マスク説明書 (CAST-T3 マスク )
1. マスク概要 2. 各素子の詳細 内容 頁番号 マスク仕様 (1)(2) (03)-(04) ショット レイアウト (1)(2) (05)-(06) パッドブロック (07) コンタクトパッドとその周辺 (08) 測定 PADの構造 (09) SUBPADの構造 (10) スクライブラインの構造 (11) ウェハアライメントマーク (12)-(13) CMPダミー (14) 頁番号 MOSトランジスタ (16)-(26) PN 接合 (27)-(40) MOS 容量 (41)-(53) FEOL 抵抗 (54)-(57) コンタクト抵抗 (58)-(60) シート抵抗 (61)-(64) リングオシレータ / コンタクトチェーン (65)-(73) 櫛 / つづら付リングオシレータ (74)-(76) アンテナTEG (77)-(80) 腐食 TEG (81)-(84) BEOLつづら / 櫛 / ビアチェーン (85)-(91) SEM 観察用トランジスタ (92) SEM 観察用ライン (93) (01)
1. マスク概要 (02)
マスク仕様 (1) マスク名 : CAST-T3 用途 : FEOL 素子を用いたBEOL 材料の評価マスク数 :13 枚 BEOLマスクはペリクル無し種類 : KrF 用 (i 線兼用 ) バイナリ倍率 :4 倍ショット寸法 : 21.5mm x 26.9mm レチクル寸法 :6 inch レチクル合せマーク :Canon 露光機用 (SFRAマーク) No. 層名 パターン 最小 最大 目的 1 L A 0.5 100 素子分離 2 FG A 0.2 100 ゲート Poly-Si 抵抗 3 N1 B 0.5 N 型拡散層 (LDD) 4 N2 B 0.5 N 型拡散層 (S/D) 5 P B 0.5 SUB 引き上げ 6 SP A 0.5 Silicide 無し領域 7 CNT B 0.4 1 コンタクトプラグ 8 B 0.2 100 Cu1 層配線 9 Via B 0.18 0.25 接続孔 10 M2 B 0.2 100 Cu2 層配線 11 PRO B 0.5 PRO 12 AL A 10 13 PV B 100 FEOL マスク BEOL マスク (03)
マスク仕様 (2) 合わせツリー L FG CNT M2 PRO AL N1 Via PV N2 P SP 各層のウェハ合わせマークの有無 層名露光機ウェハ合わせマーク プリ ファイン L KrF FG KrF N1 KrF N2 KrF P KrF SP KrF CNT KrF ArF Via ArF M2 ArF PRO i 線 AL i 線 PV i 線 (04)
8.44mm ショット レイアウト (1) 21.5mm 8.44mm 4.14mm 8.44mm 4.14mm 26.9mm 8.44mm 5.34mm スクライブライン幅 160um (05)
ショット レイアウト (2) +X X-cord ( パッドブロックX 座標 ) 0 1860 3720 5580 8310 10170 12900 14760 16620 18480 +Y ( パッドブロック Y 座標 ) 0 400 800 1200 1600 2000 2400 2800 3200 3600 4000 4400 4800 5200 5600 6000 6400 6800 7200 8400 8800 9200 9600 10000 10400 10800 11200 11600 12000 12400 12800 13800 14200 14600 15000 15400 15800 16200 16600 17000 17400 17800 18200 18600 19000 19400 19800 20200 20600 21000 21400 コンタクト 櫛 ビアチェーン つづら PN 接合 L 型 α3 アンテナ大 PN 接合 N1 型 α 2 MOSTrs.3 SEM 観察 MOSTrs. CNT 抵抗 1 シート抵抗 1 PN 接合 N1 型 α 1 SEM 観察ライン アンテナ小 CNT 抵抗 2 シート抵抗 2 FEOL 抵抗 2 PN 接合 N1 型 β 1 Gate 容量 FG 型 3 Gate 容量 FG 型 2 リングオシレータ &CNT チェーン 櫛 / つづら抵抗付リングオシレータ PN 接合 L 型 β3 PN 接合 N1 型 β 2 MOSTrs.4 22450 22850 23250 23650 24050 24450 24850 25250 25650 MOSTrs.1 PN 接合 L 型 α 2 PN 接合 L 型 α 1 PN 接合 L 型 β 1 PN 接合 L 型 β 2 MOSTrs.2 Gate 容量 FG 型 1 (06)
パッドブロック 100um 55um 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 150um PAD 番号 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 測定パッドはオートプローバのプローブカード用にパッドの集合 ( パッドブロック ) を構成しており ショット内に規則的に配置 測定パッドは PAD 番号とパッドブロック座標の組み合わせで指定する パッドブロック座標はパッドブロックの原点からの位置で 左上のパッドブロックを原点 下方向を +Y 軸 右方向を +X 軸とした座標系 (07)
コンタクトパッドとその周辺 オートプローバ用アライメントマーク ( と M2) プロセス進捗確認用マーク ショット左上にあるオートプローバ位置合わせ用パッドブロック パッドブロック座標は (0,0) 上行と下行のパッドがそれぞれつながっていて針のショートチェックに利用可能 コンタクトパッドの下のパッドブロックは素子がなく針のオープンチェックに利用可能 (08)
測定 PAD の構造 120um 100um パッド開口部の寸法は 100um Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k Cu(M2) Cu(Via) Via 径 0.2um Cu() SiO LOCOS p-sub (09)
SUBPAD の構造 120um 100um SUB 引き上げ用 Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k W(CNT) CNT 径 1um P+ Silicide SiO LOCOS p-sub (10)
スクライブラインの構造 160um Al SiN(PV 膜 ) SiO(PRO 膜 ) Low-k W(CNT) CNT 径 1um SiO Silicide P+ LOCOS p-sub CNT 径 0.4um (11)
ウェハ合わせプリアライメントマーク 60um Canon 露光機用 X 方向 Y 方向に 1 ヶ所づつあるが使用するのは 1 ヶ所のみ 線幅 6um 長さ 40um 層名 X 方向 Y 方向 X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm) L -1.75 13.15-10.5 8.55 FG -1.35 13.15-10.5 8.15 CNT -0.95 13.15-10.5 7.75-0.55 13.15-10.5 7.35 Via -0.15 13.15-10.5 6.95 M2 0.25 13.15-10.5 6.55 PRO 1.55 13.15-10.5 4.35 (12) ショット中心からの距離
ウェハ合わせファインアライメントマーク 20um Canon 露光機用 X 方向 Y 方向に 1 ヶ所づつあるが両方使用する 30um 34um 線幅 4um 層名 X 方向 Y 方向 X(mm) Y(mm) X(mm) Y(mm) L -7.15 13.15-10.5 10.55 FG -6.95 13.15-10.5 10.35 CNT -6.75 13.15-10.5 10.15-6.55 13.15-10.5 9.95 Via -6.35 13.15-10.5 9.75 M2-6.15 13.15-10.5 9.55 PRO -5.55 13.15-10.5 8.95 (13) ショット中心からの距離
CMP ダミー M2 10um 10um 0.8um M2 Via 1um 0.25um 0.8um CMP ダミーの断面図 0.8um CMP ダミーは または M2 配線から 10um 先に配置 断面形状はダンベル型に Via M2 が接続 (14)
2. 各素子の詳細 (15)
MOS トランジスタ 1234 配置図赤字は詳細説明無 Diode 付 1x1 Diode 付 1x3 Diode 付 1x10 FG 奇 2.6x3 FG 0.6 奇 2.6x3 0.8 M2 奇 2.6x3 M2 0.8 GS 短絡 0.2x3 GS 短絡 0.2x10 GS 短絡 0.5x3 GS 短絡 0.5x10 GS 短絡 1x3 GS 短絡 1x10 奇 2.6x3 3.4 奇 3.6x3 4.4 M2 奇 2.6x3 M2 3.4 M2 奇 3.6x3 M2 4.4 Diode 付 0.5x1 Diode 付 0.5x10 奇 1.6x3 0.8 奇 1.6x10 0.6 M2 奇 0.6x3 M2 0.5 M2 奇 0.6x10 M2 0.3 M2 奇 1.6x3 M2 0.8 M2 奇 1.6x10 M2 0.6 10x10 10x30 10x 100 FG 奇 3.6x3 FG 0.6 奇 3.6x3 0.8 M2 奇 3.6x3 M2 0.8 FG 奇 0.6x3 FG 0.3 FG 奇 0.6x10 FG 0.3 FG 奇 1.6x3 FG 0.6 FG 奇 1.6x10 FG 0.6 奇 0.6x3 0.5 奇 0.6x10 0.3 1x1 1x3 1x10 3x3 3x10 3x30 並列 1 0.5x10 並列 10 0.5x10 並列 100 0.5x10 並列 1 1x10 並列 10 1x10 並列 100 1x10 0.5x1 0.5x3 0.5x10 0.6x1 0.6x3 0.6x10 並列 1 0.2x10 並列 10 0.2x10 並列 100 0.2x10 並列 1 0.3x10 並列 10 0.3x10 並列 100 0.3x10 0.2x1 0.2x3 0.2x10 0.3x1 0.3x3 0.3x10 Ring 3x3 5x5 Ring 3x3 6x6 30x 100 並列 1 タ ミー 並列 10 タ ミー 並列 100 タ ミー (16)
MOS トランジスタ ( その 1) L(Active) N1(N-) gate drain gate 長 gate 幅 sub へ CNT 1um 1 CNT CNT 0.4um N2(N+) Poly-Si FG(Poly-Si) LOCOS source sub L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 N+ gate 長 p-sub FG-CNT 合わせ余裕 0.4um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 N+ Silicide 1 gate 長が 1um 以下の場合は CNT0.4um を使用 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 1-1 MOSTrs_0.2x1_1 1 3 2 4 0.2 1 0 25650 1-2 MOSTrs_0.2x3_1 5 7 6 8 0.2 3 0 25650 1-3 MOSTrs_0.2x10_1 9 11 10 12 0.2 10 0 25650 1-4 MOSTrs_0.3x1_1 13 15 14 16 0.3 1 0 25650 1-5 MOSTrs_0.3x3_1 17 19 18 20 0.3 3 0 25650 1-6 MOSTrs_0.3x10_1 21 23 22 24 0.3 10 0 25650 1-7 MOSTrs_0.5x1_1 1 3 2 4 0.5 1 0 25250 1-8 MOSTrs_0.5x3_1 5 7 6 8 0.5 3 0 25250 1-9 MOSTrs_0.5x10_1 9 11 10 12 0.5 10 0 25250 (17)
MOS トランジスタ ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 1-10 MOSTrs_0.6x1_1 13 15 14 16 0.6 3 0 25250 1-11 MOSTrs_0.6x3_1 17 19 18 20 0.6 3 0 25250 1-12 MOSTrs_0.6x10_1 21 23 22 24 0.6 10 0 25250 1-13 MOSTrs_1x1_1 1 3 2 4 1 1 0 24850 1-14 MOSTrs_1x3_1 5 7 6 8 1 3 0 24850 1-15 MOSTrs_1x10_1 9 11 10 12 1 10 0 24850 1-16 MOSTrs_3x3_1 13 15 14 16 3 3 0 24850 1-17 MOSTrs_3x10_1 17 19 18 20 3 10 0 24850 1-18 MOSTrs_3x30_1 21 23 22 24 3 30 0 24850 1-19 MOSTrs_10x10_1 1 3 2 4 10 10 0 24450 1-20 MOSTrs_10x30_1 5 7 6 8 10 30 0 24450 1-21 MOSTrs_10x100_1 9 11 10 12 10 100 0 24450 1-22 MOSTrs_30x100_1 9 11 10 12 30 100 1860 25650 2-1 MOSTrs_0.2x1_2 1 3 2 4 0.2 1 12900 25650 2-2 MOSTrs_0.2x3_2 5 7 6 8 0.2 3 12900 25650 2-3 MOSTrs_0.2x10_2 9 11 10 12 0.2 10 12900 25650 2-4 MOSTrs_0.3x1_2 13 15 14 16 0.3 1 12900 25650 2-5 MOSTrs_0.3x3_2 17 19 18 20 0.3 3 12900 25650 2-6 MOSTrs_0.3x10_2 21 23 22 24 0.3 10 12900 25650 2-7 MOSTrs_0.5x1_2 1 3 2 4 0.5 1 12900 25250 2-8 MOSTrs_0.5x3_2 5 7 6 8 0.5 3 12900 25250 2-9 MOSTrs_0.5x10_2 9 11 10 12 0.5 10 12900 25250 2-10 MOSTrs_0.6x1_2 13 15 14 16 0.6 3 12900 25250 2-11 MOSTrs_0.6x3_2 17 19 18 20 0.6 3 12900 25250 2-12 MOSTrs_0.6x10_2 21 23 22 24 0.6 10 12900 25250 2-13 MOSTrs_1x1_2 1 3 2 4 1 1 12900 24850 2-14 MOSTrs_1x3_2 5 7 6 8 1 3 12900 24850 2-15 MOSTrs_1x10_2 9 11 10 12 1 10 12900 24850 2-16 MOSTrs_3x3_2 13 15 14 16 3 3 12900 24850 2-17 MOSTrs_3x10_2 17 19 18 20 3 10 12900 24850 2-18 MOSTrs_3x30_2 21 23 22 24 3 30 12900 24850 (18)
MOS トランジスタ ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 2-19 MOSTrs_10x10_2 1 3 2 4 10 10 12900 24450 2-20 MOSTrs_10x30_2 5 7 6 8 10 30 12900 24450 2-21 MOSTrs_10x100_2 9 11 10 12 10 100 12900 24450 2-22 MOSTrs_30x100_2 9 11 10 12 30 100 14760 25650 3-1 MOSTrs_0.2x1_3 1 3 2 4 0.2 1 3720 19400 3-2 MOSTrs_0.2x3_3 5 7 6 8 0.2 3 3720 19400 3-3 MOSTrs_0.2x10_3 9 11 10 12 0.2 10 3720 19400 3-4 MOSTrs_0.3x1_3 13 15 14 16 0.3 1 3720 19400 3-5 MOSTrs_0.3x3_3 17 19 18 20 0.3 3 3720 19400 3-6 MOSTrs_0.3x10_3 21 23 22 24 0.3 10 3720 19400 3-7 MOSTrs_0.5x1_3 1 3 2 4 0.5 1 3720 19000 3-8 MOSTrs_0.5x3_3 5 7 6 8 0.5 3 3720 19000 3-9 MOSTrs_0.5x10_3 9 11 10 12 0.5 10 3720 19000 3-10 MOSTrs_0.6x1_3 13 15 14 16 0.6 3 3720 19000 3-11 MOSTrs_0.6x3_3 17 19 18 20 0.6 3 3720 19000 3-12 MOSTrs_0.6x10_3 21 23 22 24 0.6 10 3720 19000 3-13 MOSTrs_1x1_3 1 3 2 4 1 1 3720 18600 3-14 MOSTrs_1x3_3 5 7 6 8 1 3 3720 18600 3-15 MOSTrs_1x10_3 9 11 10 12 1 10 3720 18600 3-16 MOSTrs_3x3_3 13 15 14 16 3 3 3720 18600 3-17 MOSTrs_3x10_3 17 19 18 20 3 10 3720 18600 3-18 MOSTrs_3x30_3 21 23 22 24 3 30 3720 18600 3-19 MOSTrs_10x10_3 1 3 2 4 10 10 3720 18200 3-20 MOSTrs_10x30_3 5 7 6 8 10 30 3720 18200 3-21 MOSTrs_10x100_3 9 11 10 12 10 100 3720 18200 3-22 MOSTrs_30x100_3 9 11 10 12 30 100 5580 19400 4-1 MOSTrs_0.2x1_4 1 3 2 4 0.2 1 16620 19400 4-2 MOSTrs_0.2x3_4 5 7 6 8 0.2 3 16620 19400 4-3 MOSTrs_0.2x10_4 9 11 10 12 0.2 10 16620 19400 4-4 MOSTrs_0.3x1_4 13 15 14 16 0.3 1 16620 19400 4-5 MOSTrs_0.3x3_4 17 19 18 20 0.3 3 16620 19400 4-6 MOSTrs_0.3x10_4 21 23 22 24 0.3 10 16620 19400 (19)
