卒業論文(中島)
|
|
|
- さみら かいて
- 9 years ago
- Views:
Transcription
1
2 Abstract MULTUM Ⅱ Charge-Sensitive Amplifier MULTUM-TOF/TOF 4 MULTUM-TOF/TOF
3 Abstract (MULTUM Ⅱ) MCP(Microchannel Plate) MCP Time of Flight(TOF) MCP MCP MULTUM-TOF/TOF
4 1 1.1 ( Fig ) +Q(c) Fig ( )
5 Fig Fig mm 8mm Ω r x P [1] [2] P= P 2.3
6 1.2 多重周回飛行時間型質量分析計 MULTUM Ⅱ 冒頭に述べたように 本研究では本研究グループで開発された多重周回飛行時間型質量 分析計MULTUM Ⅱに組み合わせる誘導電荷検出器を製作している MULTUM Ⅱは4つのト ロイダル電場による周回イオン光学系によって実効飛行距離を伸ばし 高質量分解能を可 能とした装置である(Fig.1.2, 参考文献[1] マトリックス支援レーザーイオン化法 MALDI法 と組み合わせて性能評価を行い アンジオテンシン I m/z 1296 で分解能7 万以上 70周回 が得られ 生体高分子の測定でも有用であることが示されている Fig.1.2 MULTUMⅡの真空チャンバ内 参考文献[1]より引用 1.3 研究背景:先行研究 本研究には先行研究がある 製作した誘導電荷検出器を大阪大学の飛行時間型二次イオ ン質量分析計TOF-SIMS(Fig1.3a)に設置し Paの真空条件下で137周の107Agと109Ag のイオンの検出に成功し 得られた検出信号からマススペクトルを得るための解析手法が 開発されている 参考文献[2] TOF-SIMSについての説明は付録Aに記載している Fig.1.3a 飛行時間型二次イオン質量分計TOF-SIMS
7 MULTUM Sector Ⅱ Sector Ⅲ TOF MUTLUM Sector Ⅳ OFF Sector Ⅰ OFF (Fig1.3b). Sector Ⅰ Sector Ⅳ ±1kV ON/OFF Fig.1.3b Sector ON/OFF Fig ms Sector ON/OFF Fig [1]
8 Fig ( ) [1] (Fig1.3.2) Fig (Fig1.3.4) Ag Fig Ag [1]
9 Fig Ag 1 4 [2] 250μs -15mV (Fig.1.3.3) 5mV, 280kHz (Fig.1.3.4) 2 400ns MCP 10ns 40
10 Fig Fig1.4.2 Fig.14.1 Fig mm 8mm 10mm 8mm
11 (Fig ) Fig MULTUM MULTUM CSA (Fig.2.1.3) CSA GND -5kVDC MULTUM Base MULTUM Base Earth Base GND GND Earth MULTUM Sector ON/OFF Fig.2.1.1
12 Fig2.1.2 誘導電荷検出器の設置 検出電極のシールドなし 左 シールドあり 右 Fig 検出器設置のイメージ
13 2.2 検出電極 検出電極には長さ30mm,内径 8mmの円筒状に加工したアルミニウムを用いた 固定の際 には碍子のスペーサーとポリカーボネイトの皿ネジを用いて絶縁固定した 先行研究の検 出器では碍子部分がイオン軌道に近接していたが 新しく作ったものは上側で固定するこ とで絶縁体がイオンから見えないようにした また 先行研究の検出器では円筒電極と遮 プレート Fig.2.2.1黄色部分 との間が6mmであったが 今回は2.5mm程度に短くし た これによって信号のピークの立ち上がりと立ち下がり時間を短くすることができると 考えた また 時間分解能向上のために 長さのみを10mmに変えた短い検出電極も製作 した(Fig.2.2.2) Fig 円筒電極設計図 Fig 円筒状の検出電極 30mm 左,10mm 右
14 2.3 Charge-Sensitive Amplifier Charge-Sensitve Amplifier(CSA) Amptek A250F A250F Input Ground & Case MULTUM Base Earth A250F ±6V CSA Fig CSA Fig CSA Fig CSA FET(INF152) 2.75mA V o Cf(0.25 pf) Q [1] CSA CSA 1 electron 0.64 μv B
