トポロジカル絶縁体ヘテロ接合による量子技術の基盤創成 ( 研究代表者 : 川﨑雅司 ) の事業の一環として行われました 共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関物理部門強相関物性研究グループ研修生安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) 研
|
|
|
- ひろみ すすむ
- 7 years ago
- Views:
Transcription
1 PRESS RELEASE 2017 年 12 月 6 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 磁壁におけるトポロジカル電流を観測 - 省エネルギースピントロニクスデバイスの基礎原理を実証 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの安田憲司研修生 ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) 十倉好紀グループディレクター ( 同教授 ) 強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター ( 同教授 ) 動的創発物性研究ユニットの賀川史敬ユニットリーダー ( 同准教授 ) 東北大学金属材料研究所の塚﨑敦教授らの共同研究グループ は 磁性トポロジカル絶縁体 [1] の磁壁 [2] におけるトポロジカル電流の観測とスピントロニクス [3] デバイスの基礎原理の実証に成功しました 近年 磁性トポロジカル絶縁体と呼ばれる特殊な磁石 [2] で 量子異常ホール効果 [4] という現象が観測されました これは 磁石中に磁化 [2] があることで生じる外部磁場が不要な量子ホール効果 [4] であり 試料端において エネルギー散逸の少ないトポロジカル電流が一方向に流れます このとき 磁区 [2] の境界である磁壁においてもトポロジカル電流が生じることが理論的に提唱されていました 磁壁でのトポロジカル電流は その向きおよび位置を制御することができるため これを用いた再構成可能な回路の設計が可能であり 低消費電力素子への展開を飛躍的に進めると期待されます しかし 磁区を任意に作ることが困難であり 磁壁でのトポロジカル電流はこれまで観測されていませんでした 今回 共同研究グループは磁気力顕微鏡 [5] を用いることで 磁性トポロジカル絶縁体上に任意の磁区を書き込む手法を新たに確立しました 磁区形成後の素子に対して 0.5K( ) の極低温で電気伝導測定を行ったところ 磁区構造に応じた量子化抵抗が観測され 磁壁におけるトポロジカル電流の存在が確認されました さらに 単一素子内でのさまざまな磁区構造の形成により トポロジカル電流の流れおよび量子化抵抗を自在に制御できることを明らかにしました 本研究により トポロジカル電流を用いた新しいスピントロニクスデバイスの基礎原理が実証されました 今後 電流での磁壁駆動による次世代磁気メモリ [6] の構築や動作温度の高温化によるデバイスのさらなる発展が期待できます 本成果は 米国の科学雑誌 Science に掲載されるのに先立ち オンライン版 (12 月 7 日付け : 日本時間 12 月 8 日 ) に掲載されます 本研究は 最先端研究開発支援プログラム (FIRST) 強相関量子科学 ( 中心研究者 : 十倉好紀 ) 科学技術振興機構 (JST) 戦略的創造研究推進事業 (CREST) 1
2 トポロジカル絶縁体ヘテロ接合による量子技術の基盤創成 ( 研究代表者 : 川﨑雅司 ) の事業の一環として行われました 共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関物理部門強相関物性研究グループ研修生安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) 研修生茂木将孝 ( もぎまさたか ) ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 1 年 ) グループディレクター十倉好紀 ( とくらよしのり ) ( 東京大学大学院工学系研究科教授 ) 強相関物理部門強相関界面研究グループグループディレクター川﨑雅司 ( かわさきまさし ) ( 東京大学大学院工学系研究科教授 ) 上級研究員高橋圭 ( たかはしけい ) ( 科学技術振興機構さきがけ研究者 ) 強相関物理部門強相関量子伝導研究チーム基礎科学特別研究員吉見龍太郎 ( よしみりゅうたろう ) 統合物性科学研究プログラム動的創発物性研究ユニットユニットリーダー賀川史敬 ( かがわふみたか ) ( 東京大学大学院工学系研究科准教授 ) 東北大学金属材料研究所教授塚﨑敦 ( つかざきあつし ) ( 理化学研究所創発物性科学研究センター強相関界面研究グループ客員主管研究員 ) 1. 背景 近年 数学的なトポロジー ( 位相幾何学 ) の概念に基づいた分類による自然界に存在する新しいタイプの物質相が注目を集めています トポロジカル絶縁体 [1] はその一つの例で 物質内部は電気を流さない絶縁体ですが 物質表面にはトポロジーで守られた特殊な金属状態が存在しています トポロジカル絶縁体に磁性元素を添加した 磁性トポロジカル絶縁体 においては磁化が発生し それに伴って試料端に電流が一方向にのみ流れるトポロジカル電流が発生します これはホール抵抗 [4] の量子化として観測でき 量子異常ホール効果 として知られています このようなトポロジカル電流は試料の端を一方向にのみ流れるためエネルギー損失を伴わず これを利用した低消費電力素子への展開が期待されています 特に量子異常ホール効果には 外部から強磁場を加えることが必要な通常の量子ホール効果とは異なり 磁化の向きを上下反転させるだけでトポロジカル電流の向きを制御できるというメリットがあります 2