MOS トランジスタ ( その 4) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 X-cord 4-7 MOSTrs_0.5x1_4 1 3 2 4 0.5 1 16620 19000 4-8 MOSTrs_0.5x3_4 5 7 6 8 0.5 3 16620 19000 4-9 MOSTrs_0.5x10_4 9 11 10 12 0.5 10 16620 19000 4-10 MOSTrs_0.6x1_4 13 15 14 16 0.6 3 16620 19000 4-11 MOSTrs_0.6x3_4 17 19 18 20 0.6 3 16620 19000 4-12 MOSTrs_0.6x10_4 21 23 22 24 0.6 10 16620 19000 4-13 MOSTrs_1x1_4 1 3 2 4 1 1 16620 18600 4-14 MOSTrs_1x3_4 5 7 6 8 1 3 16620 18600 4-15 MOSTrs_1x10_4 9 11 10 12 1 10 16620 18600 4-16 MOSTrs_3x3_4 13 15 14 16 3 3 16620 18600 4-17 MOSTrs_3x10_4 17 19 18 20 3 10 16620 18600 4-18 MOSTrs_3x30_4 21 23 22 24 3 30 16620 18600 4-19 MOSTrs_10x10_4 1 3 2 4 10 10 16620 18200 4-20 MOSTrs_10x30_4 5 7 6 8 10 30 16620 18200 4-21 MOSTrs_10x100_4 9 11 10 12 10 100 16620 18200 4-22 MOSTrs_30x100_4 9 11 10 12 30 100 18480 19400 (20)
MOS トランジスタ ( その 5) FG 寄生 MOS L(Active) gate drain gate 長 gate 幅 FG 長 CNT 0.4um N1(N-) N2(N+) FG(Poly-Si) CNT FG source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 Silicide L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 FG-CNT 合わせ余裕 0.4um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 FG 長 X-cord 1-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_1 1 3 2 4 0.6 3 0.3 1860 24450 1-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_1 5 7 6 8 0.6 10 0.3 1860 24450 1-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_1 9 11 10 12 1.6 3 0.6 1860 24450 1-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_1 13 15 14 16 1.6 10 0.6 1860 24450 1-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 2.6 3 0.6 0 23650 1-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_1 13 15 14 16 3.6 3 0.6 0 24450 (21)
MOS トランジスタ ( その 6) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 FG 長 X-cord 2-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_2 1 3 2 4 0.6 3 0.3 5580 18200 2-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_2 5 7 6 8 0.6 10 0.3 5580 18200 2-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_2 9 11 10 12 1.6 3 0.6 5580 18200 2-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_2 13 15 14 16 1.6 10 0.6 5580 18200 2-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 2.6 3 0.6 3720 17400 2-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_2 13 15 14 16 3.6 3 0.6 3720 18200 3-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_3 1 3 2 4 0.6 3 0.3 14760 24450 3-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_3 5 7 6 8 0.6 10 0.3 14760 24450 3-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_3 9 11 10 12 1.6 3 0.6 14760 24450 3-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_3 13 15 14 16 1.6 10 0.6 14760 24450 3-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 2.6 3 0.6 12900 23650 3-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_3 13 15 14 16 3.6 3 0.6 12900 24450 4-1 FGkisei_0.6x3_FG0.3_4 1 3 2 4 0.6 3 0.3 18480 18200 4-2 FGkisei_0.6x10_FG0.3_4 5 7 6 8 0.6 10 0.3 18480 18200 4-3 FGkisei_1.6x3_FG0.6_4 9 11 10 12 1.6 3 0.6 18480 18200 4-4 FGkisei_1.6x10_FG0.6_4 13 15 14 16 1.6 10 0.6 18480 18200 4-5 FGkisei_2.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 2.6 3 0.6 16620 17400 4-6 FGkisei_3.6x3_FG0.6_4 13 15 14 16 3.6 3 0.6 18480 18200 (22)
MOS トランジスタ ( その 7) 寄生 MOS L(Active) gate drain gate 幅 gate 長 長 CNT 0.4um CNT N1(N-) N2(N+) Silicide source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 CNT- 合わせ余裕 0.3um 以上 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 1-1 kisei_0.6x3 0.5_1 17 19 18 20 0.6 3 0.5 1860 24450 1-2 kisei_0.6x10 0.3_1 21 23 22 24 0.6 10 0.3 1860 24450 1-3 kisei_1.6x3 0.8_1 1 3 2 4 1.6 3 0.8 1860 24050 1-4 kisei_1.6x10 0.6_1 5 7 6 8 1.6 10 0.6 1860 24050 1-5 kisei_2.6x3 0.8_1 17 19 18 20 2.6 3 0.8 0 23650 1-6 kisei_2.6x3 3.4_1 1 3 2 4 2.6 3 3.4 0 24050 1-7 kisei_3.6x3 0.8_1 17 19 18 20 3.6 3 0.8 0 24450 1-8 kisei_3.6x3 4.4_1 5 7 6 8 3.6 3 4.4 0 24050 (23)
MOS トランジスタ ( その 8) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 2-1 kisei_0.6x3 0.5_2 17 19 18 20 0.6 3 0.5 14760 24450 2-2 kisei_0.6x10 0.3_2 21 23 22 24 0.6 10 0.3 14760 24450 2-3 kisei_1.6x3 0.8_2 1 3 2 4 1.6 3 0.8 14760 24050 2-4 kisei_1.6x10 0.6_2 5 7 6 8 1.6 10 0.6 14760 24050 2-5 kisei_2.6x3 0.8_2 17 19 18 20 2.6 3 0.8 12900 23650 2-6 kisei_2.6x3 3.4_2 1 3 2 4 2.6 3 3.4 12900 24050 2-7 kisei_3.6x3 0.8_2 17 19 18 20 3.6 3 0.8 12900 24450 2-8 kisei_3.6x3 4.4_2 5 7 6 8 3.6 3 4.4 12900 24050 3-1 kisei_0.6x3 0.5_3 17 19 18 20 0.6 3 0.5 5580 18200 3-2 kisei_0.6x10 0.3_3 21 23 22 24 0.6 10 0.3 5580 18200 3-3 kisei_1.6x3 0.8_3 1 3 2 4 1.6 3 0.8 5580 17800 3-4 kisei_1.6x10 0.6_3 5 7 6 8 1.6 10 0.6 5580 17800 3-5 kisei_2.6x3 0.8_3 17 19 18 20 2.6 3 0.8 3720 17400 3-6 kisei_2.6x3 3.4_3 1 3 2 4 2.6 3 3.4 3720 17800 3-7 kisei_3.6x3 0.8_3 17 19 18 20 3.6 3 0.8 3720 18200 3-8 kisei_3.6x3 4.4_3 5 7 6 8 3.6 3 4.4 3720 17800 4-1 kisei_0.6x3 0.5_4 17 19 18 20 0.6 3 0.5 18480 18200 4-2 kisei_0.6x10 0.3_4 21 23 22 24 0.6 10 0.3 18480 18200 4-3 kisei_1.6x3 0.8_4 1 3 2 4 1.6 3 0.8 18480 17800 4-4 kisei_1.6x10 0.6_4 5 7 6 8 1.6 10 0.6 18480 17800 4-5 kisei_2.6x3 0.8_4 17 19 18 20 2.6 3 0.8 16620 17400 4-6 kisei_2.6x3 3.4_4 1 3 2 4 2.6 3 3.4 16620 17800 4-7 kisei_3.6x3 0.8_4 17 19 18 20 3.6 3 0.8 16620 18200 4-8 kisei_3.6x3 4.4_4 5 7 6 8 3.6 3 4.4 16620 17800 (24)
MOS トランジスタ ( その 9) M2 寄生 MOS L(Active) N1(N-) M2 gate drain gate 幅 gate 長 M2 長 N2(N+) CNT 0.4um M2 CNT Silicide source sub N+ LOCOS N+ p-sub gate 長 L-CNT 合わせ余裕 0.3um 以上 gate 幅 1um 当たりCNT1 個配置 CNT- 合わせ余裕 0.3um 以上 No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 M2 長 X-cord 1-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_1 9 11 10 12 0.6 3 0.5 1860 24450 1-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_1 13 15 14 16 0.6 10 0.3 1860 24450 1-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_1 17 19 18 20 1.6 3 0.8 1860 24050 1-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_1 21 23 22 24 1.6 10 0.6 1860 24050 1-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 2.6 3 0.8 0 23650 1-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_1 9 11 10 12 2.6 3 3.4 0 24050 1-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_1 21 23 22 24 3.6 3 0.8 0 24450 1-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_1 13 15 14 16 3.6 3 4.4 0 24050 (25)