15 Fig Charge-Sensitive amplifier A250F (Amptek ) NOTES 1. The internal feedback resistor Rf = 1 GΩ. 2. The internal feedback capacitor Cf = 0.25 pf Sensitivity (gain) = 175 mv//mev (Si) 4 V/pC 0.64 μv/electron 3. For lower sensitivity applications, Cf can be increased externally. 4. The internal 1kΩ resistor from Pin2 to Pin5 provides the FET with a drain current of IDS = 2.75ma. IDS can be increased by adding an external resistor (R < 1 kω) from Pin 2 to Pin Fig.2.4 CSA 10kV AC 10kV AC TOF-SIMS MULTUM Base -5kV GND Earth 10 ANALOG DEVICE AD8129 (Fig.2.4)
16 Fig ±12VDC ±6V (Fig ) ±6VDC GND 5kV Recom 10kV DCDC (REC DRW/R10/A) 12VDC DCDC GND ±12VDC (( ±0.145A)) ±6VDC 24V Fig Fig.2.5.1
17 Fig.2.5.2
18 3 実験装置: マルチターン ダンデム飛行時間型 MULTUM-TOF/TOF) 今回製作した誘導電荷検出器は マルチターン ダンデム飛行時間型 MULTUM-TOF/ TOF のMULTUM内に設置してイオンを検出した (Fig.3.1) この装置はマルチターンマル チターン飛行時間型質量分析計(MULTUM IIと同じ光学系)と二次曲線場イオンミラーを組 み合わせている イオン源にマトリックス支援レーザー脱離イオン化法(MALDI法)を採用 し ペプチド タンパク質 脂質 天然物などの構造解析を目的として開発された[ 3 ] Fig.3.2に設計図を示す イオン源側から加速されてきたイオンは Sector Ⅳの電圧OFFの タイミングでMULTUMの周回軌道に導入され 周回を繰り返し Sector1の電圧OFFのタイ ミングで排出される 誘導電荷検出器はMULTUM内のSectorⅡとSectorⅢの間のイオン軌道 上に設置する 設置の際はFig3.3に示すようにMULTUMの上蓋に固定した後 MULTUM の中へ設置した Fig.3.1 MULTUM-TOF/TOF (イオン源;MALDI 分析部;MUTLUM Ⅱ 検出部 二次曲線場イオンミラーとMCP)
19 Fig3.2 MULTUM-TOF/TOFの設計図 Fig3.3 MULTUMの上蓋に設置された誘導電荷検出器
20 4.1 3-amino quinoline α-chca Fig amino quinoilne 10kV MUTLUM 1ms MS/s 1000 Lecroy WS452 MULTUM Pa 4.2 Fig amino quinoline Fig4.2.1a 3-amino quinoline Sector 5μs 5 25μs 0V (Fig4.2.1b) Fig4.2.1c Fig4.2.1a Fig4.2.1b
21 Fig.4.2.1c 3-amino quinoline 5mV, 280kHz 0.2mV 108MHz m (Fig4.2.2a ) 10mm (Fig4.2.2a ) Fig.4.2.2a
22 Fig4.2.2b 500ns 30mm 280ns 10mm 120ns 8% Fig.4.2.2b S/N 2 2 S/N Fig.4.2.3a 512ns 512ns Fig.4.2.3b
23 Fig.4.2.3a 15 Fig.4.2.3b S/N=7.9 S/ N= S/N 512ns 3-amino quinoline S/N 3-amino quinoline S/N 58mm TOF S/N 1.4 M M S/N
24 4.2.4 Oscilloscope 250MS/s Fig μs mV CSA 10 CSA 2.26mV CSA 1electron 0.42μV B CSA, σ= =5400[electron] Fig MS/s S/N>3 3σ= =16000[electron] S/N n 1/ S/ N
25 5 Earth MUTLUM 3-amino quinoline TOF 5mV 280kHz 0.2mV 108kHz 2 30mm 10mm 3-amino quinoline 280ns 120ns MCP 10ns 10 CSA σ 3σ S/N S/N S/N MULTUM
26 6 S/N MULTUM 1000 S/N CSA CSA CT 1 100pF 1% MCP MULTUM ( TOF- SIMS)[4] TOF-SIMS A
