注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います MCP6001/1R/1U/2/4 1MHz 低消費電力オペアンプ 特長 SC-70-5 および SOT-23-5 パッケージで提供 利得帯域幅積 : 1 MHz (typical) レールツ

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1 注意 : この日本語版文書は参考資料としてご利用ください 最新情報は必ずオリジナルの英語版をご参照願います 1MHz 低消費電力オペアンプ 特長 SC-70-5 および SOT-23-5 パッケージで提供 利得帯域幅積 : 1 MHz (typical) レールツーレール入出力 電源電圧 : 1.8 ~ 6.0 V 電源電流 : I Q = 100 µa (typical) 位相マージン : 90 (typical) 温度レンジ : - 産業用温度レンジ : -40 ~ 拡張温度レンジ : -40 ~ 回路 2 回路 4 回路入りパッケージで提供 アプリケーション 車載 携帯型機器 フォトダイオードアンプ アナログフィルタ ノート PC PDA バッテリ駆動システム 設計支援 SPICE マクロモデル FilterLab ソフトウェア Mindi サーキットデザイナおよびシミュレータ Microchip Advanced Part Selector (MAPS) アナログデモボードおよび評価用ボード アプリケーションノート 代表的なアプリケーション V IN R 2 V REF R 1 V DD + MCP6001 V SS R 1 R 2 Gain = V OUT 概要 マイクロチップ社の MCP6001/2/4 オペアンプファミリは 汎用アプリケーション向けに設計されています 本ファミリの利得帯域幅積 (GBWP) は 1 MHz 位相マージンは 90 です (typical) また 500 pf の容量性負荷では 45 の位相マージン (typical) を維持します 本ファミリは 最低 1.8 V の単電源で動作し 無負荷時電流は 100 µa (typical) です 加えて MCP6001/2/4 は入出力ともにレールツーレールの振幅をサポートしており コモンモード入力電圧レンジは V DD mv ~ V SS 300 mv です 本オペアンプファミリにはマイクロチップ社の最新のCMOSプロセスを採用しています MCP6001/2/4 ファミリには 産業用温度レンジ品と拡張温度レンジ品があります 電源電圧レンジは 1.8 ~ 6.0 V です パッケージタイプ MCP6001 SC70-5, SOT-23-5 V OUT 1 V SS 2 V IN V DD 4 V IN MCP6002 PDIP, SOIC, MSOP V OUTA 1 V INA 2 V INA + 3 V SS 4 V OUTA 1 V INA V INA V SS MCP6002 2x3DFN * EP V DD V OUTB V INB V INB + V OUT 1 V DD 2 V IN + 3 V IN + V SS V IN MCP6001R SOT V SS 4 MCP6001U SOT V DD 4 V OUT MCP6004 PDIP, SOIC, TSSOP 8 V DD V OUTA 1 14 V OUTD 7 6 V OUTB V INB V INA V INA V IND 12 V IND + 5 V INB + V DD 4 11 V SS V INB V INC + V INB V OUTB V INC V OUTC * 露出サーマルパッド (EP) 付き ( 表 3-1 参照 ) V IN Non-Inverting Amplifier 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 1

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3 1.0 電気的特性絶対最大定格 V DD V SS V アナログ入力ピンでの電流 (V IN +, V IN )...±2 ma アナログ入力 (V IN +, V IN )... V SS 1.0 V ~ V DD V その他の入出力... V SS 0.3 V ~ V DD V 差動入力電圧... V DD V SS 出力短絡電流... 連続出力および電源ピンでの電流...±30 ma 保管温度 ~ +150 最高接合部温度 (T J ) 全ピンの EDS 保護 (HBM; MM)... 4 kv; 200 V 注 : 左記の 絶対最大定格 を超える条件は デバイスに恒久的な損傷を生じる可能性があります これはストレス定格です 本書の動作表に示す条件または上記から外れた条件でのデバイスの運用は想定していません 長期間にわたる最大定格条件での動作や保管は デバイスの信頼性に影響する可能性があります セクション 入力電圧と電流制限 を参照してください DC 特性 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND V CM = V DD /2 V L = V DD /2 R L = 10 kω (V L に対して ) V OUT V DD /2 ( 図 1-1 参照 ) パラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 入力オフセット入力オフセット電圧 V OS mv V CM = V SS (Note 1) 入力オフセットの温度ドリフト ΔV OS /ΔT A ±2.0 µv/ T A = -40 ~ +125 V CM = V SS 電源電圧除去比 PSRR 86 db V CM = V SS 入力のバイアス電流とインピーダンス入力バイアス電流 : I B ±1.0 PA 産業用温度レンジ品 I B 19 PA T A =+85 拡張温度レンジ品 I B 1100 PA T A = +125 入力オフセット電流 I OS ±1.0 PA コモンモード入力インピーダンス Z CM Ω pf 差動入力インピーダンス Z DIFF Ω pf コモンモードコモンモード入力レンジ V CMR V SS 0.3 V DD V コモンモード除去比 CMRR db V CM =-0.3~5.3 V V DD = 5 V 開ループゲイン DC 開ループゲイン ( 大信号時 ) A OL db V OUT = 0.3 ~ V DD 0.3 V V CM =V SS 出力最大出力電圧振幅 V OL V OH V SS + 25 V DD 25 mv V DD = 5.5 V 0.5 V 入力オーバードライブ 出力短絡電流 I SC ±6 ma V DD = 1.8 V ±23 ma V DD = 5.5 V 電源電源電圧 V DD V Note 2 オペアンプ 1 回路あたりの無負荷時電流 I Q µa I O = 0 V DD = 5.5 V V CM = 5 V Note 1: 日付コードが 2004 年 12 月 ( 週コード = 49) 以前の 製品は ± 7mVを最小 / 最大電圧の仕様として試験しています 2: 日付コードが 2007 年 11 月以降の全ての製品の場合 検査では V DD = 6.0 V での動作を確認しています しかし その他の最小および最大仕様値は 1.8 V と 5.5 V で計測しています 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 3

