2018 年度中期経営計画 電子デバイス事業 2016 年 5 月 26 日富士電機株式会社電子デバイス事業本部 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1

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1 2018 年度中期経営計画 電子デバイス事業 2016 年 5 月 26 日富士電機株式会社電子デバイス事業本部 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 1

2 目次 事業概要 2015 年度中期経営計画振り返り 2018 年度中期経営計画 パワー半導体 市場動向 事業計画 重点施策 感光体 ディスク媒体 設備投資 研究開発 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 2

3 事業概要 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 3

4 電子デバイス事業紹介 サブセグメント主要製品用途 生産拠点 半導体 パワー半導体 インバータ UPS PCS エアコン自動車電源 前工程 富士電機 松本工場 富士電機 山梨製作所 富士電機津軽セミコンダクタ マレーシア富士電機社 後工程 富士電機パワーセミコンダクタ 富士電機 ( 深圳 ) 社 フィリピン富士電機社 マレーシア富士電機社 感光体 複写機プリンタ 富士電機 ( 深圳 ) 社 テ ィスク媒体 アルミ媒体カ ラス媒体 ハードハードディスクドライブドライブ マレーシア富士電機社 UPS: 無停電電源装置 PCS: パワーコンディショナ 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 4

5 パワー半導体事業概要 産業分野 売上比率 :53% 自動車分野 売上比率 :31% 電源分野 売上比率 :16% インバータ NC 工作機械 エレベータ UPS HEV モータ制御 エンジン制御 トランスミッション 産業機器 通信機器 サーバ PC 薄型 TV 用 PCS( 風力 太陽光発電 ) エアコン 等 制御 ブレーキ制御 ステアリング制御 等 ゲーム機 複写機 プリンタ 等 途 インバータ NC 工作機械 PCS 自動車 サーバ 薄型 TV モジュール IGBTモシ ュール SiCモシ ュール 車載 IGBT IPM 圧力センサ 電源制御 IC ディスクリート ダイオード 製 品 RB-IGBT モシ ュール イグナイタ パワー IC MOSFET 特 長 電力変換効率を大幅に向上させる独自デバイス (SiC RB-IGBT) 高信頼性を実現する実装技術 注 : 構成比率は 2015 年度実績 独自技術 ( 直接水冷技術 1 チップ化技術 ) で 走る 曲がる 止まる 向けに小型 軽量 高信頼性のキーデバイスを実現 RB-IGBT=Reverse Blocking IGBT, 逆阻止 IGBT 厳しくなる電源規格の省エネ要求に対して高耐圧 低損失の電源 IC 技術 スーハ ーシ ャンクション MOS 技術で実現 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 5

6 2015 年度中期経営計画振り返り 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 6

7 2015 年度中期経営計画振り返り 2012 年度の事業構造改革を深化させ 資本費を中心とした原価の圧縮と為替影響及び太陽光セル事業の譲渡等により 2015 年度の営業利益を改善 サブセグメント別売上高 ( 億円 ) 増減 営業利益 営業利益率 ( 億円 ) 増減 ディスク媒体 1, , (15.1%) 半導体 ディスク媒体 (7.8%) 61 (6.4%) +96 半導体 年度実績 2015 年度実績 2012 年度実績 2015 年度実績 2012 年度実績は 2015 年度までの事業組替を反映し表示しています 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 7

8 2015 年度中期経営計画振り返り ( 半導体 ) 海外事業拡大 海外売上高比率 :2012 年度 46% 2015 年度 53% 市場伸長が著しい新エネルギー向け売上拡大 海外デザインセンターの開設 利益体質強化 生産拠点再編海外生産比率拡大 :2012 年度 38% 2015 年度 50% 山梨製作所 8インチライン稼働開始 富士電機津軽でのハ ワー半導体生産品拡大 固定費比率削減 :2012 年度 54% 2015 年度 51% [ 課題 ] 売上高計画の大幅未達 市況変動に強い事業ポートフォリオへの変革 新製品の開発加速 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 8

9 2018 年度中期経営計画 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 9

10 中期経営計画の基本方針 市況変化の影響を抑え 収益の安定化を目指した事業運営による利益確保 世界一の技術と製品による顧客 / 社会及び社内事業拡大への貢献と業界ポジションの維持拡大 半導体 市場伸長並みの売上確保と開発強化 ( 先行投資 ) ディスク媒体 HDD 市場縮小下での安定物量の確保 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 10

11 事業計画 体質強化を継続し 半導体の売上 利益を拡大 サブセグメント別売上高 ( 億円 ) 国内 海外別売上高 ( 億円 ) 営業利益 営業利益率 ( 億円 ) 1,316 増減 ,316 増減 +114 増減 1, ,202 ディスク媒体 ±0 海外 ( 比率 ) (63%) 757 (63%) (65%) 851 (65%) +94 ディスク媒体 38 (15.1%) 17 (7.7%) -20 半導体 950 1, 国内 半導体 60 (6.3%) 80 (7.4%) 年度実績 2018 年度中期経営計画 2015 年度実績 2018 年度中期経営計画 2015 年度実績 2018 年度中期経営計画 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 11

12 パワー半導体 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 12

13 市場動向 : パワー半導体市場予測 当社対象市場は 年は年平均成長率 =+5.4% で堅調な成長が見込まれている [ 億円 ] 15,000 SiC 電源 ( 電源 IC MOSFET タ イオート ) 自動車 (EV/HEV 用 IGBT ハ ワー IC 圧力センサ ) 産業 (IGBT) 2015~18 年 CAGR パワー半導体全体 5.4% 11,439 10,978 11,580 12,186 12,867 10,000 電源 3.5% 5,000 自動車 8.7% 産業 4.9% 年 2015 年 2016 年 2017 年 2018 年 IHS 他市場データ より弊社推定 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 13

14 パワー半導体事業計画 第 7 世代 IGBT 投入により産業分野を中心に売上拡大を図る 欧州 / 中国向け新エネ分野中心に海外での売上拡大を図る グローバル競争に勝ち抜くための開発力の強化と新製品を創出 分野別売上高国内 海外別売上高新製品売上構成比 1,002 増減 ( 億円 ) ( 億円 ) ( 億円 ) ,002 増減 1,002 電源 自動車 862 ±0 +2 海外 ( 比率 ) 862 (51%) (54%) 新製品 ( 比率 ) (25%) 既存製品 +137 産業 国内 年度実績 2018 年度中期経営計画 2015 年度実績 2018 年度中期経営計画 2015 年度実績 2018 年度中期経営計画 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 14

15 パワー半導体重点施策 新製品の開発加速 SiC モジュールの開発強化 - 産業用 鉄道用 自動車用 第 7 世代 IGBT の系列拡大 新分野 新顧客向け製品開発の強化 2019 年度以降の拡大を目指し自動車向け機種開発強化 ( 自動車分野売上構成比率 2015 年度 31% 2021 年度 40%) 売上高の拡大 第 7 世代 IGBT 投入によるシェアアップ ( 産業分野 ) 海外デザインセンターの強化と活用 継続的な原価低減活動の推進 地産地消の加速 ( 海外生産比率 :2015 年度 50% 2018 年度 56%) 設計 / 生産技術力の強化 サプライヤーとの協調 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 15

16 これまでの開発経緯 これまでの研究開発の成果を生かし 新分野 新顧客向け製品開発を強化 製品適用年度 第 7 世代 IGBT モジュール 6G 7G RC-IGBT モジュール 6G 7G All SiC モジュール 1G 第 7 世代 IGBT 小型化 30% 汎用インバータ 小型化 33% コストダウン RC-IGBT All SiC 小型化 30% 損失 50% 周波数 4 倍出力 2 倍 車載インバータ 太陽光 PCS 小型化最大 50% コストダウン 最高効率 +0.4% 小型化出力 倍コストダウン 上記効果は従来比 6G= 第 6 世代 (Generation) RC-IGBT=Reverse Conducting IGBT= 逆導通 IGBT 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 16

17 これからの製品系列化 2019 年以降に向けた産業用 鉄道用 自動車用モジュールの開発を強化 2015 年 2016 年 2017 年 2018 年 2019 年 2020 年 2021 年 FA 6G IPM 7G IPM 8G インフラ 電鉄 6G IGBT 7G IGBT & RC-IGBT 8G IGBT 高耐圧 All SiC PCS/UPS 6G + RB-IGBT 7G + RB-IGBT フ レーナー All SiC トレンチ All SiC EV/HEV トレンチ All SiC 6G RC-IGBT 7G RC-IGBT 8G IGBT エアコン 2G 3G 4G RB-IGBT=Reverse Blocking IGBT, 逆阻止 IGBT 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 17

18 第 7 世代 X シリーズ IGBT モジュール製品系列 650V, 1200V, 1700V で小容量から大容量製品まで幅広いラインナップを揃える計画 X シリーズの特徴 1 低損失化で省エネに貢献 2 製品の 型化 性能向上で機器の 型化に貢献 3 信頼性を向上 4 幅広いラインアップを計画 X シリーズの系列拡 1 途に最適な PKG 系列 2 従来と同 PKG で定格拡 3 需要の多い 1200V,650V の 容量帯から順次系列化 4 チップ PKG コア技術を確 製品設計に 平展開 量産開始 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 18

19 SiC ハイブリッド製品系列 Si IGBTとSiC SBD を組合せる事により大幅な損失低減が可能 小容量から大容量まで幅広いラインナップを揃える計画 SBD=Schottky Barrier Diode 量産開始 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 19

20 All-SiC 製品系列 高信頼性 新コンセプトパッケージ を適用 15A~320Aまで製品系列を拡大 プレーナー All SiC 量産開始 トレンチ All SiC 量産開始 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 20

21 産業 IGBT SiC 損失比較 当社第 7 世代 IGBTは低損失に加えて高信頼性 SiCは更なる損失低減に加えて機器の小型化に寄与 ~2015 年 2016 年 ~ 2017 年 ~ 第 6 世代第 7 世代第 7 世代 損失 ( 指数 ): 第 6 世代 IGBT を 100% としたときの各世代の損失比率 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 21

22 自動車分野パワーモジュール技術の高度化 チップ及びモジュール冷却構造の改良により 小型で高電力密度の車載モジュールを開発 第 5 世代 IGBT 第 6 世代 IGBT 第 7 世代 RC-IGBT SiC 1 年年年年年 出力電力密度 ( 指数 ): 第 1 世代 Cu 放熱 ( 間接水冷 ) を 1 とした場合の各世代の出力電力密度比出力電力密度 [kva/l] = 最大出力電力 [kva] / モジュール体積 [L] 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 22

23 生産拠点計画 前工程 各拠点の生産効率向上 8 インチ製品の拡大 松本 前工程マザー工場 SiC の生産拠点 8 インチ製品能力増強 5 6 インチライン集約 (CR 再編 ) 6 インチ製品の生産拠点 パワー半導体生産能力拡大 山梨 8 インチ製品の主力生産拠点 自動車用 IGBT 量産開始 第 7 世代 IGBT 生産系列拡大 海外向け産業 IGBT 生産拠点 海外向け比率アップ (60% 90%) 津軽 マレーシア 後工程 地産地消の推進による海外生産の拡大 国内 (3 拠点 ) 後工程マザー工場 国内向け / 自動車用製品の主力生産拠点 自動化による能力拡大 中国向け産業製品の主力生産拠点 機種移管による生産拡大 フィリピン 小型ハ ッケーシ 主力生産拠点 圧力センサ 小容量 IPM の生産規模拡大 欧米 / アジア向け産業製品の主力生産拠点 大容量製品の生産拡大 中国 ( 深圳 ) マレーシア CR: クリーンルーム 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 23

24 感光体 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 24

25 感光体 (OPC) 市場動向 モノクロ機から複合機能を持ったカラー機用 複写機用へ需要がシフト 市場規模は約 300 億円で推移するが OPC 所要本数は年々増加 OPC 所要本数 ( 百万本 ) 感光体外販メーカーの 世界シェア ( 内製を除く ) OPC 市場規模 ( 億円 ) 複写機用 カラー機用 (2015 年 ) モノクロ機用 テ ータサフ ライ + インターウオッチ + 当社推定 2010 年 2011 年 2012 年 2013 年 2014 年 2015 年 2016 年 2017 年 2018 年 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 25

26 感光体事業計画 市場規模横ばいの中 低価格 OPC 主体の中国メーカー勢がシェアを拡大するが 売上高は 90 億円レベルで推移しシェアトップを維持する ( 億円 ) % % 売上高 88 横ばい 86 50% 57% 高付加価値機種の構成比 複写機用 40 カラー機用 20 モノクロ機用モノクロ機用 年度 2014 年度 2015 年度 2018 年度 重点施策収益機種の受注拡大により利益率 10% 以上を確保 カラー機 複合機 高速機 ワイドフォーマット用などの高付加価値機種に注力 高機能材料開発により 業界トップレベルの性能を維持 ( 耐摩耗性は 2 倍 光感度安定性は 1.5 倍の向上 ) 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 26

27 ディスク媒体 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 27

28 出荷総データ量の推移 HDD,SSD,NAND 出荷データ量 (Exabyte) 1,500 1, 出荷総データ量は増加し続け 今後も HDD が大半をカバーする見通し HDD ではクラウド向けのニアライン機種が大きくデータ量を伸ばす NAND を全て SSD に使用しても HDD 総情報量をカバーするには不十分 HDD NAND(SSD 用途 ) NAND(SSD 以外 ) 年 CAGR +18.9% Source : Trend Focus 1, ,002 1, ,192 NAND 全体 HDD 出荷データ量 (Exabyte) 1,500 1, CY2015 年 CY2016 年 CY2017 年 CY2018 年 CY2019 年 CY2020 年 CY2015 年 CY2016 年 CY2017 年 CY2018 年 CY2019 年 CY2020 年 Desktop/CE ハイエンドサーバー 年 CAGR +17.3% Mobile/CE Source : Trend Focus ニアラインサーバー 1, , Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 28

29 ディスク媒体市場動向 HDD の出荷台数は 2010 年をピークに年々減少しているが 1 台あたり搭載枚数の増加に伴い 媒体の需要は横ばいの見込み ( 百万台 ) HDD 出荷台数 (2005~2018 年 ) 各社抜本的構造改革に着手 ( 百万枚 ) ディスク媒体需要枚数 (2005~2018 年 ) ,005 1,123 1,071 1, Trend Focus 及び当社推定値 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 29

30 ディスク媒体事業計画 HDD 市場が漸減する中 売上高 230 億円レベルを確保する ( 億円 ) 売上高 横ばい 外販基板媒体媒体 年度 2014 年度 2015 年度 2018 年度 重点施策 売上 / 利益の確保 技術力に立脚した顧客とのパートナーシップ強化による物量確保 価格下落を超える原価低減によるコスト競争力強化 研究開発 次世代機種 HAMR の製品開発に着手し 2020 年度に量産開始 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 30

31 設備投資 研究開発 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 31

32 設備投資 研究開発 設備投資 : 増産投資から 次世代製品 新製品の先行投資へシフト 研究開発 :SiC モジュール 第 7 世代 IGBT 自動車用モジュールの開発強化 ディスク媒体 設備投資額 ( 億円 ) 増減 ディスク媒体 研究開発費 ( 億円 ) 増減 半導体 半導体 年度累計 年度累計 年度累計 年度累計 第 7 世代 IGBT 生産設備 ( 山梨 / マレーシア ) SiC デバイス モジュール 自動車用デバイス モジュール 研究開発費をテーマに応じてセグメントに分類したもので 決算短信記載の数値とは異なります 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 32

33 注記 1. 本資料および本説明会に含まれる予想値および将来の見通しに関する記述 言明は 弊社が現在入手可能な情報による判断および仮定に基づいております その判断や仮定に内在する不確実性および事業運営や内外の状況変化により 実際に生じる結果が予測内容とは実質的に異なる可能性があり 弊社は 将来予測に関するいかなる内容についても その確実性を保証するものではありません 2. 本資料は 情報の提供を目的とするものであり 弊社の株式の売買を勧誘するものではありません 3. 目的を問わず 本資料を無断で引用または複製することを禁じます 2016 Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. 33

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キヤノン株式会社 2015 年 12 月期決算説明会 2016 年 1 月 27 日 代表取締役副社長 CFO 田中稔三 本資料で記述されている業績見通し並びに将来予測は 現時点で入手可能な情報に基づき当社が判断した見通しで あり 潜在的なリスクや不確実性が含まれています そのため 様々な要因の変化 キヤノン株式会社 215 年 12 月期決算説明会 216 年 1 月 27 日 代表取締役副社長 CFO 田中稔三 本資料で記述されている業績見通し並びに将来予測は 現時点で入手可能な情報に基づき当社が判断した見通しで あり 潜在的なリスクや不確実性が含まれています そのため 様々な要因の変化により 実際の業績は記述されて いる将来見通しとは大きく異なる結果となる可能性があることをご承知おき下さい

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