高 電 流 マイクロパワー セル 600kHz DC/DCコンバータ 特 長 n 5V/A n NiCd SEPIC 5V/800mA n 600kHz n 3V n 重 負 荷 で 起 動 n 軽 負 荷 時 の 自 動 Burst Mode 動 作 (LT308A) n 軽 負 荷 時 に 連 続 スイッチング(LT308B) n 低 ESAT スイッチ:Aで300mV n LT308とピン 互 換 のアップグレード デバイス n シャットダウン 時 の 低 消 費 電 流 :µa( 最 大 ) n 精 度 が 向 上 したバッテリ 低 下 検 出 器 リファレンス:00mV ±% n 8ピンSOおよびピンTSSOPパッケージで 供 給 アプリケーション n GSM/CDMA 電 話 機 n デジタル カメラ n LCDバイアス 電 源 n アンサーバック ページャ n GPSレシーバ n バッテリ バックアップ 電 源 n ハンドヘルド コンピュータ 概 要 LT 308A/LT308B V 0V DC/DC LT308 LT308A Burst Mode 0µA LT308B.5mA µa LT308 00mV % 3% V LT308 36V LT308A/LT308B 8 SO TSSOP L LT LTC LTM Burst Mode Linear TechnoogyおよびLinearのロゴはリニアテクノロジー 社 の 登 録 商 標 です その 他 すべての 商 標 の 所 有 権 は それぞれの 所 有 者 に 帰 属 します 標 準 的 応 用 例 Li-Ion CELL C 7µF L.7µH LBI LBO LT308B 7k 00pF D R* 309k 00k 5V A 0µF EFFICIENCY (%) 95 90 85 80 75 70 65 60 = 3.6V =.V =.5V =.5V C: AVX TAJC76M00 : AVX TPSD7M006 D: IR 0BQ05 L: MURATA LQH6CR7 *R: 887k FOR = V 308A/B F0a LT308B 5V/A DC/DC 55 50 0 00 000 LOAD CURRENT (ma) 308A/B F0b
絶 対 最 大 定 格 Note LBOの 電 圧... 0V の 電 圧... 0.V~36V の 電 圧... V の 電 圧... V LBIの 電 圧... 0.V~V ピンへの 流 入 電 流...±mA 動 作 温 度 範 囲 コマーシャル... 0 ~70 拡 張 コマーシャル(Note )... 0 ~85 インダストリアル... 0 ~85 保 存 温 度 範 囲... 65 ~50 リード 温 度 ( 半 田 付 け 0 秒 )...300 ピン 配 置 TOP VIEW LBO 3 TOP VIEW 8 7 6 5 LBO LBI 3 5 6 7 3 0 9 8 LBI S8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC SO T JMAX = 5 C θ JA = 90 C/W F PACKAGE -LEAD PLASTIC TSSOP (NOTE 6) T JMAX = 5 C θ JA = 80 C/W 廃 品 パッケージであるため 参 照 用 としてのみ 使 用 代 替 品 については 弊 社 にお 問 い 合 わせください 発 注 情 報 LT308ACS8#PBF LT308ACS8#TRPBF 308A 8-Lead Pastic SO 0 C to 70 C LT308AIS8#PBF LT308AIS8#TRPBF 308AI 8-Lead Pastic SO 0 C to 85 C LT308BCS8#PBF LT308BCS8#TRPBF 308B 8-Lead Pastic SO 0 C to 70 C LT308BIS8#PBF LT308BIS8#TRPBF 308BI 8-Lead Pastic SO 0 C to 85 C LT308ACF#PBF LT308ACF#TRPBF LT308ACF -Lead Pastic TSSOP 0 C to 70 C LT308BCF#PBF LT308BCF#TRPBF LT308BCF -Lead Pastic TSSOP 0 C to 70 C LT308ACS8 LT308ACS8#TR 308A 8-Lead Pastic SO 0 C to 70 C LT308AIS8 LT308AIS8#TR 308AI 8-Lead Pastic SO 0 C to 85 C LT308BCS8 LT308BCS8#TR 308B 8-Lead Pastic SO 0 C to 70 C LT308BIS8 LT308BIS8#TR 308BI 8-Lead Pastic SO 0 C to 85 C LT308ACF LT308ACF#TR LT308ACF -Lead Pastic TSSOP 0 C to 70 C LT308BCF LT308BCF#TR LT308BCF -Lead Pastic TSSOP 0 C to 70 C さらに 広 い 動 作 温 度 範 囲 で 規 定 されるデバイスについては 弊 社 または 弊 社 代 理 店 にお 問 い 合 わせください 鉛 フリー 仕 様 の 製 品 マーキングの 詳 細 については http://www.inear-tech.co.jp/eadfree/をご 覧 ください この 製 品 はトレイでのみ 供 給 されます 詳 細 については http://www.inear-tech.co.jp/packaging/をご 覧 ください