3 トポロジカル電流の流れを制御する新たな手法として 磁区の境界である磁壁においてもトポロジカル電流が現れることが提唱されています これは 上下二つの磁区をつなぎ合わせることで その境界にもトポロジカル電流が生じるということで理解できます ( 図 1) 磁壁でのトポロジカル電流は試料端でのトポロジカル電流と異なり 磁区の制御によってその向きだけでなく位置も制御することができます したがって 磁壁でのトポロジカル電流を用いた再構成可能な回路の設計により 低消費電力素子への展開を飛躍的に進めると期待できます しかし 任意に磁区を作ることが困難なため 磁壁でのトポロジカル電流はこれまで観測されていませんでした 図 1 量子異常ホール状態での試料端と磁壁に生じるトポロジカル電流 量子異常ホール状態では 試料端にトポロジカル電流が流れる結果 ホール抵抗が h/e 2 の値に量子化する 上向きの磁化 下向きの磁化に対して トポロジカル電流の流れる向きは逆向きになり ホール抵抗はそれぞれ +h/e 2, -h/e 2 となる 同様にして 磁壁においてもトポロジカル電流が流れることが予言されている 2. 研究手法と成果 共同研究グループは これまでの研究でトポロジカル絶縁体 (Bi 1-y Sb y ) 2 Te 3 (Bi: ビスマス Sb: アンチモン Te: テルル ) に磁性元素 Cr( クロム ) を添加した磁性トポロジカル絶縁体 Cr x (Bi 1-y Sb y ) 2-x Te 3 を積層させた 磁性トポロジカル絶縁体薄膜の作製法を確立し 量子異常ホール効果の観測に成功しています注 1) 磁壁におけるトポロジカル電流の観測のためには 試料の磁区を自在に制御する方法を確立する必要があります そこで 通常は磁区構造の観察に用いられる磁気力顕微鏡を磁区の書き込みに用いたところ 磁性トポロジカル絶縁体上に任意の磁区構造を形成することに成功しました ( 図 2) これにより 磁区書き込みを行った場所のみの磁化が反転していることが分かりました 3
4 図 2 磁気力顕微鏡による磁性トポロジカル絶縁体への磁区の書き込み 左 ) 磁区書き込み前の磁区構造観察結果 すべての領域で磁化が下を向いており 単一磁区となっていることが分かる 右 ) 磁気力顕微鏡による磁区書き込みを行った後の磁区構造観察結果 点線枠内のみの磁化が上を向いており 磁区書き込みに成功したことが分かる 磁区構造形成の方法を確立したため 加工した素子に対し本手法を適用し 左半分の磁化が上 右半分の磁化が下となったような磁区構造を作りました このような素子に対して 0.5K( ) の極低温において電気伝導測定を行ったところ 単一磁区の状態と異なる特徴的な量子化した抵抗値が確認されました ( 図 3) 磁区構造に応じた量子化抵抗を理論予測と比較したところ 磁壁にトポロジカル電流が生じていることが明らかになりました トポロジカル電流が生じているとき 縦抵抗は電流の下流では抵抗値が 0 上流では 2h/e 2 の値にそれぞれ量子化します また 左半分の磁化が下 右半分の磁化が上の磁区構造を作ったところ トポロジカル電流の向きが反転することが分かりました 磁壁におけるトポロジカル電流の存在を確認し また 磁区構造を任意に制御する方法を確立したため これらを利用することでトポロジカル電流の流れと向きを自在に制御できると期待できます 実際 磁気力顕微鏡を用いてさまざまな磁区構造を形成 抵抗測定を行ったところ いずれの磁区構造においても理論から期待される量子化抵抗との一致を示しました これにより トポロジカル電流を用いた新たなスピントロニクスデバイスの基礎原理が実証されました 4
5 図 3 抵抗の磁区構造依存性 上のグラフは 各磁区構造における抵抗値を表している それぞれ左から単一磁区状態 左半分の磁化が上 右半分の磁化が下となった磁区状態 左半分の磁化が下 右半分の磁化が上となった磁区状態に対応する 端子 5 から端子 6 に電流を流し 端子 i, j 間の抵抗 R ij(r 13 R 24 R 12 R 34 R 56) を測定した 実線の水平の線は 試料端および磁壁にトポロジカル電流が存在するときに期待される量子化抵抗の理論値 理論値と実験値がほぼ一致していることが分かる 注 1)M. Mogi, R. Yoshimi, A. Tsukazaki, K. Yasuda, Y. Kozuka, K. S. Takahashi, M. Kawasaki and Y. Tokura, Magnetic modulation doping in topological insulators toward higher temperature quantum anomalous Hall effect, Appl. Phys. Lett. 107, (2015). 3. 今後の期待 今回の成果により 量子異常ホール効果においては試料端のみならず磁壁においてもトポロジカル電流が存在することが明らかになりました 試料内部の磁壁はその制御性の高さから トポロジカル電流を用いた量子電磁気現象 量子コンピューティング [7] の舞台として利用できると期待できます また 磁壁におけるトポロジカル電流を用いた省エネルギースピントロニクスデバイスの動作の基礎原理が実証されました 今後 電流での磁壁駆動による次世代磁気メモリの構築や動作温度の高温化によるデバイスのさらなる発展が期待できます 4. 論文情報 < タイトル > Quantized chiral edge conduction on reconfigurable domain walls of a magnetic topological insulator < 著者名 > K. Yasuda, M. Mogi, R. Yoshimi, A. Tsukazaki, K. S. Takahashi, M. Kawasaki, F. Kagawa 5
