MAX3736 DS.J

Size: px
Start display at page:

Download "MAX3736 DS.J"

Transcription

1 ; Rev 0; 12/03 PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE E/D -40 C to +85 C Dice* ETE -40 C to +85 C 16 Thin QFN * HOST BOARD SFP OPTICAL TRANSMITTER HOST FILTER VCC_RX SUPPLY FILTER +3.3V 15Ω 56Ω 0.01µF VCC SERDES 0.1µF 0.1µF IN+ BIAS IN- BC_MON DIS MODSET BIASSET GND 8.2pF Ω FERRITE BEAD TX_DISABLE MOD-DEF1 MOD-DEF2 LASER CONTROLLER Maxim Integrated Products 1

2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Power-Supply Voltage V to +6.0V Voltage at IN+, IN-, DIS V to ( + 0.5V) Voltage at BC_MON, MODSET, BIASSET V to +3.0V Voltage at,. +0.5V to ( + 1.5V) Voltage at BIAS V to ( + 0.5V) Current into BIAS,,...-mA to +150mA Current into IN+, IN-... -ma to +ma Continuous Power Dissipation (T A = +85 C) 16-Pin Thin QFN (derate 25mW/ C above +85 C)...2W Operating Junction Temperature Range C to +150 C Storage Temperature Range C to +150 C Die Attach Temperature C Lead Temperature (soldering, s)...+0 C Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability. ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( = +2.97V to +3.63V, T A = -40 C to +85 C. Typical values are at = +3.3V, I BIAS = ma, I MOD = ma, T A = +25 C, unless otherwise noted.) (Note 1) PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Power-Supply Current I CC Excludes the laser bias and modulation currents (Note 2) I/O SPECIFICATIONS ma Differential Input Voltage V ID V ID = V IN+ - V IN-, Figure V P-P 0.6 Common-Mode Input Voltage V INCM V Differential Input Resistance R IN Ω DIS Input Pullup Resistance R PULL kω DIS Input Current V DIS = 15 V DIS = GND, = 3.3V, R PULL = 7.4kΩ -450 DIS Input High Voltage V IH 2.0 V DIS Input Low Voltage V IL 0.8 V BIAS GENERATOR Bias Current Range I BIAS Current into BIAS pin 1 0 ma Bias Off-Current I BIASOFF Current into BIAS pin, DIS asserted high 0 µa BIASSET Current Gain G BIAS (Note 3) 5mA I BIAS ma ma I BIAS 0mA BIASSET Current Gain Stability ma I BIAS 0mA (Note 4) % BIASSET Current Gain Linearity ma I BIAS 0mA (Note 5) % Bias Overshoot During SFP module hot plugging; see Figure 3 (Notes 5, 6) µa A/A % Bias-Current Monitor Gain (Note 5) 13.7 ma/a 1mA I BIAS 5mA 4 Bias-Current Monitor Gain 5mA I BIAS ma % Stability (Notes 4, 5) ma I BIAS 0mA Current into, R L = 15Ω, V and V 0.6V (DC-coupled) Modulation Current Range I MOD Current into, R L = 15Ω, V and V 2.0V (AC-coupled) ma P-P 2

3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) ( = +2.97V to +3.63V, T A = -40 C to +85 C. Typical values are at = +3.3V, I BIAS = ma, I MOD = ma, T A = +25 C, unless otherwise noted.) (Note 1) MODULATOR PARAMETER SYMBOL CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS Modulation Current Gain G MOD (Note 3) 5mA I MOD ma ma I MOD 85mA Modulation Current Gain Stability ma I MOD 85mA (Notes 4, 5) % Modulation Current Gain Linearity ma I MOD 85mA (Note 5) % Bias Current Gain and Modulation Current Gain Matching (Notes 5, 7) I BIASSET = 0.15mA; I MODSET = 0.7mA 2.3 I BIASSET = I MODSET = 0.15mA I BIASSET = I MODSET = 0.4mA I BIASSET = I MODSET = 0.6mA I BIASSET = I MODSET = 0.9mA Modulation OFF Current I MODOFF DIS asserted high 0 µa Rise Time t R % to 80%; ma I MOD 60mA (Note 5) ps Fall Time t F 80% to %; ma I MOD 60mA (Note 5) ps ma I MOD 60mA; 2.67Gbps; PRBS A/A % Deterministic Jitter (Notes 5, 8) ma I MOD 60mA; 3.2Gbps; K28.5 pattern ma I MOD 60mA; 155Mbps; PRBS ps P-P ma I MOD 60mA; 3.2Gbps; K28.5; T A = +0 C 6.3 ps Random Jitter ma I MOD 60mA (Note 5) ps RMS Note 1: Specifications at -40 C are guaranteed by design and characterization. Dice are tested at T A = +25 C only. Note 2: Maximum value is specified at I MOD = 60mA and IBIAS = 0mA. BC_MON connected to. Note 3: Modulation current gain, G MOD, is defined as G MOD = I MOD / I MODSET. Bias current gain, G BIAS, is defined as G BIAS = I BIAS / I BIASSET. The nominal gain is measured at = +3.3V and T A = +25 C. Note 4: Gain stability is defined as [(Gain) - (Nom_Gain)] / (Nom_Gain) over the listed current range, temperature, and supply variation. Nominal gain is measured at = +3.3V, T A = +25 C. The voltage at the BC_MON pin must not exceed 1.39V. Note 5: Guaranteed by design and characterization; see Figure 2. Note 6: turn-on time must be less than 0.8s, DC-coupled interface. Note 7: The gain matching is defined as ABS [(G MOD /G BIAS - G MODNOM /G BIASNOM )/(G MODNOM /G BIASNOM )] over the specified temperature and voltage supply range. Note 8: For supply noise tolerance, noise is added to the supply (0mV P-P ) up to 2MHz; see Figure 3. 3

4 VOLTAGE V IN+ (V IN+ ) - (V IN- ) CURRENT I 0mV MIN mv MAX 0mV P-P MIN 2400mV P-P MAX V IN- 25Ω 1.1pF 26Ω Ω OSCILLOSCOPE I MOD I 1Ω SOURCE NOISE HOST BOARD FILTER DEFINED BY SFP MSA 1µH MODULE TO LASER DRIVER OPTIONAL VOLTAGE SUPPLY 0.1µF µf 0.1µF OPTIONAL (Typical values are at = 3.3V, I BIAS = ma, I MOD = ma, T A = +25 C, unless otherwise noted.) OPTICAL EYE (155Mbps) OPTICAL EYE (2.488Gbps) ELECTRICAL EYE (2.488Gbps) 117 MHz FILTER, PRBS 13nm FP LASER toc01 E R = 8.2dB, OC-48 FILTER PRBS, 13 FP LASER toc MHz FILTER PRBS toc03 C4 919ps/div 58ps/div 58ps/div 4