電 気 的 特 性 T A 5 0 70.V V SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS I Q Quiescent Current Not Switching LT308A Switching LT308B V = 0V (LT308A/LT308B) V Feedback Votage.0.. V I B Pin Bias Current (Note 3) 7 80 na Reference Line Reguation.V V V 0V 0.5 0.0 0.03 0.0 Minimum Input Votage 0.9 V g m Error Amp Transconductance I = 5µA 60 µmhos A V Error Amp Votage Gain 00 V/V f OSC Switching Frequency =.V 500 600 700 khz Maximum Duty Cyce 8 90 % Switch Current Limit Duty Cyce = 30% (Note ) 3.5 A Switch ESAT I = A (5 0 ) =.5V I = A (70 ) =.5V Burst Mode Operation Switch Current Limit (LT308A) Shutdown Pin Current V =.V V = 6V V = 0V LBI Threshod Votage 90 330 0 0. 0. 350 00 µa ma µa %/V %/V =.5V Circuit of Figure 00 ma LBO Output Low I SINK = 50µA 0. 0.5 V LBO Leakage Current V LBI = 50mV V LBO = 5V 0.0 0. µa LBI Input Bias Current (Note 5) V LBI = 50mV 33 00 na Low-Battery Detector Gain 3000 V/V Switch Leakage Current V LBI = 5V 0.0 0 µa 96 9 0 0.0 00 00 5 35 0. 0 06 mv mv µa µa µa mv mv T A 50 85.V V SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS IQ Quiescent Current Not Switching LT308A Switching LT308B V = 0V (LT308A/LT308B) V Feedback Votage.9..5 V I B Pin Bias Current (Note 3) 7 80 na Reference Line Reguation.V V V 0V Minimum Input Votage 0.9 V g m Error Amp Transconductance I = 5µA 60 µmhos A V Error Amp Votage Gain 00 V/V f OSC Switching Frequency 500 600 750 khz 0.5 0.0 0.05 0.0 0 0. 0. µa ma µa %/V %/V 3
電 気 的 特 性 T A 5 0 85.V V SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Maximum Duty Cyce 8 90 % Switch Current Limit Duty Cyce = 30% (Note ) 3.5 A Switch ESAT I = A (5 0 ) =.5V I = A (85 ) =.5V Burst Mode Operation Switch Current Limit (LT308A) Shutdown Pin Current V =.V V = 6V V = 0V LBI Threshod Votage 90 330 350 00 =.5V Circuit of Figure 00 ma LBO Output Low I SINK = 50µA 0. 0.5 V LBO Leakage Current V LBI = 50mV V LBO = 5V 0.0 0. µa LBI Input Bias Current (Note 5) V LBI = 50mV 33 00 na Low-Battery Detector Gain 3000 V/V Switch Leakage Current V LBI = 5V 0.0 0 µa 96 93 0 0.0 00 00 5 35 0. 