近接場磁気光学顕微鏡の現状と課題

る対象の磁気状態を乱す可能性があり注意が必要である これに対し磁気光学顕微鏡は系を乱さず磁気状態を見 ることのできる優れた技術である さらに MFM が観測し ているのは試料の磁化そのものではなく 試料から発生する磁束であるのに対し 磁気光学顕微鏡では試料の磁化そのものを観測できる 光学顕微鏡の分解

特集 : 近接場光技術の最近の進歩 近接場磁気光学顕微鏡 佐藤勝昭石橋隆幸 * 1. はじめに ハードディスクの面記録密度は市販品レベルでも 15 Gb/in に達し さらに 1Tb/in をめざして研究開発が進められている 1Tb/in という面密度は 1bit のサイズが 5 nm 平方に対応する 媒体性能を向上させるためには このように微小な記録状態を観察 評価する技術の確立が必要である 磁気物性の基礎研究から見ても

日本内科学会雑誌第102巻第10号

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X X 1 1 2 Free Electron Laser: FEL 2.1 2 2 3 SACLA 4 SACLA [1]-[6] [7] 1: S N λ [9] XFEL OHO 13 X [8] 2 2.1 2(a) (c) z y y (a) S N 90 λ u 4 [10, 11] Halbach (b) 2: (a) (b) (c) (c) 1 2 [11] B y = n=1 B

PEEMとmyPEEM

光 電 子 顕 微 鏡 PEEMについて 北 海 光 電 子 のmyPEEM 日 本 顕 微 鏡 学 会 ランチョンセミナー 2013 年 5 月 22 日 発 表 : EOS 津 野 tsuno6@hotmail.com 光 電 子 顕 微 鏡 PEEMについて 北 海 光 電 子 のmyPEEM 1. PEEMとその 他 の 電 子 顕 微 鏡 の 関 係 2. mypeemの 構 成 と 特

:010_ :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39

:010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28 14:39 :010_896300101703 :3/24/2005 3:27 PM :05/03/28

光部品関連技術における基盤技術との題を与えられたが、光部品は広範囲の分野であり、その全てを網羅する時間も無いし、それだけの力量...

.. 6.610.. (Photo Multiplier Tube ) MCP PMT 100 PMT.. (Avalanche Photo Diode). APD A PD A PD APD APD. APD PMT.. APD V.. 5.. - 屈 折 率 1.5 ブルスター 角 56.31 s 偏 光 反 射 率 0.1479 45 方 向 の 反 射 率 (1 面 ) p 偏 光 0.0085

Microsoft PowerPoint - 図材料科学基礎Ⅰ14_応用編１.pptx

材 料 科 学 基 礎 Ⅰ 材 料 科 学 の 枠 組 み 基 礎 編 元 素 の 結 晶 構 造 いろいろな 金 属 間 化 合 物, 合 金 の 結 晶 いろいろなセラミックスの 結 晶 とイオン 結 晶 格 子, 晶 系, 点 群 X 線 と 結 晶 応 用 編 電 子 顕 微 鏡 放 射 光 中 性 子 線 結 晶 の 格 子 定 数 結 晶 の 欠 陥 と 組 織 1 電 子 顕 微 鏡

untitled

(a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) (f) (a), (b) 1 He Gleiter 1) 5-25 nm 1/2 Hall-Petch 10 nm Hall-Petch 2) 3) 4) 2 mm 5000% 5) 1(e) 20 µm Pd, Zr 1(f) Fe 6) 10 nm 2 8) Al-- 1,500 MPa 9) 2 Fe 73.5 Si 13.5 B 9 Nb

3 ( 9 ) ( 13 ) ( ) 4 ( ) (3379 ) ( ) 2 ( ) 5 33 ( 3 ) ( ) 6 10 () 7 ( 4 ) ( ) ( ) 8 3() 2 ( ) 9 81