4 AC 特性 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ 5.5 V V SS = GND V CM = V DD / 2 V L = V DD /2 V OUT V DD /2 R L = 10 kω (V L に対して ) C L = 60 pf ( 図 1-1 参照 ) AC 応答 温度仕様 パラメータ記号 Min Typ Max 単位条件 利得帯域幅積 GBWP 1.0 MHz 位相マージン PM 90 G = +1 V/V スルーレート SR 0.6 V/µs ノイズ入力ノイズ電圧 E ni 6.1 µvp-p f=0.1~10 Hz 入力ノイズ電圧密度 e ni 28 nv/ Hz f = 1 khz 入力ノイズ電流密度 i ni 0.6 fa/ Hz f = 1 khz 電気的特性 : 特に明記のない限り右記の条件を適用 : V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND パラメータ 記号 Min Typ Max 単位 条件 温度レンジ産業用温度レンジ品 T A -40 ~ +85 拡張温度レンジ品 T A -40 ~ +125 動作温度レンジ T A -40 ~ +125 Note 保管温度レンジ T A -65 ~ +150 パッケージ熱抵抗熱抵抗 5 ピン SC70 θ JA 331 /W 熱抵抗 5 ピン SOT-23 θ JA 256 /W 熱抵抗 8 ピン PDIP θ JA 85 /W 熱抵抗 8 ピン SOIC (150 mil) θ JA 163 /W 熱抵抗 8 ピン MSOP θ JA 206 /W 熱抵抗 8 ピン DFN (2x3) θ JA 68 /W 熱抵抗 14 ピン PDIP θ JA 70 /W 熱抵抗 14 ピン SOIC θ JA 120 /W 熱抵抗 14 ピン TSSOP θ JA 100 /W Note: 産業用温度レンジ品は拡張温度レンジでも動作しますが 性能は低下します いかなる場合も 内部の接合部温度 (T J ) が最大絶対定格温度 (+150 ) を超えない事が必要です DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

5 1.1 試験回路 大部分の AC および DC 特性試験に使った回路を図 1-1 に示します この回路では V CM と V OUT を別々に設定できます ( 式 1-1 参照 ) V CM は回路のコモンモード電圧 ((V P +V M )/2) ではない事に注意してください また V OST は V OS に温度 CMRR PSRR A OL による入力オフセットエラー V OST への影響を加味した電圧である事にも注意してください 式 1-1: G DM = R F R G V CM = ( V P + V DD 2) 2 V OST = V IN V IN+ V OUT = ( V DD 2) + ( V P V M ) + V OST ( 1+ G DM ) V P V M R G 100kΩ V IN+ MCP600X V IN C F 6.8 pf R F 100kΩ C B1 100 nf V DD C B2 1 µf V DD /2 R R R L C L V OUT G 100kΩ F 100kΩ 10kΩ 60 pf G DM = 差動モードゲイン (V/V) V CM = オペアンプのコモンモード (V) 入力電圧 V OST = オペアンプの総入力オフセット電圧 (mv) C F 6.8 pf 図 1-1: 主な仕様値の評価に使った AC および DC 試験回路 V L 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 5

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7 2.0 代表的な性能データ Note: 以下の図表は限られたサンプル数に基づく統計的な結果であり 情報の提供のみを目的とします ここに記載する性能特性は検証されておらず 保証されません これらの図表の一部には 仕様動作レンジ外で計測されたデータも含まれます ( 例 : 仕様レンジ外の電源を使用 ) 従ってこれらのデータは保証範囲外です Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND V CM = V DD /2 V OUT V DD /2 V L =V DD /2 R L =10kΩ (V L に対して ) C L =60pF Percentage of Occurrences 20% 18% 16% 14% 12% 10% 8% 6% 4% 2% 0% 64,695 Samples V CM = V SS Input Offset Voltage (mv) Input Offset Voltage (µv) V DD = 1.8V T A = -40 C T A = +25 C T A = +85 C T A = +125 C Common Mode Input Voltage (V) 2.2 図 2-1: 入力オフセット電圧 図 2-4: コモンモード入力電圧と入力オフセット電圧の関係 (V DD = 1.8 V) Percentage of Occurrences 18% 16% 14% 12% 10% 8% 6% 4% 2% 0% 2453 Samples T A = -40 C to +125 C V CM = V SS Input Offset Voltage Drift; TC 1 (µv/ C) Input Offset Voltage (µv) V DD = 5.5V T A = -40 C T A = +25 C T A = +85 C T A = +125 C Common Mode Input Voltage (V) 6.0 図 2-2: 入力オフセット電圧の温度ドリフト 図 2-5: コモンモード入力電圧と入力オフセット電圧の関係 (V DD = 5.5 V) Percentage of Occurrences 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0% Samples T A = -40 C to +125 C V CM = V SS Input Offset Quadratic Temp. Co.; TC 2 (µv/ C 2 ) Input Offset Voltage (µv) V DD = 5.5V 0 V DD = 1.8V V CM = V SS Output Voltage (V) 図 2-3: 入力オフセット電圧の温度ドリフト ( 温度の 2 乗値あたりのドリフト ) Co 図 2-6: 出力電圧と入力オフセット電圧の関係 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 7