MOS トランジスタ ( その 10) No. 素子名 Pad 番号 gate 長 gate drain source sub gate 幅 長 X-cord 2-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_2 9 11 10 12 0.6 3 0.5 14760 24450 2-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_2 13 15 14 16 0.6 10 0.3 14760 24450 2-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_2 17 19 18 20 1.6 3 0.8 14760 24050 2-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_2 21 23 22 24 1.6 10 0.6 14760 24050 2-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 2.6 3 0.8 12900 23650 2-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_2 9 11 10 12 2.6 3 3.4 12900 24050 2-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_2 21 23 22 24 3.6 3 0.8 12900 24450 2-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_2 13 15 14 16 3.6 3 4.4 12900 24050 3-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_3 9 11 10 12 0.6 3 0.5 5580 17800 3-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_3 13 15 14 16 0.6 10 0.3 5580 17800 3-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_3 17 19 18 20 1.6 3 0.8 5580 17800 3-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_3 21 23 22 24 1.6 10 0.6 5580 17800 3-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 2.6 3 0.8 3720 17400 3-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_3 9 11 10 12 2.6 3 3.4 3720 17800 3-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_3 21 23 22 24 3.6 3 0.8 3720 18200 3-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_3 13 15 14 16 3.6 3 4.4 3720 17800 4-1 M2kisei_0.6x3_M2_0.5_4 9 11 10 12 0.6 3 0.5 18480 17800 4-2 M2kisei_0.6x10_M2_0.3_4 13 15 14 16 0.6 10 0.3 18480 17800 4-3 M2kisei_1.6x3_M2_0.8_4 17 19 18 20 1.6 3 0.8 18480 17800 4-4 M2kisei_1.6x10_M2_0.6_4 21 23 22 24 1.6 10 0.6 18480 17800 4-5 M2kisei_2.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 2.6 3 0.8 16620 17400 4-6 M2kisei_2.6x3_M2_3.4_4 9 11 10 12 2.6 3 3.4 16620 17800 4-7 M2kisei_3.6x3_M2_0.8_4 21 23 22 24 3.6 3 0.8 16620 18200 4-8 M2kisei_3.6x3_M2_4.4_4 13 15 14 16 3.6 3 4.4 16620 17800 (26)
PN 接合 L 型 α123 配置図赤字は詳細説明無 L 型 α は カ ート リンク 1.2x 1.2 1.2x 1.2 カ ート リンク 付 2x2 カ ート リンク 付 10x10 とは CNT 上の 面積が接合領域より大きい場合を指す 2x10 x10 3x30 x10 10x 100x 10 =L 1.2x 1.2 1.2x 1.2 2x2 2x2 10x 10 100x 100 2x10 10x 100 2x2 3x3 10x 10 30x 30 100x 100 100x 100x9 2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x 100 (27)
PN 接合 L 型 β123 配置図赤字は詳細説明無 L 型 β は M2 カ ート リンク 1.2x 1.2 1.2x 1.2 M2 カ ート リンク 付 2x2 M2 カ ート リンク 付 10x10 とは CNT 上の 面積が接合領域より大きい場合を指す 2x10 x10 3x30 x10 10x 100x 10 =L 1.2x 1.2 1.2x 1.2 2x2 2x2 10x 10 100x 100 2x10 10x 100 2x2 3x3 10x 10 30x 30 100x 100 100x 100x9 2x10 2x30 3x10 3x30 10x10 10x 100 (28)
PN 接合 L 型 ( その 1) 接合領域が L マスクで決まる cathode N2(N+) W N1(N-) CNT Silicide LOCOS L N+ p-sub 接合領域 N ー anode L(Active) CNT 1um 1 P(P+) 1 接合領域 2x2um 2x10um 2x30um は CNT0.4um それ以外は 1um L-CNT 合わせ余裕 0.8um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 接合領域 2x2um 3x3um は CNT1 個 10x10um は 9 個配置 2x10um ならば 2x2um が 5 個あると考えて CNT5 個 No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 1-1 PNJC_L_2x2_α1 1 2 2 2 8310 25650 1-2 PNJC_L_3x3_α1 3 4 3 3 8310 25650 1-3 PNJC_L_10x10_α1 5 6 10 10 8310 25650 1-4 PNJC_L_30x30_α1 7 8 30 30 8310 25650 1-5 PNJC_L_100x100_α 9 10 100 100 8310 25650 1-6 1 PNJC_L_2x10_α1 13 14 2 10 8310 25650 1-7 PNJC_L_2x30_α1 15 16 2 30 8310 25650 1-8 PNJC_L_3x10_α1 17 18 3 10 8310 25650 1-9 PNJC_L_3x30_α1 19 20 3 30 8310 25650 1-10 PNJC_L_10x100_α1 23 24 10 100 8310 25650 (29)
PN 接合 L 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 2-1 PNJC_L_2x2_α2 1 2 2 2 8310 24050 2-2 PNJC_L_3x3_α2 3 4 3 3 8310 24050 2-3 PNJC_L_10x10_α2 5 6 10 10 8310 24050 2-4 PNJC_L_30x30_α2 7 8 30 30 8310 24050 2-5 PNJC_L_100x100_α 9 10 100 100 8310 24050 2-6 2 PNJC_L_2x10_α2 13 14 2 10 8310 24050 2-7 PNJC_L_2x30_α2 15 16 2 30 8310 24050 2-8 PNJC_L_3x10_α2 17 18 3 10 8310 24050 2-9 PNJC_L_3x30_α2 19 20 3 30 8310 24050 2-10 PNJC_L_10x100_α2 23 24 10 100 8310 24050 3-1 PNJC_L_2x2_α3 1 2 2 2 1860 15400 3-2 PNJC_L_3x3_α3 3 4 3 3 1860 15400 3-3 PNJC_L_10x10_α3 5 6 10 10 1860 15400 3-4 PNJC_L_30x30_α3 7 8 30 30 1860 15400 3-5 PNJC_L_100x100_α 9 10 100 100 1860 15400 3-6 3 PNJC_L_2x10_α3 13 14 2 10 1860 15400 3-7 PNJC_L_2x30_α3 15 16 2 30 1860 15400 3-8 PNJC_L_3x10_α3 17 18 3 10 1860 15400 3-9 PNJC_L_3x30_α3 19 20 3 30 1860 15400 3-10 PNJC_L_10x100_α3 23 24 10 100 1860 15400 4-1 PNJC_L_2x2_β1 1 2 2 2 10170 25650 4-2 PNJC_L_3x3_β1 3 4 3 3 10170 25650 4-3 PNJC_L_10x10_β1 5 6 10 10 10170 25650 4-4 PNJC_L_30x30_β1 7 8 30 30 10170 25650 4-5 PNJC_L_100x100_β 9 10 100 100 10170 25650 4-6 1 PNJC_L_2x10_β1 13 14 2 10 10170 25650 4-7 PNJC_L_2x30_β1 15 16 2 30 10170 25650 4-8 PNJC_L_3x10_β1 17 18 3 10 10170 25650 4-9 PNJC_L_3x30_β1 19 20 3 30 10170 25650 4-10 PNJC_L_10x100_β1 23 24 10 100 10170 25650 (30)
PN 接合 L 型 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W X-cord 5-1 PNJC_L_2x2_β2 1 2 2 2 10170 24050 5-2 PNJC_L_3x3_β2 3 4 3 3 10170 24050 5-3 PNJC_L_10x10_β2 5 6 10 10 10170 24050 5-4 PNJC_L_30x30_β2 7 8 30 30 10170 24050 5-5 PNJC_L_100x100_β2 9 10 100 100 10170 24050 5-6 PNJC_L_2x10_β2 13 14 2 10 10170 24050 5-7 PNJC_L_2x30_β2 15 16 2 30 10170 24050 5-8 PNJC_L_3x10_β2 17 18 3 10 10170 24050 5-9 PNJC_L_3x30_β2 19 20 3 30 10170 24050 5-10 PNJC_L_10x100_β2 23 24 10 100 10170 24050 6-1 PNJC_L_2x2_β3 1 2 2 2 14760 15400 6-2 PNJC_L_3x3_β3 3 4 3 3 14760 15400 6-3 PNJC_L_10x10_β3 5 6 10 10 14760 15400 6-4 PNJC_L_30x30_β3 7 8 30 30 14760 15400 6-5 PNJC_L_100x100_β3 9 10 100 100 14760 15400 6-6 PNJC_L_2x10_β3 13 14 2 10 14760 15400 6-7 PNJC_L_2x30_β3 15 16 2 30 14760 15400 6-8 PNJC_L_3x10_β3 17 18 3 10 14760 15400 6-9 PNJC_L_3x30_β3 19 20 3 30 14760 15400 6-10 PNJC_L_10x100_β3 23 24 10 100 14760 15400 (31)
PN 接合 L 型 ( その 4) 10 個並列型 cathode anode 単品 2x10um 3x30um 10x100um を 10 個並列化 10x100umx10 個と 100x100um の逆耐圧測定で周辺長のリーク評価が可能 L-CNT 合わせ余裕 0.8um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2um 以上 No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W 並列数 X-cord 1-1 PNJC_L_2x10x10_α1 1 2 2 10 10 8310 25250 1-2 PNJC_L_3x30x10_α1 3 4 3 30 10 8310 25250 1-3 PNJC_L_10x100x10_α1 5 6 10 100 10 8310 25250 2-1 PNJC_L_2x10x10_α2 1 2 2 10 10 8310 23650 2-2 PNJC_L_3x30x10_α2 3 4 3 30 10 8310 23650 2-3 PNJC_L_10x100x10_α2 5 6 10 100 10 8310 23650 3-1 PNJC_L_2x10x10_α3 1 2 2 10 10 1860 15000 3-2 PNJC_L_3x30x10_α3 3 4 3 30 10 1860 15000 3-3 PNJC_L_10x100x10_α3 5 6 10 100 10 1860 15000 (32)
PN 接合 L 型 ( その 5) No. 素子名 Pad 番号 L cath ano W 並列数 X-cord 4-1 PNJC_L_2x10x10_β1 1 2 2 10 10 10170 25250 4-2 PNJC_L_3x30x10_β1 3 4 3 30 10 10170 25250 4-3 PNJC_L_10x100x10_β1 5 6 10 100 10 10170 25250 5-1 PNJC_L_2x10x10_β2 1 2 2 10 10 10170 23650 5-2 PNJC_L_3x30x10_β2 3 4 3 30 10 10170 23650 5-3 PNJC_L_10x100x10_β2 5 6 10 100 10 10170 23650 6-1 PNJC_L_2x10x10_β3 1 2 2 10 10 14760 15000 6-2 PNJC_L_3x30x10_β3 3 4 3 30 10 14760 15000 6-3 PNJC_L_10x100x10_β3 5 6 10 100 10 14760 15000 (33)
PN 接合 L 型 ( その 6) 100x100um 3 行 3 列型 300x300um ではなく 100x100um ごとに素子が分離されている L(Active) CNT cathode L-CNT 合わせ余裕 2.5um CNT- 合わせ余裕 1um anode 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号 X-cord cath ano 1 PNJC_L_100x100x9_α1 11 12 8310 25250 2 PNJC_L_100x100x9_α2 11 12 8310 25250 3 PNJC_L_100x100x9_α3 11 12 8310 25250 4 PNJC_L_100x100x9_β1 11 12 8310 23650 5 PNJC_L_100x100x9_β2 11 12 8310 23650 6 PNJC_L_100x100x9_β3 11 12 8310 23650 (34)
PN 接合 N1 型 α12 配置図赤字は詳細説明無 N1 型 α は カ ート リンク 2x10 2x30 3x10 3x30 10x 100 2x10 x10 3x10 x10 10x 100x 10 FG カ ート リンク 付 2x10 FG カ ート リンク 付 10x10 2x2 3x3 L=12 10x10 L=8 10x10 L=10 10x10 L=14 10x10 30x30 100x 100 100x 100x 9 FG カ ート リンク 付 2x2 32x32 100x 100 100x 100x 9 3x10 3x30 10x 100 3x10x 10 10x 100x 10 カ ート リンク 付 2x10 カ ート リンク 付 10x10 2x2 2x10 Silicide >N2 2x30 2x10 x10 3x3 10x10 (L=12) 10x10 (L=12) L=8 10x10 (L 型 8x8) L=10 10x10 L=14 10x10 カ ート リンク 付 2x2 (35)
PN 接合 N1 型 β12 配置図赤字は詳細説明無 N1 型 β は M2 カ ート リンク 2x10 2x30 3x10 3x30 10x 100 2x10 x10 3x10 x10 10x 100x 10 FG カ ート リンク 付 2x10 FG カ ート リンク 付 10x10 2x2 3x3 L=12 10x10 L=8 10x10 L=10 10x10 L=14 10x10 30x30 100x 100 100x 100x 9 FG カ ート リンク 付 2x2 32x32 100x 100 100x 100x 9 3x10 3x30 10x 100 3x10x 10 10x 100x 10 M2 カ ート リンク 付 2x10 M2 カ ート リンク 付 10x10 2x2 2x10 Silicide >N2 2x30 2x10 x10 3x3 10x10 (L=12) 10x10 (L=12) L=8 10x10 (L 型 8x8) L=10 10x10 L=14 10x10 M2 カ ート リンク 付 2x2 (36)
PN 接合 N1 型 ( その 1) cathode N2(N+) 接合領域が N1 マスクで決まる W N1(N-) SP(Silicideなし領域 ) L + NOT SPがSilicide 領域 CNT Silicide LOCOS L N+ p-sub 接合領域 N- anode L(Active) CNT 1um 1 1 接合領域 10x10um 32x32um 100x100um 以外は 0.4um P(P+) L-N1 合わせ余裕 1um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上接合領域 2x2um 3x3umはCNT1 個 10x10umは9 個配置 2x10umは5 個 3x10umは4 個 No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1-1 PNJC_N1_2x2_α1 1 2 2 2 0.4 0.1 8310 16600 1-2 PNJC_N1_2x10_α1 3 4 2 10 0.4 0.1 8310 16600 1-3 PNJC_N1_3x3_α1 9 10 3 3 0.5 0.3 8310 16600 1-4 PNJC_N1_10x10_α1 11 12 10 10 1 0.3 8310 16600 1-5 PNJC_N1_32x32_α1 1 2 2 10 1 1 8310 16200 1-6 PNJC_N1_100x100_α 3 4 2 30 1 0.3 8310 16200 1-7 1 PNJC_N1_3x10_α1 7 8 3 10 0.5 0.3 8310 16200 1-8 PNJC_N1_3x30_α1 9 10 3 30 0.5 0.3 8310 16200 1-9 PNJC_N1_10x100_α1 11 12 10 100 1 0.3 8310 16200 (37)
