um P(P+) 1 ゲート寸法 1x1um 2x2um は CNT0.4um それ以外は 1um PolySi-CNT 合わせ余裕 0.5um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 ゲート寸法 10x10um まで CNT1 個 30x30um は 3 個 10x100um 100x100um は 9 個配置 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ (42)

44 MOS 容量 L 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 1-12 MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ (43)

45 MOS 容量 L 型 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 4-1 MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ (44)

46 MOS 容量 L 型 ( その 4) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 6-1 MOSCP_L_1x1_ MOSCP_L_2x2_ MOSCP_L_3x3_ MOSCP_L_10x10_ MOSCP_L_30x30_ MOSCP_L_100x100_ MOSCP_L_2x3_ MOSCP_L_2x10_ MOSCP_L_2x30_ MOSCP_L_3x10_ MOSCP_L_3x30_ MOSCP_L_10x30_ MOSCP_L_10x100_ (45)

47 MOS 容量 L 型 ( その 5) 10 個並列型 gate sub 単品 2x3um 2x10um 3x10um 3x30um 10x30um 10x100um を 10 個並列化 PolySi-CNT 合わせ余裕 0.7um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.6um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2.4um 以上 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ (46)

48 MOS 容量 L 型 ( その 6) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 2-1 MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ MOSCP_L_2x3x10_ MOSCP_L_2x10x10_ MOSCP_L_3x10x10_ MOSCP_L_3x30x10_ MOSCP_L_10x30x10_ MOSCP_L_10x100x10_ (47)

49 MOS 容量 L 型 ( その 7) 100x100um 3 行 3 列型 100x100um 3 列型 gate gate sub sub PolySi-CNT 合わせ余裕 2um CNT- 合わせ余裕 1um 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 10um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ (48)

50 MOS 容量 FG 型 123 配置図赤字は詳細説明無 カ ート リンク 無 N+ カ ート リンク 付 2x3 2x10 2x30 10x 30 10x 100 2x10 x10 2x30 x10 10x30 x10 10x 100x 10 2x2 3x3 10x10 30x 30 30x x x 100x9 100x 100x3 2x3 2x10 2x30 10x 30 10x 100 2x10 x10 2x30 x10 10x30 X10 10x 100x 10 2x2 3x3 10x10 30x 30 30x x x 100x9 100x 100x3 (49)

51 MOS 容量 FG 型 ( その 1) gate ゲート領域が FG マスクで決まる CNT 1um 1 SP(silicide 無し領域 ) CNT Poly-Si silicide L LOCOS p-sub ゲート酸化膜 sub W FG(Poly-Si) L(Active) CNT 1um P(P+) 1 L>10 のとき CNT1um それ以外は 0.4um L-PolySi 合わせ余裕 1um 以上 silicide-cnt 合わせ余裕 0.4um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 CNT 数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_2x2_ MOSCP_N1_3x3_ MOSCP_N1_10x10_ MOSCP_N1_30x30_ x MOSCP_N1_30x10_ x MOSCP_N1_100x100_ x MOSCP_N1_2x3_ MOSCP_N1_2x10_ MOSCP_N1_2x30_ MOSCP_N1_10x30_ x MOSCP_N1_10x100_ x (50)

52 MOS 容量 FG 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 CNT 数 X-cord gate sub L W 2-1 MOSCP_N1_2x2_ MOSCP_N1_3x3_ MOSCP_N1_10x10_ MOSCP_N1_30x30_ x MOSCP_N1_30x10_ x MOSCP_N1_100x100_ x MOSCP_N1_2x3_ MOSCP_N1_2x10_ MOSCP_N1_2x30_ MOSCP_N1_10x30_ x MOSCP_N1_10x100_ x MOSCP_N1_2x2_ MOSCP_N1_3x3_ MOSCP_N1_10x10_ MOSCP_N1_30x30_ x MOSCP_N1_30x10_ x MOSCP_N1_100x100_ x MOSCP_N1_2x3_ MOSCP_N1_2x10_ MOSCP_N1_2x30_ MOSCP_N1_10x30_ x MOSCP_N1_10x100_ x (51)

