テクノフロンティア2013 パネル
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- つかさ いせき
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1 PWM type AC/DC converter IC BM1PXXX series PWM Flyback converter Technical Design このアプリケーションノートは BM1PXXX シリーズを使用した PWM フライバックコンバータ方式の設計事例について説明します 概要 BM1PXXX シリーズは 650V 耐圧起動回路を内蔵した PWM 方式のスイッチング電源用 IC です スイッチング用 MOSFET 電流検出抵抗を外付けにすることで自由度の高い電源設計を実現します 起動回路の内蔵 軽負荷時のスイッチング周波数低減機能を有することで 省電力 高効率化に貢献します また 絶縁 / 非絶縁回路のどちらにも対応可能です 主な特長 PWM 周波数 65kHz/100kHz( 周波数ホッピング機能有り )/ カレントモード方式軽負荷時バースト動作 / 周波数低減機能 650V 起動回路内蔵 VCC 端子低電圧保護 / 過電圧保護 CS 端子オープン保護 Leading-Edge-Blanking 機能サイクルごとの過電流リミッタ機能過電流リミッタ AC 補正機能ソフトスタート機能 重要特性動作電源電圧範囲 ::VCC:8.9V to 6.0V VH: to 600V 動作電流通常時 :0.60mA (Typ.) バースト時 :0.35mA(Typ.) 動作温度範囲 :-40 to +85 (*) 製品構造 : シリコンモノシリック集積回路耐放熱設計はしておりません BM1PXXX シリーズラインアップ 製品名パッケージ PWM 周波数 VCC OVP BM1P061FJ BM1P06FJ BM1P101FJ BM1P10FJ SOP-J8 65kHz 100kHz 自動復帰ラッチ停止自動復帰ラッチ停止 アプリケーション ACアダプタ TV 各種家電( 掃除機, 加湿器, 空気清浄機, エアコン, 冷蔵庫,IH クッキングヒーター, 炊飯器, etc.) 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/ Rev.A
2 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 1. 絶縁型 Flyback コンバータ DCM( 電流不連続 ) モード設計事例 Vin AC85V -64V Filter D1 800V 0.1A D 800V 0.1A DA1 C1 450V 100uF D4 RB160L-60 R6 150 R4 75k W Q1 R8005ANX R5 10 R7 100k C3 3300pF 500V D3 FRD 800V 0.5A C11 Lp T1 Ns C1 R17 D6 RF1001TD C7 35V 1000uF C8 35V 1000uF Vout 1V 3A GND R8 0. 1W R 3.9M R1 10k IC1 BM1P061FJ R10 C 50V 10uF R9 10 D5 RF05VAS Nd R11 k R1 1k R14 43k R15.7k C10 R3 39k C5 47pF C4 1000pF C6 PC1 PC C9 0.1uF U TL431 R13 1k R16 1k 図 1-1. 絶縁型 Fly back 回路例 <Fly Back コンバータ基本動作 > 1 スイッチング Turn ON 時 スイッチング Turn OFF 時 VIN Ns OFF VIN Ns ON Ip Lp Ls Lp Ls Is ON OFF MOSFET が ON すると トランスの一次側巻線 Lp に電流 Ip が流れ エネルギーが蓄えられます この時 ダイオードは OFF しています MOSFET が OFF すると 蓄えられたエネルギーがトランスの二次側巻線 Ls からダイオードを通じて出力されます この時 MOSFET は OFF しています VIN Ip ton Lp VO Is Ip toff Ns Ls Ns ton VO VIN toff 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. / Rev.A
3 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 1-1. トランス ;T1 の設計 フライバック電圧 VOR の決定フライバック電圧 VOR を決定して 巻数比 :Ns Duty 比を求めます ton VOR VO VIN Ns toff VOR Ns VO VOR Duty VIN VOR VIN VOR VIN=95V(AC85Vx1.4x0.8) VOR=65V Vf=1V とすると VOR VOR 65V 5 Ns VO Vout Vf 1V 1V VOR 65V Duty(max) VIN(min) VOR 95V 65V GND 図 1-.MOSFET Vds (*)Duty が 0.5 以上の場合は 0.5 以下になるように VOR を調整します 二次側巻線インダクタンス Ls 二次側の最大電流 Ispk の算出電源効率を考慮して Iomax=Io x 1. =3.6A とすると Ls< Vout Vf 1- Duty Iomaxfswmax 1V1V A70kHz 9.1uH Iomax 3.6A Ispk 1.1A 1- Duty(max) 図 1-3. 一次側電流波形と二次側電流波 一次側巻線インダクタンス Lp 一次側の最大電流 Ippk の算出 Lp Ls Ns 9.1uH5 8uH Ns 1 Ippk Ispk 1.1A.4A トランスサイズの決定 Po=36W より トランスのコアサイズを EER8 とします 表 1-1. 出力電力とトランスコア 出力電力 Po(W) コアサイズ コア断面積 Ae(mm ) ~30 EI5/EE5 41 ~60 EI8/EE8/EER8 84 (*) 上記の値は目安です 詳細はトランスメーカー等にご確認ください 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 3/ Rev.A
