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なおひがき
5 years ago
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1 DRAM 用 18 分岐 1Touch Down 級 Probe Card ギガレイン

2 目次 1. 企業紹介 2. 技術紹介 3. 市場現況及び見込み 4. 権利獲得現況

3 1. 企業紹介会社名 ( 設立日 ) ギガレイン (2000 年 1 月 31 日 ) 代表者張逸竣 ( ジャンイルジュン ) 技術分野半導体製造装備 /RF 主生産品半導体製造装備 / 通信機器部品資本金 89,453 百万ウォン売上 ( 2017 年 ) 105,839 百万ウォン住所京畿道華城市石隅洞 1-1 Homepage ー TEL ー FAX ー 3

4 1. 企業紹介組織図および Site 研究所本社および国内外 Site 華城 ( ファソン ) 本社国内工場海外工場東灘 ( ドンタン ) 牙山 ( アサン ) ( 子会社 C3) ベトナム ( 子会社ベトナムギガレイン )

5 1. 企業紹介 - 事業部別ポートフォリオ Business Unit 1 2 RF( 無線通信 ) 半導体モバイルネットワーク / 国防装備 Business Description モバイル機器内のアンテナと RF FEM を繋いで RF 信号を損失なく伝達する超小型 RF コネクティビティ部品の製造 ( ケーブルコネクタ ) 無線通信インフラ測定 / 検査機器 e-warfare 航空宇宙などに適用される RF コネクティビティ部品の製造 &OEM ( ケーブルコネクタ ) 半導体 LED 素子の製作やパッケージング工程に適用される蝕刻インプリンティング装備と付属消耗品の製造 Market Position 韓国唯一のモバイル用超小型 RF コネクティビティ部品製造会社韓国唯一の 18GHz 以上高周波ケーブルコネクター製造会社 LED 蝕刻装備 Global No. 1 (M/S 55%) Portion of Revenue( 16) 25% 15% 48%

6 1. 企業紹介 Probe Card 部門の力量 (History) 2006 年から運営した MEMS Fab を通じてプローブカードの核心技術部品を持続的に開発韓国初で唯一の MLR 基盤 DRAM 用プローブカード量産評価獲得およびプローブユニット量産供給中 Fab Fab 2018 Ultra Film Tech Contact Film for FPD and OLED Test Single Side 60um Pitch RDL on Polyimide Film Single Side 30um Pitch RDL on Polyimide Film Double Side 18um Pitch RDL on Polyimide Film Double Side 11um Pitch, 2,200 Pad RDL on Polyimide Film Probe Unit for FPD Test TSV RDL Tech Silicone Interposer for SoC Wafer Test Double Side, 75um Pitch TSV Interposer 3Layer TSV Interposer, 10,000 PAD for SOC Test 4Layer TSV Interposer, 18um Pitch for Wide IO Test Probe Card for SOC Test Hybrid Build Up Tech Space Transfomer for Memory Wafer Test Build Up 300mm, Substrate for DRAM Test TSV : Through Silicon Via RDL : Redistributed Layer SOC : System on 300mm MEMS Probe Card for Memory Test 500MHz CIS 用プローブカード ( 国内 H 社 ) 4 分岐モバイル DRAM 用プローブカード国内 H 社量産評価獲得 6

7 2. 技術紹介 - Probe Card 技術動向 DRAM 集積度の飛躍的な増加によって wafer レベルテスト工程の難易度が高くなり 1 Touch Down プローブカードに対する needs が拡大 1 2 性能向上線幅の微細化 wafer 当り chip 数の増加装備人材 Fab 空間カード消耗量の増加半導体線幅微細化の推移 Less タッチの効果プローブカードが 4 1 Touch down される場合装備人材空間カード消耗量が 50% 以上削減半導体産業の生産性向上および費用削減 7

8 2. 技術紹介 Probe Card の定義半導体チップの量不良を検査して不良チップの再生可能性を判断し半導体歩留まり向上に決定的な役割を果たす技術集約的高付加価値の装置 < 半導体工程の流れ > [ 前工程 ] [ 後工程 ] 1 Stiffener 2 MWB 4 Space Transformer (ST) 5 MEMS Probe 3 Interposer < プローブカード Test 概念図 > プローブピン付着分岐担当, 電気的信号伝達 Wafer と接触して電気的信号伝送 8

2. 技術紹介 MLR(Multi-Layer-Redistribution) 積層および線幅微細化の限界により高分岐 ST 製作が難しい現存技術 (MLC) の問題点を解決すべく

工程活用で微細化が容易 18 分岐以上まで具現可能最少線幅 80um 最少線幅 30um MEMS 工程を活用してより微細な線幅の具現が可能 MLC only 活用 ST 回路模式図

2mm) MLC only 活用 18 分岐 ST 模式図 MLR 活用 18 分岐 ST 模式図 * MLC: Multi-Layer Ceramic * MEMS: Micro

9 2. 技術紹介 MLR(Multi-Layer-Redistribution) 積層および線幅微細化の限界により高分岐 ST 製作が難しい現存技術 (MLC) の問題点を解決すべく MEMS 工程を適用した次世代 ST(MLR) 実現セラミック工程の特性上微細化に限界があり 1 Touch の必須条件である 18 分岐具現が難しいポリイミド基盤 MEMS 工程活用で微細化が容易 18 分岐以上まで具現可能最少線幅 80um 最少線幅 30um MEMS 工程を活用してより微細な線幅の具現が可能 MLC only 活用 ST 回路模式図 MLR 活用 ST 回路模式図 MLC Only 総 45 層 (9.0mm) MLR MLC MLR 8 層 MLC 25 層総 33 層 (6.2mm) MLC only 活用 18 分岐 ST 模式図 MLR 活用 18 分岐 ST 模式図 * MLC: Multi-Layer Ceramic * MEMS: Micro Electro Mechanical System 2006 年から独自で運営中の MEMS Fab で蓄積した MLR 設計工程力量などをもとに 100% 海外に依存している MLC を新工程を適用した MLR に完全代替 9