53 MOS 容量 FG 型 ( その 3) 10 個並列型 gate sub 単品 2x10um 2x30um 10x30um 10x100um を 10 個並列化 L-PolySi 合わせ余裕 1um silicide-cnt CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_2x10x10_ MOSCP_N1_2x30x10_ MOSCP_N1_10x30x10_ MOSCP_N1_10x100x10_ MOSCP_N1_2x10x10_ MOSCP_N1_2x30x10_ MOSCP_N1_10x30x10_ MOSCP_N1_10x100x10_ MOSCP_N1_2x10x10_ MOSCP_N1_2x30x10_ MOSCP_N1_10x30x10_ MOSCP_N1_10x100x10_ (52)

54 MOS 容量 FG 型 ( その 4) 100x100um 3 行 3 列型 100x100um 3 列型 gate gate sub L-PolySi 合わせ余裕 2um silicide-cnt 合わせ余裕 1.5um sub CNT- 合わせ余裕 1um 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ MOSCP_N1_100x100x9_ x MOSCP_N1_100x100x3_ (53)

55 FEOL 抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 Poly-Si 5x5 Poly-Si 5x10 Poly-Si 5x20 PoSi 1x10 素子上 配線無 PoSi 1x10 素子上 配線付 Poly-Si 1x5 Poly-Si 1x10 Poly-Si 1x20 Poly-Si 2x5 Poly-Si 2x10 Poly-Si 2x20 N+ 1x5.6 N+ 1x10.6 N+ 1x20.6 N+ 5x5.6 N+ 5x10.6 N+ 5x20.6 N- 2x20 N- 5x5 N- 5x10 N- 5x20 N- 1x10 素子上 配線無 N- 1x10 素子上 配線付 N- 1x5 N- 1x10 N- 1x20 N- 1x30 N- 2x5 N- 2x10 (54)

56 FEOL 抵抗 ( その 1) L(Active) High L N2(N+) CNT 0.4um W(CNT) Silicide W N1(N-) LOCOS N+ N- N- 抵抗 p-sub Low sub FG(Poly-Si) L W CNT 0.4um SP(silicide 無し領域 ) Silicide Poly-Si W(CNT) LOCOS p-sub Poly-Si 抵抗 L N2(N+) N+ W(CNT) Silicide W N1(N-) SP(silicide 無し領域 ) N- N+ 抵抗 LOCOS p-sub CNT 径 0.4um 幅 L 1um 当たりCNT1 個配置 L(FG)-CNT 合わせ余裕 0.3um Silicide-CNT 合わせ余裕 0.6um(N+ N-) 0.7um(Poly-Si) N- 抵抗のN+ の長さ 0.3um CNT- 合わせ余裕 0.4um (55)

57 FEOL 抵抗 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 L High Low sub W X-cord 1-1 N-R_1x5_ N-R_1x10_ N-R_1x20_ N-R_1x30_ N-R_2x5_ N-R_2x10_ N-R_2x20_ N-R_5x5_ N-R_5x10_ N-R_5x20_ N+R_1x5.6_ N+R_1x10.6_ N+R_1x20.6_ N+R_5x5.6_ N+R_5x10.6_ N+R_5x20.6_ Poly-SiR_1x5_ Poly-SiR_1x10_ Poly-SiR_1x20_ Poly-SiR_2x5_ Poly-SiR_2x10_ Poly-SiR_2x20_ Poly-SiR_5x5_ Poly-SiR_5x10_ Poly-SiR_5x20_ (56)

58 FEOL 抵抗 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 L High Low sub W X-cord 2-1 N-R_1x5_ N-R_1x10_ N-R_1x20_ N-R_1x30_ N-R_2x5_ N-R_2x10_ N-R_2x20_ N-R_5x5_ N-R_5x10_ N-R_5x20_ N+R_1x5.6_ N+R_1x10.6_ N+R_1x20.6_ N+R_5x5.6_ N+R_5x10.6_ N+R_5x20.6_ Poly-SiR_1x5_ Poly-SiR_1x10_ Poly-SiR_1x20_ Poly-SiR_2x5_ Poly-SiR_2x10_ Poly-SiR_2x20_ Poly-SiR_5x5_ Poly-SiR_5x10_ Poly-SiR_5x20_ (57)

59 CNT 抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 CNT 0.4um P+ 型 CNT 1um P+ 型 CNT 0.4um Poly-Si 型 CNT 1um Poly-Si 型 CNT 0.4um N+ 型 CNT 1um N+ 型 CNT 0.4um N- 型 CNT 1um N- 型 (58)