8 Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND V CM = V DD /2 V OUT V DD /2 V L =V DD /2 R L =10kΩ (V L に対して ) C L =60pF Percentage of Occurrences 14% 12% 10% 8% 6% 4% 2% 0% 図 2-7: 1230 Samples V DD = 5.5V V CM = V DD T A = +85 C Input Bias Current (pa) +85 での入力バイアス電流 PSRR, CMRR (db) 100 V CM = V SS PSRR 60 PSRR+ 50 CMRR E E E+03 1k 1.E+04 10k 1.E k Frequency (Hz) 図 2-10: 周波数と PSRR CMRR の関係 Percentage of Occurrences 55% 50% 45% 40% 35% 30% 25% 20% 15% 10% 5% 0% 605 Samples V DD = 5.5V V CM = V DD T A = +125 C Input Bias Current (pa) Open-Loop Gain (db) Gain Phase 0 V CM = V SS E E+ 1 1.E E E+ 1k 1.E+ 10k 100k 1.E+ 1.E+ 1M 10M 1.E Frequency (Hz) Open-Loop Phase ( ) 図 2-8: +125 での入力バイアス電流 図 2-11: 周波数と開ループゲイン 位相の関係 PSRR, CMRR (db) V DD = 5.0V PSRR (V CM = V SS ) CMRR (V CM = -0.3V to +5.3V) Ambient Temperature ( C) Input Noise Voltage Density (nv/ Hz) 1, E E E E E+0 1k 1.E+0 10k 0 1Frequency 2 (Hz) E+0 100k 5 図 2-9: 周囲温度と CMRR PSRR の関係 図 2-12: 周波数と入力ノイズ電圧密度の関係 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

9 E+00 1.E-05 2.E-05 3.E-05 4.E-05 5.E-05 6.E-05 7.E-05 8.E-05 9.E-05 1.E-04 Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND V CM = V DD /2 V OUT V DD /2 V L =V DD /2 R L =10kΩ (V L に対して ) C L =60pF Short Circuit Current Magnitude (ma) T A = -40 C T A = +25 C T A = +85 C T A = +125 C Power Supply Voltage (V) 図 2-13: 電源電圧と出力短絡電流の関係 Output Voltage (20 mv/div) G = +1 V/V 0.E+00 1.E-06 2.E-06 3.E-06 4.E-06 5.E-06 6.E-06 7.E-06 8.E-06 9.E-06 1.E-05 Time (1 µs/div) 図 2-16: 小信号の非反転パルス応答 Output Voltage Headroom (mv) 1, V DD V OH V OL V SS 1 1.E-05 10µ 1.E µ 1.E-03 1m 1.E-02 10m Output Current Magnitude (A) 図 2-14: 出力電流振幅と出力電圧ヘッドルームの関係 Output Voltage (V) Time (10 µs/div) 図 2-17: 大信号の非反転パルス応答 G = +1 V/V V DD = 5.0V Quiescent Current per amplifier (µa) V CM = V DD - 0.5V T A = +125 C T A = +85 C T A = +25 C T A = -40 C Power Supply Voltage (V) Slew Rate (V/µs) V DD = 5.5V 0.8 Falling Edge V DD = 1.8V 0.3 Rising Edge Ambient Temperature ( C) 図 2-15: 電源電圧と無負荷時電流の関係 図 2-18: 周囲温度とスルーレートの関係 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 9

10 Note: 特に明記のない限り右記の条件を適用 : T A = +25 V DD = +1.8 ~ +5.5 V V SS = GND V CM = V DD /2 V OUT V DD /2 V L =V DD /2 R L =10kΩ (V L に対して ) C L =60pF Output Voltage Swing (V P-P ) 10 1 V DD = 5.5V V DD = 1.8V E+03 1k 1.E+04 10k 1.E k 1.E+06 1M Frequency (Hz) Input, Output Voltages (V) V OUT V IN V DD = 5.0V G = +2 V/V 0.E+00 1.E-05 2.E-05 3.E-05 4.E-05 5.E-05 6.E-05 7.E-05 8.E-05 9.E-05 1.E-04 Time (10 µs/div) 図 2-19: 周波数と出力電圧振幅の関係 図 2-21: MCP6001/2/4 では入力電圧が V DD を超えても位相反転しない事を示すグラフ 1.E-02 10m 1.E-03 1m 1.E µ 1.E-05 10µ 1.E-06 1µ 1.E n 1.E-08 10n 1.E-09 1n 1.E p 1.E-11 10p 1.E-12 1p Input Current Magnitude (A) +125 C +85 C +25 C -40 C Input Voltage (V) 図 2-20: V SS 以下の入力電圧と入力電流の関係 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

11 3.0 ピンの説明 デバイスのピン機能の一覧を表 3-1 に示します 表 3-1: ピン機能 MCP6001 MCP6001R MCP6001U MCP6002 MCP600 SC70-5 SOT-23-5 SOT-23-5 SOT-23-5 MSOP PDIP SOIC DFN 2x3 PDIP SOIC TSSOP 記号 概要 V OUT V OUTA アナログ出力 ( オペアンプ A) V IN V INA 反転入力 ( オペアンプ A) V IN + V INA + 非反転入力 ( オペアンプ A) V DD 正極性電源 V INB + 非反転入力 ( オペアンプ B) V INB 反転入力 ( オペアンプ B) V OUTB アナログ出力 ( オペアンプ B) 8 V OUTC アナログ出力 ( オペアンプ C) 9 V INC 反転入力 ( オペアンプ C) 10 V INC + 非反転入力 ( オペアンプ C) V SS 負極性電源 12 V IND + 非反転入力 ( オペアンプ D) 13 V IND 反転入力 ( オペアンプ D) 14 V OUTD アナログ出力 ( オペアンプ D) 9 EP 露出サーマルパッド (EP); VSS に接続の事 3.1 アナログ出力 出力ピンは低インピーダンス電圧源です 3.2 アナログ入力 3.4 露出サーマルパッド (EP) 露出サーマルパッド (EP) と V SS ピンは内部で電気的に接続しています これらはプリント基板上の同一電位部に接続する必要があります 非反転および反転入力は 低バイアス電流の高インピーダンス CMOS 入力です 3.3 電源ピン 正極性電源電圧 (V DD ) のレンジは 1.8 ~ 6.0 V です ( 負極性電源電圧 V SS を基準とする ) 通常動作時のその他のピンの電圧レンジは V SS ~ V DD です 一般的に このようなオペアンプは単電源 ( 正極性 ) 回路構成で使います この場合 V SS をグランドに接続し V DD を電源に接続します V DD にはバイパスコンデンサが必要です 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 11