PN 接合 N1 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 2-1 PNJC_N1_2x2_α2 1 2 2 2 0.4 0.1 3720 15800 2-2 PNJC_N1_2x10_α2 3 4 2 10 0.4 0.1 3720 15800 2-3 PNJC_N1_3x3_α2 9 10 3 3 0.5 0.3 3720 15800 2-4 PNJC_N1_10x10_α2 11 12 10 10 1 0.3 3720 15800 2-5 PNJC_N1_32x32_α2 1 2 2 10 1 1 3720 15400 2-6 PNJC_N1_100x100_α2 3 4 2 30 1 0.3 3720 15400 2-7 PNJC_N1_3x10_α2 7 8 3 10 0.5 0.3 3720 15400 2-8 PNJC_N1_3x30_α2 9 10 3 30 0.5 0.3 3720 15400 2-9 PNJC_N1_10x100_α2 11 12 10 100 1 0.3 3720 15400 3-1 PNJC_N1_2x2_β1 1 2 2 2 0.4 0.1 10170 16600 3-2 PNJC_N1_2x10_β1 3 4 2 10 0.4 0.1 10170 16600 3-3 PNJC_N1_3x3_β1 9 10 3 3 0.5 0.3 10170 16600 3-4 PNJC_N1_10x10_β1 11 12 10 10 1 0.3 10170 16600 3-5 PNJC_N1_32x32_β1 1 2 2 10 1 1 10170 16200 3-6 PNJC_N1_100x100_β1 3 4 2 30 1 0.3 10170 16200 3-7 PNJC_N1_3x10_β1 7 8 3 10 0.5 0.3 10170 16200 3-8 PNJC_N1_3x30_β1 9 10 3 30 0.5 0.3 10170 16200 3-9 PNJC_N1_10x100_β1 11 12 10 100 1 0.3 10170 16200 4-1 PNJC_N1_2x2_β2 1 2 2 2 0.4 0.1 16620 15800 4-2 PNJC_N1_2x10_β2 3 4 2 10 0.4 0.1 16620 15800 4-3 PNJC_N1_3x3_β2 9 10 3 3 0.5 0.3 16620 15800 4-4 PNJC_N1_10x10_β2 11 12 10 10 1 0.3 16620 15800 4-5 PNJC_N1_32x32_β2 1 2 2 10 1 1 16620 15400 4-6 PNJC_N1_100x100_β2 3 4 2 30 1 0.3 16620 15400 4-7 PNJC_N1_3x10_β2 7 8 3 10 0.5 0.3 16620 15400 4-8 PNJC_N1_3x30_β2 9 10 3 30 0.5 0.3 16620 15400 4-9 PNJC_N1_10x100_β2 11 12 10 100 1 0.3 16620 15400 (38)
PN 接合 N1 型 ( その 3) 10 個並列型 cathode anode L-N1 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 1um 以上 No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1-1 PNJC_N1_2x10x10_α1 7 8 2 10 0.4 0.1 8310 16600 1-2 PNJC_N1_3x10x10_α1 13 14 3 10 0.5 0.3 8310 16200 1-3 PNJC_N1_10x100x10_α1 15 16 10 100 1 0.3 8310 16200 2-1 PNJC_N1_2x10x10_α2 7 8 2 10 0.4 0.1 3720 15800 2-2 PNJC_N1_3x10x10_α2 13 14 3 10 0.5 0.3 3720 15400 2-3 PNJC_N1_10x100x10_α2 15 16 10 100 1 0.3 3720 15400 3-1 PNJC_N1_2x10x10_β1 7 8 2 10 0.4 0.1 10170 16600 3-2 PNJC_N1_3x10x10_β1 13 14 3 10 0.5 0.3 10170 16200 3-3 PNJC_N1_10x100x10_β1 15 16 10 100 1 0.3 10170 16200 4-1 PNJC_N1_2x10x10_β2 7 8 2 10 0.4 0.1 16620 15800 4-2 PNJC_N1_3x10x10_β2 13 14 3 10 0.5 0.3 16620 15400 4-3 PNJC_N1_10x100x10_β2 15 16 10 100 1 0.3 16620 15400 (39)
PN 接合 N1 型 ( その 4) 100x100um 3 行 3 列型 300x300um ではなく 100x100um ごとに素子が分離されている cathode L(Active) CNT L-CNT 合わせ余裕 1.5um CNT- 合わせ余裕 1um anode 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号 N1 N1-N2 cath ano L W N2-Silic -ide X-cord 1 PNJC_N1_100x100x9_α1 5 6 100 100 1 0.3 8310 16200 2 PNJC_N1_100x100x9_α2 5 6 100 100 1 0.3 3720 15400 3 PNJC_N1_100x100x9_β1 5 6 100 100 1 0.3 10170 16200 4 PNJC_N1_100x100x9_β2 5 6 100 100 1 0.3 16620 15400 (40)
MOS 容量 L 型 123456 配置図赤字は詳細説明無 Poly-Si silicide CNT LOCOS p-sub ゲート酸化膜 Gate on CNT CNT Poly-Si silicide LOCOS p-sub ゲート酸化膜 LOCOS on CNT Di 付 1x1 GoC 1x1 GoC 2x3 2x3 x10 Di 付 2x2 GoC 2x2 GoC 2x10 2x10 x10 Di 付 3x3 GoC 3x3 CNT.4 GoC 2x30 3x10 x10 Di 付 10x 10 GoC 3x3 CNT1 GoC 10x 30 3x30 x10 Di 付 2x3 GoC 10x10 GoC 10x 100 10x30 x10 Di 付 2x10 GoC 30x30 GoC 2x10 x10 10x100 x10 Di 付 GoC 1x1 GoC 100x 100 GoC 2x30 x10 2x3 2x10 2x30 3x10 3x30 10x30 10x100 1x1 2x2 3x3 10x 10 30x 30 100x 100 (41) Di 付 GoC 2x2 GoC 100x 100x9 GoC 10x30 x10 Di 付 GoC 3x3 GoC 10x100 x10 Di 付 GoC 10x10 Di 付 GoC 2x3 GoC 100x 100x3 GoC=Gate on CNT Di 付 = 保護 Diode 付き 100x 100x9 100x 100x3 Di 付 GoC 2x10
MOS 容量 L 型 ( その 1) ゲート領域が L マスクで決まる gate CNT 1um 1 CNT Poly-Si silicide L LOCOS p-sub ゲート酸化膜 sub W FG(Poly-Si) L(Active) CNT 1um P(P+) 1 ゲート寸法 1x1um 2x2um は CNT0.4um それ以外は 1um PolySi-CNT 合わせ余裕 0.5um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 ゲート寸法 10x10um まで CNT1 個 30x30um は 3 個 10x100um 100x100um は 9 個配置 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_L_1x1_1 1 2 1 1 3720 25650 1-2 MOSCP_L_2x2_1 3 4 2 2 3720 25650 1-3 MOSCP_L_3x3_1 5 6 3 3 3720 25650 1-4 MOSCP_L_10x10_1 7 8 10 10 3720 25650 1-5 MOSCP_L_30x30_1 9 10 30 30 3720 25650 1-6 MOSCP_L_100x100_1 11 12 100 100 3720 25650 1-7 MOSCP_L_2x3_1 1 2 2 3 3720 24850 1-8 MOSCP_L_2x10_1 3 4 2 10 3720 24850 1-9 MOSCP_L_2x30_1 5 6 2 30 3720 24850 1-10 MOSCP_L_3x10_1 7 8 3 10 3720 24850 1-11 MOSCP_L_3x30_1 9 10 3 30 3720 24850 (42)
MOS 容量 L 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 1-12 MOSCP_L_10x30_1 11 12 10 30 3720 24850 1-13 MOSCP_L_10x100_1 13 14 10 100 3720 24850 2-1 MOSCP_L_1x1_2 1 2 1 1 5580 25650 2-2 MOSCP_L_2x2_2 3 4 2 2 5580 25650 2-3 MOSCP_L_3x3_2 5 6 3 3 5580 25650 2-4 MOSCP_L_10x10_2 7 8 10 10 5580 25650 2-5 MOSCP_L_30x30_2 9 10 30 30 5580 25650 2-6 MOSCP_L_100x100_2 11 12 100 100 5580 25650 2-7 MOSCP_L_2x3_2 1 2 2 3 5580 24850 2-8 MOSCP_L_2x10_2 3 4 2 10 5580 24850 2-9 MOSCP_L_2x30_2 5 6 2 30 5580 24850 2-10 MOSCP_L_3x10_2 7 8 3 10 5580 24850 2-11 MOSCP_L_3x30_2 9 10 3 30 5580 24850 2-12 MOSCP_L_10x30_2 11 12 10 30 5580 24850 2-13 MOSCP_L_10x100_2 13 14 10 100 5580 24850 3-1 MOSCP_L_1x1_3 1 2 1 1 5580 17000 3-2 MOSCP_L_2x2_3 3 4 2 2 5580 17000 3-3 MOSCP_L_3x3_3 5 6 3 3 5580 17000 3-4 MOSCP_L_10x10_3 7 8 10 10 5580 17000 3-5 MOSCP_L_30x30_3 9 10 30 30 5580 17000 3-6 MOSCP_L_100x100_3 11 12 100 100 5580 17000 3-7 MOSCP_L_2x3_3 1 2 2 3 5580 16200 3-8 MOSCP_L_2x10_3 3 4 2 10 5580 16200 3-9 MOSCP_L_2x30_3 5 6 2 30 5580 16200 3-10 MOSCP_L_3x10_3 7 8 3 10 5580 16200 3-11 MOSCP_L_3x30_3 9 10 3 30 5580 16200 3-12 MOSCP_L_10x30_3 11 12 10 30 5580 16200 3-13 MOSCP_L_10x100_3 13 14 10 100 5580 16200 (43)
MOS 容量 L 型 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 4-1 MOSCP_L_1x1_4 1 2 1 1 18480 17000 4-2 MOSCP_L_2x2_4 3 4 2 2 18480 17000 4-3 MOSCP_L_3x3_4 5 6 3 3 18480 17000 4-4 MOSCP_L_10x10_4 7 8 10 10 18480 17000 4-5 MOSCP_L_30x30_4 9 10 30 30 18480 17000 4-6 MOSCP_L_100x100_4 11 12 100 100 18480 17000 4-7 MOSCP_L_2x3_4 1 2 2 3 18480 16200 4-8 MOSCP_L_2x10_4 3 4 2 10 18480 16200 4-9 MOSCP_L_2x30_4 5 6 2 30 18480 16200 4-10 MOSCP_L_3x10_4 7 8 3 10 18480 16200 4-11 MOSCP_L_3x30_4 9 10 3 30 18480 16200 4-12 MOSCP_L_10x30_4 11 12 10 30 18480 16200 4-13 MOSCP_L_10x100_4 13 14 10 100 18480 16200 5-1 MOSCP_L_1x1_5 1 2 1 1 5580 12800 5-2 MOSCP_L_2x2_5 3 4 2 2 5580 12800 5-3 MOSCP_L_3x3_5 5 6 3 3 5580 12800 5-4 MOSCP_L_10x10_5 7 8 10 10 5580 12800 5-5 MOSCP_L_30x30_5 9 10 30 30 5580 12800 5-6 MOSCP_L_100x100_5 11 12 100 100 5580 12800 5-7 MOSCP_L_2x3_5 1 2 2 3 5580 12000 5-8 MOSCP_L_2x10_5 3 4 2 10 5580 12000 5-9 MOSCP_L_2x30_5 5 6 2 30 5580 12000 5-10 MOSCP_L_3x10_5 7 8 3 10 5580 12000 5-11 MOSCP_L_3x30_5 9 10 3 30 5580 12000 5-12 MOSCP_L_10x30_5 11 12 10 30 5580 12000 5-13 MOSCP_L_10x100_5 13 14 10 100 5580 12000 (44)
MOS 容量 L 型 ( その 4) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 X-cord gate sub L W 6-1 MOSCP_L_1x1_6 1 2 1 1 18480 12800 6-2 MOSCP_L_2x2_6 3 4 2 2 18480 12800 6-3 MOSCP_L_3x3_6 5 6 3 3 18480 12800 6-4 MOSCP_L_10x10_6 7 8 10 10 18480 12800 6-5 MOSCP_L_30x30_6 9 10 30 30 18480 12800 6-6 MOSCP_L_100x100_6 11 12 100 100 18480 12800 6-7 MOSCP_L_2x3_6 1 2 2 3 18480 12000 6-8 MOSCP_L_2x10_6 3 4 2 10 18480 12000 6-9 MOSCP_L_2x30_6 5 6 2 30 18480 12000 6-10 MOSCP_L_3x10_6 7 8 3 10 18480 12000 6-11 MOSCP_L_3x30_6 9 10 3 30 18480 12000 6-12 MOSCP_L_10x30_6 11 12 10 30 18480 12000 6-13 MOSCP_L_10x100_6 13 14 10 100 18480 12000 (45)
MOS 容量 L 型 ( その 5) 10 個並列型 gate sub 単品 2x3um 2x10um 3x10um 3x30um 10x30um 10x100um を 10 個並列化 PolySi-CNT 合わせ余裕 0.7um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.6um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2.4um 以上 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_L_2x3x10_1 1 2 2 3 10 3720 24450 1-2 MOSCP_L_2x10x10_1 3 4 2 10 10 3720 24450 1-3 MOSCP_L_3x10x10_1 5 6 3 10 10 3720 24450 1-4 MOSCP_L_3x30x10_1 7 8 3 30 10 3720 24450 1-5 MOSCP_L_10x30x10_1 9 10 10 30 10 3720 24450 1-6 MOSCP_L_10x100x10_1 11 12 10 100 10 3720 24450 (46)