5 (Typical values are at = 3.3V, I BIAS = ma, I MOD = ma, T A = +25 C, unless otherwise noted.) SUPPLY CURRENT (ma) SUPPLY CURRENT vs. TEMPERATURE EXCLUDES I BIAS AND I MOD toc05 GAIN (ma/a) BIAS CURRENT MONITOR GAIN vs. TEMPERATURE toc06 IMOD (map-p) MODULATION CURRENT vs. MODSET RESISTANCE (Z L = 15Ω) toc TEMPERATURE ( C) TEMPERATURE ( C) R MODSET (kω) IBIAS (ma) BIAS CURRENT vs. BIAS RESISTANCE toc08 EDGE TRANSITION TIME (ps) EDGE TRANSITION TIME vs. MODULATION AMPLITUDE FALL TIME RISE TIME toc R BIASSET (kω) I MOD (ma) 5

6 (Typical values are at = 3.3V, I BIAS = ma, I MOD = ma, T A = +25 C, unless otherwise noted.) DETERMINISTIC JITTER vs. MODULATION CURRENT 2.7Gbps PRBS toc 0-5 DIFFERENTIAL S 11 vs. FREQUENCY toc DJ (psp-p) IS11I (db) I MOD (ma P-P ) FREQUENCY (GHz) PIN NAME FUNCTION 1, 4, 9, 12, V Supply Voltage. All pins must be connected to. 2 IN+ Noninverted Data Input 3 IN- Inverted Data Input 5 BIASSET 6 MODSET A current DAC, a voltage DAC, or a resistor, connected from this pin to ground, sets the desired bias current for the laser (see the Programming the Laser Bias Current section). A current DAC, a voltage DAC, or a resistor, connected from this pin to ground, sets the desired bias current for the laser (see the Programming the Laser Modulation Current section). 7 BC_MON Bias Current Monitor Output. Current out of this pin develops a ground-referenced voltage across an external resistor that is proportional to the bias current. 8 BIAS Laser Bias Current Output Noninverted Modulation Current Output. I MOD flows into this pin when input data is high. 11 Inverted Modulation Current Output. I MOD flows into this pin when input data is low. 13, 14 GND Ground 16 DIS Transmitter Disable, TTL. Laser output is disabled when DIS is asserted high or left unconnected. The laser output is enabled when this pin is asserted low. EP Exposed Pad Ground. Must be soldered to the circuit board ground for proper thermal and electrical performance (see the Exposed Pad Package section). 6

7 82pF 16kΩ 24kΩ DIS 7.2kΩ IN+ IN- BIAS x1 x85 x85 BC_MON 1.2V 1.2V BIASSET MODSET 7

8 12. V V I DAC MOD = 85 RSERIES V IMOD = 12. R 85 MODSET IBIAS = IBIASET 85 µ µ µ IMOD = IMODSET V V I DAC BIAS = 85 RSERIES V IBIAS = 12. R 85 BIASET 8

9 PACKAGE IN+ 0.65nH 0.11pF 82pF 16kΩ PACKAGE 0.43nH 0.43nH 0.11pF 0.11pF IN- 0.65nH 0.11pF 24kΩ µ µ µ 9

10 TOP VIEW DIS VCC GND GND TRANSISTOR COUNT: 1385 PROCESS: SiGe BIPOLAR SUBSTRATE CONNECTED TO GND DIE THICKNESS: 15 mils BIASSET MODSET BC_MON BIAS 9 THIN QFN (3mm x 3mm) THE EXPOSED PAD MUST BE CONNECTED TO GROUND FOR PROPER THERMAL AND ELECTRICAL PERFORMANCE IN+ (0,0) IN- GND DIS GND GND GND BIASSET MODSET BC_MON 1.55mm (61mils) BIAS IN MA3736 IN mm (45mils)

11 PAD NUMBER PAD NAME COORDINATES (µm) BP BP2 IN BP3 IN BP4 0 0 BP5 BIASSET BP6 MODSET BP7 BC_MON BP8 BIAS BP BP BP BP BP BP BP15 GND BP16 GND BP17 GND BP BP19 DIS BP GND X Y japan.maxim-ic.com/packages Maxim Integrated Products, 1 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA Maxim Integrated Products is a registered trademark of Maxim Integrated Products.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Supply Voltage,...-.5V to 5.V Input Voltage (LVDS, TTL)...-.5V to ( +.5V) Output Voltage (LVDS)...-.5V to ( +.5V) Continuous

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Supply Voltage,...-.5V to 5.V Input Voltage (LVDS, TTL)...-.5V to ( +.5V) Output Voltage (LVDS)...-.5V to ( +.5V) Continuous 9-48; Rev ; 3/ PART TEMP. RANGE PIN-PACKAGE UCM C to +85 C 48 TQFP MAX3869 LASER DRIVER OPTICAL TRANSCEIVER 2.5Gbps MAX383 4-CHANNEL INTERCONNECT MUX/DEMUX 622Mbps CROSSPOINT SWITCH SONET SOURCE A SONET

More information

MAX6301 DS.J

MAX6301 DS.J 19-1078; Rev 0; 6/96 µ µ µ FEATURE Active-Low Reset Active-High Reset Open-Drain Reset Output Push/Pull Reset Output Pins-Package TOP VIEW 8-DIP/SO/ µmax 8-DIP/SO/ µmax 8-DIP/SO/ µmax 8-DIP/SO/ µmax µ

More information

MAX985-994 DS.J

MAX985-994 DS.J 9-9; Rev ; 7/97 µ MAX98 Push/Pull MAX986 Open-Drain MAX989 Push/Pull MAX990 Open-Drain MAX99 Push/Pull MAX99 Open-Drain 8 SO/ SOT- 8 SO/ SOT- 8 SO/µMAX 8 SO/µMAX SO SO µ µ µ PART MAX98EUK-T MAX98ESA MAX986EUK-T

More information

MAX4832 DS.J

MAX4832 DS.J 19-3372; Rev ; 7/4 FLAG RESET FLAG RESET µ µ TOP VIEW IN GND 1 2 6 OUT 5 SS µ µ PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE MAX4832EUTxy_-T* -4 C to +85 C 6 SOT23-6 MAX4832ETTxy_-T -4 C to +85 C 6 TDFN-6 MAX4833EUTxy_dd-T*

More information

LTC 単一5VAppleTalk トランシーバ

LTC 単一5VAppleTalk トランシーバ LTC µ µ µ µ TYPICAL APPLICATI O LTC 0.µF CHARGE PMP CPEN EN EN O O 0 DO 0 V µf 0.µF µf D D = Ω TO 0Ω Ω TO 0Ω 00pF LTC TA0 - LTC ABSOLTE AXI RATI GS Supply Voltage ( )... V Input Voltage Logic Inputs...