6 and Y. Tokura < 雑誌 > Science <DOI> /science.aan 補足説明 報道解禁日 : 日本時間 2017 年 12 月 8 日午前 4 時 8 日朝刊 [1] 磁性トポロジカル絶縁体 トポロジカル絶縁体トポロジカル絶縁体は固体内部では電気を流さない絶縁体であるが 物質表面でのみ電気を流す金属として振る舞う 3 次元トポロジカル絶縁体の場合 その表面のみに 2 次元の伝導が現れる 表面状態はトポロジーによって特徴づけられる特殊な金属状態で 通常の金属とは異なる振る舞いを示す 磁性元素を添加することによって 磁石としての性質も現れ これを磁性トポロジカル絶縁体と呼ぶ 特殊な金属状態と磁石としての性質が作用する結果として 磁性トポロジカル絶縁体では量子異常ホール効果を生じる [2] 磁壁 磁石 磁化 磁区鉄などに代表される磁石は 磁化を持っており 磁場の発生源となる 二つの極の方向 (N 極 S 極 ) を 0 1 に対応させることで 記憶素子として用いられる N 極 S 極をそれぞれ 上向きの磁化 下向きの磁化ということもある 大きな磁石では 場所によって磁化の向きが異なることがあり 同じ方向を向いた領域のことを磁区という また 異なる方向を向いた磁区と磁区の境界を磁壁という [3] スピントロニクス電子は電荷と磁石の性質の両方を持つ このうち電荷のみの性質が利用されてきた通常のエレクトロニクスと異なり 電荷と磁石の性質の両方を利用 応用する分野をスピントロニクスという 磁化の向きや磁区を利用することで 大容量かつ省電力なハードディスクドライブや不揮発性 ( 電源を切ってもデータを保持できる ) メモリが実現されている [4] 量子異常ホール効果 量子ホール効果 ホール抵抗 2 次元を運動する電子に磁場を加えることで 試料端を一方向にのみ流れるトポロジカル電流が発生する その結果 ホール抵抗 ( 電流を加えた方向と垂直方向に生じる電圧を電流値で割ったもの ) がプランク定数 h と電気素量 e で表される h/e 2 ( 約 25.8 kω) の整数分の 1 の値に量子化する この現象を量子ホール効果と呼ぶ 同様の現象は磁化によっても生じ これを量子異常ホール効果と呼ぶ このとき 上向きの磁化 下向きの磁化に対して トポロジカル電流の流れる向きは逆向きとなり ホール抵抗はそれぞれ +h/e 2, -h/e 2 となる [5] 磁気力顕微鏡磁石で被覆された探針により 物質表面を走査することで 物質の磁区構造を可視化する手法 本研究では 探針からの漏れ磁場を用いることで磁化の向きを反転させ 磁区の書き込みができることを明らかにした 6
7 [6] 次世代磁気メモリ磁性体上の細線上に多数の磁壁を形成し 電流によってこれらを移動させることによって 記憶 演算を行うメモリが次世代磁気メモリとして注目されている 磁壁におけるトポロジカル電流と組み合わせることで 磁壁に機能性を持たせた次世代磁気メモリを構築できると期待される [7] 量子コンピューティング量子力学的な重ね合わせ状態を用いることで 大規模な計算を高速に行うことができるコンピュータ 特に 磁性トポロジカル絶縁体と超伝導体を接合することで 外界からの擾乱に対して堅牢なトポロジカル量子コンピューティングが実現できると期待される 6. 発表者 機関窓口 < 発表者 > 研究内容については発表者にお問い合わせ下さい理化学研究所創発物性科学研究センター強相関物理部門強相関物性研究グループ研修生安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 東京大学大学院工学系研究科博士課程 2 年 ) グループディレクター十倉好紀 ( とくらよしのり ) ( 東京大学大学院工学系研究科教授 ) 強相関物理部門強相関界面研究グループグループディレクター川﨑雅司 ( かわさきまさし ) ( 東京大学大学院工学系研究科教授 ) 統合物性科学研究プログラム動的創発物性研究ユニットユニットリーダー賀川史敬 ( かがわふみたか ) ( 東京大学大学院工学系研究科准教授 ) TEL: ( 安田 ) FAX: ( 安田 ) [email protected]( 安田 ) 東北大学金属材料研究所低温物理学研究部門教授塚﨑敦 ( つかざきあつし ) ( 理化学研究所創発物性科学研究センター強相関界面研究グループ客員主管研究員 ) 左より安田研修生 十倉グループディレクター 川﨑グループディレクター 7
8 左より賀川ユニットリーダー 塚﨑教授 < 機関窓口 > 理化学研究所広報室報道担当 TEL: FAX: 国立大学法人東京大学大学院工学系研究科広報室 TEL: FAX: 国立大学法人東北大学金属材料研究所情報企画室広報班横山美沙 TEL: FAX: 科学技術振興機構広報課 TEL: FAX: <JST 事業窓口 > 科学技術振興機構戦略研究推進部 TEL: FAX:
共同研究グループ理化学研究所創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームチームリーダー十倉好紀 ( とくらよしのり ) 基礎科学特別研究員吉見龍太郎 ( よしみりゅうたろう ) 強相関物性研究グループ客員研究員安田憲司 ( やすだけんじ ) ( 米国マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシ
PRESS RELEASE 2018 年 12 月 4 日理化学研究所東京大学東北大学科学技術振興機構 マルチフェロイクス材料における電流誘起磁化反転を実現 - 低消費電力エレクトロニクスへの新原理を構築 - 理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームの吉見龍太郎基礎科学特別研究員 十倉好紀チームリーダー 安田憲司客員研究員( マサチューセッツ工科大学ポストドクトラルアソシエイト
イン版 (2 月 22 日付け : 日本時間 2 月 23 日 ) に掲載されます 注 )R. Yoshimi, K. Yasuda, A. Tsukazaki, K.S. Takahashi, N. Nagaosa, M. Kawasaki and Y. Tokura, Quantum Hall
PRESS RELEASE 2016 年 2 月 19 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所 スキルミオン生成に表れるトポロジーの融合 - 低消費電力エレクトロニクスに新原理 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター強相関物性研究グループの安田憲司研修生 ( 東京大学大学院工学系研究科大学院生 ) 十倉好紀グループディレクター ( 同教授 ) 強相関界面研究グループの川﨑雅司グループディレクター
