OPA2211 OPA2211 OPA2211 µ µ µ ± ± µ µ ± ± (nv/ Hz ) 1 1 1.1 1 1 1 1k 1k (Hz) 1k http://www.ti.com/lit/gpn/opa211
(1) V S =(V+) (V ) 4 V (V ).5 (V+) +.5 V ±1 ma (2) (T A ) 55 +15 C (T A ) 65 +15 C (T J ) 2 C 3 V 1 V AI OPA2211AI (1) I DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBDQ MSOP-8 DGK OBCQ SO-8 D ATIOPA 211 DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBHQ SO-8 PowerPAD DDA ATIOPA 2211 DFN-8 (3mm 3mm) DRG OBDQ MSOP-8 DGK OBCQ SO-8 D TI OPA 211 www.ti.com www.tij.co.jp TI Web 2
SO-8 MSOP-8 NC (1) 1 8 NC (1) NC (1) 1 8 Shutdown (3) IN 2 7 V+ IN 2 7 V+ +IN V 3 4 6 5 OUT NC (1) +IN V 3 4 6 5 OUT NC (1) DFN-8 (3mm 3mm) OPA2211 DFN-8 (3mm 3mm) NC (1) 1 8 Shutdown (3) OUT A 1 8 V+ IN +IN V 2 3 4 7 6 5 V+ OUT NC (1) IN A +IN A V 2 3 4 A B 7 6 5 OUT B IN B +IN B Pad (2) Pad (2) OPA2211 SO-8 PowerPAD OUT A 1 8 V+ IN A 2 A 7 OUT B +IN A 3 B 6 IN B V 4 5 +IN B Pad (2) 3
S = ± ± T A = +25 C R L = 1kΩ V CM = V OUT = AI, OPA2211AI I (1) MIN TYP MAX MIN TYP MAX V OS V S = ±15V ±3 ±125 ±2 ±5 µv OPA2211 V S = ±15V ±5 ±15 µv T A = 4 C +125 C dv OS /dt.35 1.5.15.85 µv/ C PSRR V S = ±2.25V to ±18V.1 1.1.5 µv/v T A = 4 C +125 C 3 3 µv/v I B V CM =V ±6 ±175 ±5 ±125 na T A = 4 C +125 C ±2 ±2 na OPA2211 ±25 na I OS V CM =V ±25 ±1 ±2 ±75 na T A = 4 C +125 C ±15 ±15 na e n f=.1hz to 1Hz 8 8 nv PP f=1hz 2 2 nv/ Hz f=1hz 1.4 1.4 nv/ Hz f=1khz 1.1 1.1 nv/ Hz I n f=1hz 3.2 3.2 pa/ Hz f=1khz 1.7 1.7 pa/ Hz V CM V S ±5V (V ) + 1.8 (V+) 1.4 (V ) + 1.8 (V+) 1.4 V V S < ±5V (V ) + 2 (V+) 1.4 (V ) + 2 (V+) 1.4 V T A = 4 C +125 C CMRR V S ±5V, (V ) + 2V V CM (V+) 2V 114 12 114 12 db V S < ±5V, (V ) + 2V V CM (V+) 2V 11 12 11 12 db 2k 8 2k 8 Ω pf 1 9 2 1 9 2 Ω pf A OL (V ) +.2V V O (V+).2V, R L = 1kΩ T A = 4 C +125 C A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, R L = 6Ω A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, I O 15mA A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, 15mA I O 3mA OPA2211 (per channel) A OL (V ) +.6V V O (V+).6V, I O 15mA 114 13 114 13 db 11 114 11 114 db 11 11 db 13 13 db 1 db GBW G = 1 8 8 MHz G=1 45 45 MHz SR 27 27 V/µs.1% t S V S = ±15V, G = 1, 1V Step, C L = 1pF 4 4 ns V S = ±15V, G = 1, 1V Step, C L = 1pF 7 7 ns G= 1 5 5 ns THD+N G = +1, f=1khz, V O =3V RMS,R L = 6 Ω.15.15 % 136 136 db 4
S = ± ± T A = +25 C R L = 1kΩ V CM = V OUT = AI, OPA2211AI I (1) MIN TYP MAX MIN TYP MAX T A = 4 C +125 C V OUT R L = 1kΩ, A OL 114dB (V ) +.2 (V+).2 (V ) +.2 (V+).2 V R L = 6Ω, A OL 11dB (V ) +.6 (V+).6 (V ) +.6 (V+).6 V T A = 4 C +125 C I O < 15mA, A OL 11dB (V ) +.6 (V+).6 (V ) +.6 (V+).6 V I SC +3/ 45 +3/ 45 ma C LOAD pf Z O f=1mhz 5 5 Ω (2) (V+).35 (V+).35 V (V+) 3 (V+) 3 V 1 1 µa (3) 2 2 µs (3) 3 3 µs 1 2 1 2 µa V S ±2.25 ±18 ±2.25 ±18 V I Q I OUT =A 3.6 4.5 3.6 4.5 ma T A = 4 C +125 C (per channel) 6 6 ma T A 4 +125 4 +125 C T A 55 +15 55 +15 C SO-8 θ JA 15 15 C/W MSOP-8 θ JA 2 2 C/W DFN-8 (3mm 3mm) (4) θ JA 65 65 C/W θ JP 2 2 C/W OPA2211 SO-8 PowerPAD (4) θ JA 52 52 C/W θ JP 2 2 C/W DFN-8 (3mm 3mm) (4) θ JA 65 65 C/W θ JP 1 1 C/W θ 5