4 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 一次側巻線数 の算出 VINton LpIppk AeBsat AeBsat 一般的なフェライトコアの磁束密度 B(T) の最大値は となっておりますので Bsat=0.3T とします Lp Ippk 8uH.4A 1.9 turns Ae Bsat 84mm 0.3T は ターン以上にします 磁気飽和を起こさないために AL-Value-NI 特性から を設定します AL-Value=150nH/turns とすると Lp 8uH 38.9turns AL - Value 150nH/turns NI Ippk 40turns.4A 96.8A turns 40 ターンとします EER8 の AL-Value-NI 特性から許容範囲であることを確認します 許容範囲から外れる場合には を調整します AL-Value=150nH/turns NI=96.8A turns 二次側巻線数 Ns の算出 図 1-4.EER8 AL-Value-NILimit 特性 (JFE MB3 EER8.5A) 5 Ns 40 Ns 8 turns 5 8 ターンとします VCC 巻線数 Nd の算出 VCC=15V Vf_vcc=1V とすると VCC Vf_vcc 15V1V Nd Ns 8turns 9.85turns Vout Vf 1V1V 10ターンとします これより トランス仕様は以下となります 表 1-. トランス仕様 ( 参考 ) Core JFE MB3 EER8.5A or compatible Lp 8 uh 40 turns Ns 8 turns Nd 10 turns 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 4/ Rev.A
5 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 1-. 主要部品選定 1--1.MOSFET;Q1 MOSFET の選定には 最大ドレイン-ソース間電圧 ピーク電流 Ron による損失 パッケージの最大許容損失などを考慮します 特に ワールドワイド入力 (AC85V-AC64V など ) の場合 低入力電圧時に MOSFET の ON 時間が長くなり Ron 損失による発熱が大きくなります 製品に組み込んだ状態にて確認を行い 必要に応じてヒートシンク等の放熱を行って下さい 本設計例では ワールドワイド入力 Ippk=.4A から R8005ANX(800V 5A 1.6Ω) とします 1--. 入力コンデンサ ;C1 入力コンデンサ容量は表 1-3 より選定します Pout=1Vx3A=36W より C1:x36=7 100uF とします 表 1-3. 入力コンデンサ選定表入力電圧 (Vac) Cin(uF) X Pout(W) x Pout(W) (*) 上記の値は全波整流時の目安です 保持時間などの仕様に合わせて選定して下さい コンデンサの耐圧は Vac(max) x 1.41 となります AC64V の場合 64V x 1.41 = 37V ですので 400V 以上とします 電流検出抵抗 ;R8 電流検出抵抗は 一次側に流れる電流を制限し 出力の過負荷に対して保護する目的と 電流モード制御のスロープ補償に使用します このため トランスの一次側インダクタンスや入力電圧により制限を受ける場合があります また BM1PXXX シリーズは 過負荷保護に AC 電圧補正機能を内蔵しております これは 入力電圧の違い (AC100V と AC00V など ) により 過負荷保護ポイントのズレを補正します Duty Vcs 0mV/us Vcs_limit Vcs ton 0mV/us R8 fsw Ippk Ippk Ippk V 0mV/us 65kHz 0.17 Ω 0. Ωとします.4A 過負荷保護ポイントにつきましては 製品に組み込んだ状態での確認をお願いします また 検出抵抗の損失 P_R8 は P_R8(peak) Ippk R W P_R8(rms) Iprms R8 Ippk Duty 3 R W 耐パルス性を考慮して 1W 以上とします 耐パルスにつきましては 同じ電力定格でも抵抗の構造等によって変わる場合があります ご使用になる抵抗メーカーにご確認ください 1--4.VCC 用ダイオード ;D5 VCC 用ダイオードは高速ダイオードを推奨します VCC 用ダイオードに印加される逆電圧は Nd Vdr VCC(max) +VINmax VCC(max)=9V とすると 10 Vdr 9V+37V 1V 40 マージンを考慮して 1.5V/0.7=175V 00V 品を選定します ( 例. ローム RF05VAS 00V 0.5A) 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 5/ Rev.A
6 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 1--5.VCC 用コンデンサ ;C VCC 用コンデンサは IC の VCC 電圧を安定させるために必要です 容量は.uF 以上を推奨します ( 例.50V 10uF) また 電源投入時の IC の起動時間を決定します VCC 用コンデンサ容量と起動時間の特性は図 1-5 の通りです 図 1-5. 起動時間 ( 参考値 ) 1--6.VCC 巻線用サージ電圧制限抵抗 ;R9 トランスのリーケージ インダクタンス (Lleak) により MOSFET がオンからオフになった瞬間 大きなサージ電圧 ( スパイクノイズ ) が発生します このサージ電圧が VCC 巻線に誘起され VCC 電圧が上昇して IC の VCC 過電圧保護にかかる場合があります VCC 巻線に誘起されるサージ電圧を軽減するために制限抵抗 R(5~Ω 程度 ) を挿入します VCC 電圧の上昇につきましては 製品に組み込んだ状態での確認をお願いします スナバ回路 ;C3,D3,R4 トランスのリーケージ インダクタンス (Lleak) により MOSFET がオンからオフになった瞬間 大きなサージ電圧 ( スパイクノイズ ) が発生します このサージ電圧は MOSFET のドレイン-ソース間に印加されるため 最悪の場合 MOSFET の破壊に至る場合がございます このサージ電圧を抑制するためにRCD スナバ回路を推奨いたします 1クランプ電圧 (Vclamp) クランプ Ripple 電圧 (Vripple) の決定クランプ電圧は