00 Dec. 04
: fo : Δfi : tr Δfi =0.35/t r I00 I /I 00 (%) t e t s= t e +t r (%) 90 0 tr Δq=l Δf/u Δq b=l/d : N : t : Δf : Δq N= Δq = Δf D = Δf t g Δqb g u g l D Δf g u t t=d/u Δq=l Δf/u 00 Dec. 04
f q u VCO AOD VCO AOD AOD EFL-F0 Dec. 04 00
Type: q q q 3 4 5 6 7 8 9 0 E F L M 0 Jun. 07
Type EFLM EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B TeO : u (m/s) 460 l (nm) 440 ~ 770 064 550 : f (MHz) 00 35 0 : Δf (MHz) (mm) DC 8 min. (00.08) DC 4 min. (00.5) (%) (mm) 75 min. (00.08) 80 min. (00.08) 75 min. (00.3) 50 min. (00.5) (ns) (mm) max. (00.08) 46 min. (00.3) 80 min. (00.5) (mm) 0.4 0. 0.3 0.8 (W).0 (%) 90 min. ( l=400 ~ 500 nm) 85 min. ( l=55 ~ 700 nm).5 (Duty cycle 0%).5.0 97.5 min. 9 min. 90 min. Ω 000 : min. 50 (VSWR.5 max.) EFLM00ALG EFLM00Y0A EFLM35Y0B EFLM0Y05B f3 4.8.5 7 (SMA) 3.5 3 4.5 5.5 8.5 9.0±0. 0 -f4 (4.7).7 f.5 H7 R 60 8.5 8 R9 50 8 (MMCX) 5.3 R. R. R0 45 8 (7) 0.5 5.9 9 -M33 f3.5 3 3 (SMB) f3 3 4.0±0. 9.3 f3 4 30.4 45 (53) (SMA) 3 9.5 4 9.5 8 f34 0.4 0 5.0±0. 4-M.6(ISO)4 (mm) 0 Jun. 07
(μm) (%) (nm) 30 0 0 l=488 nm l=064 nm l=550 nm 0 400 800 00 600 000 90 (ns) (μm) 30 0 0 00 MHz 0 00 00 (%) (μm) 80 70 60 0 50 00 50 00.0 M00 Jun. 07 0.5 0 00 00 300 400 500 600 M00(%) 0.5 0 q ( ) 00 l=633nm 80 60 40 l=488 nm (%) 0 0 0 (W) 0.5.0.5 q q EFLM00 Light Intensity(%) 00 90 0 0 Time (0ns/div.) 0
Type: TeO <0> <00> f } f f~f 3 4 5 6 7 8 9 0 E F L D 00 Dec. 04
EFLD50 EFLD50A EFLD50C EFLD50R TeO l (nm) 633 488 ~ 55 44 ~ 458 760 ~ 840 (Spots) 50 min. 50 min. 50 min. 60 min. (μs) 5.3 5.4 5.4 4.5 : H W (mm) 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3 3 : u (m/s) 660 650 650 660 : f (MHz) 75 90 (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) 0.6 0.5 0.5.0 Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω 50 EFLD750 EFLD750A EFLD750C EFLD750R TeO l (nm) 633 488 ~ 55 44 ~ 458 760 ~ 840 (Spots) 750 min. 750 min. 750 min. 540 min. (μs) 5. 5.4 5.4 5. : H W (mm) 3.5 0 : u (m/s) 660 650 650 660 : f (MHz) 75 90 (l=55 nm) 00 (l=488 nm) 03 (l=458 nm) 08 (l=44 nm) ( 3 db) : Δf (MHz) 50 min. 50 min. 50 min. 36 min. (%) 80 min. 80 min. 70 min. 75 min. (W) 0.6 0.5 0.5.0 Δq (deg.).7 min.. min..0 min..5 min. (%) 94 min. 9 min. 90 min. 90 min. 55 Ω 50 00 Dec. 04
Type EFLD50 f6 30.4 5 Type EFLD750 30.4 0. Base 4.0±0. 45 53 0.4 5.0±0. 0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 0. Base 4.0±0. 5 45 53 0.4 5.0±0.0 f3 4 3 (SMA) 4-M.6(ISO) 4 (mm) Type EFLD750 Diffraction Efficiency(%) 45 75 05 Frequency(MHz) 00 Dec. 04
Type: 3 f 3 l l+δl E F 3 4 5 6 7 8 9 0 L F 00 Dec. 04
EFLF0 EFLF00L EFLF00R EFLF00R TeO l (nm) 380 ~ 750 400 ~ 64 900 ~ 600 600 ~ 3000 (nm) 0.4 ~.3.4 ~ 6.3 4 ~ ~ 4 (%) 80 min. 70 min. (μs) : mm 9 max. (3 5) 6 max. (3 4) (mrad) 0.5 max. 0.3 max. : f (MHz) 40 ~ 0 50 ~ 05 39 ~ 7 0.5 ~ 39 (W).0.0.0 3.0 Ω 50 (mm) (H W) 3 5 3 4 EFLF 30.4 45 53 (SMA) 4.0±0. 0. 5 Base 3 f3 4 0.4 5.0±0. 0 4-M.6(ISO) (mm) 00 Dec. 04
(nm) 780 680 EFLF0 650 600 EFLF00L 3000 500 EFLF00R,R (nm) (MHz) 580 480 380 40 50 60 70 80 90 00 0 (nm) (MHz) 550 500 450 400 50 60 70 80 90 00 000 (MHz)(nm) 500 000 0 0 30 40 50 60 70 80 5 (nm) EFLF0 0 380 480 580 680 780 8 7 EFLF00L 6 5 4 (nm) 3 0 400 450 500 550 600 650 50 (nm) EFLF00R,R 0 000 500 000 500 3000 EFLF0 690.9 579. 546. 49.7 436.0 434.9 408.0 577. 404.8 Wavelength l (nm) 00 Dec. 04
Type: (F) (F+f) (F) TeO (f) 3 4 5 6 7 8 9 0 E F L D 5 0 F S 0 Sep. 07
EFLD50FS EFLD50FSY4 TeO : u (m/s) 670 680 l (nm) 633 633 ~ 550 : f (MHz) 80 40 ~ 00 (%) (mm) 85 min. (0.) 65 min. (0.0) (mm).5.5 (W) 0.5 (%) 94 min. 90 min. Ω 50 (VSWR.5 max.) 50 (VSWR.5 max.) mrad. max. Type EFLD50FS Type EFLD50FSY4 f3.5 (SMB) 9 (SMB) 7 4.5 9 4-f3.5 f7 9.5 9 5.5 34 8 0 9 6.5 5.5 5.5 6.5 6.5 6.5 5 3 5.5.5 f 0 4.5 -f3.5 (mm) 0 Sep. 07
Type: EFLC00P5W (MHz) 00 (db) (ns) 30 max. 0 max. 0 ~ + V (W)(50 Ω ) 0.9±0. +4 VDC 700 ma max. Type EFLC00P5W -f4.5 6.6 00 89.0±0.5 OUTPUT +4V INPUT 75 85 (mm) 00 Dec. 04