T A = +25 C V S = ± Ω 1 1 Hz) Hz) Voltage Noise Density (nv/ 1 Current Noise Density (pa/ 1 1.1 1 1 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k 1.1 1 1 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k 1 2 Total Harmonic Distortion + Noise (%).1.1.1 1 V S = ± 15V V OUT = 3VRMS Measurement BW = 8kHz G=1 R = 6Ω L G=11 R = 6Ω L G= 1 R = 5kΩ L 1 12 14 1 1k 1k 2k Frequency (Hz) Total Harmonic Distortion + Noise (db) Total Harmonic Distortion + Noise (%).1.1.1.1 G=11 V S = ± 15V G=1.1 R L = 6Ω 1kHz Signal Measurement BW = 8kHz.1.1.1 1 1 Output Voltage Amplitude (V ) RMS G= 1 6 8 1 12 14 16 1 Total Harmonic Distortion + Noise (db) 3 4 Total Harmonic Distortion + Noise (%).1.1.1 1 THD+N RATIO vs FREQUENCY V S = ± 15V V OUT = 3VRMS Measurement BW > 5kHz G=11 R = 6Ω L G=1 R = 6Ω L G= 1 R = 5kΩ L 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k 1 12 14 Total Harmonic Distortion + Noise (db) Channel Separation (db) 8 9 1 11 12 13 14 15 16 17 18 1 CHANNEL SEPARATION vs FREQUENCY V S = ± 15V V IN = 3.5VRMS G=1 R = 2kΩ L R L = 5kΩ R = 6Ω L 1 1k 1k Frequency (Hz) 1k 5 6 6
± Ω 16 14 12 2nV/div PSRR (db) 1 8 6 +PSRR PSRR 4 2 1 1 1 1k 1k 1k 1M 1M 1M (1s/div) Frequency (Hz) 7 8 14 1k 12 1k 1 CMRR (db) 8 6 Z ( Ω ) O 1 1 4 2 1 1k 1k 1M Frequency (Hz) 1M 1M.1 1 1 1k 1k 1k Frequency (Hz) 1M 1M 1M 9 1 14 12 18 5 4 R = 1kΩ L Gain(dB) 1 8 6 4 2 2 1 1k Phase Gain 1k 1k 1M 1M Frequency (Hz) 135 9 45 1M Phase( ) (µv/v) 3 2 1 1 2 3 4 5 75 5 25 25 5 75 1 125 15 175 2 Temperature ( C) 11 12 7
± Ω 125. 112.5 1. 87.5 75. 62.5 5. 37.5 25. 12.5 12.5 25. 37.5 5. 62.5 75. 87.5 1. 112.5 125. Population Population.1.2.3.4.5.6.7.8.9 1. 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 Offset Voltage (µv) 13 Offset Voltage Drift(µV/ C) 14 2 2 15 15 I B and I OS Bias Current (na) 1 5 5 1 15 +I B I B I OS V OS ( µ V) 1 5 5 1 15 2 5 25 25 5 75 1 125 Ambient Temperature ( C) 15 2 (V )+1. (V )+1.5 (V )+2. (V+) 1.5 (V+) 1. (V+).5 V CM (V) 15 16 V OS Shift (µv) 12 1 8 6 4 2 2 4 6 8 1 12 1 2 3 4 5 6 I OS (na) 1 8 6 4 2 2 4 6 8 1 2.25 4 6 8 1 12 14 16 18 Time (s) V S (±V) 17 18 8
± Ω I OS (na) 1 75 5 25 25 5 75 1 V S = 36V 1 5 1 15 2 25 3 35 I (na) B 15 1 5 5 1 15 2.25 I B +I B 4 6 Unit 1 Unit 2 Unit 3 8 1 12 14 16 18 V CM (V) V S ( ± V) 19 2 15 1 V S = 36V I B +I B 6 5 5 Unit 1 Unit 2 4 I (na) B I (ma) Q 3 5 2 1 Unit 3 1 15 1 5 1 15 2 25 3 35 75 5 25 25 5 75 1 125 15 175 2 V CM (V) Temperature ( C) 21 22 4..5 3.5 I (ma) Q 3. 2.5 2. 1.5 1. I Shift (ma) Q.5.1.15.2.5 4 8 12 16 2 24 28 32 36.25.3 6 12 18 24 3 36 42 48 54 6 V S (V) Time (s) 23 24 9