共同研究グループ 理化学研究所創発物性科学研究センター 量子情報エレクトロニクス部門 量子ナノ磁性研究チーム 研究員 近藤浩太 ( こんどうこうた ) 客員研究員 福間康裕 ( ふくまやすひろ ) ( 九州工業大学大学院情報工学研究院電子情報工学研究系准教授 ) チームリーダー 大谷義近 ( おおた
PRESS RELEASE 2016 年 7 月 25 日理化学研究所東京大学東北大学金属材料研究所九州工業大学 トポロジカル絶縁体表面で高効率スピン流を生成 - 省電力スピントロニクスデバイス応用に期待 - 要旨理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センター量子ナノ磁性チームの近藤浩太研究員 福間康裕客員研究員 ( 九州工業大学准教授 ) 大谷義近チームリーダー ( 東京大学物性研究所教授
配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25
配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25 日 東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 (JST) スピン流スイッチの動作原理を発見
特別研究員高木里奈 ( たかぎりな ) ユニットリーダー関真一郎 ( せきしんいちろう ) ( 科学技術振興機構さきがけ研究者 ) 計算物質科学研究チームチームリーダー有田亮太郎 ( ありたりょうたろう ) ( 東京大学大学院工学系研究科教授 ) 強相関物性研究グループグループディレクター十倉好紀
PRESS RELEASE 2018 年 11 月 19 日理化学研究所北海道大学 磁気渦の新しい生成機構を発見 - 磁気渦を情報担体とする磁気記憶素子の実現に期待 - 理化学研究所 ( 理研 ) 創発物性科学研究センタースピン創発機能研究ユニットの高木里奈特別研究員 関真一郎ユニットリーダー 強相関物性研究グループの十倉好紀グループディレクター 北海道大学大学院理学研究院物理学部門の速水賢助教らの国際共同研究グループ
Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx
スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head
体状態を保持したまま 電気伝導の獲得という電荷が担う性質の劇的な変化が起こる すなわ ち電荷とスピンが分離して振る舞うことを示しています そして このような状況で実現して いる金属が通常とは異なる特異な金属であることが 電気伝導度の温度依存性から明らかにされました もともと電子が持っていた電荷やスピ
4. 発表内容 : 電子は電荷とスピンを持っており 電荷は電気伝導の起源 スピンは磁性の起源になって います 電荷同士の反発力が強い物質中では 結晶の格子点上に二つの電荷が同時に存在する ことができません その結果 結晶の格子点の数と電子の数が等しい場合は 電子が一つずつ各格子点上に止まったモット絶縁体と呼ばれる状態になります ( 図 1) モット絶縁体の多く は 隣接する結晶格子点に存在する電子のスピン同士が逆向きになろうとする相互作用の効果
マスコミへの訃報送信における注意事項
電子のスピンが量子液体状態にある特異な金属の発見 結晶中で独立に振る舞う電荷とスピン 1. 発表者 : 大池広志 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻学術支援専門職員 : 研究当時 ) 鈴木悠司 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻修士課程 1 年生 : 研究当時 ) 谷口弘三 ( 埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門准教授 ) 宮川和也 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教
Microsoft Word - 01.doc
科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV
と呼ばれる普通の電子とは全く異なる仮説的な粒子が出現することが予言されており その特異な統計性を利用した新機能デバイスへの応用も期待されています 今回研究グループは パラジウム (Pd) とビスマス (Bi) で構成される新規超伝導体 PdBi2 がトポロジカルな性質をもつ物質であることを明らかにし
平成 27 年 10 月 9 日 国立大学法人東京大学国立大学法人東京工業大学国立大学法人広島大学トポロジカルな電子構造をもつ新しい超伝導物質の発見 ~トポロジカル新物質の探索に新たな指針 ~ 1. 発表者 : 坂野昌人 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士後期課程 3 年 ) 大川顕次郎 ( 東京工業大学応用セラミックス研究所博士後期課程 2 年 ) 奥田太一 ( 広島大学放射光科学研究センター准教授
スピン流を用いて磁気の揺らぎを高感度に検出することに成功 スピン流を用いた高感度磁気センサへ道 1. 発表者 : 新見康洋 ( 大阪大学大学院理学研究科准教授 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 ) 木俣基 ( 東京大学物性研究所助教 ) 大森康智 ( 東京大学新領域創成科学研究科物理学専攻博士課
スピン流を用いて磁気の揺らぎを高感度に検出することに成功 スピン流を用いた高感度磁気センサへ道 1. 発表者 : 新見康洋 ( 大阪大学大学院理学研究科准教授 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 ) 木俣基 ( 東京大学物性研究所助教 ) 大森康智 ( 東京大学新領域創成科学研究科物理学専攻博士課程 1 年 ) 顧波 ( 日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター研究員 ) Timothy Ziman