分岐特性満足 80% 30% 30% 80% 4 分岐 18 分岐 1 2 3 4

10 2. 技術紹介高分岐に最適化された設計技術 1 Touch Down プローブカードの回路品質を左右する核心技術である新設計技法を確立して 18 分岐の最適化分岐構造を確保現存分岐設計技法を適用すると信号劣化によって 18 分岐特性が低下 SI/PI シミュレーションを通じて最適化設計の確立 18 分岐特性満足 80% 30% 30% 80% 4 分岐 18 分岐 Power1 Power2 Power3 Power4 DC Power1 Power2 10

11 2. 技術紹介耐荷重精密平坦技術多ピン 1 Touch Down プローブカードのウエハー接触均一性を左右する耐荷重精密平坦技術を開発して ST 平坦精密性を確保 800kg 高荷重が発生した場合平坦性の確保が難しい Touch Down の時ウエハー接触不良が発生高荷重締結時圧力が分散する精密平坦組立技術を開発締結時最大 800kg 荷重が発生ピカント自動車の重さ 880kg Vaccu. on 半導体の前工程装備 Etcher 専門会社 LED Etcher 世界 M/S 70% 自動化事業部を独自で運営 11

12 2. 技術紹介 MEMS Probe Repair 技術多ピン 1 Touch Down プローブカードの運営の時テスト工程生産性を左右するプローブピンを交換する時間を短縮するため MEMS Probe 自動 Repair 装備を具現ファインピッチ作業性および多ピン修理性の確保が難しい対応の遅れで需要先の生産性低下発生プローブピン Repair 精密度の確保テスト装備の稼働率および Capa 向上に寄与現存プローブカードプローブピンピッチ 1 Touch Down プローブカードプローブピンピッチ 70um 55um 現存マニュアル装備を活用すると微細ピッチプローブピン repair に限界がある 12

2mm) 革新技術 4 組立技術の革新により高分岐プローブカード ST 平坦精密度を確保革新技術 5 新概念 Repair 処理技術の実現

13 2. 技術紹介まとめ革新技術 1 新素材新工程をもとに 18 分岐 ST 具現が可能革新技術 2 新設計技法を適用 18 分岐を初めて実現革新技術 3 新素材を活用してパーティクル予防に関する新概念を定立 MLR MLC MLR 8 層 MLC 25 層総 33 層 (6.2mm) 革新技術 4 組立技術の革新により高分岐プローブカード ST 平坦精密度を確保革新技術 5 新概念 Repair 処理技術の実現迅速性および精密度を確保現存技術の限界を超えた次世代 1 Touch Down プローブカードの常用化で世界最強の半導体強国に相応しいテスト技術力確保 13

14 3. 市場現況及び見込み 반도체 産業全般の半導体需要増加によってプローブカード市場の拡大が予想시장및프로브카드시장전망 半導体市場 2016~2021 年平均 5.8% 成長予想プローブカード市場 2016~2021 年 6.4% 成長予想 ($ 131 億 $ 178 億 ) (VLSI Research 2017 年発表資料から抜粋 ) (VLSI Research 2017 년発表資料から抜粋 ) 14

Demand の推移 (D レムエクスチェンジ 2014 年発表資料から抜粋 )

15 3. 市場現況及び見込みグローバル半導体出荷量の拡大によってプローブカード市場も持続的に拡大 DRAM 需要の拡大は DRAM 用プローブカード市場規模の成長を牽引する見込みグローバル半導体出荷量の推移 (IC Insight 2015 年発表資料から抜粋 ) グローバル DRAM Bit Demand の推移 (D レムエクスチェンジ 2014 年発表資料から抜粋 ) グローバルプローブカード市場規模 (VLSI 2015 年発表資料から抜粋 ) 約 1,400M USD 約 1,700M USD 15

16 4. 権利獲得現況 Probe Card 関連特許 2006 年から運営した MEMS Fab をもとに 59 件のプローブカード関連の知的財産権を保有知的財産権出願国進行状況件数備考韓国登録出願 26 [ 大面積プローブカード及びその製造方法 ] その他 25 件 2 [ 微細電極回路検査用ピンの製造方法及びこの方法で製造された微細電極回路検査用ピン ] その他 1 件特許海外登録出願 6 [ プローブカード ] その他 5 件 9 [ 固定可能なプローブピン及びプローブピン固定アセンブリ ] その他 8 件特許合計 41 韓国登録 2 [TRAMS Pogo(35 類 )] その他 1 件商標海外登録 4 [TRAMS Pogo(35 類 )] その他 3 件商標合計 6 韓国登録 7 [ プローブピン ] その他 6 件デザイン海外登録 5 [ 伸縮探針 ] その他 5 件 * 2016 年 6 月基準デザイン合計 12 総合計 59

Slide 1

CMOS イメージセンサ向けプローブカードに求められる信号の高速化と低電源ノイズ要求に対する最近の取り組みについて Minoru Mikami, Electrical Design Engineer Formfactor Inc. SPG Group Agenda 1. Overview 2. CIS(CMOS Image Sensor) Probe Card History 3. MIPI D-PHY