± Ω I SC (ma) 6 5 4 3 2 1 1 2 3 4 5 6 75 5 25 25 5 75 Temperature ( C) 1 125 15 175 2 2mV/div G= 1 C L = 1pF R I 64Ω C F 5.6pF R F 64Ω +18V 18V Time (.1µs/div) C L 25 26 G= 1 C L = 1pF G=+1 R L = 6Ω C L = 1pF C F 5.6pF 2mV/div R I 64Ω R F 64Ω +18V 2mV/div +18V 18V R L C L 18V C L Time (.1µs/div) Time (.1µs/div) 27 28 G=+1 R L = 6Ω C L = 1pF 6 5 G=+1 2mV/div +18V Overshoot (%) 4 3 2 G= 1 G=1 18V R L C L 1 Time (.1µs/div) 2 4 6 8 1 12 Capacitive Load (pf) 14 29 3 1
± Ω G= 1 C L = 1pF R L = 6Ω R = Ω F G=+1 C L = 1pF R L = 6Ω 2V/div 2V/div R = 1Ω F Time (.5µ s/div) 31 Time (.5µ s/div) 32 (mv) 1..8.6.4.2.2.4.6.8 (1V PP,C L = 1pF) 1..1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Time (ns) 33 16-Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%).1.8.6.4.2.2.4.6.8 (mv) 1..8.6.4.2.2.4.6.8 (1V PP,C L = 1pF).1.8.6.4 16-Bit Settling.2.2 ( 1/2 LSB =.75%).4.6.8 1..1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Time (ns) 34 (%) (mv) 1..8.6.4.2.2.4.6.8 (1V PP,C L = 1pF) 1..1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Time (ns) 35 16-Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%).1.8.6.4.2.2.4.6.8 (%) (mv) 1..8.6.4.2.2.4.6.8 (1V PP,C L = 1pF) 1..1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Time (ns) 36 16-Bit Settling ( ± 1/2 LSB = ±.75%).1.8.6.4.2.2.4.6.8 (%) 11
± Ω V IN G= 1 G= 1 1kΩ V 1kΩ V OUT V OUT 5V/div 1kΩ 1kΩ V OUT 5V/div V IN V IN V V OUT V IN Time (.5µ s/div) Time (.5µ s/div) 37 38 2 15 1 +125 C C +85 C Output V OUT (V) 5 5 55 C +15 C C +125 C 5V/div +18V 1 15 +85 C Output 37V PP ( ± 18.5V) 18V 2 1 2 3 4 5 6 7 I OUT (ma) 39.5ms/div 4 2 2 15 1 5 Output Signal 15 1 5 Shutdown Signal 5V/div 5 5V/div 5 Output Signal 1 15 2 Shutdown Signal V S = ± 15V 1 15 2 V S = ± 15V Time (2µ s/div) Time (2µ s/div) 41 42 12
± Ω 2 15 Shutdown Signal 1.6 1.2 Shutdown Pin Voltage (V) 1 5 5 1 Output.8.4.4.8 Output Voltage (V) 15 2 V S = ± 15V 1.2 1.6 Time (1µ s/div) 43 13
µ ± ± R F Output Input R I + 45. V+ Pre-Output Driver OUT IN IN+ V 44. 14
± Ω Ω Ω Ω 1k Votlage Noise Spectral Density, E O 1k 1 1 R S E O OPA227 2 2 2 E O = en +(in R S) + 4kTRS 1 1 1k 1k 1k 1M Source Resistance, R S ( Ω) 46. 15
R 2 2 2 R 1 2 E O = 1+ R 2 2 2 2 2 2 2 e + e R n 1 +e 2 +(ir) n 2 +e S +(i n R) S 1 1+ R 2 R 1 E O Where e S = 4kTR S 1+ R 2 = R S R 1 R S V S R e 2 1 = 4kTR 1 =R 1 R 1 e 2 = 4kTR = R2 R 2 R 1 2 E O = 1+ R 2 R + R 1 S 2 2 2 2 2 2 e n + e1 +e 2 +(ir) n 2 +es RS E O Where e S = 4kTRS R 2 =R S R 1 + RS V S R e 2 1 = 4kTR1 R 1 + R =R 1 S e 2 = 4kTR2 =R2 1kHz, e n = 1.1nV/ Hz and i n = 1.7pA/ Hz 47. Ω 16
R 1 R 2 R Signal Gain = 1+ 2 R 1 R 3 V OUT SIG. GAIN 1 11 DIST. GAIN R 1 R 2 R 3 11 11 1Ω 1kΩ 1kΩ 1Ω 11Ω R Distortion Gain = 1+ 2 R1II R3 Generator Output Analyzer Input Audio Precision System Two (1) with PC Controller Load 48. R F +V S +V R I I D In +In Op-Amp Core ESD Current- Steering Diodes Edge-Triggered ESD Absorption Circuit Out R L V (1) IN V V S 49. (1) V IN =+V S + 5mV. 17
θ 18
19