27 [1] Daisuke Okumura The investigation of the toroidal electric sector multi-turn time-of-flight mass spectrometer MULTUM II 2005 [2] [3] Toyoda M, Giannakopulos AE, Colburn AW, Derrick PJ. High- energy collision induced dissociation fragmentation pathways of peptide, probed using multi-turn tandem time-of-flight mass spectrometer MULTUM-TOF/TOF. Review of Scientific Instruments 2007; 78: [4] Morio Ishihara, Shingo Ebata, Kousuke Kumondai, Ryo Mibuka, Kiichiro Uchino, and Hisayoshi Yurimoto. Ultra-high performance multi-turn TOF-SIMS system with a femto-second laser for post-ionization: investigation of the performance in linear mode
28 付録 A 飛行時間型二次イオン質量分析計(TOF-SIMS) 誘導電荷検出器は大阪大学にある飛行時間型二次イオン質量分析計 TOF-SIMS [4] に設置する目的で開発が進められている この装置は集束イオンビーム(FIB)とマルチター ン飛行時間型質量分析計を組み合わせたシステムで 21,000以上の高質量分解能と40nmの 高空間分解能イメージング 高感度分析が特徴である 一般的なSIMSでは 一次イオンを 試料表面に照射して試料からスパッタされた二次イオンを質量分析するが スパッタされ た粒子の99 以上は中性粒子であり 二次イオンとなり検出されるのは残りの1 以下の 粒子に過ぎない 大阪大学のTOF-SIMSはフェムト秒レーザーによりスパッタされた中性 粒子をポストイオン化する機構が組み込まれており 従来のSIMSにない高感度化をは かっている 分析感度 質量分解能 空間分解能に優れるこのシステムはサンプルリター ンミッションで持ち帰られた貴重なサンプルを分析することを期待されて開発された 現在取り付ける検出器としてはMCPを採用しているが 1章で述べたMCPの問題点を克 服しMCPに代わる検出器として誘導電荷検出器の開発を行っている 先行研究[2]では製作 した誘導電荷検出器をこのTOF-SIMSのMUTLUM Ⅱ内部に設置し Gaを一次イオンとして Agを試料としてAgの同位体を検出した 今回製作した誘導電荷検出器の実験では TOFSIMSのメンテナンスの都合により MUTLUM-TOF/TOFをもちいて実験を行った Fig.3.1 TOF-SIMS
29 B CSA TEST IN 1 electron ( ) Function generator CSA TEST IN (FigB.1) Pulse delay generator Function generator 2 Fig.B.1 CSA Fig.B.2 TEST IN Fig.B mV Q CT 2pF Q = [c] = [electron]= [electron] Fig.B.4 Fig.B.5 573[mV] 503[mV] 1 G1=4.76 [μv/electron]=4.8 [μv/electron] 1 G1=4.18 [μv/electron]=4.2 [μv/electron]
30 CSA CSA 0.48 [μv/electron] CSA 0.42 [μv/electron] 0.64 [μv/electron] 2pF CT 2pF CT 100pF ±1pF CT Fig.B.2 CSA
31 Fig.B.3 Function generator Fig.B.4 Fig.B.5
32
mbed祭りMar2016_プルアップ.key
1 2 4 5 Table 16. Static characteristics (LPC1100, LPC1100L series) continued T amb = 40 C to +85 C, unless otherwise specified. Symbol Parameter Conditions Min Typ [1] Max Unit Standard port pins, RESET
二次イオン質量分析法 -TOF-SIMS法の紹介-
SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS 2016 Vol. No.1 M A R C H 59 Technical magazine of Electron Microscope and Analytical Instruments. 技術解説 二次イオン質量分析法ー TOF-SIMS 法の紹介ー Secondary Ion Mass Spectrometry -Time of Flight
2
Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................
AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ
7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40
Introduction of Focused Ion Beam Time-of Flight Secondary Ion Mass Spectrometer
Laser-SNMS (FILMER) の技術情報 SIMS 研究会 7, 成蹊大学, 2016.07.20 株式会社トヤマ http://www.toyama-jp.com 柏木隆宏 石川丈晴 長嶋悟 山下智之 中川潤 竹中久貴 高野明雄 遠藤克己 E-mail; [email protected] 会社名 本社 工場 関西営業所 代表者 会社設立 株式会社トヤマ 258-0112 神奈川県足柄上郡山北町岸
IEC シリーズ イミュニティ試験規格の概要
IEC 61000-4 e 2018 7 23 1 2 2 2 2.1.............. 2 2.2.................. 2 3 IEC 61000-4-2 ( ) 3 3.1...................... 3 3.2..................... 3 3.2.1 ESD........... 3 3.2.2 ESD.............. 3
LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ
µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz
AN15880A
DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の
Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B
www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11
1
1 2 3 4 5 RESISTOR TUNABLE FILTER 6 LR-SERIES 1 1 2 3 4 5 6 7.1.1 1 1 1 RF1 CF1 RF2 CF2 INPUT 14 15 16 17 18 19 2 21 22 23 24 25 26 27 28 29 3 9 8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 8 79 78 77 R R CF CF 56k R R
LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ
Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223
untitled
27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
cover_1103V-0Y.pmd
VL-1000 MOS FET MRF150 PA 1kW 50MHz 500W AC200V AC100V 500W PA HF 50MHz HF 50MHz INPUT 1 / 2 ANT1 4 1 ALC FTDX9000 FT-1000MP FT-2000/D FT-950 FT-450 2 ALC ATT BEEP ON/OFF 2 3 POWER POWER 4 GND @ DC 48V
LM358
LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001
µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)
1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37
AN7551Z
BTL IC (35 W 4-ch) IC GND CR IC GND IC ( V CC GND ASO etc.) (STB-on/off ) (Mute-on/off ) AN7550NZ R1.8±0.1 (10.50) HZIP025-P-0980 Unit : mm 31.0±0.3 27.0±0.3 4.5±0.2 21.0±0.1 1.5±0.1 (10.50) φ3.6±0.1 3.6±0.1
中性子散乱実験用位置敏感検出器、PSD2Kシステムの開発
PSD2K 35-81 1-1 7mm 4mm PSD2K 8 PSD2K PSD Position Sensitive Detector 198 SAN PSD 43 199 1993 VEGA PSD 25 VME VME (3) PSD 15 1994 1997 SIRIUS PSD 5 VME (2) PSD 5 PSD2K 1998 ADC - PSD 2 PSD98 PSD2K 22 3
LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)
,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006
MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated
1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)
化学結合が推定できる表面分析 X線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller (jp)
LM5021 LM5021 AC-DC Current Mode PWM Controller Literature Number: JAJSAC6 LM5021 AC-DC PWM LM5021 (PWM) LM5021 (25 A) 1 ( ENERGY STAR CECP ) Hiccup (Hiccup ) 8 LM5021 100ns 1MHz AC-DC PWM 5021 LM Steve
LD
989935 1 1 3 3 4 4 LD 6 7 10 1 3 13 13 16 0 4 5 30 31 33 33 35 35 37 38 5 40 FFT 40 40 4 4 4 44 47 48 49 51 51 5 53 54 55 56 Abstract [1] HDD (LaserDopplerVibrometer; LDV) [] HDD IC 1 4 LDV LDV He-Ne Acousto-optic
DS90LV011A 3V LVDS 1 回路入り高速差動出力ドライバ
3V LVDS Single High Speed Differential Driver Literature Number: JAJS962 Single High Speed Differential Driver 19961015 23685 ds200149 Input Voltage changed to 3.6V from 5V Updated DC and AC typs basic