More information

MAX4836 DS.J

MAX4836 DS.J 19-3374; Rev ; 7/4 FLAG RESET FLAG RESET µ µ C C TOP VIEW IN GND 1 2 6 OUT 5 SS µ µ PART TEMP RANGE PIN-PACKAGE MAX4836EUTxy_-T* -4 C to +85 C 6 SOT23-6 MAX4836ETTxy_-T -4 C to +85 C 6 TDFN-6 MAX4837EUTxy_dd-T*

More information

電源監視回路

電源監視回路 TPS3820-xx,TPS3823-xx TPS3824-xx,TPS3825-xx TPS3828-xx www.tij.co.jp µ TYPICAL APPLICATION TPS3820, TPS3823, TPS3828: DBV PACKAGE (TOP VIEW) GND MR 1 2 3 5 4 VDD WDI TPS3824: DBV PACKAGE (TOP VIEW) 1 5

More information

Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C

Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872

More information

Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B

Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11

More information

LM4663 2 Watt Stereo Class D Audio Pwr Amp w/Stereo Headphone Amplifier (jp)

LM4663 2 Watt Stereo Class D Audio Pwr Amp w/Stereo Headphone Amplifier (jp) 2 Watt Stereo Class D Audio Power Amplifier with Stereo Headphone Amplifier Literature Number: JAJS693 Boomer 2006 4 A very minor text edit (typo). (MC) Converted to nat2000 DTD. Few edits on Table 1 and

More information

RMWV3216A Series Datasheet

RMWV3216A Series Datasheet 32Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (2M word 16bit) R10DS0259JJ0100 Rev.1.00 概 要 RMWV3216A シリーズは 2,097,152 ワード 16 ビット 構 成 の 32M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMWV3216A

More information

Untitled

Untitled R1LV0816ABG -5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0295-0100 Rev.1.00 2009.12.14 R1LV0816ABG 0.15µm CMOS 524,288 16 RAM TFT R1LV0816ABG R1LV0816ABG 7.5mm 8.5mm BGA (f-bga [0.75mm, 48 ])

More information

LP2985 マイクロパワー150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ(SOT-23 およびmicro SMD パッケージ) 超低ESR 出力コンデンサが使用可能

LP2985 マイクロパワー150mA 低ノイズ、超低ドロップアウト・レギュレータ(SOT-23 およびmicro SMD パッケージ) 超低ESR 出力コンデンサが使用可能 VIP 150mA ESR 2985 LP 19980108 24060 DS100140 Sgm file from Marcom and made addition and changes. lm New datasheet from Chester Simpson; RRD to key in text added titles for all the new curves and some

More information

R1LV0816ASB データシート

R1LV0816ASB データシート R1LV0816ASB 5SI, 7SI 8Mb Advanced LPSRAM (512k word x 16bit) RJJ03C0292-0100 Rev.1.00 2009.11.30 概 要 R1LV0816ASB は シリコンゲート 0.15µm CMOS プロセス 技 術 を 用 いた 524,288 語 16 ビット 構 成 を 持 ち 単 一 電 源 で 動 作 する 非 同 期

More information

RMLV0816BGBG Datasheet

RMLV0816BGBG Datasheet 8Mbit 低 消 費 電 力 SRAM (512k word 16bit) R10DS0229JJ0200 Rev.2.00 概 要 RMLV0816BGBG は 524,288 ワード 16 ビット 構 成 の 8M ビットスタティック RAM です Advanced LPSRAM 技 術 を 採 用 し 高 密 度 高 性 能 低 消 費 電 力 を 実 現 しております したがって RMLV0816BGBG

More information

プログラミング可能なソフトスタート機能を備えた3.0A LDOリニア・レギュレータ

プログラミング可能なソフトスタート機能を備えた3.0A LDOリニア・レギュレータ www.tij.co.jp TPS749xx µ µ SS = 0µ F V SS = 0.001µ F 1V/div SS = 0.0047µ F V IN IN PG V BIAS IN BIAS BIAS EN SS TPS74901 GND FB R 3 R 1 V 1V/div 0V 1.2V V EN SS R 2 Time (1ms/div) 1. 2. (1) V (2) TPS749xxyyy

More information

AD8250 :ゲイン設定可能(G=1、2、5、10)な 10MHz、20V/μsのiCMOS®計装アンプ

AD8250 :ゲイン設定可能(G=1、2、5、10)な 10MHz、20V/μsのiCMOS®計装アンプ G 2 5 MHz 2V/µs icmos AD825 MSOP 2 5 5 5V DC CMRR 98dB G ppm/.7µv/ G AC.% 65ns 2V/µs khz THD db CMRR 5kHz 8dB 8nV/ Hz G ma IN +IN DGD A A 2 6 5 LOGIC AD825 8 3 9 7 OUT 6288-25 2 5 G = G = 5 AD825 GΩ PGIA

More information

CAT Channel LED Driver with 32 Dimming Levels & PWM

CAT Channel LED Driver with 32 Dimming Levels & PWM CAT3696 LED.33x.5x %.5.5 V LED LED5 ma (ADIM) 3 PWM(PWM)LED PWM khzpwm (CABC) ADIMPWM3 ms CAT369.33x.33x x.33x.5xx 6LED5 ma CABC khzpwm EZDim3(ADIM) 9% 3mm x 3mm6TQFN /BFRRoHS (Note ) LCD. Figure C+ C

More information

DS90CP04 1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch (jp)

DS90CP04 1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch (jp) 1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch Literature Number: JAJS984 1.5Gbps 4 4 LVDS 4 4 (LVDS) ( ) 4 4:1 4 1 MODE 4 42.5Gb/s LVDS 20010301 33020 23900 11800 ds200287 2007 12 Removed preliminary. Removed old

More information

LM117/LM317A/LM317 可変型3 端子レギュレータ

LM117/LM317A/LM317 可変型3 端子レギュレータ LM117,LM317 LM117/LM317A/LM317 3-Terminal Adjustable Regulator Literature Number: JAJSBC1 LM317A/LM317 3 3 LM317A 3 LM317 1.2 37V 1.5A 3 IC 2 / IC AC IC 6 3 LM317 3-Terminal Adjustable Regulator LM117

More information

5 11 3 1....1 2. 5...4 (1)...5...6...7...17...22 (2)...70...71...72...77...82 (3)...85...86...87...92...97 (4)...101...102...103...112...117 (5)...121...122...123...125...128 1. 10 Web Web WG 5 4 5 ²

More information

ECO-MODE? ???1.5A?60V?????SWIFT??DC/DC ?????

ECO-MODE? ???1.5A?60V?????SWIFT??DC/DC ????? TPS54160 www.tij.co.jp Ω µ µ VIN PWRGD µ µ TPS54160 90 EN BOOT 85 SS/TR RT/CLK COMP PH VSENSE GND Efficiency - % 80 75 70 65 60 V I = 12V, 55 V O = 3.3V, f sw = 1200kHz 50 0 0.25 0.50 0.75 1 1.25 1.50

More information

3 ? 1 DVI/HDMI ????

3 ? 1 DVI/HDMI ???? 341 < Ω DVD Player PC or Game Machine STB 341 Digital TV A14 B14 A13 B13 A1 B1 A11 B11 VCC (3.3 V) RINT Rx w/ RINT Rx w/ RINT Rx w/ RINT Rx w/ PRE (3.3 V) VSADJ A4 B4 A3 B3 A B Rxw/ Rxw/ Rx w/ 3-to-1 MUX

More information

ADA493-/ADA493- 目 次 特 長... アプリケーション... 概 要... 機 能 ブロック 図... 改 訂 履 歴... 仕 様... 3 ±5 V 動 作... 3 5 V 動 作... 5 絶 対 最 大 定 格... 7 熱 抵 抗... 7 最 大 消 費 電 力...

