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????????????MUX ????????????????????

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Transcription:

HN58V256A HN58V257A 256k EEPROM (32-kword 8-bit) Ready/Busy and RES function (HN58V257A) RJJ03C0132-0600 Rev. 6.00 2007. 05. 24 HN58V256A HN58V257A 32768 8 EEPROM ROM MNOS CMOS 64 3V 2.7 5.5V 120ns (max) 20mW/MHz (typ) 110µW (max) OE 10 ms (max) 64 10 ms (max) RDY/Busy (HN58V257A ) Data ON/OFF JEDEC Byte-wide Standard CMOS MNOS 10 5 10 (HN58V257A ) 20 85 C 40 85 C Page 1 of 22

HN58V256AFP-12 120ns 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28D) HN58V256AT-12 120ns 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DB) HN58V257AT-12 120ns 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DA) HN58V256AFP-12E 120ns 400mil 28- SOP PRSP0028DC-A (FP-28DV) HN58V256AT-12E 120ns 28- TSOP PTSA0028ZB-A (TFP-28DBV) HN58V257AT-12E 120ns 32- TSOP PTSA0032KD-A (TFP-32DAV) HN58V256AFP Series HN58V256AT Series A14 A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 (Top view) 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 V CC A13 A8 A9 A11 OE A10 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 I/O3 A2 A1 A0 I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 A10 A2 A1 A0 NC I/O0 I/O1 I/O2 V SS I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 NC A10 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 (Top view) HN58V257AT Series 14 13 12 11 10 98 7 6 5 4 3 2 1 16 15 14 13 12 11 10 98 7 6 5 4 3 2 1 A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 V CC A13 A8 A9 A11 OE A3 A4 A5 A6 A7 A12 A14 RDY/Busy V CC RES A13 A8 A9 A11 OE (Top view) Page 2 of 22

A0 A14 I/O0 I/O7 OE V CC V SS RDY/Busy* 1 RES* 1 NC 1. HN58V257A 1. HN58V257A VCC VSS High voltage generator I/O0 to I/O7 RDY/Busy * 1 RES * 1 OE RES * 1 Control logic and timing I/O buffer and input latch A0 to A5 Y decoder Y gating Address buffer and A6 to A14 latch X decoder Memory array Data latch Page 3 of 22

OE RES* 3 RDY/Busy* 3 I/O Read V IL V IL V IH V H * 1 High-Z Dout Standby V IH * 2 High-Z High-Z Write V IL V IH V IL V H High-Z to V OL Din Deselect V IL V IH V IH V H High-Z High-Z Write inhibit V IH Write inhibit V IL Data polling V IL V IL V IH V H V OL Dout (I/O7) Program reset V IL High-Z High-Z 1. DC 2. 3. HN58V257A V SS V CC 0.6 +7.0 V V SS Vin 0.5* 1 +7.0* 3 V * 2 Topr 0 +70 C Tstg 55 +125 C 1. 50ns 3.0V 2. 3. V CC + 1V DC Min Typ Max V CC 2.7 3.0 5.5 V V SS 0 0 0 V V IL 0.3* 1 0.6 V V IH 1.9* 2 V CC + 0.3* 3 V V H * 4 V CC 0.5 V CC + 1.0 V Topr 0 +70 C 1. 50ns 1.0V 2. V CC = 3.6 5.5V 2.4V 3. 50ns V CC + 1.0V 4. HN58V257A Page 4 of 22

DC (Ta = 0 +70 C, V CC = 2.7 5.5V) Min Typ Max I LI 2* 1 µa V CC = 5.5V, Vin = 5.5V I LO 2 µa V CC = 5.5V, Vout = 5.5V/0.4V I CC1 20 µa = V CC I CC2 1 ma = V IH I CC3 8 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =1µs, V CC = 3.6V 12 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 1µs, V CC = 5.5V 12 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle =120ns, V CC = 3.6V 30 ma Iout = 0mA,duty = 100%, cycle = 120ns, V CC = 5.5V V OL 0.4 V I OL = 2.1mA V OH V CC 0.8 V I OH = 400µA 1. RES 100µA max (HN58V257A ) (Ta = +25 C, f = 1MHz) Min Typ Max * 1 Cin 6 pf Vin = 0V * 1 Cout 12 pf Vout = 0V 1. Page 5 of 22

AC (Ta = 0 +70 C, V CC = 2.7 5.5V) 0.4 2.4V (V CC 3.6V), 0.4 3.0V (V CC > 3.6V), 0V V CC (RES* 2 ) 5ns 0.8V, 1.8V 1TTL Gate + 100pF 1.5V, 1.5V HN58V256A/HN58V257A -12 Min Max t ACC 120 ns = OE = V IL, = V IH t 120 ns OE = V IL, = V IH OE t OE 10 60 ns = V IL, = V IH t OH 0 ns = OE = V IL, = V IH t DF * 1 0 40 ns = V IL, = V IH t DFR * 1, 2 0 350 ns = OE = V IL, = V IH RES t RR * 2 0 600 ns = OE = V IL, = V IH Page 6 of 22