untitled
213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい
* 2
* 2 3 H2400 2 2 3 4 5 5 (at +25 ) H2400-00-0 H2400-0-0 H2400-20-0 420 3(X) (Y) 2-50 26 5 50 80 200 8.0 0.2 80 62 30 5 60 70.6 5 2. 4 0.3 3.2 8.0.3 2 6 3.5 5 +5 +50-20 +50 630 nm mm µa µa 300 µa/lm 400
HIGIS 3/プレゼンテーション資料/J_GrayA.ppt
Static SIMS SIMS 研究会 7 2016.07.20 成蹊大学 応用技術部東京応用技術一課伊澤智香 SIMS の基本原理 一次ビームイオンビーム (Ga + Au n+ Bi n+ O 2+ Cs + Ar + Xe +...) 加速電圧 :5-25 kev 固体内での衝突カスケード (Collision cascade) 二次粒子 中性粒子 電子 二次イオン (+/-) Dynamic
Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】
報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授
Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C
www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872
2 dbx ProVocal ProVocal 3 EQ dbx / MIDI 24bit S/PDIF 44.1/48kHz Mic/Line 20dB 48V XLR XLR ProVocal 1U ProVocal Provocal 45 3 Section 1 1.1 ProVocal S/PDIF ProVocal S/PDIF RCA MIDI MIDI ProVocal XLR( )
LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900
Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S
Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W
PowerPoint プレゼンテーション
Mass Spectroscopy(MS) EI electron impact, electron impact ionization, electron bombardment ionization ( ) IUPAC electron ionization ( ) ( 31 (1997)) MS m/z( / ) 1 C 12.011 C 98.9% 13 C 1.1% m/z m z m/z
X線分析の進歩36 別刷
X X X-Ray Fluorescence Analysis on Environmental Standard Reference Materials with a Dry Battery X-Ray Generator Hideshi ISHII, Hiroya MIYAUCHI, Tadashi HIOKI and Jun KAWAI Copyright The Discussion Group
ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)
ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV
圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて
圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type
DS90LV V or 5V LVDS Driver/Receiver (jp)
DS90LV019 DS90LV019 3.3V or 5V LVDS Driver/Receiver Literature Number: JAJS563 DS90LV019 LVDS 1 / DS90LV019 Low Voltage Differential Signaling (LVDS) 1 CMOS / DS90LV019 EIA-644 IEEE1596.3 (SCI LVDS) 2
PEA_24回実装学会a.ppt
85 85% 環境下での 絶縁体内部電荷分布経時変化の測定技術 ファイブラボ株式会社デバイス部河野唯通 Email: [email protected] 表面実装から部品内蔵基板へ 従来からの表面実装から部品内蔵基板へ 基板は層状構造となり厚さ方向の絶縁性も重要 使用される絶縁層間フィルムはますます薄くなる 低電圧だが, 電界は電力線並み! 高電圧電力ケーブル 機器の絶縁材料評価方法 絶縁材料評価方法として空間電荷の測定が重要とされた理由
TOS7200 CD-ROM DUT PC 1.0X p.15 NEMA Vac/10 A [85-AA-0003] m : CEE7/7 : 250Vac/10 A [85-AA-0005] : GB1002 : 250Vac/10A [ ] 2016
No. IB028901 Nov. 2016 1. 11 TOS7200 2. 14 3. 19 4. 23 5. 39 6. 49 7. 51 TOS7200 CD-ROM DUT PC 1.0X p.15 NEMA5-15 125 Vac/10 A [85-AA-0003] 1 2.5 m : CEE7/7 : 250Vac/10 A [85-AA-0005] : GB1002 : 250Vac/10A
Microsoft PowerPoint - SISS SIMS基礎講座 D-SIMS.ppt [互換モード]
SIMS 基礎講座 D-SIMS( ダイナミック SIMS) について 2016 年 7 月 20 日 アメテック ( 株 ) カメカ事業部三輪司郎 内容 1. D-SIMSとは? (Static SIMSとの違い 応用分野 ) 2. D-SIMS 装置の構成 簡単な構造 原理 ( 質量分析計 イオン源 ) 3. 応用例 4. まとめ 内容 1. D-SIMSとは? (Static SIMSとの違い
OPA277/2277/4277 (2000.1)
R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B
DS90CP04 1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch (jp)