0 07 mv mv µa µa µa mv mv Note 絶 対 最 大 定 格 に 記 載 された 値 を 超 えるストレスはデバイスに 永 続 的 損 傷 を 与 える 可 能 性 がある 長 期 にわたって 絶 対 最 大 定 格 条 件 に 曝 すと デバイスの 信 頼 性 と 寿 命 に 悪 影 響 を 与 える 可 能 性 がある Note LT308ACS8 LT308ACF LT308BCS8 およびLT308BCFは インダストリアル 温 度 範 囲 で 性 能 仕 様 に 適 合 するように 設 計 され 特 性 が 評 価 されており 性 能 仕 様 に 適 合 すると 予 想 されるが 0 と85 ではテストされない Iグレード デバイスは0 ~85 の 動 作 温 度 範 囲 で 保 証 されている Note 3 バイアス 電 流 はピンに 流 れ 込 む Note スイッチ 電 流 制 限 は 設 計 および 静 的 試 験 との 相 関 もしくはそのどちらか 一 方 により 保 証 されている デューティ サイクルは ランプ ジェネレータにより 電 流 制 限 に 影 響 を 与 える (ブロック 図 を 参 照 ) Note 5 バイアス 電 流 はLBIピンから 流 れ 出 す Note 6 デバイスのつのピン(ピン~7)をまとめて 結 線 すること 同 様 に デバイスの 3つのピン(ピン8~0)と つのピン(ピン ピン)をまとめて 結 線 すること 標 準 的 性 能 特 性 LT308B 3.3V LT308A 3.3V LT308A 5V 95 95 95 90 V =.8 =.5V 90 90 =.5V = 3.6V 85 85 =.8V 85 =.V EFFICIENCY (%) 80 75 70 65 =.V EFFICIENCY (%) 80 75 70 65 =.V EFFICIENCY (%) 80 75 70 65 =.5V =.5V 60 60 60 55 55 55 50 0 00 000 LOAD CURRENT (ma) 308A/B G0 50 0 00 000 LOAD CURRENT (ma) 308A/B G0 50 0 00 000 LOAD CURRENT (ma) 308A/B G03
標 準 的 性 能 特 性 LT308B V 90.0 500 EFFICIENCY (%) 85 80 75 70 65 60 55 = 5V = 3.3V CURRENT LIMIT (A) 3.5 3.0.5 ITCH ESAT (mv) 00 300 00 00 5 C 85 C 0 C 50 0 00 000 LOAD CURRENT (ma) 308A/B G0.0 0 0 0 60 80 00 DUTY CYCLE (%) 308 G05 0 0 0.5.0.5 ITCH CURRENT (A).0 308 G06 50 80 LBI 03 PIN CURRENT (µa) 0 30 0 0 0 C 5 C 85 C BIAS CURRENT (na) 70 60 50 0 30 0 0 LBI V REF (mv) 0 0 00 99 98 97 96 0 0 6 8 0 PIN VOLTAGE (V) 0 50 5 0 5 50 75 00 TEMPERATURE ( C) 95 50 5 0 5 50 75 00 TEMPERATURE ( C) 308 G07 308 G08 308 G09 LT308A 800 80.5 750 70. FREQUENCY (khz) 700 650 600 550 500 QUIESCENT CURRENT (µa) 60 50 0 30 0 V (V).3...0 50 0.9 00 50.5 0 5 50 75 00 TEMPERATURE ( C) 00 50 5 0 5 50 75 00 TEMPERATURE ( C).8 50 5 0 5 50 75 00 TEMPERATURE ( C) 308 G0 308 G 308 G 5
ピン 機 能 SO/TSSOP / RC 7kΩ 00pF /.V =.V( R/) 3/ 3 V / 5 6 7 LT308 PCB TSSOP 5/ 8 9 0 / EMI TSSOP 6/, TSSOP LBI 7/ 3 00mV LBI 00mV V LBI LBO 8/ 50µA 0kΩ LBO 6
ブロック 図 R (EXTERNAL) (EXTERNAL) 6 R5 0k Q R6 0k Q 0 R3 30k R 0k VIN g m ERROR AMPLIFIER RAMP GENERATOR Q BIAS Σ * V BE LBI A 7 ENABLE 00mV COMPARATOR FF R Q S A 3 LBO 8 A 5 DRIVER Q3 600kHz OSCILLATOR A = 3 *HYSTERESIS IN LT308A ONLY 0.03Ω 308 BDa a LT308A/LT308B SO-8 R (EXTERNAL) (EXTERNAL) R5 0k Q R6 0k Q 0 R3 30k g m ERROR AMPLIFIER Q BIAS * V BE ENABLE A 00mV COMPARATOR LBI 3 3 LBO A 8 9 RAMP GENERATOR Σ A R FF S Q DRIVER A = 3 *HYSTERESIS IN LT308A ONLY 0 R 0k Q3 600kHz OSCILLATOR 0.03Ω 5 6 7 308 BDb b LT308A/LT308B TSSOP 7