1. 背景強相関電子系は 多くの電子が高密度に詰め込まれて強く相互作用している電子集団です 強相関電子系で現れる電荷整列状態では 電荷が大量に存在しているため本来は金属となるはずの物質であっても クーロン相互作用によって電荷同士が反発し合い 格子状に電荷が整列して動かなくなってしまう絶縁体状態を示し
2014 年 8 月 1 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東京大学 太陽電池の接合界面に相競合状態を持たせ光電変換効率を向上 - 多重キャリア生成により光電流が増幅 強相関太陽電池の実現へ前進 - 本研究成果のポイント 光照射で相転移を起こす強相関電子系酸化物と半導体を接合した太陽電池を作製 金属と絶縁体の相競合状態をヘテロ接合界面のごく近くで誘起することに成功 界面での相競合状態を磁場を使うことで観測可能に
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現
機械学習により熱電変換性能を最大にするナノ構造の設計を実現 ~ 環境発電への貢献に期待 ~ 1. 発表者 : 山脇柾 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻修士課程 2 年生 ) 大西正人 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 鞠生宏 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻特任研究員 ) 塩見淳一郎 ( 東京大学大学院工学系研究科機械工学専攻教授 物質 材料研究機構情報統合型物質
報道発表資料 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - ポイント 室温でスピン流と電流の間の可逆的な相互変換( スピンホール効果 ) の実現に成功 電流
60 秒でわかるプレスリリース 2007 年 4 月 12 日 独立行政法人理化学研究所 電流の中の電子スピンの方向を選り分けるスピンホール効果の電気的検出に成功 - 次世代を担うスピントロニクス素子の物質探索が前進 - 携帯電話やインターネットが普及した情報化社会は さらに 大容量で高速に情報を処理する素子開発を求めています そのため エレクトロニクス分野では さらに便利な技術革新の必要性が日増しに高まっています
報道機関各位 平成 30 年 5 月 14 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の
報道機関各位 平成 30 年 5 月 1 日 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 株式会社アドバンテスト アドバンテスト社製メモリテスターを用いて 磁気ランダムアクセスメモリ (STT-MRAM) の歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上 (91% から 97%) と 高速動作特性の向上を実証する実験に成功 標記について 別添のとおりプレスリリースいたしますので
マスコミへの訃報送信における注意事項
磁性体が乱れによって量子スピン液体に生まれ変わる 1. 発表者 : 古川哲也 ( 東京理科大学理学部第一部応用物理学科助教 / 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻学術支援専門職員 : 研究当時 ) 宮川和也 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 ) 伊藤哲明 ( 東京理科大学理学部第一部応用物理学科准教授 ) 伊藤美穂 ( 埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門大学院生 : 研究当時
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 論文題目 Superposition of macroscopically distinct states in quantum many-body systems ( 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ね合わせ ) 氏名森前智行 本論文では 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ねあわせを研究する 状態の重ね合わせ というのは古典論には無い量子論独特の概念であり 数学的には
マスコミへの訃報送信における注意事項
原子層レベルの厚さの超伝導体における量子状態を解明 乱れのない 2 次元超伝導体の本質理解とナノエレクトロニクス開発の礎 1. 発表者 : 斎藤優 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 1 年 ) 笠原裕一 ( 京都大学大学院理学研究科物理学 宇宙物理学専攻准教授 ) 叶劍挺 (Groningen 大学 Zernike 先端物質科学研究所准教授 ) 岩佐義宏 ( 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター
氏 名 田 尻 恭 之 学 位 の 種 類 博 学 位 記 番 号 工博甲第240号 学位与の日付 平成18年3月23日 学位与の要件 学位規則第4条第1項該当 学 位 論 文 題 目 La1-x Sr x MnO 3 ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ 士 工学 効果の研究 論 文 審 査
九州工業大学学術機関リポジトリ Title La1-xSrxMnO3ナノスケール結晶における新奇な磁気サイズ効果の研究 Author(s) 田尻, 恭之 Issue Date 2006-06-30 URL http://hdl.handle.net/10228/815 Rights Kyushu Institute of Technology Academic Re 氏 名 田 尻 恭 之 学 位