ADA493-/ADA493- 目 次 特 長... アプリケーション... 概 要... 機 能 ブロック 図... 改 訂 履 歴... 仕 様... 3 ±5 V 動 作... 3 5 V 動 作... 5 絶 対 最 大 定 格... 7 熱 抵 抗... 7 最 大 消 費 電 力... IN +FB +OUT 7 8 9 5 775-775- 低 消 費 電 力 差 動 ADCドライバ ADA493-/ADA493- 特 長 低 消 費 電 力 で 高 性 能 高 速 3 db 帯 域 幅 : 56 MHz G = ゲイン 平 坦 性 : 3 MHz まで. db スルーレート: 5%から 75%まで,8 V/µs 高 速 なセトリング タイム:.%まで 9 ns 低 消 費 電

More information

MIDI_IO.book

MIDI_IO.book MIDI I/O t Copyright This guide is copyrighted 2002 by Digidesign, a division of Avid Technology, Inc. (hereafter Digidesign ), with all rights reserved. Under copyright laws, this guide may not be duplicated

More information

PA M01 LITEON SPEC Rev A

PA M01 LITEON  SPEC Rev A 規格書 Electrical Specification Model No: PA-1360-5M01 Description: 12V 36W single output AC adapter Revision: A Issued Date: May 21, 2013 Customer Part No.: 90, Chien I Rd, Chung Ho city, Taipei Hsien 235,

More information

プログラミング可能なソフト・スタート機能を備えた1.5A LDO リニア・レギュレータ

プログラミング可能なソフト・スタート機能を備えた1.5A LDO リニア・レギュレータ TPS743xx TPS743xx TPS743xx www.tij.co.jp ADJUSTABLE VOLTAGE VERSION V IN IN IN PG V PG V EN TPS7431 R 5 V R 1 V TRAK R 3 TRAK GND FB R 2 I = 5mA R 4 Optional V PG V TRAK V IN FIXED VOLTAGE VERSION 5mV/div

More information

Fig. 1. Relation between magnetron anode current and anode-cathod voltage. Fig. 2. Inverter circuit for driving a magnetron. 448 T. IEE Japan, Vol. 11

Fig. 1. Relation between magnetron anode current and anode-cathod voltage. Fig. 2. Inverter circuit for driving a magnetron. 448 T. IEE Japan, Vol. 11 High Frequency Inverter for Microwave Oven Norikazu Tokunaga, Member, Yasuo Matsuda, Member, Kunio Isiyama, Non-member (Hitachi, Ltd.), Hisao Amano, Member (Hitachi Engineering, Co., Ltd.). Recently resonant

More information

LTC4307-1 - 高精細マルチメディア・インターフェイス(HDMI)レベルシフト2線バス・バッファ

LTC4307-1 - 高精細マルチメディア・インターフェイス(HDMI)レベルシフト2線バス・バッファ HDMI 2 DDC HDMI 1.3 DDC 3.3V 5V 5kV ESD 60mV V OL I 2 C SDA SCL I 2 C I 2 C Fast Mode SMBus READY V CC = 0VSDA SCL 8(3mm 3mm ) DFN 8MSOP HDMI 3.3V/5V / LTC4307-12 HDMIDDC 50pF LTC4307-1 10pF HDMI 50pF

More information

High-Voltage (100V

High-Voltage (100V www.tij.co.jp ± ± ± ± ± IN +IN Status Flag Enable/Disable (E/D) V O Enable/Disable Common (E/D Com) PRODUCT DESCRIPTION OPA445 (1) 8V, 15mA OPA452 8V, 5mA OPA547 6V, 75mA OPA548 6V, 3A OPA549 6V, 9A OPA551

More information

LM9822 3 Channel 42-Bit Color Scanner Analog Front End (jp)

LM9822 3 Channel 42-Bit Color Scanner Analog Front End (jp) LM9822 LM9822 3 Channel 42-Bit Color Scanner Analog Front End Literature Number: JAJS680 LM9822 3 42 LM9822 AFE CIS CCD CDS / LM9822 14 6MHz ADC 600 / CCD CDS CCD CIS TTL/CMOS 14 6MHz 5V 5% I/O 3.3V 10%

More information

LTC3225/LTC3225-1 - 150mAスーパーキャパシタ・チャージャ

LTC3225/LTC3225-1 - 150mAスーパーキャパシタ・チャージャ 特 長 2 0mA セル 当 り2.4または2.6の 安 定 化 を 選 択 可 能 (LTC22) セル 当 り2または2.2の 安 定 化 を 選 択 可 能 () 自 動 再 充 電 スタンバイ モードでI IN =20μA 入 力 電 源 が 取 り 外 されているとき I COUT

More information

エレクトーンのお客様向けiPhone/iPad接続マニュアル

エレクトーンのお客様向けiPhone/iPad接続マニュアル / JA 1 2 3 4 USB TO DEVICE USB TO DEVICE USB TO DEVICE 5 USB TO HOST USB TO HOST USB TO HOST i-ux1 6 7 i-ux1 USB TO HOST i-mx1 OUT IN IN OUT OUT IN OUT IN i-mx1 OUT IN IN OUT OUT IN OUT IN USB TO DEVICE

More information

部 品 メーカー SUPPLIER PHONE WEBSITE Murata Electronics North America, Inc. 770-436-1300 www.murata-northamerica.com TDK Corp. 847-803-6100 www.component.t

部 品 メーカー SUPPLIER PHONE WEBSITE Murata Electronics North America, Inc. 770-436-1300 www.murata-northamerica.com TDK Corp. 847-803-6100 www.component.t 19-4953; Rev 0; 9/09 MAX4951AEの 評 価 キット 概 要 MAX4951AEの 評 価 キット(EVキット)は デュアルチャ ネルバッファMAX4951AEの 評 価 を 行 うための 実 証 済 みの 設 計 を 提 供 します このEVキットには アプリケーション 回 路 特 性 評 価 回 路 および2 組 の 較 正 用 トレースの 4つのセクションが 含 まれています

More information

LM393xxx ,LM2903xx ,LM339xx ,LM2901xx : アンプ / リニア

LM393xxx ,LM2903xx ,LM339xx ,LM2901xx : アンプ / リニア SIGNATURE SERIES コンパレータ LM393xxx LM293xx LM339xx LM291xx 概 要 LM393xxx, LM293xx, LM339xx, LM291xx は 各 々 独 立 した 高 利 得 コンパレータ 2 回 路 4 回 路 の IC で す 動 作 電 源 電 圧 範 囲 が 2V~36V と 広 く 消 費 電 流 が 少 ないため 様 々な 用 途