MOS 容量 L 型 ( その 6) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 2-1 MOSCP_L_2x3x10_2 1 2 2 3 10 5580 24450 2-2 MOSCP_L_2x10x10_2 3 4 2 10 10 5580 24450 2-3 MOSCP_L_3x10x10_2 5 6 3 10 10 5580 24450 2-4 MOSCP_L_3x30x10_2 7 8 3 30 10 5580 24450 2-5 MOSCP_L_10x30x10_2 9 10 10 30 10 5580 24450 2-6 MOSCP_L_10x100x10_2 11 12 10 100 10 5580 24450 3-1 MOSCP_L_2x3x10_3 1 2 2 3 10 5580 15800 3-2 MOSCP_L_2x10x10_3 3 4 2 10 10 5580 15800 3-3 MOSCP_L_3x10x10_3 5 6 3 10 10 5580 15800 3-4 MOSCP_L_3x30x10_3 7 8 3 30 10 5580 15800 3-5 MOSCP_L_10x30x10_3 9 10 10 30 10 5580 15800 3-6 MOSCP_L_10x100x10_3 11 12 10 100 10 5580 15800 4-1 MOSCP_L_2x3x10_4 1 2 2 3 10 18480 15800 4-2 MOSCP_L_2x10x10_4 3 4 2 10 10 18480 15800 4-3 MOSCP_L_3x10x10_4 5 6 3 10 10 18480 15800 4-4 MOSCP_L_3x30x10_4 7 8 3 30 10 18480 15800 4-5 MOSCP_L_10x30x10_4 9 10 10 30 10 18480 15800 4-6 MOSCP_L_10x100x10_4 11 12 10 100 10 18480 15800 5-1 MOSCP_L_2x3x10_5 1 2 2 3 10 5580 11600 5-2 MOSCP_L_2x10x10_5 3 4 2 10 10 5580 11600 5-3 MOSCP_L_3x10x10_5 5 6 3 10 10 5580 11600 5-4 MOSCP_L_3x30x10_5 7 8 3 30 10 5580 11600 5-5 MOSCP_L_10x30x10_5 9 10 10 30 10 5580 11600 5-6 MOSCP_L_10x100x10_5 11 12 10 100 10 5580 11600 6-1 MOSCP_L_2x3x10_6 1 2 2 3 10 18480 11600 6-2 MOSCP_L_2x10x10_6 3 4 2 10 10 18480 11600 6-3 MOSCP_L_3x10x10_6 5 6 3 10 10 18480 11600 6-4 MOSCP_L_3x30x10_6 7 8 3 30 10 18480 11600 6-5 MOSCP_L_10x30x10_6 9 10 10 30 10 18480 11600 6-6 MOSCP_L_10x100x10_6 11 12 10 100 10 18480 11600 (47)
MOS 容量 L 型 ( その 7) 100x100um 3 行 3 列型 100x100um 3 列型 gate gate sub sub PolySi-CNT 合わせ余裕 2um CNT- 合わせ余裕 1um 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 10um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 3720 25650 1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 3720 25650 2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 5580 25650 2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 5580 25650 3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 5580 17000 3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 5580 17000 4-1 MOSCP_N1_100x100x9_4 13 14 100 100 3x3 18480 17000 4-2 MOSCP_N1_100x100x3_4 19 20 100 100 3 18480 17000 5-1 MOSCP_N1_100x100x9_5 13 14 100 100 3x3 5580 12800 5-2 MOSCP_N1_100x100x3_5 19 20 100 100 3 5580 12800 6-1 MOSCP_N1_100x100x9_6 13 14 100 100 3x3 18480 12800 6-2 MOSCP_N1_100x100x3_6 19 20 100 100 3 18480 12800 (48)
MOS 容量 FG 型 123 配置図赤字は詳細説明無 カ ート リンク 無 N+ カ ート リンク 付 2x3 2x10 2x30 10x 30 10x 100 2x10 x10 2x30 x10 10x30 x10 10x 100x 10 2x2 3x3 10x10 30x 30 30x 10 100x 100 100x 100x9 100x 100x3 2x3 2x10 2x30 10x 30 10x 100 2x10 x10 2x30 x10 10x30 X10 10x 100x 10 2x2 3x3 10x10 30x 30 30x 10 100x 100 100x 100x9 100x 100x3 (49)
MOS 容量 FG 型 ( その 1) gate ゲート領域が FG マスクで決まる CNT 1um 1 SP(silicide 無し領域 ) CNT Poly-Si silicide L LOCOS p-sub ゲート酸化膜 sub W FG(Poly-Si) L(Active) CNT 1um P(P+) 1 L>10 のとき CNT1um それ以外は 0.4um L-PolySi 合わせ余裕 1um 以上 silicide-cnt 合わせ余裕 0.4um 以上 CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 CNT 数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_2x2_1 1 2 2 2 1 16620 25650 1-2 MOSCP_N1_3x3_1 3 4 3 3 1 16620 25650 1-3 MOSCP_N1_10x10_1 5 6 10 10 9 16620 25650 1-4 MOSCP_N1_30x30_1 7 8 30 30 9x9 16620 25650 1-5 MOSCP_N1_30x10_1 9 10 30 10 9x3 16620 25650 1-6 MOSCP_N1_100x100_1 11 12 100 100 9x100 16620 25650 1-7 MOSCP_N1_2x3_1 1 2 2 3 2 16620 24850 1-8 MOSCP_N1_2x10_1 3 4 2 10 5 16620 24850 1-9 MOSCP_N1_2x30_1 5 6 2 30 15 16620 24850 1-10 MOSCP_N1_10x30_1 7 8 10 30 9x3 16620 24850 1-11 MOSCP_N1_10x100_1 9 10 10 100 9x10 16620 24850 (50)
MOS 容量 FG 型 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法 CNT 数 X-cord gate sub L W 2-1 MOSCP_N1_2x2_2 1 2 2 2 1 8310 21400 2-2 MOSCP_N1_3x3_2 3 4 3 3 1 8310 21400 2-3 MOSCP_N1_10x10_2 5 6 10 10 9 8310 21400 2-4 MOSCP_N1_30x30_2 7 8 30 30 9x9 8310 21400 2-5 MOSCP_N1_30x10_2 9 10 30 10 9x3 8310 21400 2-6 MOSCP_N1_100x100_2 11 12 100 100 9x100 8310 21400 2-7 MOSCP_N1_2x3_2 1 2 2 3 2 8310 20600 2-8 MOSCP_N1_2x10_2 3 4 2 10 5 8310 20600 2-9 MOSCP_N1_2x30_2 5 6 2 30 15 8310 20600 2-10 MOSCP_N1_10x30_2 7 8 10 30 9x3 8310 20600 2-11 MOSCP_N1_10x100_2 9 10 10 100 9x10 8310 20600 3-1 MOSCP_N1_2x2_3 1 2 2 2 1 8310 19000 3-2 MOSCP_N1_3x3_3 3 4 3 3 1 8310 19000 3-3 MOSCP_N1_10x10_3 5 6 10 10 9 8310 19000 3-4 MOSCP_N1_30x30_3 7 8 30 30 9x9 8310 19000 3-5 MOSCP_N1_30x10_3 9 10 30 10 9x3 8310 19000 3-6 MOSCP_N1_100x100_3 11 12 100 100 9x100 8310 19000 3-7 MOSCP_N1_2x3_3 1 2 2 3 2 8310 18200 3-8 MOSCP_N1_2x10_3 3 4 2 10 5 8310 18200 3-9 MOSCP_N1_2x30_3 5 6 2 30 15 8310 18200 3-10 MOSCP_N1_10x30_3 7 8 10 30 9x3 8310 18200 3-11 MOSCP_N1_10x100_3 9 10 10 100 9x10 8310 18200 (51)
MOS 容量 FG 型 ( その 3) 10 個並列型 gate sub 単品 2x10um 2x30um 10x30um 10x100um を 10 個並列化 L-PolySi 合わせ余裕 1um silicide-cnt CNT- 合わせ余裕 0.4um 以上 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 2um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_2x10x10_1 11 12 2 10 10 16620 24850 1-2 MOSCP_N1_2x30x10_1 13 14 2 30 10 16620 24850 1-3 MOSCP_N1_10x30x10_1 15 16 10 30 10 16620 24850 1-4 MOSCP_N1_10x100x10_1 17 18 10 100 10 16620 24850 2-1 MOSCP_N1_2x10x10_2 11 12 2 10 10 8310 20600 2-2 MOSCP_N1_2x30x10_2 13 14 2 30 10 8310 20600 2-3 MOSCP_N1_10x30x10_2 15 16 10 30 10 8310 20600 2-4 MOSCP_N1_10x100x10_2 17 18 10 100 10 8310 20600 3-1 MOSCP_N1_2x10x10_3 11 12 2 10 10 8310 18200 3-2 MOSCP_N1_2x30x10_3 13 14 2 30 10 8310 18200 3-3 MOSCP_N1_10x30x10_3 15 16 10 30 10 8310 18200 3-4 MOSCP_N1_10x100x10_3 17 18 10 100 10 8310 18200 (52)
MOS 容量 FG 型 ( その 4) 100x100um 3 行 3 列型 100x100um 3 列型 gate gate sub L-PolySi 合わせ余裕 2um silicide-cnt 合わせ余裕 1.5um sub CNT- 合わせ余裕 1um 素子と素子の間隔 (L の間隔 ) 6um No. 素子名 Pad 番号ゲート寸法並列数 X-cord gate sub L W 1-1 MOSCP_N1_100x100x9_1 13 14 100 100 3x3 16620 25650 1-2 MOSCP_N1_100x100x3_1 19 20 100 100 3 16620 25650 2-1 MOSCP_N1_100x100x9_2 13 14 100 100 3x3 8310 21400 2-2 MOSCP_N1_100x100x3_2 19 20 100 100 3 8310 21400 3-1 MOSCP_N1_100x100x9_3 13 14 100 100 3x3 8310 19000 3-2 MOSCP_N1_100x100x3_3 19 20 100 100 3 8310 19000 (53)
FEOL 抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 Poly-Si 5x5 Poly-Si 5x10 Poly-Si 5x20 PoSi 1x10 素子上 配線無 PoSi 1x10 素子上 配線付 Poly-Si 1x5 Poly-Si 1x10 Poly-Si 1x20 Poly-Si 2x5 Poly-Si 2x10 Poly-Si 2x20 N+ 1x5.6 N+ 1x10.6 N+ 1x20.6 N+ 5x5.6 N+ 5x10.6 N+ 5x20.6 N- 2x20 N- 5x5 N- 5x10 N- 5x20 N- 1x10 素子上 配線無 N- 1x10 素子上 配線付 N- 1x5 N- 1x10 N- 1x20 N- 1x30 N- 2x5 N- 2x10 (54)
FEOL 抵抗 ( その 1) L(Active) High L N2(N+) CNT 0.4um W(CNT) Silicide W N1(N-) LOCOS N+ N- N- 抵抗 p-sub Low sub FG(Poly-Si) L W CNT 0.4um SP(silicide 無し領域 ) Silicide Poly-Si W(CNT) LOCOS p-sub Poly-Si 抵抗 L N2(N+) N+ W(CNT) Silicide W N1(N-) SP(silicide 無し領域 ) N- N+ 抵抗 LOCOS p-sub CNT 径 0.4um 幅 L 1um 当たりCNT1 個配置 L(FG)-CNT 合わせ余裕 0.3um Silicide-CNT 合わせ余裕 0.6um(N+ N-) 0.7um(Poly-Si) N- 抵抗のN+ の長さ 0.3um CNT- 合わせ余裕 0.4um (55)
FEOL 抵抗 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 L High Low sub W X-cord 1-1 N-R_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 12800 1-2 N-R_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 12800 1-3 N-R_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 12800 1-4 N-R_1x30_1 13 14 16 1 30 8310 12800 1-5 N-R_2x5_1 17 18 20 2 5 8310 12800 1-6 N-R_2x10_1 21 22 24 2 10 8310 12800 1-7 N-R_2x20_1 1 2 4 2 20 8310 12400 1-8 N-R_5x5_1 5 6 8 5 5 8310 12400 1-9 N-R_5x10_1 9 10 12 5 10 8310 12400 1-10 N-R_5x20_1 13 14 16 5 20 8310 12400 1-11 N+R_1x5.6_1 1 2 4 1 5.6 8310 12000 1-12 N+R_1x10.6_1 5 6 8 1 10.6 8310 12000 1-13 N+R_1x20.6_1 9 10 12 1 20.6 8310 12000 1-14 N+R_5x5.6_1 13 14 16 5 5.6 8310 12000 1-15 N+R_5x10.6_1 17 18 20 5 10.6 8310 12000 1-16 N+R_5x20.6_1 21 22 24 5 20.6 8310 12000 1-17 Poly-SiR_1x5_1 1 2 4 1 5 8310 11600 1-18 Poly-SiR_1x10_1 5 6 8 1 10 8310 11600 1-19 Poly-SiR_1x20_1 9 10 12 1 20 8310 11600 1-20 Poly-SiR_2x5_1 13 14 16 2 5 8310 11600 1-21 Poly-SiR_2x10_1 17 18 20 2 10 8310 11600 1-22 Poly-SiR_2x20_1 21 22 24 2 20 8310 11600 1-23 Poly-SiR_5x5_1 1 2 4 5 5 8310 11200 1-24 Poly-SiR_5x10_1 5 6 8 5 10 8310 11200 1-25 Poly-SiR_5x20_1 9 10 12 5 20 8310 11200 (56)