1 ( 1 8 ) 2 ( 9 23 ) 3 ( 24 32 ) 4 ( 33 35 ) 1 9 3 28 3 () 1 (25201 ) 421 5 ()45 (25338 )(2540 )(1230 ) (89 ) () 2 () 3 ( ) 2 ( 1 ) 3 ( 2 ) 4 3 ( 9 ) ( 13 ) ( ) 4 ( 43100 ) (3379 ) ( ) 2 ( ) 5 33 ( 3 )

寄稿論文 規則性無機ナノ空間が創り出す新しい触媒能 | 東京化成工業

MCM-41 M41 MCM-41 M41 2 3 m 2 /g nm nm Mn Ti Ti H N 2 S Ti-MCM-41, H H N H H 2 2 -Urea, CH 2 Cl 2, H 2 S + S 1b 2b 3b 54%, 58% ee Ti M41 H 2 As 4 ZP 4 ZP ZS ZS 5 Me Me Me Me M41 / 15 mg MeH 1.0 mmol 89%

発 表 内 容 研 究 目 的 : 光 による 無 侵 襲 血 糖 値 モニターを 開 発 する 発 表 内 容 : 1. 光 血 糖 値 モニター 様 々な 方 式 の 提 案 実 現 における 問 題 点 2. 偏 光 保 存 フォトン 検 出 法 による 血 糖 値 モニター 原 理 基 礎

大 阪 府 立 大 学 Osaka Prefecture University 光 血 糖 値 センサーの 開 発 状 況 工 学 研 究 科 電 子 物 理 工 学 分 野 堀 中 博 道 発 表 内 容 研 究 目 的 : 光 による 無 侵 襲 血 糖 値 モニターを 開 発 する 発 表 内 容 : 1. 光 血 糖 値 モニター 様 々な 方 式 の 提 案 実 現 における 問 題 点

1 2

( ) ( ) ( ) 1 2 59 2 21 24 275 43 3 26 486 103 27 28 98 105 104 99 1 48 25 29 72 14 33 11-10 3 11 8 14,663 4 8 1 6.0 8 1 0.7 11-6 27 19 22 71 5 12 22 12 1,356 6 4,397 3 4 11 8 9 5 10 27 17 6 12 22 9

日本内科学会雑誌第101巻第12号

34 2 2 h = h/2π 3 V (x) E 4 2 1 ψ = sin kxk = 2π/λ λ = h/p p = h/λ = kh/2π = k h 5 2 ψ = e ax2 ガウス 型 関 数 1.2 1 関 数 値 0.8 0.6 0.4 0.2 0 15 10 5 0 5 10

33 2 2.1 2.1.1 x 1 T x T 0 F = ma T ψ) 1 x ψ(x) 2.1.2 1 1 h2 d 2 ψ(x) + V (x)ψ(x) = Eψ(x) (2.1) 2m dx 2 1 34 2 2 h = h/2π 3 V (x) E 4 2 1 ψ = sin kxk = 2π/λ λ = h/p p = h/λ = kh/2π = k h 5 2 ψ = e ax2

2 (1) a = ( 2, 2), b = (1, 2), c = (4, 4) c = l a + k b l, k (2) a = (3, 5) (1) (4, 4) = l( 2, 2) + k(1, 2), (4, 4) = ( 2l + k, 2l 2k) 2l + k = 4, 2l

ABCDEF a = AB, b = a b (1) AC (3) CD (2) AD (4) CE AF B C a A D b F E (1) AC = AB + BC = AB + AO = AB + ( AB + AF) = a + ( a + b) = 2 a + b (2) AD = 2 AO = 2( AB + AF) = 2( a + b) (3) CD = AF = b (4) CE

トランシットの誤差と消去法

トランシット(セオドライト)の 水 平 角 観 測 に 関 する 誤 差 < 試 験 合 格 へのポイント> トランシット( 又 は セオドライト: 以 下 トランシット)の 水 平 角 観 測 における 誤 差 に 関 する 問 題 である 定 番 問 題 の 一 つであり 基 本 的 には 誤 差 の 名 称 と 消 去 法 (できれば 原 因 )を 覚 えておけ ば 解 答 できるものが 殆