60 CNT 抵抗 ( その 1) SP(Silicide なし領域 ) High FG(Poly-Si) High Low V1 Low CNT0.4um V2 W(CNT) LOCOS Silicide p-sub Poly-Si 型 (CNT=0.4um) P(P+) Poly-Si L(Active) V1 V2 CNT 径 0.4um と 1um の抵抗を 4 端子で測定 FG-CNT, L-CNT, CNT- の合わせ余裕は CNT 径と同じ CNT1um No. 素子名 Pad 番号 CNT 径 High V1 V2 Low CNT 間距離 W(CNT) Silicide P+ SP(Silicide なし領域 ) P+ 型 (CNT=1um) Silicide 間距離 LOCOS X-cord p-sub 1-1 CNTR_0.4_Poly-Si_ CNTR_1_Poly-Si_ CNTR_0.4_P+_ CNTR_1_P+_ CNTR_0.4_Poly-Si_ CNTR_1_Poly-Si_ CNTR_0.4_P+_ CNTR_1_P+_ (59)

61 CNT 抵抗 ( その 2) SP(Silicide なし領域 ) L(Active) High Low CNT0.4um W(CNT) N2(N+) N1(N ー ) Silicide LOCOS N ー N+ p-sub N+ 型 (CNT=0.4um) SP(Silicideなし領域 ) L(Active) N1(N ー ) V1 V2 CNT1um N2(N+) L-CNT, CNT- の合わせ余裕は CNT 径と同じ Silicide と N- の間 (N+) の距離は 0.4um(CNT0.4um) 0.5um (CNT1um) W(CNT) Silicide N- N+ N- 型 (CNT=1um) LOCOS p-sub No. 素子名 Pad 番号 CNT 径 High V1 V2 Low CNT 間距離 Silicide 間距離 X-cord 1-1 CNTR_0.4_N+_ CNTR_1_N+_ CNTR_0.4_N-_ CNTR_1_N-_ CNTR_0.4_N+_ CNTR_1_N+_ CNTR_0.4_N-_ CNTR_1_N-_ (60)

62 シート抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 Silicide on Poly-Si 型 Silicide on N+ 型 P- 型 sub 型 N- 型 N+ 型 N+onN- 型 Poly-Si 型 (61)

63 シート抵抗 (N 型拡散抵抗 ) 42um W(CNT) Silicide 42um LOCOS N+ N- p-sub N- 型 42um 44um N+ N+ 型 N+ N- 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um Silicide N+ N- N- N+ on N- 型 46um Silicide on N+ 型 p-sub No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_N-_ SheetR_N+_ SheetR_N+onN-_ SheetR_SilicideonN+_ SheetR_N-_ SheetR_N+_ SheetR_N+onN-_ SheetR_SilicideonN+_ (62)

64 シート抵抗 (P 型拡散抵抗 ) 42um W(CNT) Silicide 42um LOCOS 42um P+ P- 型 p-sub W(CNT) Silicide LOCOS P+ Sub 型 p-sub P- 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_P-_ SheetR_sub_ SheetR_P-_ SheetR_sub_ (63)

65 シート抵抗 (Poly-Si 抵抗 ) 44um W(CNT) 44um LOCOS Silicide Poly-Si Poly-Si 型 p-sub 44um 46um Silicide LOCOS Poly-Si Silicide on Poly-Si 型 Poly-Si 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_Poly-Si_ SheetR_SilicideonPoly-Si_ SheetR_Poly-Si_ SheetR_SilicideonPoly-Si_ (64)

66 リングオシレータ /CNT チェーン左側配置図赤字は詳細説明無 X-cord X-cord 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.5x10 21 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 N- 型 CNT チェーン Silicide 型 CNT チェーン Poly-Si 型 CNT チェーン 11 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.3x10 Trs. 0.5x3 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.5x10 Trs. 0.5x3 11 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.3x10 Trs. 0.3x4 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.5x10 Trs. 0.3x4 5 段 N- 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 N- 1x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上配線無し 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上 配線 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上 M2 配線 (65)