More information

ECO-MODE™ 搭載、1.5A、42V、降圧型 SWIFT™ DC/DC コンバータ

ECO-MODE™ 搭載、1.5A、42V、降圧型 SWIFT™ DC/DC コンバータ www.tij.co.jp TPS54140 Ω µ µ µ µ VIN PWRGD TPS54140 EN BOOT PH 90 85 80 SS /TR RT /CLK COMP VSENSE GND Efficiency - % 75 70 65 60 55 V= I 12 V, V O = 3.3 V, f sw = 1200 khz 50 0 0.25 0.50 0.75 1 1.25 1.50

More information

untitled

untitled H Phase & Enable (UVLO) V DD =2.55.5V =3.08.0V Io=400mA I DD =200uA typ. (Mode Select) 2 Phase & Enable (ALL L ) STB L (UVLO) Alarm CMOS SSOP20-C3 - - (Ta=25 C) (Ta=25) - 2 - - 3 - - 4 - - 5 - OUTA IN2B

More information

XL42 width.3 1.1 +/- 2 line/pad phase 2 4 lo-cut freq bell eq bell 1 2k freq 4 8k freq 1k 2k freq 2 4 1 2k 4 8k 1k 2k level pan line/pad phase lo-cut freq bell freq eq freq freq bell level pan PAD +48

More information

6 4 45 ZS7ZS4ZS 5 59 7 8 94 05 4 5 6 4 5 5 6 8 8 40 45 48 56 60 64 66 66 68 7 78 80 8 7 8 0 0 0 90 0 0 4 4 4 4 6 57 64 69 66 66 66 69 4 0 7 48 5 4 4 5 4 4 4 7 46 46 6 46 8 46 48 46 46 4 46 46 4 4 5 4

More information

R1EX24256BSAS0I/R1EX24256BTAS0I データシート

R1EX24256BSAS0I/R1EX24256BTAS0I データシート R1EX24256BSAS0I R1EX24256BTAS0I Two-wire serial interface 256k EEPROM (32-kword 8-bit) R10DS0003JJ0400 Rev.4.00 R1EX24xxx 2 EEPROM ROM MONOS CMOS 64 1.8V 5.5V 2 (I 2 C ) 400kHz 2.0μA (max) 1.0mA (max)

More information

DDR3 SDRAMメモリ・インタフェースのレベリング手法の活用

DDR3 SDRAMメモリ・インタフェースのレベリング手法の活用 WP-01034-1.0/JP DLL (PVT compensation) 90 PLL PVT compensated FPGA fabric 90 Stratix III I/O block Read Dynamic OC T FPGA Write Memory Run Time Configurable Run Time Configurable Set at Compile dq0 dq1

More information

1

1 Dec 9, 2013 発 振 器 の PB デザインのガイドライン 1 はじめに... 1 2 デカップリングコンデンサの 使 用... 1 3 バイパスコンデンサの 使 用... 4 4 電 源 ノイズ 低 減... 4 5 電 源 について... 6 6 SiTime 製 品 推 奨 レイアウト... 6 1 はじめに 発 振 器 の 性 能 を 期 待 通 りに 引 き 出 すためには 適

More information

6 50G5S 3 34 47 56 63 http://toshibadirect.jp/room048/ 74 8 9 3 4 5 6 3446 4755 566 76373 7 37 3 8 8 3 3 74 74 79 8 30 75 0 0 4 4 0 7 63 50 50 3 3 6 3 5 4 4 47 7 48 48 48 48 7 36 48 48 3 36 37 6 3 3 37

More information

Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano S Nano S Nano S Nano S Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L 130-

Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano S Nano S Nano S Nano S Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L Nano L 130- L i t r o n T o t a l L a s e r C a p a b i l i t y Nano Series Ultra Compact Pulsed Nd:YAG Lasers Product Range Specification Nano Range Specification Stable & Stable Telescopic Resonators Model Nano

More information

2

2 8 24 32C800037C800042C8000 32 40 45 54 2 3 24 40 10 11 54 4 7 54 30 26 7 9 8 5 6 7 9 8 18 7 7 7 40 10 13 12 24 22 22 8 55 8 8 8 8 1 2 3 18 11 54 54 19 24 30 69 31 40 57 23 23 22 23 22 57 8 9 30 12 12 56

More information

基準電圧源の選択における基本事項

基準電圧源の選択における基本事項 Literature Number: JAJA416 Expert tips, tricks, and techniques for powerful designs No. 13... 110 David Megaw, Design Engineer... REF REF Dn Dn1 Dn Dn Dn3 Dn1 D1 Dn Dn3 D1 ADC DAC Figure 1. ADC/DAC national.com

More information

MOTIF XF 取扱説明書

MOTIF XF 取扱説明書 MUSIC PRODUCTION SYNTHESIZER JA 2 (7)-1 1/3 3 (7)-1 2/3 4 (7)-1 3/3 5 http://www.adobe.com/jp/products/reader/ 6 NOTE http://japan.steinberg.net/ http://japan.steinberg.net/ 7 8 9 A-1 B-1 C0 D0 E0 F0 G0

More information

目 次 1. 適 用... 2 2. 製 品 仕 様... 2 2-1.タッチパネルボード 仕 様... 2 2-3. 電 気 仕 様... 3 2-3-1. 最 大 絶 対 定 格... 3 2-3-2.DC 特 性... 3 2-4.コネクタピンアサイン... 5 2-4-1.コネクタ 情 報.

目 次 1. 適 用... 2 2. 製 品 仕 様... 2 2-1.タッチパネルボード 仕 様... 2 2-3. 電 気 仕 様... 3 2-3-1. 最 大 絶 対 定 格... 3 2-3-2.DC 特 性... 3 2-4.コネクタピンアサイン... 5 2-4-1.コネクタ 情 報. 投 影 型 静 電 容 量 タッチパネルコントローラボード DUS4000 製 品 仕 様 書 目 次 1. 適 用... 2 2. 製 品 仕 様... 2 2-1.タッチパネルボード 仕 様... 2 2-3. 電 気 仕 様... 3 2-3-1. 最 大 絶 対 定 格... 3 2-3-2.DC 特 性... 3 2-4.コネクタピンアサイン... 5 2-4-1.コネクタ 情 報...

More information

回路実習

回路実習 100-720 Oscilloscope Experiment Circuit 440 441 100-273 Sensor Experiment Apparatus 100-040 Potentiometer Circuit Experiment Apparatus 100-150 Direct Current Circuit Practice Apparatus 442 100-010 Resistance

More information

iPhone/iPad接続マニュアル

iPhone/iPad接続マニュアル / JA 2 3 USB 4 USB USB i-ux1 USB i-ux1 5 6 i-mx1 THRU i-mx1 THRU 7 USB THRU 1 2 3 4 1 2 3 4 5 8 1 1 9 2 1 2 10 1 2 2 6 7 11 1 2 3 4 5 6 7 8 12 1 2 3 4 5 6 13 14 15 WPA Supplicant Copyright 2003-2009, Jouni

More information

POE.dvi

POE.dvi PoE... 2 PoE... 2... 2... 3... 3... 5... 5 DISABLE POE PORT... 6 ENABLE POE PORT... 7 SET POE DETECT.... 8 SETPOEPORT... 9 SET POE THRESHOLD... 10 SHOW POE... 11 PoE CentreCOM 8624PS 2.8 1 PoE Power over