アプリケーション 情 報 LT308 PWM Burst Mode Q Q V.V R5 R6 80mV Q Q 300mV.V A A L 0µA A H A H 00mA A L LT308A Burst Mode ma A H LT308A 50% A RC LBI 00mV A LBO L A L V LT308 VIN LT308B LT308A A 00mA LT308B A A Burst Mode 3 3 5V LT308A/LT308B 3V 50mA 800mA A Burst Mode B LT308B LT308A LT308B 0µA 3mA 00µA A L TRACE A: LT308A, 00mV/DIV AC COUPLED TRACE B: LT308B, 00mV/DIV AC COUPLED I LOAD 800mA 50mA 00µs/DIV = 3V (CIRCUIT OF FIGURE ) 308 F03 3 LT308A 50mA Burst Mode LT308B 8
アプリケーション 情 報 0µF LT308B 5.5V V 5 500mA ESR ESAT.A A 5 LT308A/LT308B 6 SO-8 PC C IC 5mm C IN 0mm PC LT308A/LT308B di/dt di/dt DC/ DC PC GROUND PLANE LBI LBO C R 8 00mV/DIV 3 LT308A LT308B 7 6 L V 0V/DIV 5 I 500mA/DIV MULTIPLE VIAs D 500ns/DIV 308 F0 5V V 0µF 308 F0 0mV/DIV V 0V/DIV I 500mA/DIV 500ns/DIV 308 F05 5 6 SO-8 PC 7 TSSOP SO-8 9
アプリケーション 情 報 GROUND PLANE LBI LBO C SEPIC Singe-Ended Primary Inductance Converter 8 SO-8 SEPIC 9 R MULTIPLE VIAs 3 5 6 7 LT308A LT308B 3 0 9 8 D L 3V TO 0V C 7µF LA CTX0- LT308B 7k 680pF.7µF CERAMIC R 309k 00k D LB 5V 500mA C3 0µF 6.3V C: AVX TAJC76M06 : TAIYO YUDEN EMK35BJ75(X5R) C3: AVX TPSD7M006 D: IR 0BQ05 L: COILTRONICS CTX0-308A/B F08 7 TSSOP 6 308 F07 8 3V 0V 5V/500mA SEPIC Singe-Ended Primary Inductance Converter GROUND PLANE LBI LBO C R 8 3 LT308A LT308B 7 6 LA LB 5 MULTIPLE VIAs C3 D 0 9 SEPIC 308 F09
アプリケーション 情 報 LT308A/LT308B LT308 V 0V µa 95mV 05mV LBI 00kΩ LBO V LBO V/DIV LT308A/LT308B LT308 00mV % 50µA LT308A/LT308B PNP NPN 00mV LBI 0 R LBI 00kΩ 00mV R 00k LBI LT308A LT308B LBO 5V 00k TO PROCESSOR 95 00 05 V LBI (mv) 308 F LT308A/LT308B CMOS DC/DC 3 0Ω.5V 3.5A 5V A 5Ω 3V 500µs 5V 5 0Ω 9V 5 SEPIC ms 5V V BAT 00mV INTERNAL REFERENCE 308 F0 R = V LB 00mV µa V/DIV 0 I L A/DIV V BAT N3906 V REF 00mV 0k 00k 0µF LBO LBI LT308A LT308B V 5V/DIV ms/div 3 5V.5V 0Ω 308 F3 308 F 00mV
アプリケーション 情 報 V/DIV I L A/DIV V 5V/DIV V/DIV 500µs/DIV 5V 3V 5Ω 308 F LT308B 5V V 6 C R3 0.7V/33k µa Q Q Δ Δt = 0.7V 33k C I A/DIV V 5V/DIV 500µs/DIV 308 F5 5 9V 0Ω 5V SEPIC LT308A/ LT308B C = 33nF /t 60mV/ms 6 7 3A 50µs 8 A 5ms C 5V L.7µH D V 500mA C 7µF LT308B 0k 00k 330pF 0µF C 33nF Q R 33k R C 7k.3k R3 33k C C 00pF C: AVX TAJ76M00 : TAIYO YUDEN TMK3BJ06MM D: IR 0BQ05 L: MURATA LQH6CR7 Q: N390 SOFT-START COMPONENTS 308 F6 6 Q C R3 R 5V V