67 リングオシレータ /CNT チェーン右側配置図赤字は詳細説明無 X-cord X-cord 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 21 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 N- 型 CNT チェーンダミー Silicide 型 CNT チェーンダミー Poly-Si 型 CNT チェーンダミー つづら CNT チェーンダミー 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.6x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.6x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 1x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 1x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.6x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 1x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.6x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 1x10 (66)

68 リングオシレータ 5 段 ( その 1) CNT1um Poly-Si Vdd out クロスライン部 sub へ 出力バッファ 負荷 Poly-Si 抵抗 / N- 抵抗 sub 幅 1um インバータの負荷と MOS トランジスタの詳細についてはそれぞれの単品の項目参照 MOSTrs. インバータ部 No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv5_Trs0.3x10_N-1x N RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x PoSi RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.5x10_N-1x N RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x PoSi (67)

69 リングオシレータ 5 段 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 7 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x PoSi RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs1x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x PoSi RO_Lv5_Trs1x10_PR1x PoSi (68)

70 リングオシレータ 11 段 Vdd out Poly-Si インバータ (11 段 ) 出力バッファ sub No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv11_Trs0.3x10_N-1x N RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x PoSi RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x PoSi RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs1x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs1x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.5x10_N-1x N RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x PoSi RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x PoSi (69)

71 リングオシレータ 21 段 sub へ Via 0.25um sub out インバータ (21 段 ) M2 Vdd No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv21_Trs0.5x10_N-1x N RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x PoSi RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x PoSi RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x PoSi (70)

72 N- 型 CNT チェーン L(Active)+N1(N-) 1um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um N2(N+) SP(Silicideなし領域 ) N+ N- Silicide W(CNT) LOCOS p-sub CNT 径 0.4um Lの幅 (N+/N-/Silidide) 1um の幅 1.2um CNTの間隔 2.8um N+ の間隔 (N-の長さ) 1um Silicideの間隔 (SPの長さ) 1.6um Silicide N-(N1) N+(N2) p-sub ダミー 1(Silicide N+ N- つづら抵抗 ) LOCOS p-sub ダミー 2( つづら抵抗 ) No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 N- 全長 (mm) High Low N+ 全長 (mm) Silicide 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 N-CNTchain k N-CNTchain_dummy N-CNTchain_dummy (71)

73 Silicide 型 CNT チェーン L(Active)+N1(N-)+N2(N+) 2.8um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um Silicide W(CNT) LOCOS p-sub N+(N2) N-(N1) CNT 径 0.4um Silicideの幅 1um の幅 1.2um CNT(Silicide/) の間隔 2.8um Silicide N+(N2) N-(N1) ダミー (Silicide つづら抵抗 ) No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 Silicide High Low 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 SilicideCNTchain k SilicideCNTchain_dummy (72)

74 Poly-Si 型 CNT チェーン FG(Poly-Si) 2.8um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um SP(Silicideなし領域 ) Silicide Poly-Si W(CNT) LOCOS p-sub Silicide CNT 径 0.4um Poly-Si の幅 1um の幅 1.2um LOCOS Poly-Si p-sub ダミー (Silicide/Poly-Siつづら抵抗) CNT() の間隔 2.8um Silicide の間隔 (Poly-Si の長さ ) 1.6um No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 Poly-Si High Low 全長 (mm) Silicide 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 Poly-SiCNTchain k Poly-SiCNTchain_dummy (73)

75 櫛 / つづら付リングオシレータ配置図赤字は詳細説明無 上 2 行が 21 段櫛付で誘電率評価用 下 2 行が 11 段つづら抵抗付でディッシング評価用 PR1x30 負荷の Poly-Si 抵抗の寸法 1x30um MOSTrs. はすべて 0.5x10um PR1x30 櫛 0.2x300 21/20 PR1x30 櫛 0.2x300 11/10 PR1x30 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 21/20 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 11/10 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 櫛 0.2x300 15/16 PR1x30 櫛 0.2x300 5/6 PR1x30 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 15/16 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 5/6 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 櫛 0.2x300 21/20 PR1x15 櫛 0.2x300 11/10 PR1x15 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 21/20 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 11/10 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 櫛 0.2x300 15/16 PR1x15 櫛 0.2x300 5/6 PR1x15 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 15/16 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 5/6 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 つづら 0.2x9k PR1x30 つづら 0.2x3k PR1x30 つづら 0.2x0 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー左側 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー両側 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x9k PR1x15 つづら 0.2x3k PR1x15 つづら 0.2x0 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー右側 (74)