More information

HA1631S01/02/03/04シリーズ データシート

HA1631S01/02/03/04シリーズ データシート H1631S1/2/3/4 CMOS (/ ) R3DS85JJ5 Rev.5. 215.7.1 H1631S1/2/3/4 CMOS IC 1.8V H1631S1/2 H1631S3/4 CMPK-5 SOP-8 1/8 H1631S1/3 : I DDtyp = 5μ () H1631S2/4 : I DDtyp = 5μ () : V DD = 1.8 5.5V : V IOmax = 5mV

More information

基本操作ガイド

基本操作ガイド HT7-0199-000-V.5.0 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. Copyright 2004 CANON INC. ALL RIGHTS RESERVED 1 2 3 1 1 2 3 4 1 2 1 2 3 1 2 3 1 2 3 1 2 3 4 1 2 3 4 1 2 3 4 5 AB AB Step 1 Step

More information

H8000操作編

H8000操作編 8 26 35 32H800037H800042H8000 49 55 60 72 2 3 4 48 7 72 32 28 7 8 9 5 7 9 22 43 20 8 8 8 8 73 8 13 7 7 7 55 10 49 49 13 37 49 49 49 49 49 49 12 50 11 76 8 24 26 24 24 6 1 2 3 18 42 72 72 20 26 32 80 34

More information

POE.dvi

POE.dvi PoE... 2 PoE... 2... 2... 3... 3... 5... 5 DISABLE POE PORT... 6 ENABLE POE PORT... 8 SET POE DETECT.... 10 SETPOEPORT... 11 SET POE THRESHOLD... 13 SHOW POE... 14 SHOW POE PORT... 17 PoE CentreCOM FS900M

More information

目 次 特 長...1 アプリケーション...1 機 能 ブロック 図...1 概 要...1 改 訂 履 歴...2 仕 様...3 タイミング 仕 様...4 絶 対 最 大 定 格...5 ESDの 注 意...5 ピン 配 置 およびピン 機 能 説 明...6 代 表 的 な 性 能 特

目 次 特 長...1 アプリケーション...1 機 能 ブロック 図...1 概 要...1 改 訂 履 歴...2 仕 様...3 タイミング 仕 様...4 絶 対 最 大 定 格...5 ESDの 注 意...5 ピン 配 置 およびピン 機 能 説 明...6 代 表 的 な 性 能 特 5 V 低 消 費 電 力 EI RS-485トランシーバ DM485 特 長 EI RS-485 に 準 拠 データレート: 5 Mbps 5 V 単 電 源 動 作 バス 同 相 モード 範 囲 : -7 V~+12 V 高 速 低 消 費 電 力 の icmos サーマル シャットダウン 保 護 機 能 を 内 蔵 短 絡 保 護 機 能 ドライバ 伝 搬 遅 延 : 1 ns (typ) レシーバ

More information

i5 Catalyst Case Instructions JP

i5 Catalyst Case Instructions JP Catalyst iphone iphone iphone ON/OFF O O Touch ID Page 01 iphone O O O O O Page 02 ( ) O OK O O O 30 30 min Page 03 ( ) 30 O iphone iphone iphone iphone iphone iphoneiphone Catalyst ON/OFF iphone iphone

More information

Influence of Material and Thickness of the Specimen to Stress Separation of an Infrared Stress Image Kenji MACHIDA The thickness dependency of the temperature image obtained by an infrared thermography

More information

Z7000操作編_本文.indb

Z7000操作編_本文.indb 2 8 17 37Z700042Z7000 46Z7000 28 42 52 61 72 87 2 3 12 13 6 7 3 4 11 21 34 61 8 17 4 11 4 53 12 12 10 75 18 12 42 42 13 30 42 42 42 42 10 62 66 44 55 14 25 9 62 65 23 72 23 19 24 42 8 26 8 9 9 4 11 18

More information

L C -6D Z3 L C -0D Z3 3 4 5 6 7 8 9 10 11 1 13 14 15 16 17 OIL CLINIC BAR 18 19 POWER TIMER SENSOR 0 3 1 3 1 POWER TIMER SENSOR 3 4 1 POWER TIMER SENSOR 5 11 00 6 7 1 3 4 5 8 9 30 1 3 31 1 3 1 011 1

More information

操作ガイド(本体操作編)

操作ガイド(本体操作編) J-1 QT5-0681-V02 1 m a b c d e f l kj i h g a b c d e f g h i j k l m n n o o s p q r p q r s w t u v x y z t u v w x y z a bc d e f g q p o n m l k j i h a b c d e f g h i j k l {}[] {}[] m n

More information

untitled

untitled Understanding Ruth Benedict through Anthropologist at Work This paper is an attempt to shed light on Ruth Benedict s personality by analyzing her autobiography, her research, her journals, diaries and

More information

DS04-21361-4

DS04-21361-4 Cypress () FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS4 236 4 ASSPDTS Bi-CMOS PLL (. GHz PLL) MB5F7SL MB5F7SL,, MHz 2 PLL (Phase Locked Loop) LSI Bi CMOS, 5 ma (VCC 2.7 V), VCC 2.4 V,.5 ma, 6 ma 2, MB5F7SL,, MHz

More information

Fig, 1. Waveform of the short-circuit current peculiar to a metal. Fig. 2. Waveform of arc short-circuit current. 398 T. IEE Japan, Vol. 113-B, No. 4,

Fig, 1. Waveform of the short-circuit current peculiar to a metal. Fig. 2. Waveform of arc short-circuit current. 398 T. IEE Japan, Vol. 113-B, No. 4, Development of a Quick-Acting Type Fuses for Protection of Low Voltage Distribution Lines Terukazu Sekiguchi, Member, Masayuki Okazaki, Member, Tsuginori Inaba, Member (CRIEPI), Naoki Ikeda, Member, Toshiyuki

More information

R3151N シリーズ

R3151N シリーズ 車 載 用 途 向 け 36V 耐 圧 ボルテージディテクタ 概 要 R3151N シリーズ AEC-Q1 Grade 2 準 拠 R3151Nは CMOSプロセス 技 術 を 用 いた36V 耐 圧 ( 最 大 電 源 電 圧 の 絶 対 最 大 定 格 :5V) ボルテージディテク タです 高 精 度 低 消 費 電 流 であるためバッテリーの 電 圧 監 視 に 最 適 です 端 子 検 出

More information

2 3 12 13 6 7

2 3 12 13 6 7 2 8 17 42ZH700046ZH700052ZH7000 28 43 54 63 74 89 2 3 12 13 6 7 3 4 11 21 34 63 65 8 17 4 11 4 55 12 12 10 77 56 12 43 43 13 30 43 43 43 43 10 45 14 25 9 23 74 23 19 24 43 8 26 8 9 9 4 8 30 42 82 18 43

More information

Power-over-Ethernetアプリケーション向け電源の設計

Power-over-Ethernetアプリケーション向け電源の設計 Literature Number: JAJA397 POWER designer Expert tips, tricks, and techniques for powerful designs No.104... 1-7 Power-over-Ethernet (PoE) PD... 2 Power-over-Ethernet L.H. Mweene RJ-45 Ethenet... 4 TX+