MOSFET の耐圧からマージンを考慮して決定します Vclamp=800V x 0.8 = 640V クランプRipple 電圧 (Vripple) は 50V 程度にします R4 の決定 Vclamp R4 Vclamp Lleak Ip - VOR fsw(max) Lleak=Lp x 10% = 8uH x 10% = 3uH とすると 640V - 65V R4 640V 3uH.4 70kHz 78k Ω 75k Ωとします R4 の損失 P_R4 は P_R4 Vclamp - VIN R4 3C3 の決定 Vclamp C3 Vripple fsw(min) 75k Ω となります マージンを考慮して W 品とします 0.96W 640V R4 50V 60kHz 844pF 75k Ω 3300pF とします C3 にかかる電圧は 640V-64x1.41=68V となります マージンを考慮して 400V 以上とします 4D3 の決定ダイオードはファストリカバリーダイオードをご使用下さい 耐圧は MOSFET の Vds(max) 以上の電圧にします サージ電圧は トランスのリーケージ インダクタンスの他に 基板のパターンの影響も受けます 製品に組み込んだ状態にて Vds 電圧の確認を行い 必要に応じてスナバ回路の調整を行って下さい 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 6/ Rev.A
7 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 出力整流ダイオード ;D6 出力整流ダイオードは 高速ダイオード ( ショットキーバリヤダイオード ファストリカバリーダイオード ) を使用してください 出力ダイオードに印加される逆電圧は, Ns Vdr Vout(max) +VINmax となります Vout(max)=1V+5%=1.6V とすると Vdr 1.6V+37V V マージンを考慮して 87.4V/0.7=15V 00V 品を選定します また ダイオードの損失 ( 概算値 ) は Pd=Vf x Iout=1V x 3A=3W となります ( 例. ローム RF1001TD:00V 10A, TO-0F パッケージ ) 電圧マージンは 70% 以下 電流は 50% 以下で使用することを推奨します 製品に組み込んだ状態にて温度上昇の確認を行い 必要に応じて部品の再検討 ヒートシンク等の放熱を行って下さい 出力コンデンサ ;C7,C8 出力コンデンサは 出力負荷で許容可能な Peak to Peak の Ripple 電圧 (ΔVpp) と Ripple 電流で決まります MOSFET がオンの時 出力ダイオードはオフ状態です この時 出力コンデンサから負荷に電流を供給します MOSFET がオフの時に出力ダイオードはオン状態になり この時に出力コンデンサにチャージするとともに負荷電流も供給します ΔVpp=00mV とすると ΔVpp Z_C< Ispk 0.V 1.1A Ω at 60kHz (fsw min) 一般的なスイッチング電源用電解コンデンサ ( 低インピーダンス品 ) では インピーダンスは 100kHz で規定されていますので 100kHz に換算します Z_C < Is(rms) Ispk Ω Ripple 電流 Is(rms) は 1 - Duty A Ω at kHz 5.384A コンデンサの耐圧は 出力電圧の 倍程度を目安にします Vout x = 1V x = 4V 5V 以上とします これらの条件に合う電解コンデンサを選定してください ( 例. スイッチング電源用の低インピーダンスタイプ 35V 1000uF x パラ ) (*) 実際の Ripple 電圧 Ripple 電流は実機での確認をお願いします MOSFET ゲート回路 ;R5,R6,D4 MOSFET のゲート回路は MOSFET の損失 ノイズに影響します スイッチングターンオン時のスピードは R5+R6 ターンオフ時は引き抜き用ダイオード D4 を通じて R5 で調整します ( 例.R5:Ω 0.5W R6:150Ω D4:SBD 60V 1A) DCM( 電流不連続 ) モードの場合 スイッチング損失は 基本的にはターンオン時は発生せず ターンオフ時の損失が支配的となります ターンオフ時のスイッチング損失を軽減するためには R5 を小さくしてターンオフスピードを上げることになりますが 急峻な電流変化となりスイッチングノイズが大きくなります 損失 ( 発熱 ) とノイズはトレードオフの関係にありますので 製品に組み込んだ状態にて MOSFET の温度上昇とノイズ測定を行い 必要に応じて調整を行って下さい また R5 にはパルス電流が流れますので ご使用になる抵抗の耐パルス性をご確認下さい 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 7/ Rev.A
8 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design AC 起動 / 停止電圧設定 ;R,R3 BM1PXXX はブラウンアウト / イン機能を内蔵しております AC 起動 / 停止電圧は R,R3 にて調整します ACMONI 端子しきい値 ; 上昇時 1.0V 下降時 0.7V より AC ON 電圧 1.0V 1.41 R R3 R3 AC OFF 電圧 0.7V 1.41 R R3 R3 R=3.9MΩ R3=39kΩとします この時 AC ON 電圧 =AC7V AC OFF 電圧 =AC50V となります 1-3.EMI 対策 EMI 対策としましては 以下をご確認ください (*) 定数は参考値です ノイズの影響により調整してください 入力部にフィルタ追加 一次側と二次側間にコンデンサ追加(C10;Y-Cap 00pF 程度 ) MOSFET の DS 間にコンデンサ追加 (C11;1kV 10~100pF 程度 ) (DS 間にコンデンサを追加した場合 損失が増加します 温度上昇を確認して調整して下さい ) ダイオードに RC スナバ追加 (C1;500V 1000pF, R17;10Ω 1W 程度 ) 1-4. 出力ノイズ対策出力ノイズ対策としましては 出力に LC フィルタ (L;10uH C10;10uF~100uF 程度 ) を追加して下さい (*) 定数は参考値です ノイズの影響により調整してください 図 1-6.LC フィルタ追加回路 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 8/ Rev.A