76 櫛付リングオシレータ 21 段 300um 櫛 Poly-Si 抵抗 MOSTrs. 0.5x10um インバータ (21 段 ) M2 櫛歯数 21/20 櫛歯数 11/10 櫛歯数 0/0 層間 Low-k 誘電率測定用 各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている MOSTrs. 寸法 0.5x10um 櫛長さ 300um 櫛 0.2umは固定 櫛歯数とPoly-Si 抵抗の寸法が変動 No. 素子名 Pad 番号櫛歯数 PoSi 寸法 X-cord Vdd out sub 上側下側 W L 1 RO_Lv21_Comb41_PR1x RO_Lv21_Comb31_PR1x RO_Lv21_Comb21_PR1x RO_Lv21_Comb11_PR1x RO_Lv21_Comb0_PR1x RO_Lv21_Comb41_PR1x RO_Lv21_Comb31_PR1x RO_Lv21_Comb21_PR1x RO_Lv21_Comb11_PR1x RO_Lv21_Comb0_PR1x (75)

77 M2 櫛付リングオシレータ 21 段 M2 櫛 Via 0.25um 2x2 個 櫛歯数 21/20 櫛歯数 11/10 櫛歯数 0/0 M2 層間 Low-k 誘電率測定用 各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている MOSTrs. 寸法 0.5x10um 櫛長さ 300um 櫛 0.2um は固定 櫛歯数と Poly-Si 抵抗の寸法が変動 No. 素子名 Pad 番号櫛歯数 PoSi 寸法 X-cord Vdd out sub 上側下側 W L 1 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x RO_Lv21_M2Comb31_PR1x RO_Lv21_M2Comb21_PR1x RO_Lv21_M2Comb11_PR1x RO_Lv21_M2Comb0_PR1x RO_Lv21_M2Comb41_PR1x RO_Lv21_M2Comb31_PR1x RO_Lv21_M2Comb21_PR1x RO_Lv21_M2Comb11_PR1x RO_Lv21_M2Comb0_PR1x (76)

78 アンテナ TEG( 大 ) 配置図 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 120 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 120 (77)

79 アンテナ TEG( 小 ) 配置図 赤字は詳細説明無 MOSTrs. 10x10 アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x1 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 1x1 MOS 容量 L 型 2x2 MOS 容量 FG 型 2x2um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x3 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 3x3 MOS 容量 L 型 10x10 MOS 容量 FG 型 3x3um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x10 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 9 MOS Trs. 0.5x1 MOS 容量 FG 型 2x2 MOS 容量 FG 型 10x10um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 1x10 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 FG 型 3x3 MOS 容量 FG 型 10x10 MOSTrs. 10x10 アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x1 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 2x2um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x3 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 3x3um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x10 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 10x10um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 1x10 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 22 (78)

80 アンテナ TEG( その 1) MOS 容量のゲート側に測定 PAD が連なりアンテナ PAD を構成 MOS 容量の寸法とアンテナ PAD の個数が変化 アンテナ比は MOS 容量のエッチング デポ 洗浄による壊れやすさの指標 アンテナ比 = ゲート電極 ( アンテナ PAD) の面積 ゲート絶縁膜の面積 gate アンテナ PAD 測定 PAD と MOS 容量の詳細は各項目を参照 L 型 MOS 容量 sub No. 素子名 Pad 番号 MOS 容量 寸法 アンテナ PAD 数 アンテナ比 (/gate 面積 ) X-cord gate sub L W 1 Antenna_1x1_PAD k Antenna_2x2_PAD k Antenna_3x3_PAD k Antenna_10x10_PAD k (79)

81 アンテナ TEG( その 2) No. 素子名 Pad 番号 MOS 容量 寸法 アンテナ PAD 数 アンテナ比 (/gate 面積 ) X-cord gate sub L W 5 Antenna_1x1_PAD k Antenna_2x2_PAD k Antenna_3x3_PAD k Antenna_10x10_PAD k Antenna_1x1_PAD k Antenna_2x2_PAD k Antenna_3x3_PAD k Antenna_10x10_PAD k Antenna_1x1_PAD k Antenna_2x2_PAD k Antenna_3x3_PAD k Antenna_10x10_PAD k Antenna_1x1_PAD k Antenna_2x2_PAD k (80)