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13 4.0 アプリケーション情報 MCP6001/2/4 オペアンプファミリは マイクロチップ社の最先端 CMOS プロセスを使って製造され 特に低コスト / 低消費電力 / 汎用アプリケーション向けに設計されています 電源電圧と無負荷時電流が低く 帯域幅が広い MCP6001/2/4 は バッテリ駆動アプリケーションに最適です また 位相マージンが高いため 容量性負荷の大きなアプリケーションに適しています 4.1 レールツーレール入力 位相反転 オペアンプは 入力ピン電圧が電源電圧を超えた時に位相が反転しないように設計されています 図 2-21 に示すように 入力電圧が電源電圧を超えても出力の位相は反転しません 入力電圧と電流制限入力の ESD 保護の概略図を図 4-1 に示します 入力トランジスタを保護し 入力バイアス電流 (I B ) を最小限に抑えるために このような回路構成を採用しました 入力電圧が [V SS - ダイオード順方向降下電圧 ] よりも低下する事を防ぐために 入力 ESD ダイオードは入力電圧をクランプします 入力 ESD ダイオードは V DD を過大に超える電圧も全てクランプします これらのダイオードの降伏電圧は 通常動作を可能にするには十分に高い一方 ESD イベントを仕様制限内で素早くバイパスするには十分に低く抑えられています V DD V IN + V SS 図 4-1: Bond Pad Bond Pad Bond Pad Input Stage Bond Pad アナログ入力 ESD の概略構造図 V IN オペアンプの損傷や不適正な動作を防ぐために 関連する回路は V IN + および V IN ピンの電流と電圧を制限する必要があります ( セクション 1.0 電気的特性 冒頭の絶対最大定格 参照 ) 図 4-2 に これらの入力を保護するための推奨回路例を示します 内部 ESD ダイオードは 入力ピン (V IN + V IN ) の電圧がグランドよりも過大に低下する事を防ぎます 抵抗 R 1 と R 2 は 入力ピンから外部へ向けての電流の引き込みを制限します ダイオード D 1 と D 2 は 入力ピン (V IN + V IN ) の電圧が V DD よりも過大に超える事を防ぎ 電流を V DD へダンプします 図の回路では R 1 と R 2 は D 1 と D 2 に流れる電流も制限します V 1 図 4-2: R 1 V 2 R 2 R 1 > R 2 > D 1 D 2 アナログ入力の保護 V DD MCP600X R 3 V SS ( 予測最小 V 1 ) 2mA V SS ( 予測最小 V 2 ) 2mA ダイオードを R 1 と R 2 の左側に接続する事も可能です この場合 ダイオード D 1 と D 2 に流れる電流を制限するための別の措置が必要です これらの抵抗は突入電流リミッタとして機能し 入力ピン (V IN + V IN ) に流れ込む DC 電流を非常に低く抑えます コモンモード電圧 (V CM ) がグランド (V SS ) よりも低下すると 入力から大電流が流れる可能性があります ( 図 2-20 参照 ) 高インピーダンスのアプリケーションでは 使用可能電圧レンジを制限する事が必要となる場合があります 標準的な動作 オペアンプの入力段は 2 個の差動 CMOS 入力段を並列に使います 一方は低いコモンモード入力電圧 (V CM ) で動作し 他方は高い V CM で動作します このようなトポロジにより 本オペアンプは V SS V ~ V DD V の V CM で動作します 2 つの入力段の間の切り換えは V CM = V DD 1.1 V の時に発生します 歪みとゲイン直線性 ( 非反転ゲイン ) を良好に保つために この領域での動作を避ける必要があります 4.2 レールツーレール出力 MCP6001/2/4 オペアンプの出力電圧レンジは V DD - 25 mv ( 最大値 ) ~ V SS +25mV ( 最小値 ) です ( 条件 : R L =10kΩ を V DD /2 に接続 V DD =5.5 V) 詳細は図 2-14 を参照してください 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 13

14 4.3 容量性負荷 大きな容量性負荷を駆動すると 電圧フィードバックオペアンプの安定性に問題が生じる可能性があります 負荷容量が増えるにつれて フィードバックループの位相マージンが減少し 閉ループ帯域幅が低下します これにより 周波数応答にゲインのピークが生じ ステップ応答でオーバーシュートとリンギングが発生します ユニティゲインバッファ (G = +1) が容量性負荷に対して最も敏感ですが 全てのゲインも同様の一般的挙動を示します これらのオペアンプで大きな容量性負荷 ( 例 : G = + 1 で 100 pf 以上 ) を駆動する場合 値の小さな直列抵抗 (R ISO 図 4-3 参照 ) を出力に接続して抵抗性出力負荷とする事により 高周波におけるフィードバックループの位相マージン ( 安定性 ) を改善できます 一般的に帯域幅は 容量性負荷の存在によって低下します V IN MCP600X + R ISO V OUT 図 4-3: 容量性負荷が大きい場合の出力抵抗 R ISO による安定性の改善図 4-4 に ゲインをパラメータとして 容量性負荷に対する推奨 R ISO 値の関係を示します X 軸は正規化した負荷容量 (C L /G N ) です (G N は回路のノイズゲイン ) 非反転ゲインの場合 G N と信号ゲインは同じです 反転ゲインの場合 G N は 1+ 信号ゲイン です ( 例 : -1 V/V の場合 G N = +2 V/V) Recommended R ISO (Ω) V DD = 5.0V R L = 100 k G N = 1 G N 2 図 4-4: 容量性負荷と推奨 R ISO 値の関係上記に従って選択した R ISO を実際の回路に取り付けて 周波数応答のピークとステップ応答のオーバーシュートを確認します 結果が好ましくない場合 妥当な挙動が得られるまで R ISO の値を変更します このようなベンチ評価とシミュレーションには SPICE マクロモデルが非常に役立ちます C L 10 10p 100p 1n 10n 1.E-11 1.E-10 1.E-09 1.E-08 Normalized Load Capacitance; C L /G N (F) 4.4 電源バイパス 良好な高周波性能を得るために 本オペアンプファミリの電源ピン ( 単電源の場合 V DD ) には ローカルなバイパスコンデンサ (0.01 ~ 0.1 µf) を 2 mm 以内の距離で取り付ける必要があります また 低周波の時に必要な大電流を供給するために バルクコンデンサ (1 µf 以上 ) を 100 mm 以内の距離で取り付ける必要もあります このバルクコンデンサは 他のアナログデバイスと共有できます 4.5 未使用オペアンプ 4 回路入りパッケージ (MCP6004) では 一部のオペアンプを使わない場合があります そのような場合 未使用のオペアンプを図 4-5 のように構成する必要があります これらの回路は 出力のトグリングとクロストークの発生を防ぎます 図中左側の回路 A は オペアンプのノイズゲインを最小限に抑えます 抵抗分圧器は オペアンプの出力電圧レンジ内で必要な参照電圧を生成します オペアンプはこの参照電圧をバッファリングします 図中右側の回路 B は最小限の部品点数でコンパレータとして動作しますが 消費電流は増加する可能性があります ¼ MCP6004 (A) V DD R 1 R 2 図 4-5: V DD R 2 V REF = V DD R 1 + R 2 V REF 未使用オペアンプ ¼ MCP6004 (B) V DD 4.6 プリント基板の表面リーク電流 入力バイアス電流を低く抑える事が重要となるアプリケーションでは プリント基板 (PCB) の表面リーク電流の影響を考慮する必要があります 表面リーク電流は湿度やほこり等の汚れによって発生します 低湿度条件における隣接トレース間の抵抗は 一般的に Ω 程度です この場合 5 V の電圧差によって 5pA の電流が流れ これは ファミリのバイアス電流 (25 で 1pA typical) を上回ります 表面リーク電流を低減するには 敏感なピン ( またはトレース ) の周囲にガードリングを設ける方法が最も容易です この場合 ガードリングを敏感なピンと同電位にバイアスします 図 4-6 にガードリングのレイアウト例を示します DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