アプリケーション 情 報 V 5V/DIV 5V I L A/DIV V 0V/DIV ON Semiconductor MBRS30 Internationa Rectifier 0BQ05 30V MBRS0 0BQ00 0V MBRM0 mm MBRS30 7 6 V 5V I L A/DIV V 0V/DIV 50µs/DIV 5ms/DIV 308 F7 308 F8 8 6 LT308A/LT308B 50% 60% 3A A DCR 0.05Ω µh 0µH.7µH LT308A/LT308B Murata LQH6CR7.7µH 770-36-300 Sumida CDRH73R7.7µH 87-956-0666 Coitronics CTX5-5µH 56--7876 Coicraft LPO506IB-7.7µH 87-639-600 ESR LT308A/LT308B ESR ESR AVX TPSD7M006 0µF 3 800mA A 60mV P-P ESR 60mV/A 0.03Ω LT308A/LT308B AVX TPS TPSD7M006 0µF 6V 803-8-9 AVX TPS TPSD07M00 00µF 0V 803-8-9 Taiyo Yuden X5R LMK3BJ6 µf 0V 08-573-50 Taiyo Yuden X5R TMK3BJ06 0µF 5V 08-573-50 3
アプリケーション 情 報 ESR LT308A/LT308B ESR ESR ESR ESR ESR LT308A/LT308B ( ) 5V V 9 C PL R 7µF 50mA 500mA 0 C PL 0µF X5R C PL 3 0µF C PL ESR RC C PL 500mV/DIV I L A/DIV LOAD 500mA CURRENT 50mA 308 F0 0 7µF LT308B 5V V 500mV/DIV 00µs/DIV 5V C 7µF L.7µH LT308B 7k D R3 0k R 00k.3k C PL 330pF V 500mA I L A/DIV LOAD 500mA CURRENT 50mA 00µs/DIV 308 F 7µF C PL 500mV/DIV 00pF I L A/DIV C: AVX TAJC76M00 : AVX TPSD76M06 (7µF) OR TAIYO YUDEN TMK3BJ06MM (0µF) D: IR 0BQ05 L: MURATA LQH6CR7 9 5V V 308 F9 LOAD 500mA CURRENT 50mA 00µs/DIV 308 F 0µF X5R
アプリケーション 情 報 500mV/DIV =.V I L A/DIV LOAD 500mA CURRENT 50mA 3 0µF X5R C PL GSM CDMA 00µs/DIV 308 F3 LT308A/LT308B GSM CDMA RF 5V LT308A/LT308B LT308 5V/A 5.V 3.6V 3V LT308A 0mA Burst Mode 6 LT308B 0mA Burst Mode Li-Ion CELL C 7µF LT308B 7k L.7µH D R 309k 00k 5V A 0µF = 3.6V = 3V I LOAD A ma =.V = 3.6V = 3V I LOAD A 0mA TRACES = 00mV/DIV 00µs/DIV 308 F5 5 LT308A 5V A TRACES = 00mV/DIV 00µs/DIV 308 F6 6 LT308B 5V A 00pF C: AVX TAJC76M00 : AVX TPSD7M006 D: IR 0BQ05 L: MURATA LQH6NR7 308A/B F A 5V 5
標 準 的 応 用 例 TFTLCD D 0.µF C µf 0.µF D3 C5 µf V OFF 9V 0mA V ON 7V 5mA D 0.µF C6 µf 5V C.7µF 0k 3 00pF L.7µH 6 5 LT308B D 76.8k 0.7k, C3 0µF AV DD 0V 500mA C:TAIYO-YUDEN JMKBJ75MG, C3:TAIYO-YUDEN LMK35BJ06MN C, C5, C6:TAIYO-YUDEN EMKBJ05MG D: MBRM0 D,D3,D: BAT5S L: TOKO 87FY-R7M 308 TA0 TFTLCD AV DD 500mV/DIV V ON 500mV/DIV V OFF 500mV/DIV I LOAD 800mA 00mA 00µs/DIV 6