1.5 Gbps 4x4 LVDS Crosspoint Switch Literature Number: JAJS984 1.5Gbps 4 4 LVDS 4 4 (LVDS) ( ) 4 4:1 4 1 MODE 4 42.5Gb/s LVDS 20010301 33020 23900 11800 ds200287 2007 12 Removed preliminary. Removed old
uPC2711TB,uPC2712TB DS
5 VIC Bipolar Analog Integrated Circuits µpc2711tb, µpc2712tbbsic 20122915 µpc2711tb, µpc2712tb µpc2711t, µpc2712t NESAT TM ft = 20 GHz IC fu = 2.9 GHz TYP.µPC2711TB fu = 2.6 GHz TYP.µPC2712TB GP = 13
フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています
各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High
質量分析イメージングのイメージを変える DESI - 初 者でも 同じ組織から何度でも - 本ウォーターズ株式会社 JASIS 2015 新技術説明会 9 2 ( ) 11:50 12: Waters Corporation 1 本 の内容 質量分析イメージングの概要 MALDI と
質量分析イメージングのイメージを変える DESI - 初 者でも 同じ組織から何度でも - 本ウォーターズ株式会社 JASIS 2015 新技術説明会 9 2 ( ) 11:50 12:15 2015 Waters Corporation 1 本 の内容 質量分析イメージングの概要 MALDI と DESI ウォーターズが提供する DESI 同じ組織から何度でも 2015 Waters Corporation
USER'S GUIDE
スイッチングレギュレータシリーズ 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ BD7F200EFJLB 評価ボード (24V 15V, 0.15A 4ch) 評価ボードは 絶縁型フライバック DC/DC コンバータ IC の BD7F200EFJLB を使用して 24V の入力から 15V の 電圧 4ch を出力します 出力電流は最大 0.15A を供給します 性能仕様 これは代表値であり 特性を保証するものではありません
a a b a b c d e R c d e A a b e a b a b c d a b c d e f a M a b f d a M b a b a M b a M b M M M R M a M b M c a M a R b A a b b a CF a b c a b a M b a b M a M b c a A b a b M b a A b a M b C a M C a M
(Microsoft PowerPoint - \201\232\203|\203X\203^\201[)
[ 2Pf012 ] 溶液ラジカル重合における末端変性アクリル系ポリマーの合成 Synthesis of terminal-modified acrylic polymers by the solution polymerization with radical initiators. ( 株 )DNP ファインケミカル 西馬千恵 清水圭世 竹岡知美 有富充利 顔料分散体 インクジェットインクやカラーフィルタ用レジストなどの顔料分散体が優れた性能を発揮するためには
uPC2745TB,uPC2746TB DS
Bipolar Analog Integrated Circuits 3 VIC µpc2745tb, µpc2746tb IC3 V1.8 V NESAT TM ft = 20 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 1.83.3 V µpc2745tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc2746tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc2745tbisl
LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)
Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed
AD8515: 1.8 V 低電力 CMOS レール to レール入力/出力オペアンプ
REV. REVISION 15-6891 1-16-1 3 542 82 532-3 3-5-36 MT 2 6 635 6868 AD8515 1.8V CMOS to 1.8 5V 6mV SOT23 2.7V/µs 5MH to 2pA 1.8V 45µA PCMCIA PDA AD8515 1.8Vto SOT23-5L AD8515 5MHz 1.8V1mV to 2.7V/µs ASIC
M51995AP/AFP データシート
お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 21 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)
Cyclone IIIデバイスのI/O機能
7. Cyclone III I/O CIII51003-1.0 2 Cyclone III I/O 1 I/O 1 I/O Cyclone III I/O FPGA I/O I/O On-Chip Termination OCT Quartus II I/O Cyclone III I/O Cyclone III LAB I/O IOE I/O I/O IOE I/O 5 Cyclone III
PowerPoint プレゼンテーション
東北大学サイクロトロン ラジオアイソトープセンター測定器研究部内山愛子 2 電子の永久電気双極子能率 EDM : Permanent Electric Dipole Moment 電子のスピン方向に沿って生じる電気双極子能率 標準模型 (SM): クォークを介した高次の効果で電子 EDM ( d e ) が発現 d e SM < 10 38 ecm M. Pospelov and A. Ritz,
hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに
Microsoft PowerPoint - 藤田保険衛生大学