15 図 4-6: ト例 V IN - V IN + ガードリング 反転ゲイン用のガードリングレイアウ 1. 非反転ゲインおよびユニティゲインバッファの場合 : a. プリント基板に接触しないジャンパ線を使って 非反転ピン (V IN +) を入力に接続します b. ガードリングを反転入力ピン (V IN ) に接続します これにより ガードリングをコモンモード入力電圧までバイアスします 2. 非反転ゲインおよびトランスインピーダンスゲインアンプ ( 光検出器等 電流を電圧に変換する ) 場合 : a. ガードリングを非反転入力ピン (V IN +) に接続します これにより ガードリングをオペアンプと同じ参照電圧 ( 例 : V DD /2 またはグランド ) までバイアスします b. プリント基板に接触しないジャンパ線を使って 反転ピン (V IN -) を入力に接続します 4.7 アプリケーション回路 ユニティゲインバッファ V SS MCP6001/2/4 オペアンプのレールツーレール入力および出力の能力は ユニティゲインバッファアプリケーションに最適です 本オペアンプは無負荷時電流が低く 帯域幅が広いため 図 4-7 に示す計装アンプ回路のバッファ構成に適しています V IN1 V IN2 1/2 MCP /2 MCP R 2 R 2 MCP V REF R R 2 V OUT 図 4-7: ユニティゲインバッファ入力を備えた計装アンプ アクティブローパスフィルタ MCP6001/2/4 オペアンプの入力バイアス電流は低いため アクティブローパスフィルタアプリケーションでは 抵抗を大きくして コンデンサ容量を小さくできます ただし 抵抗の増加にともなって 発生するノイズも増加します 寄生容量と大きな抵抗値は 周波数応答にも影響する可能性があります 回路の素子を選択する際に これらのトレードオフを考慮する必要があります 通常 良好な性能を得るには オペアンプの帯域幅をフィルタカットオフ周波数の100 倍以上にする必要があります オペアンプの帯域幅がカットオフ周波数の 10 倍以上あれば動作は可能ですが その場合 回路は部品の許容差に対してより敏感となります 図 4-8 に 2 次バタワースフィルタ ( カットオフ周波数 = 100 khz ゲイン = +1 V/V) を示します この場合 オペアンプの帯域幅は カットオフ周波数の 10 倍しかありません 各部品の値は マイクロチップ社の FilterLab ソフトウェアを使って選択しました R 1 R 1 V OUT = ( V IN2 V IN1 ) + V REF R 1 = 20kΩ R 2 = 10kΩ 100pF V IN 14.3kΩ 53.6kΩ 33pF + MCP6002 V OUT 図 4-8: アクティブ 2 次ローパスフィルタ 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 15