2001 Mg-Zn-Y LPSO(Long Period Stacking Order) Mg,,,. LPSO ( ), Mg, Zn,Y. Mg Zn, Y fcc( ) L1 2. LPSO Mg,., Mg L1 2, Zn,Y,, Y.,, Zn, Y Mg. Zn,Y., 926, 1

Mg-LPSO 2566 2016 3 2001 Mg-Zn-Y LPSO(Long Period Stacking Order) Mg,,,. LPSO ( ), Mg, Zn,Y. Mg Zn, Y fcc( ) L1 2. LPSO Mg,., Mg L1 2, Zn,Y,, Y.,, Zn, Y Mg. Zn,Y., 926, 1 1,.,,., 1 C 8, 2 A 9.., Zn,Y,.

() 2 (O) 1 ( 2.1) 2 O 2:1 ( 2.2) 2 O ( 2.1(c)) O ( ) ( 2.1(d)) O Å(, m) 2 O ( 2.1(d))

2 10 2 2.1 2.1.1 2.1 () 2 (O) 1 ( 2.1) 2 O 2:1 ( 2.2) 2 O 2.1.2 2.3 ( 2.1(c)) O ( ) ( 2.1(d)) 2.1.3 O- 0.958 Å(, 10 10 m) 2 O- 104.5 ( 2.1(d)) 2.1 11 2 O (c) (d) O 104.5 0.958Å 2.1 (c) (d) 負 極 水 素 ガス 直

EndoPaper.pdf

Research on Nonlinear Oscillation in the Field of Electrical, Electronics, and Communication Engineering Tetsuro ENDO.,.,, (NLP), 1. 3. (1973 ),. (, ),..., 191, 1970,. 191 1967,,, 196 1967,,. 1967 1. 1988

2 FIG. 1: : n FIG. 2: : n (Ch h ) N T B Ch h n(z) = (sin ϵ cos ω(z), sin ϵ sin ω(z), cos ϵ), (1) 1968 Meyer [5] 50 N T B Ch h [4] N T B 10 nm Ch h 1 µ

: (Dated: February 5, 2016), (Ch), (Oblique Helicoidal) (Ch H ), Twist-bend (N T B ) I. (chiral: ) (achiral) (n) (Ch) (N ) 1996 [1] [2] 2013 (N T B ) [3] 2014 [4] (oblique helicoid) 2016 1 29 Electronic

1).1-5) - 9 -

- 8 - 1).1-5) - 9 - ε = ε xx 0 0 0 ε xx 0 0 0 ε xx (.1 ) z z 1 z ε = ε xx ε x y 0 - ε x y ε xx 0 0 0 ε zz (. ) 3 xy ) ε xx, ε zz» ε x y (.3 ) ε ij = ε ij ^ (.4 ) 6) xx, xy ε xx = ε xx + i ε xx ε xy = ε

10 nm SThM Fig.1 AFM 6) AFM 7) Fig.1 AFM 0.1 N/m 100 pn 10 nn 8) SThM STM AFM RTD Resistance Temperature Device SNOM Scanning Near-field Optical Micro

@@@@@@@@@@@@@@ @@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@@

1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e

No. 1 1 1 H Li Be Na M g B A l C S i N P O S F He N Cl A e K Ca S c T i V C Mn Fe Co Ni Cu Zn Ga Ge As Se B K Rb S Y Z Nb Mo Tc Ru Rh Pd Ag Cd In Sn Sb T e I X e Cs Ba F Ra Hf Ta W Re Os I Rf Db Sg Bh

7 9 7..................................... 9 7................................ 3 7.3...................................... 3 A A. ω ν = ω/π E = hω. E

B 8.9.4, : : MIT I,II A.P. E.F.,, 993 I,,, 999, 7 I,II, 95 A A........................... A........................... 3.3 A.............................. 4.4....................................... 5 6..............................