More information

137. Tenancy specific information (a) Amount of deposit paid. (insert amount of deposit paid; in the case of a joint tenancy it should be the total am

137. Tenancy specific information (a) Amount of deposit paid. (insert amount of deposit paid; in the case of a joint tenancy it should be the total am 13Fast Fair Secure PRESCRIBED INFORMATION RELATING TO TENANCY DEPOSITS* The Letting Protection Service Northern Ireland NOTE: The landlord must supply the tenant with the Prescribed Information regarding

More information

AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法

AN 74: アルテラ・デバイスの消費電力評価方法 AN 74: Evaluating Power for Altera Devices 1998 1 ver.2 Application Note 74 P EST = P INT + P IO P INT = I CCINT V CCINT P IO = P ACOUT + P DCOUT P EST = (I CCINT V CCINT ) + (P ACOUT + P DCOUT ) Altera

More information

DDK-7 取扱説明書 v1.10

DDK-7 取扱説明書 v1.10 DDK-7 v. JA 2 ()B-9 /4 ()B-9 2/4 3 4 ()B-9 3/4 ()B-9 4/4 5 6 7 "Mobile Wnn" OMRON SOFTWARE Co., Ltd. 999 All Rights Reserved. 8 CONTENTS 2 3 4 5 6 7 8 9 0 2 3 4 3 4 5 6 2 3 0 4 5 6 7 8 9 0 2 D. 2 3 4 5

More information

ADuM1250/ADuM1251 Hot-Swappable Dual 12C Isolators (Rev. 0) Data Sheet

ADuM1250/ADuM1251 Hot-Swappable Dual 12C Isolators (Rev. 0) Data Sheet ホット スワップ 可 能 な I C アイソレータ ADuM50/ADuM5 特 長 双 方 向 I C 通 信 オープン ドレイン インターフェース ホット スワップ アプリケーションに 最 適 30 ma の 電 流 シンク 能 力,000 khz 動 作 3.0 V~5.5 V の 電 源 レベル/ロジック レベル RoHS 準 拠 の 8 ピン SOIC パッケージを 採 用 高 温 動 作

More information

mobicom.dvi

mobicom.dvi 13Dynamic Voltage Scaling on a Low-Power Microprocessor Johan Pouwelse 5 Koen Langendoen Henk Sips Faculty of Information Technology and Systems Delft University of Technology, The Netherlands 1 78724

More information

2 3 12 13 6 7

2 3 12 13 6 7 02 08 22AV55026AV550 17 25 32 22AV550 26AV550 39 50 2 3 12 13 6 7 3 4 11 8 8 9 9 8 9 23 8 9 17 4 11 4 33 12 12 11 24 18 12 10 21 39 21 4 18 18 45 45 11 5 6 7 76 39 32 12 14 18 8 1 2 32 55 1 2 32 12 54

More information

1..FEM FEM 3. 4.

1..FEM FEM 3. 4. 008 stress behavior at the joint of stringer to cross beam of the steel railway bridge 1115117 1..FEM FEM 3. 4. ABSTRACT 1. BackgroundPurpose The occurrence of fatigue crack is reported in the joint of

More information

Table 1. Main specifications of VAD plant. Fig. 2. Typical operating pattern of low alloy steel.

Table 1. Main specifications of VAD plant. Fig. 2. Typical operating pattern of low alloy steel. UDC 669. 184. 244. 66-251: 669. 046. 554-982 On the Operations of LD-VAD Process and Product Qualities Takaharu MORIYA and Masanori TAWARA Synopsis: VAD (Vacuum Arc Degassing) plant is characterized by

More information

L3 Japanese (90570) 2008

L3 Japanese (90570) 2008 90570-CDT-08-L3Japanese page 1 of 15 NCEA LEVEL 3: Japanese CD TRANSCRIPT 2008 90570: Listen to and understand complex spoken Japanese in less familiar contexts New Zealand Qualifications Authority: NCEA

More information

LT1638/LT1639 - 1.2MHZ、0.4V/μs Over-The-Topマイクロパワーレール・トゥ・レール入力/出力オペアンプ

LT1638/LT1639 - 1.2MHZ、0.4V/μs Over-The-Topマイクロパワーレール・トゥ・レール入力/出力オペアンプ 特 長 / 3μA 利 得 帯 域 幅 積 :.MHz スルーレート:.4/μs 高 出 力 電 流 :5mA 最 小 3 5 および±5 電 源 で 仕 様 を 規 定 までの 逆 バッテリ 保 護 電 源 シーケンスの 問 題 なし 高 電 圧 利 得 :5/m 単 一 電 源 入 力 範 囲 :.4~44 高 CMRR:9dB 位 相 反 転 なし 4ピンSO ピンMSOPおよびDFNパッケージ

More information

Application Note 1194 Failsafe Biasing of LVDS Interfaces (jp)

Application Note 1194 Failsafe Biasing of LVDS Interfaces (jp) Application Note 1194 Failsafe Biasing of LVDS Interfaces Literature Number: JAJA274 LVDS LVDS 3 2 LVDS High Low 1. LVDS 2. LVDS (V CC 0V ) 3. LVDS ( ) 1. LVDS ( ) 2. LVDS 1. LVDS 2. LVDS High Low LVDS

More information

\615L\625\761\621\745\615\750\617\743\623\6075\614\616\615\606.PS

\615L\625\761\621\745\615\750\617\743\623\6075\614\616\615\606.PS osakikamijima HIGH SCHOOL REPORT Hello everyone! I hope you are enjoying spring and all of the fun activities that come with warmer weather! Similar to Judy, my time here on Osakikamijima is

More information

RB511SM-30 : ダイオード

RB511SM-30 : ダイオード 2.45±..3±.6.6.26±.5 8.±.5 ショットキーバリアダイオード RB5SM-3 用 途 外 形 寸 法 図 (Unit : mm) 推 奨 ランドパターン(Unit : mm) 小 電 流 整 流 用.8±.5.2±.5.8 () 特 長 ) 超 小 型 モールドタイプ (EMD2).2±.5.6±..6.7 2) 高 信 頼 度 (2) EMD2 3) 超 低 V F 構 造.3±.5

More information

橡

橡 CO2 Laser Treatment of Tinea Pedis Masahiro UEDA:,' Kiyotaka KITAMURA** and Yukihiro GOKOH*** Table I Specifications 1. Kind of Laser 2. Wavelength of Lasers. Power of Laser. Radiation Mode. Pulse Duration.

More information

PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 DS

PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4  DS Photocoupler PS2501-1,-2,-4,PS2501L-1,-2,-4 NEPOC PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 GaAs LED PS2501L-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4 PS2501-1, -2, -4, PS2501L-1, -2, -4 BV = 5 000 Vr.m.s. VCEO = 80 V tr =

More information

WYE771W取扱説明書

WYE771W取扱説明書 WYE771W WYE771W 2 3 4 5 6 MEMO 7 8 9 10 UNLOCK RESET/ STOPALARM EMERG. TALK FIRE CONFIRM MENU OFF POWER 11 UNLOCK RESET/ STOPALARM EMERG. TALK FIRE CONFIRM MENU OFF POWER 12 POWER EMERG. RESET/ STOPALARM

More information

FA-78F0138HDGK-8A8-RX ユーザーズ・マニュアル

FA-78F0138HDGK-8A8-RX ユーザーズ・マニュアル FA-78F0138HDGK-8A8-RX ユーザーズ マニュアル 2007.6 第 1 版 B5D 1 第 1 章 概 説 本 製 品 は FlashプログラマFL-PR5(PG-FP5 * ) 及 びFL-PR4(PG-FP4 * ) MINICUBE2に 接 続 することにより 対 象 デバイスのFlashプログラマとして 使 用 できる 変 換 アダプタです (RoHS 対 応 品 です )

More information

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS to V SS...-0.3V to +100V DET,, WAD, PG, 2EC to V SS... -0.3V to +100V CLS to V SS...-0.3V to +6V Maximum Current on CLS (100m

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS to V SS...-0.3V to +100V DET,, WAD, PG, 2EC to V SS... -0.3V to +100V CLS to V SS...-0.3V to +6V Maximum Current on CLS (100m 19-5008; Rev 0; 12/09 概 要 EVALUATION KIT AVAILABLE パワーMOSFET 内 蔵 IEEE 802.3af/at 準 拠 は Power over Ethernet (PoE) システムにおけるIEEE 802.3af/at 規 格 に 準 拠 する 受 電 機 器 (PD) 用 の 完 全 なインタフェース を 提 供 します は 検 出 シグネチャ

More information

2

2 8 26 38 37Z800042Z800047Z8000 54 65 72 83 101 2 3 4 7 101 53 27 33 7 8 9 5 7 9 22 47 72 8 8 8 8 102 8 13 7 7 7 65 10 67 67 13 71 40 67 67 67 67 43 67 12 55 55 11 104 8 24 26 24 20 25 6 1 2 3 18 46 101

More information

参考図_GTDW1643JTE-50X-TR..xls

参考図_GTDW1643JTE-50X-TR..xls 1 2 3 仕 様 や は 開 発 品 のため 変 更 される 事 が change for evelopment product. ZON RVISIONS 新 図 発 行 /IU O NW WG. RV.No NT.No. T RV.Y ******* 2011.**.** ** 外 形 寸 法 /Outline imensions 内 部 回 路 /Inside ircuit はんだ 付 け

More information

Microsoft Word - Menu-mb-j.DOC

Microsoft Word - Menu-mb-j.DOC PCorTerminal SCANNER Interface Cable ("Y" Cable) Keyboard Modular Connector Figure 1. Installed as a Keyboard Interface PC AT[PS/2] Keyboardless Macintosh PCoriMAC SCANNER USB Connector USB Interface Cable

More information

16−ª1“ƒ-07‘¬ŠÑ

16−ª1“ƒ-07‘¬ŠÑ The purpose of this study is to clarify a process that Awa dance developed into tourist resources and the factors that it spread out in all over Japan. Consideration was made with the memory magazines,

More information

89865TVS_JA.fm

89865TVS_JA.fm VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR Transient Suppressors Application Note (TVS) Soo Man Sweetman Kim Senior Application Manager TVS Vishay General Semiconductor ITVS TVS TVS TVS 1 10 s 1000 sbellcore 1089 2

More information

J. Jpn. Inst. Light Met. 65(6): 224-228 (2015)

J. Jpn. Inst. Light Met. 65(6): 224-228 (2015) 65 62015 224 228 ** Journal of The Japan Institute of Light Metals, Vol. 65, No. 6 (2015), 224 228 2015 The Japan Institute of Light Metals Investigation of heat flow behavior on die-casting core pin with

More information

EVALUATION OF NOCTURNAL PENILE TUMESCENCE (NPT) IN THE DIFFERENTIAL DIAGNOSIS OF IMPOTENCE Masaharu Aoki, Yoshiaki Kumamoto, Kazutomi Mohri and Kazunori Ohno Department of Urology, Sapporo Medical College

More information

ベース0516.indd

ベース0516.indd QlikView QlikView 2012 2 qlikview.com Business Discovery QlikTech QlikView QlikView QlikView QlikView 1 QlikView Server QlikTech QlikView Scaling Up vs. Scaling Out in a QlikView Environment 2 QlikView

More information

untitled

untitled PoE... 2 PoE... 2... 2... 3... 3... 4... 4... 6... 6 DISABLE POE PORT... 7 ENABLE POE PORT... 9 SET POE DETECT.... 11 SET POE GUARDBAND... 12 SET POE MANAGEMENT...... 13 SETPOEPORT... 14 SET POE THRESHOLD...

More information

02 08 32C700037C700042C7000 17 25 32 39 50 2 3 12 13 6 7 3 4 11 8 8 9 9 8 9 23 8 9 17 4 11 4 33 12 12 11 24 18 12 10 21 39 21 4 11 18 45 5 6 7 76 39 32 12 14 18 8 1 2 31 55 1 2 31 12 54 54 9 1 2 1 2 10

More information

パナソニック技報

パナソニック技報 Panasonic Technical Journal Vol. 59 No. 2 Nov. 2013 Environmental Resistance Technology of Outdoor Surveillance Camera Takaya Kamimura Izumi Satou Jouji Wada Tamotsu Uchida Yuuya Jikihara Hideki Yasuda

More information

自動シャットタ<3099>ウンクイックインストールカ<3099>イト<3099>.indb

自動シャットタ<3099>ウンクイックインストールカ<3099>イト<3099>.indb OMRON Corporation. 2011 All Rights Reserved. 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 title Red Hat Enterprise Linux Server (2.6.18-8.el5xen serial) root (hd0,1) kernel /xen.gz-2.6.18-8.el5 console=vga xencons=ttys16

More information

2013 2013 11 17 * * * 2 * 6 6 * 1 2 * * * 1 1 1 1% 1 2 + + OFF 2 20 V V 2000 m200 mmv 1 mv 1000 1 V 2013 3 2 3 OFF 3 2000 kω1 kω 1000 Ω 4 4 4 5 5 5 A 24 A 12 B 6 C 12 24 D 6 2013 5 350 Ω; KFG-5-350-C1-11

More information

041-057_’¼Œì

041-057_’¼Œì 542012 4157 Nishino Toshiaki The purpose of this paper is to analyze the present conditions of the mountain villages of Japan in the early 21 st century. The revolution of fuel sources from a predominance

More information

N12866N2P-H.PDF

N12866N2P-H.PDF 16Mx64bits PC133 SDRAM SO DIMM Based on 16Mx16 SDRAM with LVTTL, 4 banks & 8K Refresh (16M x 16bit) /. / 1 A0 ~ A12 BA0, BA1 CK0, CK1 CKE0 /S0 /RAS /CAS /WE DQM0 ~ DQM7 DQ0 ~ DQ63 SA0~2 SDA SCL VCC 3.3

More information