16 4.7.3 ピーク検出器 MCP6001/2/4 オペアンプは 高い入力インピーダンス レールツーレール入力 / 出力 低い入力バイアス電流といった特長を備えるため ピーク検出器アプリケーションに適しています 図 4-9 に クリアスイッチとサンプルスイッチを使うピーク検出器回路を示します ピーク検出サイクルには 図 4-9 に示すようにクロック (CLK) を使います CLK の立ち上がりエッジで サンプルスイッチを閉じてサンプリングを始めます C 1 がホールドしているピーク電圧を C 2 でサンプリングします ( このサンプリング時間は t SAMP で定義 ) サンプリング時間の終了時に ( サンプル信号の立ち下がりエッジで ) クリア信号が HIGH に遷移し クリアスイッチが閉じます クリアスイッチが閉じると C 1 は R 1 を介して放電します ( 放電時間は t CLEAR で定義 ) クリア時間の終了時に ( クリア信号の立ち下がりエッジで ) オペアンプ A は C 1 で V IN のピーク値のサンプリングを始めます ( このサンプリング時間は t DETECT で定義 ) t SAMP と t CLEAR を定義するには コンデンサの充電時間と放電時間を求める必要があります コンデンサの充電時間はアンプのソース電流によって制限され 放電時間 (τ) はR 1 を使って設定します (τ = R 1 C 1 ) t DETECT は 入力信号を C 1 でサンプリングする時間です この時間は入力電圧の変化周波数によって決まります オペアンプ出力の電流制限と サンプルコンデンサのサイズ (C 1 と C 2 の両方 ) の影響により 入力電圧 (V IN ) が高くなるにつれてスルーレートが制限されます コンデンサに流れる電流は コンデンサの容量と電圧の変化レートによって決まります この関係に基づいて 電圧の変化レートまたはスルーレートを決める事ができます 例えば オペアンプの短絡電流 I SC = 25 ma 負荷容量 C 1 =0.1µFとする場合 式 4-1: I SC dv C1 dt = = dv C1 C dt I SC C 1 = mA 0.1μF dv C1 = 250mV μs dt 電圧の変化レートは MCP6001/2/4 のスルーレート (0.6 V/µs) よりも小さくなります 入力電圧が C 1 の電圧よりも低下すると D 1 は逆バイアスとなります これはフィードバックループを開き オペアンプをレールします 入力電圧が増加すると オペアンプは本来のスルーレートに戻ります 上式の電圧変化レートに基づき 0.1 µf のコンデンサを充電するには もっと長い時間が必要です 回路がオペアンプのスルーレートによって制限されないようにコンデンサを選択する必要があります 従って コンデンサを 40 µf 以下とし 安定化抵抗 (R ISO ) を適切に選択する必要があります ( セクション 4.3 容量性負荷 参照 ) V IN + D 1/2 1 MCP6002 Op Amp A R ISO V C1 C 1 R 1 + 1/2 MCP6002 Op Amp B R ISO V C2 C 2 + MCP6001 V OUT Op Amp C Clear Switch t SAMP Sample Switch Sample Signal t CLEAR Clear Signal t DETECT CLK 図 4-9: クリアおよびサンプル CMOS アナログスイッチを使うピーク検出器 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

17 5.0 設計支援 マイクロチップ社は ファミリのオペアンプ用に基本的な設計ツールを提供しています 5.1 SPICE マクロモデル オペアンプ用の最新の SPICE マクロモデルは マイクロチップ社のウェブサイト ( で入手できます このマクロモデルは Orcad (Cadence) が保有する PSPICE を使って作成および検証されています その他のシミュレーションには変換が必要な場合があります このモデルは オペアンプの各種電気的仕様に幅広く対応し オペアンプの電圧 電流 抵抗だけでなく オペアンプの挙動に対する温度とノイズの影響も考慮します このモデルは オペアンプのデータシートに記載した仕様レンジ外では検証されていません 仕様レンジ外の条件におけるモデル挙動と実際のオペアンプ動作の一致は保証できません さらに このモデルは 初期段階の設計ツールとしての使用を目的としています どのような設計であれ ベンチ試験は非常に重要であり シミュレーションで置き換える事はできません また このマクロモデルから得られたシミュレーション結果は データシートの仕様値および特性曲線と比較検証する必要があります 5.2 FilterLab ソフトウェア マイクロチップ社の FilterLab ソフトウェアは オペアンプを使ったアナログアクティブフィルタの設計を簡略化する革新的なソフトウェアツールです このツールはマイクロチップ社のウェブサイト ( から無償で入手できます FilterLab 設計ツールは 各部品の特性値を含むフィルタ回路の完全な回路図を提供します さらに このフィルタ回路を SPICE フォーマットで出力してマクロモデルで使う事により フィルタの性能をシミュレートできます 5.4 Microchip Advanced Part Selector (MAPS) MAPS は 特定の設計要件に適したマイクロチップ社製デバイスを効率良く見つけ出す事ができるソフトウェアツールです このツールはマイクロチップ社のウェブサイト ( から無償で入手できます MAPS はアナログ メモリ MCU DSC を含むマイクロチップ社製品の全ポートフォリオを対象とする選択ツールです このツールを使うと ソーティング機能にフィルタを定義してデバイスをパラメータ検索し それらのデバイスを横並びの一覧にした技術対照レポートをエクスポートできます マイクロチップ社製品のデータシート 購入サイト 関連情報への便利なリンクも利用できます 5.5 アナログデモボードおよび評価用ボード マイクロチップ社は お客様の開発期間の短縮を支援するために アナログ開発 / 評価用ボードを豊富に取り揃えています これらのボードの一覧と 関連ユーザガイドおよび技術情報は マイクロチップ社ウェブサイト ( でご覧になれます 特に下記のボードをお薦めします MCP6XXX アンプ評価用ボード 1 MCP6XXX アンプ評価用ボード 2 MCP6XXX アンプ評価用ボード 3 MCP6XXX アンプ評価用ボード 4 アクティブフィルタデモボードキット 5/6 ピン SOT-23 評価用ボード P/N VSUPEV2 8 ピン SOIC/MSOP/TSSOP/DIP 評価用ボード P/N SOIC8EV 14 ピン SOIC/TSSOP/DIP 評価用ボード P/N SOIC14EV 5.3 Mindi サーキットデザイナおよびシミュレータ マイクロチップ社の Mindi サーキットデバッガおよびシミュレータは アクティブフィルタ アンプ 電源管理アプリケーションに役立つ各種回路の設計を支援します このオンラインツールは マイクロチップ社のウェブサイト ( から無償で入手できます このインタラクティブなソフトウェアツールを使うと 回路図を素早く生成してシミュレートできます Mindi サーキットデザイナおよびシミュレータを使って開発した回路は PC またはワークステーションにダウンロードできます 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 17

18 5.6 アプリケーションノート 補足資料として マイクロチップ社が提供する下記のアナログデザインノートとアプリケーションノートを推奨します これらはマイクロチップ社のウェブサイト ( で入手できます ADN003: フィルタ回路用オペアンプの選択 DS21821 AN722: オペアンプトポロジと DC 仕様 DS00722 AN723: オペアンプの AC 仕様とアプリケーション DS00723 AN884: オペアンプによる容量性負荷の駆動 DS00884 AN990: アナログセンサコンディショニング回路の概要 DS00990 AN1177: オペアンプを使用したデザインの精度 : DC 誤差 DS01177 AN1228: オペアンプを使用したデザインの精度 : ランダムノイズ DS01228 AN1297: マイクロチップ社製オペアンプ用 SPICE マクロモデルこれらのアプリケーションノートを含む各種アプリケーションノートの一覧を下記の設計ガイドに記載しています 信号チェーン設計ガイド DS21825 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