82 腐食 TEG 配置図 赤字は詳細説明無 小 PN 接合型 100x100um 細線 0.2x126um つづら PN 接合型 100x100um 0.2um TL=5544um 小 sub 型 100x100um 細線 0.2x126um つづら sub 型 100x100um 0.2um TL=5544um 小ダミー 100x100um 細線 0.2x126um つづらダミー 100x100um 0.2um TL=5544um SEM 用 sub 3x3 0.2um SEM 用 sub 12x12 0.2um SEM 用 減 sub 100x um SEM 用 sub 3x3 1um SEM 用 sub 12x12 1um SEM 用 sub 100x100 1um SEM 用ダミー 3x3 0.2um SEM 用ダミー 12x12 0.2um SEM 用ダミー 100x um SEM 用パッド付 sub 3x3 0.2um SEM 用パッド付 sub 12x12 0.2um SEM 用パッド付 減 sub 100x um SEM 用パッド付 減 sub 100x100x10 0.2um SEM 用パッド付 sub 3x3 1um SEM 用パッド付 sub 12x12 1um SEM 用パッド付 減 sub 100x100 1um 小拡散層大 sub 型 100x100x10 細線 0.2x126um 小拡散層大ダミー 100x100x10 細線 0.2x126um SEM 用 PN 接合 2x2 0.2um SEM 用 PN 接合 10x10 0.2um SEM 用 減 PN 100x um SEM 用 PN 接合 2x2 1um SEM 用 PN 接合 10x10 1um SEM 用 減 PN 100x100 1um SEM 用ダミー 2x2 1um SEM 用ダミー 10x10 1um SEM 用ダミー 100x100 1um SEM 用パッド付 PN 接合 2x2 0.2um SEM 用パッド付 PN 接合 10x10 0.2um SEM 用パッド付 減 PN 100x um SEM 用パッド付 減 PN 100x100x10 0.2um SEM 用パッド付 PN 接合 2x2 1um SEM 用パッド付 PN 接合 10x10 1um SEM 用パッド付 減 PN 100x100 1um 小拡散層大 PN 接合型 100x100x10 細線 0.2x126um (81)

83 腐食 TEG( つづら ) PN 接合型 づづら抵抗 100x100um の L 型 PN 接合 CNT P(P+) sub 型 つづら抵抗の片側に 100x100um の N+orP+ 拡散層が接続 つづらは 0.2um で全長 5544um PN 接合につながっているづつらは電池効果により腐食し抵抗が上がる ダミーは拡散層と CNT を抜いた構造 ダミー No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100_Serp 7 5 PN 接合 Corrosion_sub100x100_Serp sub Corrosion_dummy100x100_Serp ダミー (82)

84 腐食 TEG( 小 ) なし測定 PAD 細線と PAD の Via 接続部 細線 細線と拡散層の CNT 接続部 細線と接続しない CNT と 配線が存在 PN 接合型 sub 型 細線 ( 幅 0.2um, 長さ 124um) の片側に 100x100um の N+orP+ 拡散層が接続 細線の腐食効果を上げるため測定 PAD の 部分と PN 接合の無駄な を省いた ダミー No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100_LINE 3 1 PN 接合 Corrosion_sub100x100_LINE 11 9 sub Corrosion_dummy100x100_LINE ダミー (83)

85 腐食 TEG( 小 拡散層大 ) なし測定 PAD 細線と PAD の Via 接続部 ダミー 細線の腐食効果を上げるため 100x100um の拡散層を 10 個接続 PN 接合型 ダミーは拡散層とダミーの CNT と を省いた構造 No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100x10_LINE PN 接合 Corrosion_sub100x100x10_LINE sub Corrosion_dummy100x100x10_LINE ダミー (84)

86 配線つづら配置図 M2 0.2/0.2 40cm0 M2 0.3/0.2 10cm M2 0.2/0.3 10cm M / cm M / cmm M2 0.2/0.2 10cm /0.2 10cm 0.2/0.3 10cm 0.35/ cm 0.25/ cmm 0.2/0.2 10cm 2 0.2/0.2 20cm 0.25/ cmm 0.35/ cm 3 4 M2 0.2/0.2 20cm M2 0.25/ cmm M2 0.35/ cm 赤字は詳細説明無 (85)