詳細な説明 研究の背景 フラッシュメモリの限界を凌駕する 次世代不揮発性メモリ注 1 として 相変化メモリ (PCRAM) 注 2 が注目されています PCRAM の記録層には 相変化材料 と呼ばれる アモルファス相と結晶相の可逆的な変化が可能な材料が用いられます 通常 アモルファス相は高い電気抵抗
平成 30 年 1 月 12 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 次世代相変化メモリーの新材料を開発 超低消費電力でのデータ書き込みが可能に 発表のポイント 従来材料とは逆の電気特性を持つ次世代不揮発性メモリ用の新材料開発に成功 今回開発した新材料を用いることで データ書換え時の消費電力を大幅に低減できることを確認 概要 東北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士後期課程学生
スライド 1
研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立
1 背景 物質を構成する陽子や電子はフェルミ粒子と呼ばれ 通常反粒子が別の粒子として存在します 例えば 電 子の反粒子は陽電子であり 異なる符号の電荷を持つためこれらは別の粒子と見なせます 一方で 粒子と反 粒子が同一という特異な性質をもつ中性のフェルミ粒子が 素粒子の一つとして 1937 年に予言
幻の粒子 マヨラナ粒子 の発見 トポロジカル量子コンピューターの実現に期待 概要 京都大学大学院理学研究科の笠原裕一 准教授 松田祐司 同教授 大西隆史 同修士課程学生 研究当時 現 富士通株式会社 馬斯嘯 同修士課程学生 東京大学大学院新領域創成科学研究科の芝内孝禎 教授 水 上雄太 同助教 東京大学大学院工学系研究科の求幸年 教授 東京工業大学理学院の田中秀数 教授 那須譲 治 同助教 栗田伸之
研究成果東京工業大学理学院の那須譲治助教と東京大学大学院工学系研究科の求幸年教授は 英国ケンブリッジ大学の Johannes Knolle 研究員 Dmitry Kovrizhin 研究員 ドイツマックスプランク研究所の Roderich Moessner 教授と共同で 絶対零度で量子スピン液体を示
平成 28 年 7 月 1 日 報道機関各位 東京工業大学東京大学 幻の マヨラナ粒子 の創発を磁性絶縁体中で捉える - 電子スピンの分数化が室温まで生じていることを国際共同研究で実証 - 要点 量子スピン液体を示す理論模型を大規模数値計算によって解析 磁気ラマン散乱強度の温度変化を調べた結果 広い温度範囲において幻の マヨラナ粒子 の創発を発見 本研究で得られた計算結果が実験結果と非常に良い一致
【NanotechJapan Bulletin】10-9 INNOVATIONの最先端<第4回>
企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 4 3 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発
磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発
同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 磁気でイオンを輸送する新原理のトランジスタを開発 ~ 電圧をかけずに動作する電気化学デバイス実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 29 年 9 月 7 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構 (NIMS) 概要 1.NIMS は 電圧でなく磁気でイオンを輸送するという 従来と全く異なる原理で動作するトランジスタの開発に成功しました
研究の背景有機薄膜太陽電池は フレキシブル 低コストで環境に優しいことから 次世代太陽電池として着目されています 最近では エネルギー変換効率が % を超える報告もあり 実用化が期待されています 有機薄膜太陽電池デバイスの内部では 図 に示すように (I) 励起子の生成 (II) 分子界面での電荷生
報道関係者各位 平成 6 年 8 月 日 国立大学法人筑波大学 太陽電池デバイスの電荷生成効率決定法を確立 ~ 光電エネルギー変換機構の解明と太陽電池材料のスクリーニングの有効なツール ~ 研究成果のポイント. 太陽電池デバイスの評価 理解に重要な電荷生成効率の決定方法を確立しました. これにより 有機薄膜太陽電池が低温で動作しない原因が 電荷輸送プロセスにあることが明らかになりました 3. 本方法は
PowerPoint プレゼンテーション
光が作る周期構造 : 光格子 λ/2 光格子の中を運動する原子 左図のように レーザー光を鏡で反射させると 光の強度が周期的に変化した 定在波 ができます 原子にとっては これは周期的なポテンシャルと感じます これが 光格子 です 固体 : 結晶格子の中を運動する電子 隣の格子へ 格子の中を運動する粒子集団 Quantum Simulation ( ハバードモデル ) J ( トンネル ) 移動粒子間の
高校電磁気学 ~ 電磁誘導編 ~ 問題演習
高校電磁気学 ~ 電磁誘導編 ~ 問題演習 問 1 磁場中を動く導体棒に関する問題 滑車 導体棒の間隔 L m a θ (1) おもりの落下速度が のとき 導体棒 a に生じる誘導起電力の 大きさを求めよ 滑車 導体棒の間隔 L m a θ 導体棒の速度 水平方向の速度 cosθ Δt の時間に回路を貫く磁束の変化 ΔΦ は ΔΦ = ΔS = LcosθΔt ΔΦ ファラデーの法則 V = N より
第1章 様々な運動
自己誘導と相互誘導 自己誘導 自己誘導起電力 ( 逆起電力 ) 図のように起電力 V V の電池, 抵抗値 R Ω の抵抗, スイッチS, コイルを直列につないだ回路を考える. コイルに電流が流れると, コイル自身が作る磁場による磁束がコイルを貫く. コイルに流れる電流が変化すると, コイルを貫く磁束も変化するのでコイルにはこの変化を妨げる方向に誘導起電力が生じる. この現象を自己誘導という. 自己誘導による起電力は電流変化を妨げる方向に生じるので逆起電力とも呼ばれる.