Leadframe (Copper Alloy) IC (Silicon) Die Attach (Epoxy) Mold Compound (Plastic) Leadframe Die Pad Exposed at Base of the Package (Copper Alloy) (a) Cutaway View: DDA Package (SO-8) Thermal Pad Mold Compound (Plastic) Thermal Pad DRG Package (DFN-8) DDA Package (SO-8) Die (c) Bottom View T erminal Leadframe Die Attach (Epoxy) (Copper Alloy) Exposed at Base of Package (b) Cutaway View: DRG Package (DFN-8) 5. 2
Orderable Device Status (1) Package Type Package Drawing Pins Package Qty AID ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & AIDG4 ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & AIDGKR ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKRG4 ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKT ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDGKTG4 ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & AIDR ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & AIDRG4 ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & AIDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & AIDRGRG4 ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & AIDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & AIDRGTG4 ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & ID ACTIVE SOIC D 8 75 Green (RoHS & IDGKR ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & IDGKT ACTIVE MSOP DGK 8 25 Green (RoHS & IDR ACTIVE SOIC D 8 25 Green (RoHS & IDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & IDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & OPA2211AIDDA ACTIVE SO Power PAD OPA2211AIDDAR ACTIVE SO Power PAD DDA 8 75 Green (RoHS & DDA 8 25 Green (RoHS & OPA2211AIDRGR ACTIVE SON DRG 8 1 Green (RoHS & OPA2211AIDRGT ACTIVE SON DRG 8 25 Green (RoHS & Eco Plan (2) Lead/Ball Finish MSL Peak Temp (3) Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR Level-1-26C-UNLIM Level-1-26C-UNLIM Level-2-26C-1 YEAR Level-2-26C-1 YEAR 21
22
REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS K P1 Reel Diameter Cavity A B W A B K W P1 Dimension designed to accommodate the component width Dimension designed to accommodate the component length Dimension designed to accommodate the component thickness Overall width of the carrier tape Pitch between successive cavity centers Reel Width (W1) QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Sprocket Holes Q1 Q2 Q1 Q2 Q3 Q4 Q3 Q4 User Direction of Feed Pocket Quadrants *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Reel Reel Diameter Width (mm) W1 (mm) A (mm) B (mm) K (mm) P1 (mm) W (mm) Pin1 Quadrant AIDGKR MSOP DGK 8 25 33. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 AIDGKT MSOP DGK 8 25 18. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 AIDR SOIC D 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 AIDRGR SON DRG 8 1 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 AIDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 IDGKR MSOP DGK 8 25 33. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 IDGKT MSOP DGK 8 25 18. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 IDR SOIC D 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 IDRGR SON DRG 8 1 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 IDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 OPA2211AIDDAR SO Power PAD DDA 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 OPA2211AIDRGR SON DRG 8 1 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 OPA2211AIDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 23