9 BMP0XX series PWM Flyback converter Technical Design 1-5. レイアウト案本回路のレイアウト案 ( 一例 ) を図 1-7 に示します 片面基板 リード部品面視 赤字部品は表面実装部品になります DA1 C1 C3 R4 T1 Heat sink Vin N D3 Vin L Q1 D6 R7 C7 D1 JP D R1 R R8 JP R3 C5 Heat sink JP IC1 C C4 PC1 C10 IC C8 JP GND Vout 90mm 図 1-7. レイアウト案 ( 一例 ) 013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 9/ Rev.A
10 Notice ROHM Customer Support System ROHM Co., Ltd. All rights reserved. R110A
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Quasi-Resonant type AC/DC converter IC BMQ0XX series Quasi-Resonant converter Technical Design このアプリケーションノートは BMQ0XX シリーズを使用した擬似共振コンバータ方式の設計事例について説明します 概要 BMQ0XX シリーズは 650V 耐圧起動回路を内蔵した擬似共振方式のスイッチング電源用
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AC/DC コンバータ設計セミナー 第 1 回 AC/DC 変換の基礎 2013 年 9 月 11 日 LSI 商品開発本部グリーン IT モーション East ユニットアプリケーション East G AC/DC 変換の基礎アジェンダ 2 1. AC/DC 変換の基本 2. 平滑後の DC/DC 変換 ( 安定化 ) 方式 3. AC/DC 変換回路設計の設計手順 ( 概要 ) 4. AC/DC 変換回路設計の課題と検討事項
降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント
スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります
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スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません
BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント
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端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,
NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ
3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵
名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET
1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
Microsoft Word - サイリスタ設計
サイリスタのゲート回路設計 サイリスタはパワエレ関係の最初に出てくる素子ですが その駆動用ゲート回路に関する文献が少なく 学 生が使いこなせないでいる ゲート回路の設計例 ( ノイズ対策済み ) をここに記しておく 基本的にサイリス タのゲート信号は電流で ON させるものです 1. ノイズ対策済みゲート回路基本回路の説明 図 1 ノイズ対策済みゲート回路基本回路 1.1 パルストランス パルストランスは
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絶縁 2 出力計装用変換器 W UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 2 出力形 ) 主な機能と特長 パルス入力信号を絶縁して各種のパルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス リレー接点パルス出力を用意 センサ用電源内蔵 耐電圧 2000V AC 密着取付可能 アプリケーション例 フィールド側のパルス信号を直流的に絶縁してノイズ対策を行う パルス出力の種類を変換 ( 例
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3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
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U-MOSⅨ-H 60V 低 VDS スパイク製品 アプリケーションノート 概要 は 最新世代の U-MOSⅨ-H プロセス製品で 主なターゲット用途は DC-DC コンバータや AC-DC コンバータの2 次側同期整流部 モータ駆動などです 当社では 先行して TPH1R306PL を 2015 年 12 月より量産しています 2 次側同期整流部やモータ駆動で使用されることが多い SOP Advance
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概要 MOSFET のドレイン - ソース間の dv / d が大きいことが問題を引き起こすことがあります この現象の発生要因とその対策について説明します 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. MOSFET の dv/d とは... 3 1.1. dv/d 発生のタイミング... 3 1.1.1. スイッチング過渡期の dv/d... 3 1.1.2. ダイオード逆回復動作時の dv/d...