19 6.0 パッケージ情報 6.1 パッケージのマーキング情報 5 ピン SC-70 (MCP6001) 例 : ( 産業用温度レンジ ) XXN (Front) YWW (Back) または デバイス 産業用温度コード 拡張温度コード MCP6001 AAN CDN Note: 5 ピン SC-70 に適用 AA7 (Front) 432 (Back) または XXNN デバイス 産業用温度コード 拡張温度コード MCP6001 AANN CDNN Note: 5 ピン SC-70 に適用 AA74 5 ピン SOT-23 (MCP6001/1R/1U) 例 :( 拡張温度レンジ ) 5 4 XXNN デバイス 産業用温度コード 拡張温度コード MCP6001 AANN CDNN MCP6001R ADNN CENN MCP6001U AFNN CFNN Note: 5 ピン SOT-23 に適用 5 4 CD ピン PDIP (300 mil) 例 : XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW MCP6002 I/P または MCP6002 I/P^^256 e ピン DFN (2x3) 例 : XXX YWW NN ABY 凡例 : XX...X お客様固有情報 Y 年コード ( 西暦の下 1 桁 ) YY 年コード ( 西暦の下 2 桁 ) WW 週コード (1 月の第 1 週を 01 とする ) NNN 英数字のトレーサビリティコード e3 つや消し錫 (Sn) の使用を示す鉛フリー JEDEC マーク * このパッケージは鉛フリーです 鉛フリー JEDC マーク ( e3 ) は外箱に表記しています Note: マイクロチップ社の製品番号が 1 行に収まりきらない場合 複数行を使います この場合 お客様固有情報に使える文字数が制限されます 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 19

20 パッケージマーキング情報 ( 続き ) 8 ピン SOIC (150 mil) 例 : XXXXXXXX XXXXYYWW NNN MCP6002I SN または MCP6002I SN^^0746 e ピン MSOP 例 : XXXXXX YWWNNN 6002I ピン PDIP (300 mil) (MCP6004) 例 : XXXXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXXXX YYWWNNN MCP6004 I/P^^3 e または MCP6004 E/P^^3 e ピン SOIC (150 mil) (MCP6004) 例 : XXXXXXXXXX XXXXXXXXXX YYWWNNN MCP6004ISL または MCP6004 E/SL^^3 e ピン TSSOP (MCP6004) 例 : XXXXXX YYWW NNN 6004ST または 6004STE DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

21 D b E1 E 4 5 e e A A2 c A1 L 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 21

22 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

23 N b E E e e1 D A A2 c φ A1 L L Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 23

24 N D L b e N K E E2 EXPOSED PAD NOTE NOTE 1 D2 TOP VIEW BOTTOM VIEW A A3 A1 NOTE 2 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

25 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 25

26 N NOTE 1 E D E A A2 A1 L c b1 b e eb DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

27 D N e E E1 NOTE b h h α A A2 φ c A1 L L1 β 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 27

28 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

29 D N E1 E NOTE e b A A2 c φ A1 L1 L 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 29

30 Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

31 N NOTE 1 E D E A A2 L c A1 b1 b e eb 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 31

32 D N E E1 NOTE b e h h α A A2 φ c A1 L L1 β DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

33 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 33

34 D N E1 E NOTE b e A A2 c φ A1 L1 L DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

35 Note: For the most current package drawings, please see the Microchip Packaging Specification located at Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 35

36 NOTE: DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

37 補遺 A: 改訂履歴 リビジョン J (2009 年 11 月 ) 変更内容 1. 1 ページめに新しい 2x3 DFN 8 ピンパッケージを追加 2. 温度仕様テーブルを更新 (2x3 DFN の熱抵抗に関する情報を記載 ) 試験回路 を更新 4. 図 2-15 を更新 5. 表 3-1 に 2x3 DFN の列を追加 露出サーマルパッド (EP) を追加 SPICE マクロモデル を更新 アナログデモボードおよび評価用ボード を更新 アプリケーションノート を更新 パッケージのマーキング情報 を更新 ( 新しい2x3 DFNパッケージのマーキングに関する情報を記載 ) 11. パッケージの図を更新 12. 製品識別システム セクションを更新 ( 新しい 2x3 DFN パッケージに関する情報を記載 ) リビジョン H (2008 年 5 月 ) 変更内容 1. 設計支援 : Mindi シミュレーションツールの名称を変更 2. パッケージタイプ : デバイスの表記の誤りを訂正 電気的特性 DC 特性 : 最大出力電圧振幅 条件を 0.9 V 入力オーバーライドから 0.5 V 入力オーバーライドに変更 電気的特性 AC 特性 : 位相マージン条件を G = +1 から G= +1 V/V に変更 設計支援 : Mindi シミュレーションツールの名称を変更 リビジョン G (2007 年 11 月 ) 変更内容 電気的特性 の Note を更新 2. 入力ピンの絶対最大電圧レンジを拡大 3. 最大動作電源電圧 (V DD ) を拡大 4. 試験回路を追加 5. 図 2-3 と図 2-20 を追加 位相反転 入力電圧と電流制限 標準的な動作 4.5 未使用オペアンプ を追加 設計支援 を更新 パッケージ情報 を更新 9. パッケージの概要図を更新 リビジョン F (2005 年 3 月 ) 変更内容 パッケージ情報 を更新 ( 新旧のパッケージ例を記載 ) リビジョン E (2004 年 12 月 ) 変更内容 1. 日付コード YYWW = 0449 以降の製品の V OS 仕様値を ± 7.0 mv から ± 4.5 mv に低減 パッケージ情報 内のパッケージのマーキングを訂正 3. 補遺 A: 改訂履歴を追加 リビジョン D (2003 年 5 月 ) 履歴なし リビジョン C (2002 年 12 月 ) 履歴なし リビジョン B (2002 年 10 月 ) 履歴なし リビジョン A (2002 年 6 月 ) 本書の初版 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 37