FEOL 抵抗 ( その 3) No. 素子名 Pad 番号 L High Low sub W X-cord 2-1 N-R_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 12800 2-2 N-R_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 12800 2-3 N-R_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 12800 2-4 N-R_1x30_2 13 14 16 1 30 10170 12800 2-5 N-R_2x5_2 17 18 20 2 5 10170 12800 2-6 N-R_2x10_2 21 22 24 2 10 10170 12800 2-7 N-R_2x20_2 1 2 4 2 20 10170 12400 2-8 N-R_5x5_2 5 6 8 5 5 10170 12400 2-9 N-R_5x10_2 9 10 12 5 10 10170 12400 2-10 N-R_5x20_2 13 14 16 5 20 10170 12400 2-11 N+R_1x5.6_2 1 2 4 1 5.6 10170 12000 2-12 N+R_1x10.6_2 5 6 8 1 10.6 10170 12000 2-13 N+R_1x20.6_2 9 10 12 1 20.6 10170 12000 2-14 N+R_5x5.6_2 13 14 16 5 5.6 10170 12000 2-15 N+R_5x10.6_2 17 18 20 5 10.6 10170 12000 2-16 N+R_5x20.6_2 21 22 24 5 20.6 10170 12000 2-17 Poly-SiR_1x5_2 1 2 4 1 5 10170 11600 2-18 Poly-SiR_1x10_2 5 6 8 1 10 10170 11600 2-19 Poly-SiR_1x20_2 9 10 12 1 20 10170 11600 2-20 Poly-SiR_2x5_2 13 14 16 2 5 10170 11600 2-21 Poly-SiR_2x10_2 17 18 20 2 10 10170 11600 2-22 Poly-SiR_2x20_2 21 22 24 2 20 10170 11600 2-23 Poly-SiR_5x5_2 1 2 4 5 5 10170 11200 2-24 Poly-SiR_5x10_2 5 6 8 5 10 10170 11200 2-25 Poly-SiR_5x20_2 9 10 12 5 20 10170 11200 (57)
CNT 抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 CNT 0.4um P+ 型 CNT 1um P+ 型 CNT 0.4um Poly-Si 型 CNT 1um Poly-Si 型 CNT 0.4um N+ 型 CNT 1um N+ 型 CNT 0.4um N- 型 CNT 1um N- 型 (58)
CNT 抵抗 ( その 1) SP(Silicide なし領域 ) High FG(Poly-Si) High Low V1 Low CNT0.4um V2 W(CNT) LOCOS Silicide p-sub Poly-Si 型 (CNT=0.4um) P(P+) Poly-Si L(Active) V1 V2 CNT 径 0.4um と 1um の抵抗を 4 端子で測定 FG-CNT, L-CNT, CNT- の合わせ余裕は CNT 径と同じ CNT1um No. 素子名 Pad 番号 CNT 径 High V1 V2 Low CNT 間距離 W(CNT) Silicide P+ SP(Silicide なし領域 ) P+ 型 (CNT=1um) Silicide 間距離 LOCOS X-cord p-sub 1-1 CNTR_0.4_Poly-Si_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 10000 1-2 CNTR_1_Poly-Si_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 10000 1-3 CNTR_0.4_P+_1 1 2 4 3 0.4 2 1.1 8310 9600 1-4 CNTR_1_P+_1 5 6 8 7 1 4.5 2 8310 9600 2-1 CNTR_0.4_Poly-Si_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 10000 2-2 CNTR_1_Poly-Si_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 10000 2-3 CNTR_0.4_P+_2 1 2 4 3 0.4 2 1.1 10170 9600 2-4 CNTR_1_P+_2 5 6 8 7 1 4.5 2 10170 9600 (59)
CNT 抵抗 ( その 2) SP(Silicide なし領域 ) L(Active) High Low CNT0.4um W(CNT) N2(N+) N1(N ー ) Silicide LOCOS N ー N+ p-sub N+ 型 (CNT=0.4um) SP(Silicideなし領域 ) L(Active) N1(N ー ) V1 V2 CNT1um N2(N+) L-CNT, CNT- の合わせ余裕は CNT 径と同じ Silicide と N- の間 (N+) の距離は 0.4um(CNT0.4um) 0.5um (CNT1um) W(CNT) Silicide N- N+ N- 型 (CNT=1um) LOCOS p-sub No. 素子名 Pad 番号 CNT 径 High V1 V2 Low CNT 間距離 Silicide 間距離 X-cord 1-1 CNTR_0.4_N+_1 9 10 12 11 0.4 2 1.1 8310 10000 1-2 CNTR_1_N+_1 13 14 16 15 1 4.5 2 8310 10000 1-3 CNTR_0.4_N-_1 17 18 20 19 0.4 2 1.1 8310 10000 1-4 CNTR_1_N-_1 21 22 24 23 1 4.5 2 8310 10000 2-1 CNTR_0.4_N+_2 9 10 12 11 0.4 2 1.1 10170 10000 2-2 CNTR_1_N+_2 13 14 16 15 1 4.5 2 10170 10000 2-3 CNTR_0.4_N-_2 17 18 20 19 0.4 2 1.1 10170 10000 2-4 CNTR_1_N-_2 21 22 24 23 1 4.5 2 10170 10000 (60)
シート抵抗 12 配置図赤字は詳細説明無 Silicide on Poly-Si 型 Silicide on N+ 型 P- 型 sub 型 N- 型 N+ 型 N+onN- 型 Poly-Si 型 (61)
シート抵抗 (N 型拡散抵抗 ) 42um W(CNT) Silicide 42um LOCOS N+ N- p-sub N- 型 42um 44um N+ N+ 型 N+ N- 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um Silicide N+ N- N- N+ on N- 型 46um Silicide on N+ 型 p-sub No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_N-_1 9 10 12 11 8310 9200 1-2 SheetR_N+_1 13 14 16 15 8310 9200 1-3 SheetR_N+onN-_1 17 18 20 19 8310 9200 1-4 SheetR_SilicideonN+_1 5 6 8 7 8310 8800 2-1 SheetR_N-_2 9 10 12 11 10170 9200 2-2 SheetR_N+_2 13 14 16 15 10170 9200 2-3 SheetR_N+onN-_2 17 18 20 19 10170 9200 2-4 SheetR_SilicideonN+_2 5 6 8 7 10170 8800 (62)
シート抵抗 (P 型拡散抵抗 ) 42um W(CNT) Silicide 42um LOCOS 42um P+ P- 型 p-sub W(CNT) Silicide LOCOS P+ Sub 型 p-sub P- 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_P-_1 1 2 4 3 8310 9200 1-2 SheetR_sub_1 5 6 8 7 8310 8800 2-1 SheetR_P-_2 1 2 4 3 10170 9200 2-2 SheetR_sub_2 5 6 8 7 10170 9200 (63)
シート抵抗 (Poly-Si 抵抗 ) 44um W(CNT) 44um LOCOS Silicide Poly-Si Poly-Si 型 p-sub 44um 46um Silicide LOCOS Poly-Si Silicide on Poly-Si 型 Poly-Si 型の平面図 CNT 1um L-CNT 合わせ余裕 1um CNT- 合わせ余裕 1.5um No. 素子名 Pad 番号 X-cord High V1 V2 Low 1-1 SheetR_Poly-Si_1 21 22 24 23 8310 9200 1-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_1 1 2 4 3 8310 9200 2-1 SheetR_Poly-Si_2 21 22 24 23 10170 9200 2-2 SheetR_SilicideonPoly-Si_2 1 2 4 3 10170 8800 (64)
リングオシレータ /CNT チェーン左側配置図赤字は詳細説明無 X-cord 12900 X-cord 14760 21 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.5x10 21 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 N- 型 CNT チェーン Silicide 型 CNT チェーン Poly-Si 型 CNT チェーン 11 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.3x10 Trs. 0.5x3 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.5x10 Trs. 0.5x3 11 段負荷 N- 1x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.3x10 Trs. 0.3x4 11 段 MOSTrs. GS 短絡を負荷 0.5x10 Trs. 0.3x4 5 段 N- 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 N- 1x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上配線無し 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上 配線 11 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 Poly-Si 上 M2 配線 (65)
リングオシレータ /CNT チェーン右側配置図赤字は詳細説明無 X-cord 16620 X-cord 18480 21 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 21 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 N- 型 CNT チェーンダミー Silicide 型 CNT チェーンダミー Poly-Si 型 CNT チェーンダミー つづら CNT チェーンダミー 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.6x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.6x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 11 段負荷 Poly-Si 1x15 Trs. 1x10 11 段負荷 Poly-Si 1x30 Trs. 1x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.3x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 0.3x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.5x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 0.6x10 5 段 Poly-Si 1x15 Trs. 1x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 0.6x10 5 段 Poly-Si 1x30 Trs. 1x10 (66)
リングオシレータ 5 段 ( その 1) CNT1um Poly-Si Vdd out クロスライン部 sub へ 出力バッファ 負荷 Poly-Si 抵抗 / N- 抵抗 sub 幅 1um インバータの負荷と MOS トランジスタの詳細についてはそれぞれの単品の項目参照 MOSTrs. インバータ部 No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv5_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1600 2 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1600 3 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1600 4 RO_Lv5_Trs0.5x10_N-1x30 13 15 16 0.5 10 N- 1 30 12900 1600 5 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 1600 6 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 12900 1600 (67)
リングオシレータ 5 段 ( その 2) No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 7 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1600 8 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR0.3x30 5 7 8 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1600 9 RO_Lv5_Trs0.3x10_PR1x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1600 10 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x15 13 15 16 0.5 10 PoSi 1 15 16620 1600 11 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR0.3x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 1600 12 RO_Lv5_Trs0.5x10_PR1x30 21 23 24 0.5 10 PoSi 1 30 16620 1600 13 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 1600 14 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x15 5 7 8 1 10 PoSi 1 15 18480 1600 15 RO_Lv5_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 1600 16 RO_Lv5_Trs1x10_PR1x30 13 15 16 1 10 PoSi 1 30 18480 1600 (68)