マスコミへの訃報送信における注意事項
銀ナノシートを有する層状化合物において超高電子移動度を実現 - 室温以下で動作する新しい熱電変換素子の開発に道 - 1. 発表者 : 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授 ) 塩見雄毅 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程 3 年 ) 李鍾碩 ( 研究当時 : 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻特任講師 ) M. S. Bahramy( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形
平成 30 年 8 月 6 日 報道機関各位 東京工業大学 東北大学 日本工業大学 高出力な全固体電池で超高速充放電を実現全固体電池の実用化に向けて大きな一歩 要点 5V 程度の高電圧を発生する全固体電池で極めて低い界面抵抗を実現 14 ma/cm 2 の高い電流密度での超高速充放電が可能に 界面形成直後に固体電解質から電極へのリチウムイオンが自発的に移動 概要 東京工業大学の一杉太郎教授らは 東北大学の河底秀幸助教
概要 東北大学金属材料研究所の周偉男博士研究員 関剛斎准教授および高梨弘毅教授のグループは 産業技術総合研究所スピントロニクス研究センターの荒井礼子博士研究員および今村裕志研究チーム長との共同研究により 外部磁場により容易に磁化スイッチングするソフト磁性材料の Ni-Fe( パーマロイ ) 合金と
報道機関各位 平成 28 年 12 月 08 日 東北大学金属材料研究所産業技術総合研究所 磁気モーメントの渦の運動が可能にする省エネルギー情報記録 - ハードディスクの超高密度化と超低消費電力動作の両立に新たな道 - 発表のポイント 磁石の向きが変化しやすい Ni-Fe 合金層と 磁石の向きが変化しにくい FePt 規則合金層を組み合わせたナノ磁石を作製し 磁気記憶デバイスの情報記録のしくみである
University of Tsukuba Graduate School Cooperative Graduate School System 1 2 3 4 8 17 33 35 University of Tsukuba Graduate School Cooperative Graduate School System 1 2 University of Tsukuba Graduate School
Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx
パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )
IntroTIOhtsuki
はじめに 講義資料 : 大槻東巳のホームページ, 講義資料からダウンロードする 今日の授業と資料を基に 1 月 29 日までに A4 用紙 1 枚でレポートを作成 課題はトポロジカル絶縁体とは何か? 提出先 :4-389A トポロジカル絶縁体入門 物理学序論 上智大学物理領域 大槻東巳 2016 年のノーベル物理学賞 サウレス ハルデイン コスタリッツ ½ ¼ ¼ for theoretical discoveries
1. 背景血小板上の受容体 CLEC-2 と ある種のがん細胞の表面に発現するタンパク質 ポドプラニン やマムシ毒 ロドサイチン が結合すると 血小板が活性化され 血液が凝固します ( 図 1) ポドプラニンは O- 結合型糖鎖が結合した糖タンパク質であり CLEC-2 受容体との結合にはその糖鎖が
参考資料配布 2014 年 11 月 10 日 独立行政法人理化学研究所 国立大学法人東北大学 血小板上の受容体 CLEC-2 は糖鎖とペプチド鎖の両方を認識 - マムシ毒は糖鎖に依存せず受容体と結合 - 本研究成果のポイント レクチンは糖鎖とのみ結合する というこれまでの考え方を覆す CLEC-2 受容体は同じ領域でマムシ毒とがんに関わる糖タンパク質に結合 糖鎖を模倣したペプチド性薬剤の設計への応用に期待
スピントロニクスにおける新原理「磁気スピンホール効果」の発見
スピントロニクスにおける新原理 磁気スピンホール効果 の発見 - 磁化で制御するスピン流 電流相互変換を確立 - 1. 発表者 : 木俣基 ( 研究当時 : 東京大学物性研究所助教 現 : 東北大学金属材料研究所准教授 ) Hua Chen( 研究当時 : テキサス大学オースティン校博士研究員 現 : コロラド大学 Assistant Professor) 近藤浩太 ( 理化学研究所創発物性科学研究センター研究員
untitled
インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni
M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3
Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】
報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授
Microsoft PowerPoint _トポロジー理工学_海住2-upload用.pptx
平成 5 年度大学院共通授業 トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 44 スピントロニクスの基礎とその応用 本日の講義内容 スピントロニクスとは? スピンの発見 ( 世紀前半 磁性の歴史 ( 世紀前半 世紀後半 電荷 S -ee N スピン 北海道大学電子科学研究所海住英生 4 スピントロニクスの誕生とその基礎と応用 巨大磁気抵抗 (GM 効果 トンネル磁気抵抗 (TM 効果 スピン注入磁化反転 磁壁の電流駆動
Microsoft Word - 2_0421
電気工学講義資料 直流回路計算の基礎 ( オームの法則 抵抗の直並列接続 キルヒホッフの法則 テブナンの定理 ) オームの法則 ( 復習 ) 図 に示すような物体に電圧 V (V) の直流電源を接続すると物体には電流が流れる 物体を流れる電流 (A) は 物体に加えられる電圧の大きさに比例し 次式のように表すことができる V () これをオームの法則 ( 実験式 ) といい このときの は比例定数であり
銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する上純物効果
トポロジー理工学特別講義 Ⅱ 2011 年 2 月 4 日 銅酸化物高温超伝導体の フェルミ面を二分する性質と 超伝導に対する丌純物効果 理学院量子理学専攻博士課程 3 年 黒澤徹 supervisors: 小田先生 伊土先生 アウトライン 走査トンネル顕微鏡 (STM: Scanning Tunneling Microscopy) 角度分解光電子分光 (ARPES: Angle-Resolved