38 NOTE: DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.

39 マイクロチップ社製デバイスのコード保護機能に関して次の点にご注意ください マイクロチップ社製品は 該当するマイクロチップ社データシートに記載の仕様を満たしています マイクロチップ社では 通常の条件ならびに仕様に従って使用した場合 マイクロチップ社製品のセキュリティレベルは 現在市場に流通している同種製品の中でも最も高度であると考えています しかし コード保護機能を解除するための不正かつ違法な方法が存在する事もまた事実です 弊社の理解ではこうした手法は マイクロチップ社データシートにある動作仕様書以外の方法でマイクロチップ社製品を使用する事になります このような行為は知的所有権の侵害に該当する可能性が非常に高いと言えます マイクロチップ社は コードの保全性に懸念を抱くお客様と連携し 対応策に取り組んでいきます マイクロチップ社を含む全ての半導体メーカーで 自社のコードのセキュリティを完全に保証できる企業はありません コード保護機能とは マイクロチップ社が製品を 解読不能 として保証するものではありません コード保護機能は常に進歩しています マイクロチップ社では 常に製品のコード保護機能の改善に取り組んでいます マイクロチップ社のコード保護機能の侵害は デジタルミレニアム著作権法に違反します そのような行為によってソフトウェアまたはその他の著作物に不正なアクセスを受けた場合は デジタルミレニアム著作権法の定めるところにより損害賠償訴訟を起こす権利があります 本書に記載されているデバイスアプリケーション等に関する情報は ユーザの便宜のためにのみ提供されているものであり 更新によって無効とされる事があります お客様のアプリケーションが仕様を満たす事を保証する責任は お客様にあります マイクロチップ社は 明示的 暗黙的 書面 口頭 法定のいずれであるかを問わず 本書に記載されている情報に関して 状態 品質 性能 品性 特定目的への適合性をはじめとする いかなる類の表明も保証も行いません マイクロチップ社は 本書の情報およびその使用に起因する一切の責任を否認します マイクロチップ社の明示的な書面による承認なしに 生命維持装置あるいは生命安全用途にマイクロチップ社の製品を使用する事は全て購入者のリスクとし また購入者はこれによって発生したあらゆる損害 クレーム 訴訟 費用に関して マイクロチップ社は擁護され 免責され 損害うけない事に同意するものとします 暗黙的あるいは明示的を問わず マイクロチップ社が知的財産権を保有しているライセンスは一切譲渡されません 商標マイクロチップ社の名称と Microchip ロゴ dspic KEELOQ KEELOQ ロゴ MPLAB PIC PICmicro PICSTART rfpic UNI/O は 米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MXDEV MXLAB SEEVAL Embedded Control Solutions Company は 米国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です Analog-for-the-Digital Age,Application Maestro chipkit chipkit logo CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPLAB Certifiedr ロゴ MPLIB MPLINK mtouch Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail REAL ICE rflab Select Mode Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock ZENA は 米国およびその他の国におけるマイクロチップ テクノロジー社の登録商標です SQTP は 米国におけるマイクロチップ テクノロジー社のサービスマークです その他 本書に記載されている商標は各社に帰属します 2011, Microchip Technology Incorporated, All Rights Reserved. ISBN: マイクロチップ社では Chandler および Tempe ( アリゾナ州 ) Gresham ( オレゴン州 ) の本部 設計部およびウェハー製造工場そしてカリフォルニア州とイドのデザインセンターが ISO/TS-16949:2009 認証を取得しています マイクロチップ社の品質システムプロセスおよび手順は PIC MCU および dspic DSC KEELOQ コードホッピングデバイス シリアル EEPROM マイクロペリフェラル 不揮発性メモリ アナログ製品に採用されています さらに 開発システムの設計と製造に関するマイクロチップ社の品質システムは ISO 9001:2000 認証を取得しています 2012 Microchip Technology Inc. DS21733J_JP - p. 39

40 各国の営業所とサービス 北米本社 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技術サポート : support URL: アトランタ Duluth, GA Tel: Fax: ボストン Westborough, MA Tel: Fax: シカゴ Itasca, IL Tel: Fax: クリーブランド Independence, OH Tel: Fax: ダラス Addison, TX Tel: Fax: デトロイト Farmington Hills, MI Tel: Fax: インディアナポリス Noblesville, IN Tel: Fax: ロサンゼルス Mission Viejo, CA Tel: Fax: サンタクララ Santa Clara, CA Tel: Fax: トロント Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: アジア / 太平洋アジア太平洋支社 Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: オーストラリア - シドニー Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重慶 Tel: Fax: 中国 - 杭州 Tel: Fax: 中国 - 香港 SAR Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青島 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 瀋陽 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武漢 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦門 Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: アジア / 太平洋 インド - バンガロール Tel: Fax: インド - ニューデリー Tel: Fax: インド - プネ Tel: Fax: 日本 - 大阪 Tel: Fax: 日本 - 横浜 Tel: Fax: 韓国 - 大邱 Tel: Fax: 韓国 - ソウル Tel: Fax: または マレーシア - クアラルンプール Tel: Fax: マレーシア - ペナン Tel: Fax: フィリピン - マニラ Tel: Fax: シンガポール Tel: Fax: 台湾 - 新竹 Tel: Fax: 台湾 - 高雄 Tel: Fax: 台湾 - 台北 Tel: Fax: タイ - バンコク Tel: Fax: ヨーロッパオーストリア - ヴェルス Tel: Fax: デンマーク - コペンハーゲン Tel: Fax: フランス - パリ Tel: Fax: ドイツ - ミュンヘン Tel: Fax: イタリア - ミラノ Tel: Fax: オランダ - ドリューネン Tel: Fax: スペイン - マドリッド Tel: Fax: イギリス - ウォーキンガム Tel: Fax: /29/11 DS21733J_JP - p Microchip Technology Inc.