Min* 3 Typ Max t AS 0 ns t AH 50 ns t CS 0 ns t CH 0 ns t WS 0 ns t WH 0 ns OE t OES 0 ns OE t OEH 0 ns t DS 70 ns t DH 0 ns t WP 200 ns t CW 200 ns t DL 100 ns t BLC 0.3 30 µs t BL 100 µs t WC 10* 4 ms RDY/Busy t DB 120 ns t DW 0* 5 ns * 2 t RP 100 µs * 2, 6 t RES 1.0 µs 1. t DF, t DFR 2. HN58V257A 3. Min 4. RDY/Busy (HN58V257A ) 10ms 10ms 5. RDY/Busy (HN58V257A ) t DW 6. 7. A6 A14 8. A6 A14 9. Page 7 of 22

Address t ACC t OH t OE t OE t DF High Data Out t RR Data out valid t DFR RES * 2 Page 8 of 22

-1 t WC Address t CS t AH t CH t AS t WP t BL t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Page 9 of 22

-2 Address t WS tah t BL t WC t CW t AS t WH t OES t OEH OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP t RES RES * 2 V CC Page 10 of 22

-1 *7 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t WP tdl tblc t CS t CH t WC t OES t OEH OE t DS t DH Din RDY/Busy * 2 High-Z t DB t DW High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Page 11 of 22

-2 *8 Address A0 to A14 t t AS AH t BL t CW tdl tblc t WS t WH t WC t OEH t OES OE t DS t DH Din t DW RDY/Busy * 2 High-Z t DB High-Z t RP RES * 2 t RES V CC Page 12 of 22

(Data polling) Address An An An t OEH t *9 t OES OE t *9 OE t DW I/O7 Din X Dout X t WC Dout X Page 13 of 22

EEPROM I/O6 "1" "0" I/O6 2 t DW 1. I/O6 High 2. I/O6 3. 4. *4 Next mode Address *3 t OE t OEH *3 t OE t OES *1 *2 *2 I/O6 Din Dout Dout Dout Dout t WC t DW Page 14 of 22

-1 VCC t BLC twc Address Data 5555 AA 2AAA 55 5555 A0 Write address Write data -2 VCC t WC Normal active mode Address Data 5555 AA 2AAA 55 5555 80 5555 AA 2AAA 55 5555 20 Page 15 of 22

1 64 64 (A0-A5) 1 2 30µs 30µs 1 30µs 100µs High Data polling EEPROM I/O7 EEPROM EEPROM RDY/Busy (HN58V257A ) RDY/Busy EEPROM Low High-Z RDY/Busy EEPROM RES (HN58V257A ) RES = Low V CC RES = Low RES High VCC Read inhibit Read inhibit RES Program inhibit Program inhibit, I/O 1 10 5 1% 10 4 10 4 10 Page 16 of 22

1. (, OE, ) 20ns 20ns VIH 0 V OE VIH 0 V 20 ns max Page 17 of 22

2. V CC V CC CPU EEPROM V CC EEPROM CPU EEPROM V CC CPU RESET * Unprogrammable * Unprogrammable 2.1, OE,, OE, V CC OE V SS V CC : V CC : V CC V SS : V SS 2.2 RES (HN58V257A ) CPU RES EEPROM RES Low RES Low 10ms RES Low V CC RES Program inhibit Program inhibit or 1 µs min 100 µs min 10 ms min Page 18 of 22

3. 3 3 3 Address Data 5555 2AAA 5555 Write address AA 55 A0 Write data } Normal data input 6 Address 5555 2AAA 5555 5555 2AAA 5555 Data AA 55 80 AA 55 20 / Page 19 of 22

HN58V256AFP (PRSP0028DC-A / Previous Code: FP-28D, FP-28DV) F *1 E D 28 15 E H 1 c 1 c JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-SOP28-8.4x18.3-1.27 PRSP0028DC-A FP-28D 0.7g NOTE) 1. DIMENSION"*1" DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. bp b1 Index mark Terminal cross section Z 1 e *2 b p x 14 M A y A Detail F L 1 L θ Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max 18.3 18.8 8.4 D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H E e x y Z L L 1 0.10 0.20 0.30 2.50 0.32 0.40 0.48 0.38 0.12 0.17 0.22 0.15 0 8 11.5 11.8 12.1 1.27 0.20 0.15 1.12 0.8 1.0 1.2 1.7 Page 20 of 22