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計 算 法 -A 支 柱 基 礎 の 根 入 れ 長 計 算 ( 極 限 地 盤 反 力 法 による 最 小 根 入 れ 長 を 確 保 する) 柵 の 支 柱 基 礎 設 置 箇 所 : NO.12+15(L) 計 算 条 件 項 目 記 号 単 位 数 値 摘 要 水 平 力 H kn 9.126 作 用 荷 重 曲 げモーメント M kn m 4.563 支 柱 寸 法 支 柱 の 幅 ( 直

Microsoft Word - Łñ“’‘‚.doc

5 4 3 2 1 19921996 1 0 19921996 19972001 20022006 20072001 20122016 20172021 20222026 20272031 20322036 20372041 20422046 20472051 20000 8000 4000 4000 2000 10 10 20 30 40 50 60 70 20 30 40 50 60 70 ,

Ł\”ƒ-2005

研究成果報告書

10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

5 36 5................................................... 36 5................................................... 36 5.3..............................

9 8 3............................................. 3.......................................... 4.3............................................ 4 5 3 6 3..................................................

pp * Yw; Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Departm

73 7 2017 pp. 447 454 447 * 43.25.Yw; 78.60.Mq 1. 1L 20 cc [1] Sonoluminescence: Light emission from acoustic cavitation bubble. Pak-Kon Choi (Department of Physics, Meiji University, Kawasaki, 214 8571)

日本内科学会雑誌第98巻第3号

i

i ii 1 6 9 12 15 16 19 19 19 21 21 22 22 23 26 32 34 35 36 3 37 5 5 4 4 5 iii 4 55 55 59 59 7 7 8 8 9 9 10 10 1 11 iv ozein Van Marum 1801 Cruiokshank Marum 1840 Schonbein 3 / atm 1 N 1892 50 1960 1970

,..,,.,,.,.,..,,.,,..,,,. 2

A.A. (1906) (1907). 2008.7.4 1.,.,.,,.,,,.,..,,,.,,.,, R.J.,.,.,,,..,.,. 1 ,..,,.,,.,.,..,,.,,..,,,. 2 1, 2, 2., 1,,,.,, 2, n, n 2 (, n 2 0 ).,,.,, n ( 2, ), 2 n.,,,,.,,,,..,,. 3 x 1, x 2,..., x n,...,,

量子情報科学−情報科学の物理限界への挑戦- 2018

1 http://qi.mp.es.osaka-u.ac.jp/main 2 0 5000 10000 15000 20000 25000 30000 35000 40000 1945 1947 1949 1951 1953 1955 1957 1959 1961 1963 1965 1967 1969 1971 1973 1975 1977 1979 1981 1983 1985 1987 1989

道路施設基本データ作成入力書式マニュアル（中国地方整備局版）平成20年10月

道 路 BOX 等 に 関 する 調 査 表 記 入 マニュアル D080 D080 道 路 B O X 基 本 この 調 査 表 は 道 路 BOX 等 に 関 する 基 本 的 データを 登 録 するためのものであ る なお ここで 取 扱 う 道 路 BOX 等 とは 管 理 する 道 路 に 対 し 平 行 ( 縦 断 方 向 ) しているアンダーパス 等 の 箇 所 などに 設 けられたボックスカルバート

最 新 測 量 学 ( 第 3 版 ) サンプルページ この 本 の 定 価 判 型 などは, 以 下 の URL からご 覧 いただけます. このサンプルページの 内 容 は, 第 3 版 1 刷 発 行 時 の

最 新 測 量 学 ( 第 3 版 ) サンプルページ この 本 の 定 価 判 型 などは, 以 下 の URL からご 覧 いただけます. http://www.morikita.co.jp/books/mid/047143 このサンプルページの 内 容 は, 第 3 版 1 刷 発 行 時 のものです. 3 10 GIS 3 1 2 GPS GPS GNSS GNSS 23 3 3 2015

23 1 Section ( ) ( ) ( 46 ) , 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, % ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4