リングオシレータ 11 段 Vdd out Poly-Si インバータ (11 段 ) 出力バッファ sub No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv11_Trs0.3x10_N-1x30 1 3 4 0.3 10 N- 1 30 12900 1200 2 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 12900 1200 3 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 12900 1200 4 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x15 1 3 4 0.3 10 PoSi 1 15 16620 1200 5 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR0.3x30 9 11 12 0.3 10 PoSi 0.3 30 16620 1200 6 RO_Lv11_Trs0.3x10_PR1x30 17 19 20 0.3 10 PoSi 1 30 16620 1200 7 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x15 1 3 4 1 10 PoSi 1 15 18480 1200 8 RO_Lv11_Trs1x10_PR1x30 9 11 12 1 10 PoSi 1 30 18480 1200 9 RO_Lv11_Trs0.5x10_N-1x30 1 3 4 0.5 10 N- 1 30 12900 800 10 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 800 11 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 12900 800 12 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x15 1 3 4 0.5 10 PoSi 1 15 16620 800 13 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR0.3x30 9 11 12 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 800 14 RO_Lv11_Trs0.5x10_PR1x30 17 19 20 0.5 10 PoSi 1 30 16620 800 15 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x15 1 3 4 0.6 10 PoSi 1 15 18480 800 16 RO_Lv11_Trs0.6x10_PR1x30 9 11 12 0.6 10 PoSi 1 30 18480 800 (69)
リングオシレータ 21 段 sub へ Via 0.25um sub out インバータ (21 段 ) M2 Vdd No. 素子名 Pad 番号 MOSTrs. 負荷の寸法 Vdd out sub gate 長 gate 幅種類 W L X-cord 1 RO_Lv21_Trs0.5x10_N-1x30 6 5 3 0.5 10 N- 1 30 12900 400 2 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 12900 400 3 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 12900 400 4 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x15 6 5 3 0.5 10 PoSi 1 15 16620 400 5 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR0.3x30 14 13 11 0.5 10 PoSi 0.3 30 16620 400 6 RO_Lv21_Trs0.5x10_PR1x30 22 21 19 0.5 10 PoSi 1 30 16620 400 (70)
N- 型 CNT チェーン L(Active)+N1(N-) 1um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um N2(N+) SP(Silicideなし領域 ) N+ N- Silicide W(CNT) LOCOS p-sub CNT 径 0.4um Lの幅 (N+/N-/Silidide) 1um の幅 1.2um CNTの間隔 2.8um N+ の間隔 (N-の長さ) 1um Silicideの間隔 (SPの長さ) 1.6um Silicide N-(N1) N+(N2) p-sub ダミー 1(Silicide N+ N- つづら抵抗 ) LOCOS p-sub ダミー 2( つづら抵抗 ) No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 N- 全長 (mm) High Low N+ 全長 (mm) Silicide 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 N-CNTchain 1 5 10k 5 3 6 14.4 14760 400 2 N-CNTchain_dummy 1 5-10 6 16.4-18480 400 3 N-CNTchain_dummy 19 23 - - - - 32.4 18480 400 (71)
Silicide 型 CNT チェーン L(Active)+N1(N-)+N2(N+) 2.8um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um Silicide W(CNT) LOCOS p-sub N+(N2) N-(N1) CNT 径 0.4um Silicideの幅 1um の幅 1.2um CNT(Silicide/) の間隔 2.8um Silicide N+(N2) N-(N1) ダミー (Silicide つづら抵抗 ) No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 Silicide High Low 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 SilicideCNTchain 7 11 10k 14 14.4 14760 400 2 SilicideCNTchain_dummy 7 11 - - 32.4 18480 400 (72)
Poly-Si 型 CNT チェーン FG(Poly-Si) 2.8um 2.8um 1.2um 1um CNT 0.4um SP(Silicideなし領域 ) Silicide Poly-Si W(CNT) LOCOS p-sub Silicide CNT 径 0.4um Poly-Si の幅 1um の幅 1.2um LOCOS Poly-Si p-sub ダミー (Silicide/Poly-Siつづら抵抗) CNT() の間隔 2.8um Silicide の間隔 (Poly-Si の長さ ) 1.6um No. 素子名 Pad 番号 CNT 数 Poly-Si High Low 全長 (mm) Silicide 全長 (mm) 全長 (mm) X-cord 1 Poly-SiCNTchain 13 17 10k 8 7 14.4 14760 400 2 Poly-SiCNTchain_dummy 13 17 - - - 32.4 18480 400 (73)
櫛 / つづら付リングオシレータ配置図赤字は詳細説明無 上 2 行が 21 段櫛付で誘電率評価用 下 2 行が 11 段つづら抵抗付でディッシング評価用 PR1x30 負荷の Poly-Si 抵抗の寸法 1x30um MOSTrs. はすべて 0.5x10um PR1x30 櫛 0.2x300 21/20 PR1x30 櫛 0.2x300 11/10 PR1x30 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 21/20 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 11/10 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 櫛 0.2x300 15/16 PR1x30 櫛 0.2x300 5/6 PR1x30 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 15/16 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 5/6 PR1x30 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 櫛 0.2x300 21/20 PR1x15 櫛 0.2x300 11/10 PR1x15 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 21/20 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 11/10 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 櫛 0.2x300 15/16 PR1x15 櫛 0.2x300 5/6 PR1x15 櫛 0.2x300 0/0 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 15/16 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 5/6 PR1x15 M2 櫛 0.2x300 0/0 PR1x30 つづら 0.2x9k PR1x30 つづら 0.2x3k PR1x30 つづら 0.2x0 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー左側 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー両側 PR1x30 つづら 0.2x3k CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 M2 つづら 0.2x4.8k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x9k PR1x15 つづら 0.2x3k PR1x15 つづら 0.2x0 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x3k CMP タ ミー右側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー右側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー左側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー両側 PR1x15 M2 つづら 0.2x3k 増 CMP タ ミー右側 (74)
櫛付リングオシレータ 21 段 300um 櫛 Poly-Si 抵抗 MOSTrs. 0.5x10um インバータ (21 段 ) M2 櫛歯数 21/20 櫛歯数 11/10 櫛歯数 0/0 層間 Low-k 誘電率測定用 各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている MOSTrs. 寸法 0.5x10um 櫛長さ 300um 櫛 0.2umは固定 櫛歯数とPoly-Si 抵抗の寸法が変動 No. 素子名 Pad 番号櫛歯数 PoSi 寸法 X-cord Vdd out sub 上側下側 W L 1 RO_Lv21_Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 12900 4800 2 RO_Lv21_Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 16620 4800 3 RO_Lv21_Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 12900 4800 4 RO_Lv21_Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 16620 4800 5 RO_Lv21_Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 12900 4800 6 RO_Lv21_Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 12900 3200 7 RO_Lv21_Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 16620 3200 8 RO_Lv21_Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 12900 3200 9 RO_Lv21_Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 16620 3200 10 RO_Lv21_Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 12900 3200 (75)
M2 櫛付リングオシレータ 21 段 M2 櫛 Via 0.25um 2x2 個 櫛歯数 21/20 櫛歯数 11/10 櫛歯数 0/0 M2 層間 Low-k 誘電率測定用 各インバータ間に同一の櫛間容量が入っている MOSTrs. 寸法 0.5x10um 櫛長さ 300um 櫛 0.2um は固定 櫛歯数と Poly-Si 抵抗の寸法が変動 No. 素子名 Pad 番号櫛歯数 PoSi 寸法 X-cord Vdd out sub 上側下側 W L 1 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x15 7 5 4 21 20 1 15 14760 4800 2 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x15 7 5 4 15 16 1 15 18480 4800 3 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x15 15 13 12 11 10 1 15 14760 4800 4 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x15 15 13 12 5 6 1 15 18480 4800 5 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x15 23 21 20 0 0 1 15 14760 4800 6 RO_Lv21_M2Comb41_PR1x30 7 5 4 21 20 1 30 14760 3200 7 RO_Lv21_M2Comb31_PR1x30 7 5 4 15 16 1 30 18480 3200 8 RO_Lv21_M2Comb21_PR1x30 15 13 12 11 10 1 30 14760 3200 9 RO_Lv21_M2Comb11_PR1x30 15 13 12 5 6 1 30 18480 3200 10 RO_Lv21_M2Comb0_PR1x30 23 21 20 0 0 1 30 14760 3200 (76)
アンテナ TEG( 大 ) 配置図 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 50 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 120 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 120 (77)