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音声通信用ミキサ付き MHz 入力 45kHzFM IF 検波 IC 概要 外形 NJM59 は.8 V~9. Vで動作する低消費電流タイプの音声通信機器用 FM IF 検波 IC で IF 周波数を 45kHz ( 標準 ) としています 発振器 ミキサ IF リミッタアンプ クワドラチャ検波 フィルタアンプに加えノイズ検波回路とノイズコンパレータを内蔵しています V 特徴 低電圧動作.8V~9.V
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2STB240AA(AM-2S-H-006)_01
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
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第 5 章 推奨配線及びレイアウト 内容ページ 1. 応用回路例. 5-2 2. プリント基板設計における推奨パターン及び注意点.. 5-5 5-1 1. 応用回路例 この章では 推奨配線とレイアウトについて説明しています プリント基板設計時におけるヒントと注意事項については 以下の応用回路例をご参照下さい 図.5-1 と図.5-2 には それぞれ 2 種類の電流検出方法での応用回路例を示しており
フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2
S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています
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M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動
600 V系スーパージャンクション パワーMOSFET TO-247-4Lパッケージのシミュレーションによる解析
[17.7 White Paper] 6 V 系スーパージャンクションパワー MOSFET TO-247-4L パッケージのシミュレーションによる解析 MOSFET チップの高速スイッチング性能をより引き出すことができる 4 ピン新パッケージ TO-247-4L 背景 耐圧が 6V 以上の High Voltage(HV) パワー半導体ではオン抵抗と耐圧のトレードオフの改善を行うためスーパージャンクション
R2A20134EVB-TINW アプリケーションノート R2A20134評価ボード
R2A20134EVB-TINW R19AN0027JJ0100 Rev.1.00 1. R2A20134EVB-TINW LED LED LED R2A20134SP / / THD/ / (IEC61000-3-2 C) R2A20134SP 2. No. 1 AC85 264V ( 47 63Hz) 2 18W (max.) 3 DC55V (typ.) 4 330mA (typ.) 5 85%
TC74HC14AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC14AP,TC74HC14AF Hex Schmitt Inverter TC74HC14A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS シュミットトリガインバータです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます ピン接続 機能は TC74HCU04 と同じですが すべての入力は約
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応用電力変換工学舟木剛 第 5 回本日のテーマ交流 - 直流変換半端整流回路 平成 6 年 月 7 日 整流器 (cfr) とは 交流を直流に変換する 半波整流器は 交直変換半波整流回路 小電力用途 入力電源側の平均電流が零にならない あんまり使われていない 全波整流回路の基本回路 変圧器が直流偏磁しやすい 変圧器の負荷電流に直流分を含むと その直流分により 鉄心が一方向に磁化する これにより 鉄心の磁束密度の増大
2STB240PP(AM-2S-G-005)_02
項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗
S1F77330 シリーズ USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 S1F77330 シリーズは USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用している
USB 用バススイッチ IC 2 to 1 Bus Switch 概要 は USB アプリケーションに適したバススイッチ IC です CMOS プロセスを採用しているため 低消費電力を特徴としています パッケージは小型の WCSP を採用しているため 高密度実装への対応が可能です 本 IC の入力にレベルシフト回路内蔵のため 外付けレベルシフト回路は不要です 特長 入力電圧範囲 :3.0V~3.6V
B3.並列運転と冗長運転（PBAシリーズ）
B3. 並列運転と冗長運転について 3.1 並列運転 ( 容量アップ ) PBA(PBA300F~PBA1500F(T)) シリーズにつきまして 並列運転をすることが可能です 1 並列運転とはの容量不足を補うために複数のを並列接続し 電流容量を増加させる方法です 2 PBA10F~PBA150F のモデルにつきまして 並列運転はできません 冗長運転のみ対応ができます ( 項 3.2 参照 ) 図 3.1.1
TC74HC00AP/AF
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます
hvigbt_ipm_daidevice_1610