標 準 的 応 用 例 0nF EL V BAT 3V TO 6V C 3 7µF T : D D3 6 3.3V REGULATED Q 50k 00k 7k 3k M µf 3.3k nf 9.9k LBO LBI LT308A 00pF D.3M 7k Q 00V µf 00V EL PANEL 0nF 7pF 0k C: AVX TAJC76M00 : VITRAMON VJ5Y05KXCAT D: BAT5 D, D3: BAV Q: MMBT3906 Q: ZETEX FCX58 T: MIDCOM 305 308 TA03.7V TO 6V 00pF C 7µF 7k 0nF 350V/.mA LT308A D 0nF 50V T : D 3 6 D3 D 3.8k 0M 0nF 50V 0nF 50V 350V.mA 3V TO 0V 3V 0V 5V/500mA SEPIC C 7µF LA CTX0- LT308B 7k 680pF C: AVX TAJC76M06 : TAIYO YUDEN EMK35BJ75(X5R) C3: AVX TPSD7M006.7µF CERAMIC R 309k 00k D LB D: IR 0BQ05 L: COILTRONICS CTX0-5V 500mA C3 0µF 6.3V 308A/B TA05 D, D, D3: BAV 00mA, 50V D: MBR050 T: MIDCOM 305R L P =.5µH 308 TA0 7
パッケージ S8 8 0.50 (Reference LTC DWG # 05-08-60).050 BSC.05 ±.005.89.97 (.80 5.00) NOTE 3 8 7 6 5.5 MIN.60 ±.005.8. (5.79 6.97).50.57 (3.80 3.988) NOTE 3.030 ±.005 TYP 推 奨 する 半 田 パッド レイアウト 3.008.00 (0.03 0.5).00.00 (0.5 0.508) 0 8 TYP.053.069 (.36.75).00.00 (0.0 0.5).06.050 (0.06.70) NOTE: インチ. 寸 法 は (ミリメートル).0.09 (0.355 0.83) TYP. 図 は 実 寸 とは 異 なる 3. これらの 寸 法 にはモールドのバリまたは 突 出 部 を 含 まない モールドのバリまたは 突 出 部 は0.006インチ(0.5mm)を 超 えないこと.050 (.70) BSC SO8 0303 F TSSOP.mm (Reference LTC DWG # 05-08-650).05 ±0.0.90 5.0* (.93.0) 3 0 9 8 6.60 ±0.0.50 ±0.0 6.0 (.5) BSC 0.5 ±0.05 推 奨 する 半 田 パッド レイアウト.30.50** (.69.77) 0.65 BSC 0.5 REF 0 8 3 5 6 7.0 (.033) MAX 0.09 0.0 (.0035.0079) 0.50 0.75 (.00.030) NOTE:. 標 準 寸 法 :ミリメートル ミリメートル. 寸 法 は (インチ) 3. 図 は 実 寸 とは 異 なる * 寸 法 にはモールドのバリを 含 まない モールドのバリは 各 サイドで0.5mm(0.006")を 超 えないこと ** 寸 法 にはリード 間 のバリを 含 まない リード 間 のバリは 各 サイドで0.5mm(0.00")を 超 えないこと 0.65 (.056) BSC 0.9 0.30 (.0075.08) TYP 0.05 0.5 (.00.006) F TSSOP 00 8
改 訂 履 歴 ( 改 訂 履 歴 はRev Bから 開 始 ) REV B /0 Fパッケージを 廃 止 9
標 準 的 応 用 例 V/300mA DC/DC.7V TO.V L.7µH D V 300mA Li-Ion CELL C 7µF LT308B 7k R 887k 00k 00µF 330pF C: AVX TAJC76M00 : AVX TPSD07M06 D: IR 0BQ05 L: MURATA LQH6CR7 308A/B TA0 関 連 製 品 LT30 DC/DC V 5V/600mA A I Q 00mA LT30 DC/DC 5V/00mA LT307/LT307B 600kHz PWM DC/DC 3.3V/75mA MSOP LT36 Burst Mode DC/DC.5V LT37/LT37B 600kHz PWM DC/DC I Q 00µA.5V LTC 7 DC/DC 9% I Q 0µA 9V 5V/50mA LTC56 5V I Q µa 3V 5V/50mA LTC5 5V DC/DC 5V % 3V 0mA LT60 DC/DC V 3V/30mA.7MHz LT6 5 SOT-3.MHz 5V 5V/50mA SOT-3 LT63 5 SOT-3.MHz.V 5V/00mA SOT-3 LT65 5 SOT-3 DC/DC I Q 0µA 36V 350mA LT67 SOT-3 DC/DC = V 5V 3V LTC68 LDO 3.3V 5V 60µV RMS LT99 600kHz A PWM DC/DC.A 0.5Ω 30V.5V LT99-.MHz A DC/DC LT99.MHz 0 0-009 東 京 都 千 代 田 区 紀 尾 井 町 3-6 紀 尾 井 町 パークビル8F TEL 03-56-79 FAX 03-56-068 www.inear-tech.co.jp LT 0 REV B PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION 00