HN58V256AT (PTSA0028ZB-A / Previous Code: TFP-28DB, TFP-28DBV) NOTE) 1. DIMENSION"*1"AND"*2(Nom)" DO NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*3"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. HD A *1 x 1 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)28-8x11.8-0.55 PTSA0028ZB-A TFP-28DB/TFP-28DBV 0.23g y Index mark D M 28 p1 E *2 14 15 *3 Z b F e A bp b1 Terminal cross section Detail F L1 L c θ c Dimension in Millimeters Reference Symbol Min Nom Max D E 11.80 8.00 8.20 A 2 A 1 0.05 0.13 0.20 A 1.20 b p 0.14 0.22 0.30 b 1 0.20 c 0.12 0.17 0.22 c 1 0.15 θ 0 5 H D e 13.10 13.40 13.70 0.55 x 0.10 y 0.10 Z 0.45 L 0.40 0.50 0.60 L 1 0.80 Page 21 of 22

p HN58V257AT (PTSA0032KD-A / Previous Code: TFP-32DA, TFP-32DAV) HD A y Index mark *1 D x M 1 32 b *2 bp E b1 c 1 c e 1 JEITA Package Code RENESAS Code Previous Code MASS[Typ.] P-TSOP(1)32-8x12.4-0.50 PTSA0032KD-A TFP-32DA/TFP-32DAV 0.26g NOTE) 1. DIMENSION"*1"DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH. 2. DIMENSION"*2"DOES NOT INCLUDE TRIM OFFSET. 16 17 Z F A Terminal cross section Detail F L1 L θ Reference Symbol D E A 2 A 1 A b p b 1 c c 1 θ H D e x y Z L L 1 Dimension in Millimeters Min Nom Max 12.40 8.00 8.20 0.08 0.13 0.18 1.20 0.14 0.22 0.30 0.20 0.12 0.17 0.22 0.125 0 5 13.80 14.00 14.20 0.50 0.08 0.10 0.45 0.40 0.50 0.60 0.80 Page 22 of 22

HN58V256A/HN58V257A Rev. 0.0 H7. 3. 20 0.1 H7. 8. 7 4 4 1.0 H8. 4. 12 2 2 3 3 4 4 5 6 HN58V256AT TFP-28DB HN58V256AP-12/15 HN58V256AFPI-12/15 HN58V256AT-12SR/15SR HN58V257AT-12SR/15SR 20 +85 C, 40 +85 C DC 20/ /85 C, 40/ /85 C 4 HN58V256A-15 and HN58V257A-15 1 1 1 3 4 DC V IH (min) 2.4 V 1.9 V 4 DC I CC3 (max): 8/12/20/30 ma 8/12/15/30 ma AC 0 V 3.0 V 0.4 V 2.4 V(V CC 3.6 V), 0.4 V 3.0 V(V CC > 3.6V) 2

Rev. 1.0 H8. 4. 12 8 1 Write Cycle: t DS (min) 50ns 70ns 4 5-1, 21-1, 22 1 4 2.0 H9. 3. 4 16 3 3.0 H9. 5. 20 16 3 4.0 H9. 10. 24 8 5.00 2003.11. 17 2 HN58V256AFP-12E HN58V256AT-12E HN58V257AT-12E 20-22 FP-28D FP-28D FP-28DV TFP-28DB TFP-28DB TFP-28DBV TFP-32DA TFP-32DA TFP-32DAV 6.00 2007. 05. 24 9

100-0004 2-6-2 http://www.renesas.com 100-0004 212-0058 190-0023 980-0013 970-8026 312-0034 950-0087 390-0815 460-0008 541-0044 920-0031 730-0036 680-0822 812-0011 2-6-2 () 890-12 ( ) 2-2-23 ( 2F) 1-1-20 ( 13F) 4-9 ( ) 832-2 ( 1F) 1-4-2 (3F) 1-2-11 (7F) -2-29 ( ) 4-1-1 ( ) 3-1-1 ( 8F) 5-25 ( 8F) 2-251 ( ) 2-17-1 (5F) (03) 5201-5350 (044) 549-1662 (042) 524-8701 (022) 221-1351 (0246) 22-3222 (029) 271-9411 (025) 241-4361 (0263) 33-6622 (052) 249-3330 (06) 6233-9500 (076) 233-5980 (082) 244-2570 (0857) 21-1915 (092) 481-7695 E-Mail: csc@renesas.com 2007. Renesas Technology Corp., All rights reserved. Printed in Japan. Colophon 8.0

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com) 2010 年 4 月 1 日ルネサスエレクトロニクス株式会社 発行 ルネサスエレクトロニクス株式会社 (http://www.renesas.com) 問い合わせ先 http://japan.renesas.com/inquiry

2. 3. 4. 5. 6. 7. OA AV 8. 9. 10. RoHS 11. 12. 1. 2. 1