作成 FG 4000 G X 90 D A µ µ µµ µµ 2 TYPE CM 1200 H A - 66 H NO. E964AA1-008 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION JAPAN 3 4 5 6 7 µµ µ 8 9 p w w 10 t t p w w 11 t t 12 p w w 13 14 trr t Irr IE 0.5Irr 0 0 15 =
極小サイズ出力電圧可変型高圧電源 2W~2.6W 中高圧 DC-DC コンバータ 0V~470V 1000V 1500V 2000V MHV Series MHV シリーズは業界で初めて高圧電源を最新の SMT( 面実装技術 ) によって従来品の 1/5~1/6 に超小型化した出力電圧可変型の中高圧
極小サイズ出力電圧可変型高圧電源 W~.W 中高圧 DC-DC コンバータ 0V~0V 000V 500V 000V Series シリーズは業界で初めて高圧電源を最新の SMT( 面実装技術 ) によって従来品の /5~/ に超小型化した出力電圧可変型の中高圧 DC-DC コンバータです 出力電圧の制御は外部電圧あるいは外部可変抵抗にて制御できます シリーズは 5 面金属シールドケースを採用し 更に低リップル
Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc
東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です
TA78L05,06,07,08,09,10,12,15,18,20,24F
東芝バイポーラ形リニア集積回路シリコンモノリシック TA78L05F,TA78L06F,TA78L07F,TA78L08F,TA78L09F,TA78L10F, TA78L12F,TA78L15F,TA78L18F,TA78L20F,TA78L24F 5, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 18, 20, 24 3 端子正出力固定定電圧電源 特長 TTL, CMOS の電源に最適です
NJM2835 低飽和型レギュレータ 概要 NJM2835 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 500mAの低飽和型レギュレータです TO パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしてい
低飽和型レギュレータ 概要 はバイポーラプロセスを使用し 高耐圧 ローノイズ 高リップル除去比を実現した出力電流 maの低飽和型レギュレータです TO-22- パッケージに搭載し 小型 2.2 Fセラミックコンデンサ対応 ノイズバイパスコンデンサ内蔵をしています また 出力電圧範囲は 2.1V~.V まで幅広くラインアップしており 各種民生機器等さまざまな用途に ご使用いただけます 特長 出力電圧範囲
形式 :RPPD 計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 ロータリエンコーダ用 ) 主な機能と特長 ロータリエンコーダの 2 相パルス入力信号を絶縁して各種の 2 相パルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス パワーフォト MOS リレー R
計装用プラグイン形変換器 M UNIT シリーズ パルスアイソレータ ( センサ用電源付 ロータリエンコーダ用 ) 主な機能と特長 ロータリエンコーダの 2 相パルス入力信号を絶縁して各種の 2 相パルス出力信号に変換 オープンコレクタ 電圧パルス パワーフォト MOS リレー RS-422 ラインドライバ パルス出力を用意 入出力仕様の異なる 2 系統のパルスアイソレータとしても使用可能 RS-422
等価回路図 絶対最大定格 (T a = 25ºC) 項目記号定格単位 入力電圧 1 V IN 15 V 入力電圧 2 V STB GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電圧 V GND-0.3~V IN+0.3 V 出力電流 I 120 ma 許容損失 P D 200 mw 動作温度範囲 T o
小型スタンバイ機能付高精度正電圧レギュレータ 概要 NJU7241 シリーズは, 出力電圧精度 ±2% を実現したスタンバイ機能付の低消費電流正電圧レギュレータ IC で, 高精度基準電圧源, 誤差増幅器, 制御トランジスタ, 出力電圧設定用抵抗及び短絡保護回路等で構成されています 出力電圧は内部で固定されており, 下記バージョンがあります また, 小型パッケージに搭載され, 高出力でありながらリップル除去比が高く,
4. 電源仕様 FA5695N Reference Design Item Value Unit Input voltage 85 to 264 Vac Output voltage 390 Vdc Output power 200 W Overcurrent limiting of power M
力率改善制御 IC FA5695N 電源設計例 : 390V/200W Reference Design. 概要本資料は 力率改善制御用 IC FA5695N シリーズを使用した PFC 回路の設計例です 出力電力は 200W で構成されています 2. 特長 入力電圧検出レスにより低待機電力 高精度電流検出 :0.6V±5% 最大周波数制限機能により軽負荷時の効率改善 ソフトスタート ダイナミック
出力電圧ランク 品名 出力電圧 品名 出力電圧 品名 出力電圧 NJU774*F15 1.5V NJU774*F28 2.8V NJU774*F4 4.V NJU774*F18 1.8V NJU774*F29 2.9V NJU774*F45 4.5V NJU774*F19 1.9V NJU774*F