アンテナ TEG( 小 ) 配置図 赤字は詳細説明無 MOSTrs. 10x10 アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x1 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 1x1 MOS 容量 L 型 2x2 MOS 容量 FG 型 2x2um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x3 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 3x3 MOS 容量 L 型 10x10 MOS 容量 FG 型 3x3um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 0.5x10 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 9 MOS Trs. 0.5x1 MOS 容量 FG 型 2x2 MOS 容量 FG 型 10x10um アンテナ PAD 数 9 MOSTrs. 1x10 アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 9 MOS 容量 FG 型 3x3 MOS 容量 FG 型 10x10 MOSTrs. 10x10 アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x1 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 1x1um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 2x2um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x3 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 2x2um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 3x3um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 0.5x10 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 3x3um アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 FG 型 10x10um アンテナ PAD 数 22 MOSTrs. 1x10 アンテナ PAD 数 22 MOS 容量 L 型 10x10um アンテナ PAD 数 22 (78)
アンテナ TEG( その 1) MOS 容量のゲート側に測定 PAD が連なりアンテナ PAD を構成 MOS 容量の寸法とアンテナ PAD の個数が変化 アンテナ比は MOS 容量のエッチング デポ 洗浄による壊れやすさの指標 アンテナ比 = ゲート電極 ( アンテナ PAD) の面積 ゲート絶縁膜の面積 gate アンテナ PAD 測定 PAD と MOS 容量の詳細は各項目を参照 L 型 MOS 容量 sub No. 素子名 Pad 番号 MOS 容量 寸法 アンテナ PAD 数 アンテナ比 (/gate 面積 ) X-cord gate sub L W 1 Antenna_1x1_PAD1 1 2 1 1 1 9k 8310 7200 2 Antenna_2x2_PAD1 3 4 2 2 1 2k 8310 7200 3 Antenna_3x3_PAD1 5 6 3 3 1 1k 8310 7200 4 Antenna_10x10_PAD1 7 8 10 10 1 0.1k 8310 7200 (79)
アンテナ TEG( その 2) No. 素子名 Pad 番号 MOS 容量 寸法 アンテナ PAD 数 アンテナ比 (/gate 面積 ) X-cord gate sub L W 5 Antenna_1x1_PAD9 3 4 1 1 9 77k 8310 6800 6 Antenna_2x2_PAD9 9 10 2 2 9 19k 8310 6800 7 Antenna_3x3_PAD9 15 16 3 3 9 9k 8310 6800 8 Antenna_10x10_PAD9 21 22 10 10 9 0.8k 8310 6800 9 Antenna_1x1_PAD22 3 4 1 1 22 187k 10170 7200 10 Antenna_2x2_PAD22 9 10 2 2 22 47k 10170 7200 11 Antenna_3x3_PAD22 15 16 3 3 22 21k 10170 7200 12 Antenna_10x10_PAD22 21 22 10 10 22 2k 10170 7200 13 Antenna_1x1_PAD50 3 4 1 1 50 425k 3720 4000 14 Antenna_2x2_PAD50 15 16 2 2 50 106k 3720 4000 15 Antenna_3x3_PAD50 3 4 3 3 50 47k 3720 2800 16 Antenna_10x10_PAD50 15 16 10 10 50 4k 3720 2800 17 Antenna_1x1_PAD120 3 4 1 1 120 1020k 3720 4000 18 Antenna_2x2_PAD120 15 16 2 2 120 425k 3720 4000 (80)
腐食 TEG 配置図 赤字は詳細説明無 小 PN 接合型 100x100um 細線 0.2x126um つづら PN 接合型 100x100um 0.2um TL=5544um 小 sub 型 100x100um 細線 0.2x126um つづら sub 型 100x100um 0.2um TL=5544um 小ダミー 100x100um 細線 0.2x126um つづらダミー 100x100um 0.2um TL=5544um SEM 用 sub 3x3 0.2um SEM 用 sub 12x12 0.2um SEM 用 減 sub 100x100 0.2um SEM 用 sub 3x3 1um SEM 用 sub 12x12 1um SEM 用 sub 100x100 1um SEM 用ダミー 3x3 0.2um SEM 用ダミー 12x12 0.2um SEM 用ダミー 100x100 0.2um SEM 用パッド付 sub 3x3 0.2um SEM 用パッド付 sub 12x12 0.2um SEM 用パッド付 減 sub 100x100 0.2um SEM 用パッド付 減 sub 100x100x10 0.2um SEM 用パッド付 sub 3x3 1um SEM 用パッド付 sub 12x12 1um SEM 用パッド付 減 sub 100x100 1um 小拡散層大 sub 型 100x100x10 細線 0.2x126um 小拡散層大ダミー 100x100x10 細線 0.2x126um SEM 用 PN 接合 2x2 0.2um SEM 用 PN 接合 10x10 0.2um SEM 用 減 PN 100x100 0.2um SEM 用 PN 接合 2x2 1um SEM 用 PN 接合 10x10 1um SEM 用 減 PN 100x100 1um SEM 用ダミー 2x2 1um SEM 用ダミー 10x10 1um SEM 用ダミー 100x100 1um SEM 用パッド付 PN 接合 2x2 0.2um SEM 用パッド付 PN 接合 10x10 0.2um SEM 用パッド付 減 PN 100x100 0.2um SEM 用パッド付 減 PN 100x100x10 0.2um SEM 用パッド付 PN 接合 2x2 1um SEM 用パッド付 PN 接合 10x10 1um SEM 用パッド付 減 PN 100x100 1um 小拡散層大 PN 接合型 100x100x10 細線 0.2x126um (81)
腐食 TEG( つづら ) PN 接合型 づづら抵抗 100x100um の L 型 PN 接合 CNT P(P+) sub 型 つづら抵抗の片側に 100x100um の N+orP+ 拡散層が接続 つづらは 0.2um で全長 5544um PN 接合につながっているづつらは電池効果により腐食し抵抗が上がる ダミーは拡散層と CNT を抜いた構造 ダミー No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100_Serp 7 5 PN 接合 10170 1200 2 Corrosion_sub100x100_Serp 15 13 sub 10170 1200 3 Corrosion_dummy100x100_Serp 23 21 ダミー 10170 1200 (82)
腐食 TEG( 小 ) なし測定 PAD 細線と PAD の Via 接続部 細線 細線と拡散層の CNT 接続部 細線と接続しない CNT と 配線が存在 PN 接合型 sub 型 細線 ( 幅 0.2um, 長さ 124um) の片側に 100x100um の N+orP+ 拡散層が接続 細線の腐食効果を上げるため測定 PAD の 部分と PN 接合の無駄な を省いた ダミー No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100_LINE 3 1 PN 接合 10170 1200 2 Corrosion_sub100x100_LINE 11 9 sub 10170 1200 3 Corrosion_dummy100x100_LINE 19 17 ダミー 10170 1200 (83)
腐食 TEG( 小 拡散層大 ) なし測定 PAD 細線と PAD の Via 接続部 ダミー 細線の腐食効果を上げるため 100x100um の拡散層を 10 個接続 PN 接合型 ダミーは拡散層とダミーの CNT と を省いた構造 No. 素子名 Pad 番号タイプ X-cord High Low 1 Corrosion_PNJC100x100x10_LINE 17 15 PN 接合 10170 3600 2 Corrosion_sub100x100x10_LINE 17 15 sub 10170 2400 3 Corrosion_dummy100x100x10_LINE 23 21 ダミー 10170 2400 (84)
配線つづら配置図 M2 0.2/0.2 40cm0 M2 0.3/0.2 10cm M2 0.2/0.3 10cm M2 0.35 /0.35 10cm M2 0.25 /0.25 10cmm M2 0.2/0.2 10cm 1 2 3 1 4 0.3/0.2 10cm 0.2/0.3 10cm 0.35/0.35 10cm 0.25/0.25 10cmm 0.2/0.2 10cm 2 0.2/0.2 20cm 0.25/0.25 20cmm 0.35/0.35 20cm 3 4 M2 0.2/0.2 20cm M2 0.25/0.25 20cmm M2 0.35/0.35 20cm 赤字は詳細説明無 (85)
つづら抵抗 1um 引出線 1um 引出線の長さ 418um(High 側 ) 27um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 M2Serp_0.3_0.2_10cm 5 6 0.3 0.2 1 100 M2 1860 400 2 M2Serp_0.2_0.3_10cm 7 8 0.2 0.3 1 100 M2 1860 400 3 M2Serp_0.35_0.35_10cm 9 10 0.35 0.35 1 100 M2 1860 400 4 M2Serp_0.25_0.25_10cm 11 12 0.25 0.25 1 100 M2 1860 400 5 M2Serp_0.2_0.2_10cm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 1860 400 6 Serp_0.3_0.2_10cm 15 16 0.3 0.2 1 100 1860 400 7 Serp_0.2_0.3_10cm 17 18 0.2 0.3 1 100 1860 400 8 Serp_0.35_0.35_10cm 19 20 0.35 0.35 1 100 1860 400 9 Serp_0.25_0.25_10cm 21 22 0.25 0.25 1 100 1860 400 10 Serp_0.2_0.2_10cm 23 24 0.2 0.2 1 100 1860 400 11 Serp_0.2_0.2_20cm 1 2 0.2 0.2 2 200 1860 4000 12 Serp_0.25_0.25_20cm 3 4 0.25 0.25 2 200 1860 4000 13 Serp_0.35_0.35_20cm 5 6 0.35 0.35 2 200 1860 4000 14 M2Serp_0.2_0.2_20cm 11 12 0.2 0.2 2 200 M2 1860 4000 15 M2Serp_0.25_0.25_20cm 13 14 0.25 0.25 2 200 M2 1860 4000 16 M2Serp_0.35_0.35_20cm 15 16 0.35 0.35 2 200 M2 1860 4000 (86)
櫛型容量配置図 1 櫛 0.2/0.2 100mm 櫛 0.25/0.25 100mm 櫛 0.35/0.35 100mm 櫛 0.2/0.3 100mm 櫛 0.3/0.2 100mm 2 1 2 M2 櫛 0.2/0.2 100mm M2 櫛 0.25/0.25 100mm M2 櫛 0.35/0.35 100mm M2 櫛 0.2/0.3 100mm M2 櫛 0.3/0.2 100mm 3 櫛 0.2/0.2 200mm 櫛 0.25/0.25 200mm 櫛 0.35/0.35 200mm 櫛 0.2/0.3 200mm 櫛 0.3/0.2 200mm 4 M2 櫛 0.2/0.2 200mm M2 櫛 0.25/0.25 200mm M2 櫛 0.35/0.35 200mm M2 櫛 0.2/0.3 200mm M2 櫛 0.3/0.2 200mm 3 4 (87)
櫛型容量 (100mm) 10um 5um 引出線の幅 10um 引出線の長さ 200um(High 側 ) 1700um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 Comb_0.2_0.2_100mm 1 2 0.2 0.2 1 100 0 2400 2 Comb_0.25_0.25_100mm 3 4 0.25 0.25 1 100 0 2400 3 Comb_0.35_0.35_100mm 5 6 0.35 0.35 1 100 0 2400 4 Comb_0.2_0.3_100mm 7 8 0.2 0.3 1 100 0 2400 5 Comb_0.3_0.2_100mm 9 10 0.3 0.2 1 100 0 2400 6 M2Comb_0.2_0.2_100mm 13 14 0.2 0.2 1 100 M2 0 2400 7 M2Comb_0.25_0.25_100mm 15 16 0.25 0.25 1 100 M2 0 2400 8 M2Comb_0.35_0.35_100mm 17 18 0.35 0.35 1 100 M2 0 2400 9 M2Comb_0.2_0.3_100mm 19 20 0.2 0.3 1 100 M2 0 2400 10 M2Comb_0.3_0.2_100mm 21 22 0.3 0.2 1 100 M2 0 2400 (88)
櫛型容量 (200mm) 10um 5um 引出線の幅 10um 引出線の長さ 200um(High 側 ) 2700um(Low 側 ) サイドのダミーパターンなし No. 素子名 Pad 番号配線幅 High Low 配線間隔 単線長 (mm) 全長 (mm) 層 X-cord 1 Comb_0.2_0.2_200mm 1 2 0.2 0.2 2 200 0 5200 2 Comb_0.25_0.25_200mm 3 4 0.25 0.25 2 200 0 5200 3 Comb_0.35_0.35_200mm 5 6 0.35 0.35 2 200 0 5200 4 Comb_0.2_0.3_200mm 7 8 0.2 0.3 2 200 0 5200 5 Comb_0.3_0.2_200mm 9 10 0.3 0.2 2 200 0 5200 6 M2Comb_0.2_0.2_200mm 13 14 0.2 0.2 2 200 M2 0 5200 7 M2Comb_0.25_0.25_200mm 15 16 0.25 0.25 2 200 M2 0 5200 8 M2Comb_0.35_0.35_200mm 17 18 0.35 0.35 2 200 M2 0 5200 9 M2Comb_0.2_0.3_200mm 19 20 0.2 0.3 2 200 M2 0 5200 10 M2Comb_0.3_0.2_200mm 21 22 0.3 0.2 2 200 M2 0 5200 (89)
層間容量 / ビアチェーン配置図 赤字は詳細説明無 層間櫛 10mm 0.2/0.2 層間櫛 10mm 0.25 /0.25 層間櫛 10mm 0.35/ 0.35 層間櫛 10mm 0.2/0.3 層間櫛 10mm 0.3/0.2 層間櫛 10mm 0.2/0.7 層間櫛タ ミー小 層間櫛タ ミー大 Via Chain VD 0.25um 10k Via Chain VD 0.25um 10k (90)
ビアチェーン 0.5um 0.75um 0.25um 接続されているビア部 No. 素子名 Pad 番号ビア径 High Low ビア間隔 ビア数 配線幅 X-cord 1 ViaChain_0.25_10k 19 20 0.25 0.75 10k 0.5 0 7200 2 ViaChain_0.25_10k 21 22 0.2 0.3 1 100 0 7200 (91)
SEM 観察用 MOS トランジスタ全体図 0.2 x10 0.3 x10 0.5 x10 0.2 x10 0.3 x10 0.5 x10 異なるゲート長を持つ MOS トランジスタ 3 列 1 セットをずらしながら配置した構造 適当に割っても SEM によるゲートの観察が可能 (92)
SEM 観察用 FEOL/ ライン配置図 ラインは FEOL ラインの上層に存在 Active 0.5/ 0.5um Active 1/1um Active 5/5um Poly-Si 0.2/ 0.4um Poly-Si 0.5/ 0.5um Poly-Si 1/1um N- 1/1um N+ 1/1um P+ 1/1um SP 1/1u m CNT 直径 0.4um CNT 直径 1um 0.2/ 0.2um 0.2/ 1.8um 2/2um 20/20um (93)