質量分析セミナー autoflex III LRF 韮澤崇 Bruker Daltonics K.K. MALDI Matrix Assisted Laser Desorption / Ionization マトリックス支援レーザー脱離イオン化 2 MALDI の基本原理 Matrix と Sample の混合結晶 LASER による Matrix の励起 脱離およびイオン化 ( プロトン化 ) LASER
LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifi(jp)
LMV851,LMV852,LMV854 LMV851/LMV852/LMV854 8 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers Literature Number: JAJSAM3 LMV851/LMV852/LMV854 8MHz CMOS EMI LMV851/LMV852/LMV854 CMOS IC 40 125 LMV851/
21 1 1 1 2 2 5 7 9 11 13 13 14 18 18 20 28 28 29 31 31 34 35 35 36 37 37 38 39 40 56 66 74 89 99 - ------ ------ -------------- ---------------- 1 10 2-2 8 5 26 ( ) 15 3 4 19 62 2,000 26 26 5 3 30 1 13
推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)
精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単
DAC121S101/DAC121S101Q 12-Bit Micro Power, RRO Digital-to-Analog Converter (jp)
DAC121S101 DAC121S101/DAC121S101Q 12-Bit Micro Power, RRO Digital-to-Analog Converter Literature Number: JAJSA89 DAC121S101 12 D/A DAC121S101 12 D/A (DAC) 2.7V 5.5V 3.6V 177 A 30MHz 3 SPI TM QSPI MICROWIRE
General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-
General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 324 V LM LMV321( )/LMV358( )/LMV324( ) General Purpose, Low Voltage, Rail-to-Rail Output Operational Amplifiers 358 LMV358/324 LM358/324
Microsoft PowerPoint - 山形大高野send ppt [互換モード]
, 2012 10 SCOPE, 2012 10 2 CDMA OFDMA OFDM SCOPE, 2012 10 OFDM 0-20 Relative Optical Power [db] -40-60 10 Gbps NRZ BPSK-SSB 36dB -80-20 -10 0 10 20 Relative Frequency [GHz] SSB SSB OFDM SSB SSB OFDM OFDM
uPC2745TB,uPC2746TB DS
Bipolar Analog Integrated Circuits 3 V IC µpc275tb, µpc27tb IC3 V V NESAT ft = 2 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 3.3 V µpc275tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc27tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc275tbisl = 38 db TYP.
untitled
COPAL ELECTRONICS 32 (DP) DP INC 2 3 3 RH RL RWB 32 C S U/D INC U/D CS 2 2 DP7114 32 SOIC CMOS 2.5 V - 6.0 V / 10 kω 50 kω 100 kω TSSOP MSOP /BFR INC / U/D RH RoHS GND RWB RL CS VCC 2017 6 15 1 : R = 2
LM2831 高周波数動作 1.5A 負荷 降圧型DC/DCレギュレータ
High Frequency 1.5A Load - Step-Down DC-DC Regulator Literature Number: JAJSAH7 1.5A DC/DC 5 SOT23 6 LLP PWM DC/DC DC/DC PCB 0.5 m BiCMOS 1.5A 130m PMOS 30ns 3V 5.5V 0.6V 550 khz 1.6MHz 3.0MHz 93% 30nA
0.1 I I : 0.2 I
1, 14 12 4 1 : 1 436 (445-6585), E-mail : [email protected] 0.1 I I 1. 2. 3. + 10 11 4. 12 1: 0.2 I + 0.3 2 1 109 1 14 3,4 0.6 ( 10 10, 2 11 10, 12/6( ) 3 12 4, 4 14 4 ) 0.6.1 I 1. 2. 3. 0.4 (1)
サーマル型 ( ロッカースイッチ ) 3130 特長 1~3 極対応のロッカースイッチ兼用サーキットプロテクタです 内部はトリップフリー構造になっており またスナップインになっているため 簡単に取付可能です オプションとしてランプ点灯も可能です CBE standard EN (IEC
特長 ~3 極対応のロッカースイッチ兼用サーキットプロテクタです 内部はトリップフリー構造になっており またスナップインになっているため 簡単に取付可能です オプションとしてランプ点灯も可能です CBE standard EN 609 (IEC 609) 取得製品です 用途 モータ トランス ソレノイド 事務機 電気器具 小型船舶 建設機械 医療機器 (EN6060) 値 / 内部抵抗値 ( 極当り
QCL_Accse_J.pdf
CW QCL HHL QCL TO-8 TEC * 1 (DC) * 3 TEC -8 A +8 A -1.9 A +1.9 A 24 V 24 V 8 A * 2 2.6 A * 2 NTC, 2 RTD 3 (Pt100) * 5 (W H D) -50 C +125 C / -50 C +150 C 0.01 C PID * 4 RS-232C, RS-424 0 C +40 C * 6-5