低飽和型レギュレータ 概要 NJU7741/44 はC-MOS プロセスを使用し 超低消費電流を実現した低飽和型レギュレータです SOT-23-5 の小型パッケージに搭載し 出力電流 1mA 小型.1 Fセラミックコンデンサ対応の為 携帯機器の応用に最適です また NJU7744 には出力シャントスイッチが付いているため 端子の使用時における出力応答の高速化が可能となっております 外形 NJU7741/44F
TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信
東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521
NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電
3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵
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第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性
CC-E 絶縁型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズにリモート ON/OFF 機能内蔵 出力電圧は ±3% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 5 面を金属シールドした低
型 DC-DC コンバータ オンボードパワーモジュール 特長 実装面積を従来製品に比べ約半分に小型化 タンタルコンデンサおよびアルミ電解コンデンサレス 全てのシリーズに 機能内蔵 出力電圧は ±% の高精度 (10W 以下単一出力 ) 面を金属シールドした低ノイズ設計 樹脂充填しない軽量設計 DIP 挿入と SMD 装着 SIP 縦型挿入 (W 製品 ) の実装 に対応 UL090-1 CSA C.
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
NJM2387A ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387A は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 出力電流は 1.0Aまで供給可能で 出力電流が 500mA 時に入出力間電位差は 0.2V(typ.) と低飽和を実現しております
ON/OFF 機能付き出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 可変出力電圧範囲は.5V~V 出力電流は.Aまで供給可能で 出力電流が ma 時に入出力間電位差は.V(typ.) と低飽和を実現しております 従来の NJM37 からON/OFF 制御回路を変更し OFF 時無効電流の削減を実現しました また 過電流保護回路 過電圧保護回路を内蔵しておるため 電源モジュール
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
目次 概要... 1 目次 電気的特性 静的特性 動的特性 静電容量特性 実効容量 ( エネルギー換算 ) スイッチング特性 dv/dt 耐量...
パワー MOSFET 電気的特性 概要 本資料はパワー MOSFET の電気的特性について述べたものです 1 目次 概要... 1 目次... 2 1. 電気的特性... 3 1.1. 静的特性... 3 1.2. 動的特性... 3 1.2.1. 静電容量特性... 3 1.2.2. 実効容量 ( エネルギー換算 )... 4 1.2.3. スイッチング特性... 5 1.2.4. dv/dt 耐量...
形式 :AEDY 直流出力付リミッタラーム AE UNIT シリーズ ディストリビュータリミッタラーム主な機能と特長 直流出力付プラグイン形の上下限警報器 入力短絡保護回路付 サムロータリスイッチ設定方式 ( 最小桁 1%) 警報時のリレー励磁 非励磁が選択可能 出力接点はトランスファ形 (c 接点
直流出力付リミッタラーム AE UNIT シリーズ ディストリビュータリミッタラーム主な機能と特長 直流出力付プラグイン形の上下限警報器 入力短絡保護回路付 サムロータリスイッチ設定方式 ( 最小桁 1%) 警報時のリレー励磁 非励磁が選択可能 出力接点はトランスファ形 (c 接点 ) リレー接点は 110V DC 使用可 AEDY-12345-67 価格基本価格 75,000 円加算価格 110V
NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること
チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します
NCB564個別00版
HES-M00 シリーズの新機能 脱調レス / 脱調検出 1 1. 概要 EtherCAT モーションコントロール機能内蔵 2 相マイクロステップモータドライバ HES-M00 シリーズにエンコーダ入力が追加され, 脱調検出 / 脱調レス等の機能が付加されました 2. 仕様 項目 仕様 備考 制御軸数 1 ボードで 1 軸制御 最大 枚 ( 軸制御 ) までスタック可能 電源電圧 ( モータ駆動電圧
第2 世代臨界モードPFC 制御IC「FA5590 シリーズ」
FA5590 Series of 2nd Generation Critical Mode PFC Control ICs 菅原敬人 Takato Sugawara 大和誠 Makoto Owa 手塚伸一 Shinichi Tezuka 電源の消費電力の削減に貢献するため, 第 2 世代の臨界モード PFC(Power Factor Correction) 制御 IC FA5590 シ リーズ を開発した
Microsoft Word - NJM7800_DSWJ.doc
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形, FA 1. IN 2. GND 3. OUT DL1A 1.
CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン
蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )
ブロック図 真理値表 入力出力 OUTn (t = n) CLOCK LATCH ENABLE SERIAL-IN OUT 0 OUT 7 OUT 15 SERIAL OUT H L D n D n D n 7 D n 15 D n 15 L L D n No Change D n 15 ( 注 )
東芝 Bi CMOS 集積回路シリコンモノリシック TB62706BN,TB62706BF TB62706BN/BF 16 ビット定電流 LED ドライバ TB62706BN TB62706BF は 16 ビットの電流値を可変可能な定電流回路と これをオン オフ制御する 16 ビットシフトレジスタ ラッチおよびゲート回路から構成された定電流 LED ドライバです ( アノードコモン ) Bi CMOS
TLP250
東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流 :
HD74LS74A データシート
ual -typ Positiv dg-triggrd Flip-Flops (with Prst and Clar) データシート は, ダイレクトクリア, ダイレクトプリセットおよびコンプリメンタリ出力, によって構成されており, 入力データは, クロックパルスの立ち上がりエッジで出力に伝達されます 特長 発注型名 R04S002JJ0300 (Prvious: RJJ030560-0200)
TPC8107
TPC87 東芝電界効果トランジスタシリコン P チャネル MOS 形 (U-MOSIII) TPC87 リチウムイオン 2 次電池用 ノートブック PC 用 携帯電子機器用 単位 : mm 小型 薄型で実装面積が小さい スイッチングスピードが速い オン抵抗が低い : R DS (ON) = 5.5 mω ( 標準 ) 順方向伝達アドミタンスが高い : Y fs = 3 S ( 標準 ) 漏れ電流が低い
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フルブリッジ フェーズシフト方式の 基礎および設計ノウハウ UCC8950 TEXAS INSTRUMENTS JAPAN 1 内容 フェーズシフト フルブリッジについて UCC8950とUCC895の比較 UCC8950 特長 UCC8950 設計のヒント 評価ボードパフォーマンス フェーズシフト フルブリッジについて UCC8950とUCC895の比較 UCC8950 特長 UCC8950 設計のヒント
PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Cir
PIC の書き込み解説 PICライターを使うときに間違った使い方を見受ける 書き込み失敗の原因は知識不足にある やってはいけないことをしている 単に失敗だけならまだしも部品を壊してしまう 正しい知識を身に着けよう 書き込みに必要なピンと意味 ICSPを意識した回路設計の必要性 ICSP:In Circuit Serial Programmming 原則論を解説 PIC の種類によって多少異なる 1
TK50P04M1_J_
MOSFET シリコン N チャネル MOS 形 (U-MOS-H) 1. 用途 スイッチングレギュレータ用 モータドライブ用 パワーマネジメントスイッチ用 2. 特長 (1) スイッチングスピードが速い (2) ゲート入力電荷量が小さい : Q SW = 9.4 nc ( 標準 ) (3) オン抵抗が低い : R DS(ON) = 6.7 mω ( 標準 ) (V GS = 10 V) (4) 漏れ電流が低い
EC-1 アプリケーションノート 高温動作に関する注意事項
要旨 アプリケーションノート EC-1 R01AN3398JJ0100 Rev.1.00 要旨 EC-1 の動作温度範囲は Tj = -40 ~ 125 としており これらは記載の動作温度範囲内での動作を保証す るものです 但し 半導体デバイスの品質 信頼性は 使用環境に大きく左右されます すなわち 同じ品質の製品でも使用環境が厳しくなると信頼性が低下し 使用環境が緩くなると信頼性が向上します たとえ最大定格内であっても
NJM2387/89 出力可変型低飽和レギュレータ 概要 NJM2387/89 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は1.0A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は 1.5V~20V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM238
出力可変型低飽和レギュレータ 概要 は出力可変型低飽和レギュレータです 出力電流は.A まで供給可能であり 可変出力電圧範囲は.5V~V 最大入力電圧は 35Vと高耐圧のため TV カーオーディオ等の電源アプリケーションに最適です NJM37 はON/OFF コントロール端子付きですので OFF 時の消費電流を低減させることができます 外形 NJM37DL3 NJM39F 特長 低入出力間電位差.V
電子回路I_6.ppt
電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )