パワー半導体事業 事業戦略 

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1 パワー半導体事業 事業戦略 2014 年 5 月 26 日 富士電機株式会社 電子デバイス事業本部 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1

2 目次 事業概要 市場動向 事業計画 重点施策 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 2

3 事業概要 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 3

4 電子デバイス事業紹介 サブセグメント主要製品用途 半導体 パワー半導体 インバータ PCS エアコン自動車電源 売上高 ( 億円 ) 1, ,239 1, ディスク媒体 感光体 パワー半導体 感光体 複写機プリンタ 2012 年度 2013 年度 2014 年度 経営計画 営業利益 営業利益率 ( 億円 ) テ ィスク媒体 アルミ媒体ガラス媒体 ハード ハードディスクドライブ ドライブ (5.1%) 76 (6.4%) PCS: パワーコンディショナ 2012 年度 2013 年度 2014 年度 経営計画 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 4

5 途適用製品特長パワー半導体事業概要用 13 年度比率 産業分野 売上比率 :47% 自動車分野 売上比率 :35% 電源分野 売上比率 :18% インバータ 風力発電 サーバ 薄型 TV インバータ NC 工作機械 エレベータ UPS PCS( 風力 太陽光発電 ) エアコン 等 エンジン制御 トランスミッション制御 ブレーキ制御 ステアリング制御 HEVモータ制御 等 産業機器 通信機器 サーバ PC 薄型 TV ゲーム機 複写機 プリンタ 等 IGBT モシ ュール SiC モシ ュール 車載 IGBT IPM ディスクリート 圧力センサ ディスクリート 電源制御 IC ダイオード RB-IGBT モシ ュール イグナイタ パワー IC MOSFET 電力変換効率を大幅に向上させる独自デバイス (SiC RB-IGBT) と高信頼性を実現する実装技術 独自技術 ( 直接水冷技術 1 チップ化技術 ) で 走る 曲がる 止まる 向けに小型 軽量 高信頼性のキーデバイスを実現 厳しくなる電源規格の省エネ要求に対して高耐圧 低損失の電源 IC 技術 SJ- MOS 技術で実現 SJ-MOS:Superjunction MOSFET 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 5

6 市場動向 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 6

7 パワー半導体市場動向 ( 当社対象市場 ) 2012 年度で市場は縮小したが 2013 年度以降伸長率 12% で拡大 国内では EV/HEV 産業設備向け市場 海外では産業設備 家電 新エネルギー 環境対応車向け市場が拡大 [ 億円 ] 15,000 SiC 電源 ( 電源 IC MOSFET タ イオート ) 自動車 ( ハ ワー IC 圧力センサ EV/HEV 用 IGBT) 産業 (IGBT) 11,441 10,911 13,040 14,124 15,201 12~15 年 CAGR パワー半導体全体 11.7% 電源 9.0% 10,000 自動車 10.4% 5,000 産業 16.2% 年 2012 年 2013 年 2014 年 2015 年 IHS 他市場データ より弊社推定 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 7

8 事業計画 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 8

9 パワー半導体事業計画 分野別売上高 ( 億円 ) 国内 海外別売上高 ( 億円 ) 営業利益 営業利益率 ( 億円 ) CAGR 全体 12% 電源 自動車 国内 % 6.9% 産業 % 475 海外 % % 6.9% 2012 年度 2013 年度 2014 年度経営計画 2012 年度 2013 年度 2014 年度経営計画 2012 年度 2013 年度 2014 年度経営計画 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 9

10 重点施策 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 10

11 パワー半導体重点施策 基本方針 2015 年度中期売上計画 1,000 億円に向けた基盤整備 営業利益率 7% の実現 製品開発の加速と開発体制の強化 グローバルオペレーションの最適化と価格競争力の向上 重点施策 売上拡大 新製品投入による売上拡大とシェア拡大 ( 製品開発の加速 ) デザインセンター ( 中国 台湾 欧州 ) での現地設計 ( 地設 ) 強化による売上拡大 次世代半導体の開発加速 SiC 製品の開発加速 ( 量産開始 ) 第 7 世代 IGBT(X シリーズ ) の開発加速 売上拡大に対応した最適生産体制の構築 前工程の生産規模拡大 後工程の海外生産拡大 ( 海外生産比率 ( 13 年 ) 39% ( 14 年 ) 47%) 部材の海外調達拡大 ( 海外調達比率 ( 13 年 ) 32% ( 14 年 ) 40%) < 新製品売上構成比 ( 億円 )> 既存製品 721 研究開発体制の強化 技術開発棟 ( 松本 ) の建設による技術 開発部門の集約 ( 完成 2015 年 3 月予定 ) (15%) 新製品 (24%) 2012 年度 2013 年度 2014 年度 経営計画 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 11

12 産業分野新製品概要 電力変換の高効率化を実現する新製品の上市開始 ( 含系列化 ) それぞれの特長を生かし ターゲット分野でシェア拡大を狙う 当社独自技術の RB-IGBT や SiC 素子を適用し低損失を実現 小型パッケージや高放熱パッケージを適用し使い易さを実現 ターゲット新製品特長 太陽光 PCS UPS 汎用インバータ汎用サーボ業務用エアコンモータト ライフ 全般 AT-NPC モジュール (RB-IGBT) 小容量 PIM(V シリーズ ) 小容量 IPM(V シリーズ ) SiCハイブリッドモジュール (Vシリーズ+SiC-SBD) 外部配線が容易低サージ電圧低損失小型軽量ハ ッケーシ 半田レス実装可能 超小型ハ ッケーシ ト ライフ IC 保護機能搭載 スイッチンク 損失の大幅低減 (ex. 35%) 量産時期 2 機種量産中系列拡大 14/11~ 量産中エアコン用量産中産業用 14/6~ 量産中 NC 汎用サーボ 中容量 IPM 射出成形機 高放熱タイプ (Vシリーズ) 過負荷耐量向上 600V 14/9~ 長寿命化 1200V 14/11~ 小型化 ( 従来比 25%) AT-NPC:Advanced T-type Neutral Point Clamped PIM:Power Integrated Modules IPM:Intelligent Power Modules 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 12

13 自動車分野新製品概要 小型軽量 高信頼性を実現する新製品の上市開始 ( 含系列化 ) 次世代トレンチ IPS 技術の適用で低損失を実現 充実した保護機能で高い信頼性を実現 低圧センサの系列化で様々な顧客設計に対応 センサ感度の向上で燃料タンク用途へ展開 ターゲット新製品特長 リレー ソレノイド ランプ等の制御 モータ等の制御 リレー代替 ソレノイド ステッピングモータ等の制御 吸気圧 / 過給圧センシング 燃料タンク圧センシング ハイサイド IPS 大電流 IPS ローサイド IPS 吸気圧 / 過給圧センサ 燃料漏れ検知用センサ 充実した保護機能低オン抵抗 高精度電流検出高 L 負荷耐量 低オン抵抗 バッテリ逆接保護 自己保護機能低抵抗 高機能自己保護機能 小型 軽量氷結対策 高感度 耐燃料性能向上 量産時期 14/10~ 15/1~ 量産中 14/8~ 14/6~ 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 13

14 電源分野新製品概要 省エネを実現する新製品を上市開始 ( 含系列化 ) 低損失 低待機電力 様々な顧客設計に対応可能な製品ラインナップ 液晶テレビ プリンタ PC 電源 LED 照明 サーバ 標準電源 ターゲット新製品特長 Vf: ダイオード順方向電圧 VCE(sat):IGBT オン電圧 電源力率改善 IC 軽負荷効率向上保護機能の充実 PWM 制御 IC 低待機電力出力電流安定化疑似共振 IC 音鳴り防止低待機電力電流共振 IC 低待機電力 高効率 MOS 破壊防止 SJ-MOSFET(600V) 低オン抵抗低スイッチング損失低ノイズ SiC SBD(650V, 1200V) 低 Vf ( ) 高アバランシェ耐量低スイッチング損失 RB-IGBT(600V) 1チップ逆阻止特性低 VCE(sat) ( ) ACスイッチに最適 量産時期 14/1~ 13/4~ 量産中 13/10~ 量産中 14/3Q~ 量産中 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 14

15 SiC 製品 SiC 素子の特長を生かした製品上市を開始 アプリケーションに合った SiC 製品の開発を加速 SiC 半導体の特長 適用メリット 電源系アプリケーション 汎用電源工業電源 UPS PCS ファン / ポンプ 駆動系アプリケーション インバータ 搬送 サーボ EV/ HEV 電鉄 メリット大 電力インフラ 低損失高速スイッチング 高耐熱 高耐圧 高効率 小型 軽量 高精度制御 高信頼性 素子電圧 600V/1.2kV/1.7kV 1.7/3.3kV >3.3kV 製品小容量中 大容量 SiC-SBD/ SiC-MOSFET SBD ディスクリート All SiC 15~ 並列接続が容易に可能な高信頼性新型パワーモジュール Si IGBT+SiC ハイブリッド 6in1 7in1 モジュール 2in1 モジュール 1in1 モジュール 14/ 下期 ~ 量産中 開発中 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 15

16 地設強化による売上拡大 ( 海外デザインセンター ) 地設拠点であるデザインセンター ( 中国 台湾 欧州 ) の体制を強化し 現地ニーズを取込んだ製品開発の加速と現地部材調達比率向上を推進 研究開発のグローバルマザー拠点として 技術開発センター を建設 設計拠点 営業拠点 技術開発センター ( 松本 ) 2015 年 3 月完成 ( 予定 ) フランクフルト ムンバイ 香港 上海 台湾 日本 台湾デザインセンター ( 台北 /2013 年 10 月設立 ) ニュージャージ - 欧州デザインセンター ( フランクフルト /2013 年 10 月設立 ) 産業 IGBT の地設 シンガポール 中国デザインセンター ( 深圳 /2013 年 1 月設立 ) 電源制御 I C の地設 産業 IGBT の地設とコストダウン推進 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 16

17 2014 年度の生産拠点計画 前工程 : 生産規模の拡大と大口径化の推進 後工程 : 海外生産比率の拡大 車載製品の海外生産拡大 生産拠点 ( 前工程 ) 生産拠点 ( 後工程 ) 前工程 後工程 松本 津軽 国内 (3 拠点 ) フィリピン 前工程マサ ー工場大口径化 (6 8 インチ ) 推進 SiC デバイス本格量産 ハ ワー半導体生産機種移管加速 ( 年度末 ハ ワー半導体 生産比率 50% 超 ) 後工程マサ ー工場 電源製品生産拠点産業 / 車載製品生産拡大 山梨 マレーシア マレーシア 中国 ( 深圳 ) 8 インチ IGBT 生産系列拡大 ( 年度末フル稼働 ) IGBT 生産系列拡大 ( 海外生産比率拡大 ) 産業 IGBT 生産系列拡大 中国向け産業製品生産拠点生産能力増強 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 17

18 設備投資 研究開発 設備投資 : 増産投資から次世代製品 新製品の開発投資重視へ 研究開発 : 次世代製品 (SiC 第 7 世代 IGBT) 及び新製品の開発加速 設備投資 研究開発 ( 億円 ) 売上高比率 ( 億円 ) 10% 11% 年度 2014 年度経営計画 2014 年度の主な内容 松本技術開発棟建設 (48 億円 ) 第 7 世代 IGBT モジュール開発設備の導入 SiC デバイス開発設備の導入 2013 年度 2014 年度経営計画 2014 年度の主な内容 SiC デバイス量産技術の開発 第 7 世代 IGBT モジュールの開発 産業用 IGBT 電源 IC の製品系列拡充 研究開発費をテーマに応じてセグメントに分類したもので 決算短信記載の数値とは異なります 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 18

19 技術開発センター 概要 パワー半導体の研究開発 生産技術のグローバルマザー拠点である松本工場に 技術開発センター を建設 工場内に分散している 技術 開発部門 を集約 ( 情報共有 連携強化 ) 製品 技術開発の加速 次世代パワー半導体の開発 高付加価値の製品開発 革新的な生産技術開発 最新技術 製品の展示 顧客へのプレゼンス向上 建設概要 所在地: 長野県松本市 ( 当社松本工場内 ) 構造 : 鉄骨免震構造地上 6 階建 建築面積: 約 2,700m2 (40m 67m) 延べ面積:12,500m2 投資額: 約 48 億円 完成 :2015 年 3 月 ( 予定 ) 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 19

20 注記 1. 本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述 言明は 弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいております その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化により 実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり 弊社は 将来予測に関するいかなる内容についても その確実性を保証するものではありません 2. 本資料は 情報の提供を目的とするものであり 弊社の株式の売買を勧誘するものではありません 3. 目的を問わず 本資料を無断で引用または複製することを禁じます 2014 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 20

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