87 つづら抵抗 1um 引出線 1um 引出線の長さ 418um(High 側 ) 27um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 M2Serp_0.3_0.2_10cm M M2Serp_0.2_0.3_10cm M M2Serp_0.35_0.35_10cm M M2Serp_0.25_0.25_10cm M M2Serp_0.2_0.2_10cm M Serp_0.3_0.2_10cm Serp_0.2_0.3_10cm Serp_0.35_0.35_10cm Serp_0.25_0.25_10cm Serp_0.2_0.2_10cm Serp_0.2_0.2_20cm Serp_0.25_0.25_20cm Serp_0.35_0.35_20cm M2Serp_0.2_0.2_20cm M M2Serp_0.25_0.25_20cm M M2Serp_0.35_0.35_20cm M (86)

88 櫛型容量配置図 1 櫛 0.2/ mm 櫛 0.25/ mm 櫛 0.35/ mm 櫛 0.2/ mm 櫛 0.3/ mm M2 櫛 0.2/ mm M2 櫛 0.25/ mm M2 櫛 0.35/ mm M2 櫛 0.2/ mm M2 櫛 0.3/ mm 3 櫛 0.2/ mm 櫛 0.25/ mm 櫛 0.35/ mm 櫛 0.2/ mm 櫛 0.3/ mm 4 M2 櫛 0.2/ mm M2 櫛 0.25/ mm M2 櫛 0.35/ mm M2 櫛 0.2/ mm M2 櫛 0.3/ mm 3 4 (87)

89 櫛型容量 (100mm) 10um 5um 引出線の幅 10um 引出線の長さ 200um(High 側 ) 1700um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 Comb_0.2_0.2_100mm Comb_0.25_0.25_100mm Comb_0.35_0.35_100mm Comb_0.2_0.3_100mm Comb_0.3_0.2_100mm M2Comb_0.2_0.2_100mm M M2Comb_0.25_0.25_100mm M M2Comb_0.35_0.35_100mm M M2Comb_0.2_0.3_100mm M M2Comb_0.3_0.2_100mm M (88)

90 櫛型容量 (200mm) 10um 5um 引出線の幅 10um 引出線の長さ 200um(High 側 ) 2700um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 Comb_0.2_0.2_200mm Comb_0.25_0.25_200mm Comb_0.35_0.35_200mm Comb_0.2_0.3_200mm Comb_0.3_0.2_200mm M2Comb_0.2_0.2_200mm M M2Comb_0.25_0.25_200mm M M2Comb_0.35_0.35_200mm M M2Comb_0.2_0.3_200mm M M2Comb_0.3_0.2_200mm M (89)

91 層間容量 / ビアチェーン配置図 赤字は詳細説明無 層間櫛 10mm 0.2/0.2 層間櫛 10mm 0.25 /0.25 層間櫛 10mm 0.35/ 0.35 層間櫛 10mm 0.2/0.3 層間櫛 10mm 0.3/0.2 層間櫛 10mm 0.2/0.7 層間櫛タ ミー小 層間櫛タ ミー大 Via Chain VD 0.25um 10k Via Chain VD 0.25um 10k (90)

92 ビアチェーン 0.5um 0.75um 0.25um 接続されているビア部 No. 素子名 Pad 番号ビア径 High Low ビア間隔 ビア数 配線幅 X-cord 1 ViaChain_0.25_10k k ViaChain_0.25_10k (91)

93 SEM 観察用 MOS トランジスタ全体図 0.2 x x x x x x10 異なるゲート長を持つ MOS トランジスタ 3 列 1 セットをずらしながら配置した構造 適当に割っても SEM によるゲートの観察が可能 (92)

94 SEM 観察用 FEOL/ ライン配置図 ラインは FEOL ラインの上層に存在 Active 0.5/ 0.5um Active 1/1um Active 5/5um Poly-Si 0.2/ 0.4um Poly-Si 0.5/ 0.5um Poly-Si 1/1um N- 1/1um N+ 1/1um P+ 1/1um SP 1/1u m CNT 直径 0.4um CNT 直径 1um 0.2/ 0.2um 0.2/ 1.8um 2/2um 20/20um (93)