*All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm) AIDGKR MSOP DGK 8 25 346. 346. 29. AIDGKT MSOP DGK 8 25 19.5 212.7 31.8 AIDR SOIC D 8 25 346. 346. 29. AIDRGR SON DRG 8 1 346. 346. 29. AIDRGT SON DRG 8 25 19.5 212.7 31.8 IDGKR MSOP DGK 8 25 346. 346. 29. IDGKT MSOP DGK 8 25 19.5 212.7 31.8 IDR SOIC D 8 25 346. 346. 29. IDRGR SON DRG 8 1 346. 346. 29. IDRGT SON DRG 8 25 19.5 212.7 31.8 OPA2211AIDDAR SO PowerPAD DDA 8 25 346. 346. 29. OPA2211AIDRGR SON DRG 8 1 346. 346. 29. OPA2211AIDRGT SON DRG 8 25 19.5 212.7 31.8 24
A. B. C. D. E. 25
A. B. C. D. 26
27
A. B. C. D. E. F. 28
A. B. C. D. E. 29
3
A. B. C. - - D. E. F. 31
A. B. C. D. E. (SBOS377G) 32
IMPORTANT NOTICE 21.11
PACKAGE MATERIALS INFORMATION www.ti.com 3-Aug-217 TAPE AND REEL INFORMATION *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Reel Diameter (mm) Reel Width W1 (mm) A (mm) B (mm) K (mm) P1 (mm) W (mm) Pin1 Quadrant AIDGKR VSSOP DGK 8 25 33. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 AIDGKT VSSOP DGK 8 25 18. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 AIDR SOIC D 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 AIDRGR SON DRG 8 3 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 AIDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 IDGKR VSSOP DGK 8 25 33. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 IDGKT VSSOP DGK 8 25 18. 12.4 5.3 3.4 1.4 8. 12. Q1 IDR SOIC D 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 IDRGR SON DRG 8 3 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 IDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 OPA2211AIDDAR SO Power PAD DDA 8 25 33. 12.4 6.4 5.2 2.1 8. 12. Q1 OPA2211AIDRGR SON DRG 8 3 33. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 OPA2211AIDRGT SON DRG 8 25 18. 12.4 3.3 3.3 1.1 8. 12. Q2 Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION www.ti.com 3-Aug-217 *All dimensions are nominal Device Package Type Package Drawing Pins SPQ Length (mm) Width (mm) Height (mm) AIDGKR VSSOP DGK 8 25 367. 367. 35. AIDGKT VSSOP DGK 8 25 21. 185. 35. AIDR SOIC D 8 25 367. 367. 35. AIDRGR SON DRG 8 3 367. 367. 35. AIDRGT SON DRG 8 25 21. 185. 35. IDGKR VSSOP DGK 8 25 367. 367. 35. IDGKT VSSOP DGK 8 25 21. 185. 35. IDR SOIC D 8 25 367. 367. 35. IDRGR SON DRG 8 3 367. 367. 35. IDRGT SON DRG 8 25 21. 185. 35. OPA2211AIDDAR SO PowerPAD DDA 8 25 367. 367. 35. OPA2211AIDRGR SON DRG 8 3 367. 367. 35. OPA2211AIDRGT SON DRG 8 25 21. 185. 35. Pack Materials-Page 2
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