23 1 Section 1.1 1 ( ) ( ) ( 46 ) 2 3 235, 238( 235,238 U) 232( 232 Th) 40( 40 K, 0.0118% ) (Rn) (Ra). 7( 7 Be) 14( 14 C) 22( 22 Na) (1 ) (2 ) 1 µ 2 4 2 ( )2 4( 4 He) 12 3 16 12 56( 56 Fe) 4 56( 56 Ni)

Note5.dvi

12 2011 7 4 2.2.2 Feynman ( ) S M N S M + N S Ai Ao t ij (i Ai, j Ao) N M G = 2e2 t ij 2 (8.28) h i μ 1 μ 2 J 12 J 12 / μ 2 μ 1 (8.28) S S (8.28) (8.28) 2 ( ) (collapse) j 12-1 2.3 2.3.1 Onsager S B S(B)

untitled

-1- -2- -3- AED -4- 2-5- -6- -7- -8-6-1-28 048-833-1231 2-1-1 048-261-3119 4389-1 048-556-3005 1-13-11 04-2924-1311 2097-1 048-738-3111 1172 04-2953-7111 990-1 048-565-1919 537 048-775-1311 2-2-2 048-924-2111

30

P.5 P.6 P.3 P.4 P.7 P.8 P.9 P.11 P.19

MOST is the best! P.5 P.6 P.3 P.4 P.7 P.8 P.9 P.11 P.19 P.14 1 2 P.14 1 2 12,036 17,025 P.14 3 P.14 4 NEW P.12P.14 5 P.12P.14 6 P.12 P.15 7 NEW P.15 8 P.15 9 P.15 7 P.15 10 P.15 10 NEW P.12 P.15 11 P.15

clover-375.pdf

8:4511:00 9:0012:30 9:0016:3003-5986-3188 AM PM AM PM AM PM AM PM AM PM AM PM - - - - - - 1 2 3 5 6 7 8:4515:00 9:0016:30 AM PM AM PM AM PM AM PM AM PM AM PM - - - - - - - - - () - - - - - - - 8 10 12

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1) 0.3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P = ) S.Mizutani, S.Ishid

C 3 C-1 Ru 2 x Fe x CrSi A A, A, A, A, A Ru 2 x Fe x CrSi 1).3 x 1.8 2) Ru 2 x Fe x CrSi/Pb BTK P Z 3 x = 1.7 Pb BTK P =.52 1) S.Mizutani, S.Ishida, S.Fujii and S.Asano, Mater. Tran. 47(26)25. 2) M.Hiroi,

高等学校学習指導要領

高等学校学習指導要領

36 th IChO : - 3 ( ) , G O O D L U C K final 1

36 th ICh - - 5 - - : - 3 ( ) - 169 - -, - - - - - - - G D L U C K final 1 1 1.01 2 e 4.00 3 Li 6.94 4 Be 9.01 5 B 10.81 6 C 12.01 7 N 14.01 8 16.00 9 F 19.00 10 Ne 20.18 11 Na 22.99 12 Mg 24.31 Periodic

kihoku_09_01.indd

20 20 21 5018 5403 5417 0002 0038 0146 0232 0238 0338 10 1146 11 1811 12 2148 4902 5018 5242 5309 5420 0015 0018 1717 1806 1756 2324 2443 2604 2831 2859 3646 38 45 57 38 36 52 33 59 06 08 02 49 47 10 00

CW3_A1083D05.indd

本文／年次報告　　６７‐１０７

３２号　７０１０６２／きじ１

10西宮市立中央病院/本文

北九州高専　志遠　第６３号／表紙・表４

特別プログラム

Ł\”ƒ

報告書（第２回ＮＧＯ‐ＪＩＣＡ）／はじめに・目次

P-12 P-13 3 4 28 16 00 17 30 P-14 P-15 P-16 4 14 29 17 00 18 30 P-17 P-18 P-19 P-20 P-21 P-22

1 14 28 16 00 17 30 P-1 P-2 P-3 P-4 P-5 2 24 29 17 00 18 30 P-6 P-7 P-8 P-9 P-10 P-11 P-12 P-13 3 4 28 16 00 17 30 P-14 P-15 P-16 4 14 29 17 00 18 30 P-17 P-18 P-19 P-20 P-21 P-22 5 24 28 16 00 17 30 P-23

ニューガラス１００／１００目次

untitled

program08.pdf

07N

èCémò_ï (1Å`4èÕ).pdf

Simulation of Magnetization Process in Antiferromagnetic Exchange-Coupled Films 19 1...1 1-1...1 1-2...1 1-2-1... 1 1-2-2 HDD...2 1-2-3 ( )...3 1-3 GMR... 4 1-4 ( )...5 1-5 SFMedia...5 1-6 (HAMR)...6 1-6-1...

6 2 T γ T B (6.4) (6.1) [( d nm + 3 ] 2 nt B )a 3 + nt B da 3 = 0 (6.9) na 3 = T B V 3/2 = T B V γ 1 = const. or T B a 2 = const. (6.10) H 2 = 8π kc2

1 6 6.1 (??) (P = ρ rad /3) ρ rad T 4 d(ρv ) + PdV = 0 (6.1) dρ rad ρ rad + 4 da a = 0 (6.2) dt T + da a = 0 T 1 a (6.3) ( ) n ρ m = n (m + 12 ) m v2 = n (m + 32 ) T, P = nt (6.4) (6.1) d [(nm + 32 ] )a

i 0 1 0.1 I................................................ 1 0.2.................................................. 2 0.2.1...........................

2008 II 21 1 31 i 0 1 0.1 I................................................ 1 0.2.................................................. 2 0.2.1............................................. 2 0.2.2.............................................

0.,,., m Euclid m m. 2.., M., M R 2 ψ. ψ,, R 2 M.,, (x 1 (),, x m ()) R m. 2 M, R f. M (x 1,, x m ), f (x 1,, x m ) f(x 1,, x m ). f ( ). x i : M R.,,

2012 10 13 1,,,.,,.,.,,. 2?.,,. 1,, 1. (θ, φ), θ, φ (0, π),, (0, 2π). 1 0.,,., m Euclid m m. 2.., M., M R 2 ψ. ψ,, R 2 M.,, (x 1 (),, x m ()) R m. 2 M, R f. M (x 1,, x m ), f (x 1,, x m ) f(x 1,, x m ).

2 1 17 1.1 1.1.1 1650

1 3 5 1 1 2 0 0 1 2 I II III J. 2 1 17 1.1 1.1.1 1650 1.1 3 3 6 10 3 5 1 3/5 1 2 + 1 10 ( = 6 ) 10 1/10 2000 19 17 60 2 1 1 3 10 25 33221 73 13111 0. 31 11 11 60 11/60 2 111111 3 60 + 3 332221 27 x y xy

Semiconductor Sources for Single and Entangled Photons Keiichi EDAMATSU Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, Katah

Semiconductor Sources for Single and Entangled Photons Keiichi EDAMATSU Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University, 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577 (Received April

-2-

1 PD 5 22 PD-I 23 PD-E PR 2-HS 26 PR 30-HVS PMC PM 2-P PM 4-M PX PS PS PS X-Scan PS

18 1 PD 5 22 PD-I 23 PD-E 24 25 PR 2-HS 26 PR 30-HVS 27 28-29 PMC 46 30 PM 2-P 31 33 PM 4-M 32 33 PX 10 34 PS 35 35 PS 50 36 PS 250 37 X-Scan PS 1000 39 41-42 19 Applications Systems Page 22-24 26-27 30-32

(1.2) T D = 0 T = D = 30 kn 1.2 (1.4) 2F W = 0 F = W/2 = 300 kn/2 = 150 kn 1.3 (1.9) R = W 1 + W 2 = = 1100 N. (1.9) W 2 b W 1 a = 0

1 1 1.1 1.) T D = T = D = kn 1. 1.4) F W = F = W/ = kn/ = 15 kn 1. 1.9) R = W 1 + W = 6 + 5 = 11 N. 1.9) W b W 1 a = a = W /W 1 )b = 5/6) = 5 cm 1.4 AB AC P 1, P x, y x, y y x 1.4.) P sin 6 + P 1 sin 45

さくらの個別指導 ( さくら教育研究所 ) A AB A B A B A AB AB AB B

1 1.1 1.1.1 1 1 1 1 a a a a C a a = = CD CD a a a a a a = a = = D 1.1 CD D= C = DC C D 1.1 (1) 1 3 4 5 8 7 () 6 (3) 1.1. 3 1.1. a = C = C C C a a + a + + C = a C 1. a a + (1) () (3) b a a a b CD D = D

èCò_ï\éÜ.pdf

[Co/Ru] 20 Antiferromagnetic Exchange Coupling Energy in [Co/Ru] 20 19 1...1 1.1...1 1.2...1 1.2.1...1 1.2.2...2 1.3...2 1.4...3 1.4.1...3 1.4.2...5 1.5...5 1.5.1...5 1.5.2 SF...6 1.5.3 TAMR...6 2...8

untitled

1 1 1. 2. 3. 2 2 1 (5/6) 4 =0.517... 5/6 (5/6) 4 1 (5/6) 4 1 (35/36) 24 =0.491... 0.5 2.7 3 1 n =rand() 0 1 = rand() () rand 6 0,1,2,3,4,5 1 1 6 6 *6 int() integer 1 6 = int(rand()*6)+1 1 4 3 500 260 52%

第85 回日本感染症学会総会学術集会後抄録（III）

β β α α α µ µ µ µ α α α α γ αβ α γ α α γ α γ µ µ β β β β β β β β β µ β α µ µ µ β β µ µ µ µ µ µ γ γ γ γ γ γ µ α β γ β β µ µ µ µ µ β β µ β β µ α β β µ µµ β µ µ µ µ µ µ λ µ µ β µ µ µ µ µ µ µ µ

文庫●注文一覧表２０１６ｃ（７月）／岩波文庫

PowerPoint プレゼンテーション

0 1 2 3 4 5 6 1964 1978 7 0.0015+0.013 8 1 π 2 2 2 1 2 2 ( r 1 + r3 ) + π ( r2 + r3 ) 2 = +1,2100 9 10 11 1.9m 3 0.64m 3 12 13 14 15 16 17 () 0.095% 0.019% 1.29% (0.348%) 0.024% 0.0048% 0.32% (0.0864%)

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

X-FUNX　ワークシート関数リファレンス

X-FUNX Level.4a xn n pt 1+ 1 sd npt Bxn3 cin + si + sa ( sd xn) 3 n t1 + n pt xn sd ( t1+ n pt) Bt t t cin + xn si sa ( sd xn) n 1 + +

2 2. : ( Wikipedia ) 2. 3. 2 2. photoelectric effect photoelectron. 2. 3. ν E = hν h ν > ν E = hν hν W = hν

KEK 9,, 20 8 22 8 704 690 9 804 88 3.. 2 2. : ( Wikipedia ) 2. 3. 2 2. photoelectric effect photoelectron. 2. 3. ν E = hν h ν > ν E = hν hν W = hν 2.2. (PMT) 3 2: PMT ( / ) 2.2 (PMT) ν ) 2 2 00 000 PMT

食糧　その科学と技術　No.43( )

17 DNA SEM, Scanning electron microscope TEM, transmission electron microscope X NMR AFM, atomic force microscopy SPM, scanning probe microscopy 1 SPM SPM AFM SNOM NSOM, Scanning near-field optical microscope

untitled

10 log 10 W W 10 L W = 10 log 10 W 10 12 10 log 10 I I 0 I 0 =10 12 I = P2 ρc = ρcv2 L p = 10 log 10 p 2 p 0 2 = 20 log 10 p p = 20 log p 10 0 2 10 5 L 3 = 10 log 10 10 L 1 /10 +10 L 2 ( /10 ) L 1 =10

基礎数学I

I & II ii ii........... 22................. 25 12............... 28.................. 28.................... 31............. 32.................. 34 3 1 9.................... 1....................... 1............

FACT BOOK 2010J.indb

2 3 4 $440.6 41% $627.6 59% V 578,211 662,432 1,240,643 0.22 26.09 367,112 106,085 473,197 20.37 11.08 342,759 107,393 450,152-16.56 10.54 181,146 91,861 273,007 0.06 6.39 111,278 131,807 243,085 8.75

24.15章.微分方程式

m d y dt = F m d y = mg dt V y = dy dt d y dt = d dy dt dt = dv y dt dv y dt = g dv y dt = g dt dt dv y = g dt V y ( t) = gt + C V y ( ) = V y ( ) = C = V y t ( ) = gt V y ( t) = dy dt = gt dy = g t dt

234 50cm

234 50cm () 1 10 2 3 4 1 5 6 2 2 1 7 ( ー ) っ ー っ 8 1 2 10 10 2m 4m 6m 15m 457-2472 585-1154 9 10 2 60 2 100 RC SRC 30 80 500 1 500 500 ) 10 B b A 2 A B 2m 457-2473 585-1154 11 20m a 2m 3 3 1m 75cm 120cm

2357

dvipsj.4131.dvi

7 1 7 : 7.1 3.5 (b) 7 2 7.1 7.2 7.3 7 3 7.2 7.4 7 4 x M = Pw (7.3) ρ M (EI : ) M = EI ρ = w EId2 (7.4) dx 2 ( (7.3) (7.4) ) EI d2 w + Pw =0 (7.5) dx2 P/EI = α 2 (7.5) w = A sin αx + B cos αx 7.5 7.6 :

$\hat{\grave{\grave{\lambda}}}$ $\grave{\neg}\backslash \backslash ^{}4$ $\approx \mathrm{t}\triangleleft\wedge$ $10^{4}$ $10^{\backslash }$ $4^{\math

$\mathrm{r}\mathrm{m}\mathrm{s}$ 1226 2001 76-85 76 1 (Mamoru Tanahashi) (Shiki Iwase) (Toru Ymagawa) (Toshio Miyauchi) Department of Mechanical and Aerospaoe Engineering Tokyo Institute of Technology

2

Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF

ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト

2章.doc

C 2 H 4 N 2 O 2 LPG LIF 13 2.1 2.1.1 2.1 2.2 115mm70mm 727cm 3 Hand Pump Injector Driver Computer Constant Volume Chamber Injector Piezo-electronic transducer Fan Spark Plug Temperature Indicator C 2 H

A(6, 13) B(1, 1) 65 y C 2 A(2, 1) B( 3, 2) C 66 x + 2y 1 = 0 2 A(1, 1) B(3, 0) P 67 3 A(3, 3) B(1, 2) C(4, 0) (1) ABC G (2) 3 A B C P 6

1 1 1.1 64 A6, 1) B1, 1) 65 C A, 1) B, ) C 66 + 1 = 0 A1, 1) B, 0) P 67 A, ) B1, ) C4, 0) 1) ABC G ) A B C P 64 A 1, 1) B, ) AB AB = 1) + 1) A 1, 1) 1 B, ) 1 65 66 65 C0, k) 66 1 p, p) 1 1 A B AB A 67

esba.dvi

Ehrenberg-Siday-Bohm-Aharonov 1. Aharonov Bohm 1) 0 A 0 A A = 0 Z ϕ = e A(r) dr C R C e I ϕ 1 ϕ 2 = e A dr = eφ H Φ Φ 1 Aharonov-Bohm Aharonov Bohm 10 Ehrenberg Siday 2) Ehrenberg-Siday-Bohm-Aharonov ESBA(