Microsoft Word -
電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで
2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している
1 磁化方向の電圧制御とそのメモリ センサ 光デバイスへの応用 秋田大学大学院工学資源学研究科 附属理工学研究センター 准教授 吉村哲 2 磁性薄膜を用いたデバイスを動作させるには ( 磁気記録装置 (HDD) を例に ) コイルに電流を流すことで発生する磁界を用いて 薄膜の磁化方向を制御している 3 従来技術とその問題点 エネルギーロスの大きい電流磁界により磁化反転を行っており 消費電力が高い 発生可能な磁界に限界があり(
Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx
. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
平成 30 年 1 月 5 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 低温で利用可能な弾性熱量効果を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子 としての応用が期待 発表のポイント 従来材料では 210K が最低温度であった超弾性注 1 に付随する冷却効果 ( 弾性熱量効果注 2
平成 30 年 1 月 5 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 低温で利用可能な弾性熱量効果を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子 としての応用が期待 発表のポイント 従来材料では 210K が最低温度であった超弾性注 1 に付随する冷却効果 ( 弾性熱量効果注 2 ) が Cu-Al-Mn 系超弾性合金において 22K まで得られること を確認 フロンガスを用いない地球環境にやさしい低温用固体冷却素子として
Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver8青柳(最終版)
別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 QOBU1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華
平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射
ACモーター入門編 サンプルテキスト
技術セミナーテキスト AC モーター入門編 目次 1 AC モーターの位置付けと特徴 2 1-1 AC モーターの位置付け 1-2 AC モーターの特徴 2 AC モーターの基礎 6 2-1 構造 2-2 動作原理 2-3 特性と仕様の見方 2-4 ギヤヘッドの役割 2-5 ギヤヘッドの仕様 2-6 ギヤヘッドの種類 2-7 代表的な AC モーター 3 温度上昇と寿命 32 3-1 温度上昇の考え方
がら この巨大な熱電効果の起源は分かっておらず 熱電性能のさらなる向上に向けた設計指針 は得られていませんでした 今回 本研究グループは FeSb2 の超高純度単結晶を育成し その 結晶サイズを大きくすることで 実際に熱電効果が巨大化すること またその起源が結晶格子の振動 ( フォノン 注 2) と
鉄化合物における巨大な熱電効果の起源解明 - 低温で高い性能を示す熱電変換素子の新たな設計指針 - 1. 発表者 : 高橋英史 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻助教 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科日本学術振興会特別研究員 PD) 岡崎竜二 ( 東京理科大学物理工学部物理学科講師 研究開始時 : 名古屋大学大学院理学研究科助教 ) 石渡晋太郎 ( 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻准教授
交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテ
交番磁気力顕微鏡 : 空間分解能 5nm と高機能性の実現 秋田大学 工学資源学研究科附属理工学研究センター教授齊藤準 機器開発タイプ ( 平成 23 年度 ~26 年度 ) 開発課題名 : ベクトル磁場検出 高分解能 近接場磁気力顕微鏡の開発中核機関 : 秋田大学参画機関 :( 株 ) 日立ハイテクサイエンス 日東光器 ( 株 ) 秋田県産業技術センター 1 従来技術 ( 磁気力顕微鏡 ) とその問題点
AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル
AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更
電気基礎
電気基礎 Ⅰ 1. 電流 電圧 電力 2. オームの法則 直流回路 3. 抵抗の性質 4. キルヒホッフの法則 5. 電力 6. 磁気の性質 7. 電流の磁気作用 8. 鉄の磁化 9. 磁気と電流の間に働く力 10. 電磁誘導作用とインダクタンス 11. 静電気の性質 12. 静電容量とコンデンサ 参考文献 : 新編電気理論 Ⅰ [ 東京電機大学出版局 ] 1. 電流 電圧 電力. 電荷の電気量電荷の持っている電気の量を電荷量といい
大規模データの匿名加工処理を高速化する技術を開発
2018 年 11 月 20 日国立大学法人東京大学株式会社日立製作所科学技術振興機構 (JST) 内閣府 大規模データの匿名加工処理を高速化する技術を開発 ~ データの有用性とプライバシー保護を両立する対話的な匿名加工を可能とし パーソナルデータの安全な利活用を促進 ~ 1. 発表者 : 喜連川優 ( 東京大学生産技術研究所教授 ) 2. 発表のポイント : 情報化社会の進展に伴い 個人情報を含む大規模データの活用が求められています
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法
Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt
6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic
Microsoft PowerPoint - machida0206
広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ
