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- しげじろう あかさか
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1 緑色 青色 InGaN 半導体レーザ励起モード同期 Ti:sapphire レーザの高出力化 Power scaling of mode-locked Ti:sapphire laser directly pumped with green and blue diode lasers 澤田亮太 (B4), 田中裕樹 (M2), 狩山了介 (M1), 保坂有杜 (M1) Ryota Sawada, Hiroki Tanaka, Ryosuke Kariyama, Aruto Hosaka Abstract We demonstrate a mode-locked Ti:sapphire laser pumped with green and blue diodes lasers. An max output power of 45mW is achieved in mode-locking with a SESAM (Semiconductor saturable absorber mirror). 1. はじめに Ti:sapphire (Ti:Al 2 O 3 ) 結晶は 660 nm から 1180 nm と非常に広い利得幅を持つ最も広く用いられている波長可変レーザー媒質であり, その最短パルス幅は 3 fs 以下と他の利得媒質を凌ぐものである.1982 年に初めて実験的にレーザ媒質として使用可能であることが実証されてからは現在までに精密分光, フェムト秒化学, 生物学的医薬品, テラヘルツ波発生など科学分野を支えてきた. 一般的な Ti:sapphire レーザの励起光源にはアルゴンイオンレーザや Nd:YVO 4 及び Yb ファイバーレーザの第二高調波が用いられる. しかし, これらの励起光源を用いることで Ti:sapphire レーザは高価かつ装置は大きなものになり, 実験装置としてより広く普及されるためには安価かつコンパクトである新たな励起光源が必要である. 近年, 青色 InGaN 半導体レーザ (Laser diode, LD) の高出力化に伴い,LD 直接励起 Ti:sapphire レーザによる超短パルス発生が実現されており, 安価かつ小型化されたモード同期 Ti:sapphire レーザ装置の実現が可能となりつつある. 同じく近赤外の超短パルスレーザの利得媒質には Cr:LiSAF, Cr:LiSGaF, Cr:LiCAF などのいわゆるクロムドープコルキライ ト (Cr:Colquiriites) 結晶があり, これらについても LD 直接励起超短パルス発生が既に実現している. しかし,Ti:sapphire 結晶の高出力に耐え得る優れた熱伝導性や高利得を得ることが可能な誘導放出断面積の大きさなどを考慮すると, 依然として Ti:sapphire 結晶の優位性は傑出している. 本研究室でも 2012 年に波長 451 nm,3.5 W 高出力青色半導体レーザで Ti:sapphire 結晶を励起し, チャープミラーを用いて分散補償を行うことでモード同期動作を達成している [1]. また, 翌年には Ti:sapphire 結晶の吸収ピークにより近い波長である,518 nm の 1 W 高出力緑色半導体レーザを励起光源に用いたモード同期動作を実現している [2]. 本研究では, 励起光源に緑色半導体レーザ 2 台, もしくは緑 青色半導体レーザを 1 台ずつ用いて励起出力を拡張することでモード同期 Ti:sapphire レーザの高出力化を目的としている. また, 先行研究よりも結晶長を短く [3], 励起光のスポットサイズを小さく設計することによって発振閾値を下げ, かつモード整合を良くしようと試みた. また, 高出力化のためには励起出力を上げた際の SESAM (Semiconductor saturable absorber mirror) での集光特性, 共振器内分散の変化,SESAM を用いない Kerr lens mode-locking (KLM) の可能性に関する知見も重要である. 2. 実験セットアップ Fig. 1 に緑色半導体レーザ 2 台励起 Ti:sapphire レーザの実験セットアップを示す. 励起光源には最大出力 1 W の緑色 InGaN 半導体レーザ ( 日亜化学工
2 業製 ) を 2 台用いた. 動作波長はそれぞれ 518 nm, 520 nm であり, エミッタサイズとビームの広がり角から計算されるビーム品質 M 2 = である. 各 LD から出射されたビームは, シリンドリカルレンズによって遅軸方向に広げてレンズで集光することで, 結晶両側からの励起を行っている. Ti:sapphire 結晶はブリュースターカット, チタンドープ率 0.25 wt%,fom = 200, 結晶長 2.5 mm (Castech 製 ) のものを用いた. 分散補償はチャープミラー (Layertec 製 )2 枚によって行い, 平面 凹面チャープミラーで 1 回反射あたりに付与される群遅延分散 (GDD, group delay dispersion) はそれぞれ -150±30 fs 2 と-120±40 fs 2 である. 結晶両サイドのダイクロイック凹面鏡対と SESAM への集光に用いられる凹面チャープミラーの曲率半径は 50 mm, また, 取り出し鏡 (OC, output coupler) の透過率は 2.5 % である. もう片方のエンドミラーには CW 動作の際は高反射鏡 (HR, high reflection mirror) を用い, モード同期動作の際は SESAM を用いている. SESAM の反射率は非飽和時, 飽和時でそれぞれ 99 %,99.5 %, 回復時間は 1~10 ps, 飽和フルエンスは 30~50 µj/cm 2 である. 共振器長は 1.2 m である. Fig. 1 Schematic of Ti:sapphire laser pumped directly with double green diode lasers. Fig. 2 に緑 青色半導体レーザ励起 Ti:sapphire レーザの実験セットアップを示す. 励起光源には Fig. 1 の緑色 InGaN 半導体レーザ (518 nm) と最大出力 3.5 W 青色 InGaN 半導体レーザ ( 日亜化学工業製 ) を用いた. 青色 LD の波長は 451 nm であり, ビー ム品質 M 2 = である. 各 LD から出射されたビームはシリンドリカルレンズによって遅軸方向に広げた後, ダイクロイックミラーによって合波されている. 共振器長は 1.2 m であり, 共振器内のミラーは Fig. 1 に GDD -60 fs 2 の平面チャープミラー (Newport 製 ) を加えた条件となっている.Fig. 1, Fig. 2 において, 励起光の結晶中でのスポット半径は緑色 LD が 6 22 µm, 青色 LD が 6 20 µm であり, 共振器モードとのモードマッチングはそれぞれ 63 %,43 % である. 凹面ミラーでの折り返し角度は非点収差を考慮して 8 とした. Fig. 2 Schematic of Ti:sapphire laser pumped directly with green and blue diode lasers. 3. 実験結果 3.1 緑色 LD 2 台励起 Ti:sapphire レーザ本実験において,CW 動作および SESAM を用いたモード同期動作を達成した.CW 動作では最大吸収パワー 1084 mw のときに最大出力 93 mw を得た. 発振閾値は 205 mw, スロープ効率は 10.4 % であった. このときの入出力特性を Fig. 3 に示す. 青色 LD 励起 Ti:sapphire レーザの先行研究では,Roth らが結晶長 5.2 mm の Ti:sapphire 結晶と出力 1 W の LD 2 台を励起光源に用いて,CW 動作で最大出力 159 mw を達成している [3].Roth らの実験結果では発振閾値 480 mw, スロープ効率 11.2 %, 吸収パワー 1800mW である. 我々の実験と比べると, 発振閾値とスロープ効率は同程度であるが, 吸収パワーに
3 おいて大きく異なっている. これはモードマッチングを良くするために結晶長を先行研究よりも短くしたことが原因である. この吸収パワーの差によって, 先行研究を超える出力を得ることが出来なかったと考えられる. 考えられる. ML Fig. 4 Plot of output power of Ti:sapphire laser pumped with green diode lasers in mode-locked operation. Fig. 3 Plot of output power of Ti:sapphire laser pumped with green diode lasers in CW operation. SESAM を用いたモード同期動作では,Fig. 4 に示すように最大出力 45 mw, スロープ効率 6.8 % という結果を得た. シングルパルス発振であり, 繰り返し周波数は 121 MHz であった.Fig. 4 において, 点線より右側でモード同期動作を観測することができた. このとき,Fig. 5 に示すように中心波長 806 nm, スペクトル幅 10.4 nm (FWHM) であった. また, 出力 45 mw でモード同期が掛かっている状態から励起光出力を下げていったときのスペクトル変化を観察した結果を Fig. 6 に示す. スペクトルは励起光出力に対応して狭くなっていくことから, パルスのピークパワーに依存する自己位相変調によってスペクトルが変化していることがわかる. モード同期が外れた時点でスペクトルは短波長側に移動しており, 今回の実験ではモード同期動作は CW 成分の利得が高いスペクトルの範囲とは別の場所で起こることも確認できた. これはモード同期時の発振波長が SESAM によって選択されているためだと Fig. 5 Spectrum of output pulses at maximum output Fig. 6 Spectrum transition corresponding to input
4 自己相関波形はオートコリレータ (Scanning Autocorrelator MODEL 750, FEMTOWAVE 製 ) により測定した. このときの自己相関波形を Fig. 7 に示す. フリンジ分解自己相関波形より背景強度値と最大強度値の比が 1:8 であり FTL パルスであることがわかる. また, フリンジ分解自己相関波形のパルス幅は 114 fs であり,sech 2 型 FTL パルスを仮定すると, その時間幅は 74 fs (FWHM) となる. 一方, スペクトル幅 10.4 nm から求められる sech 2 型 FTL パルスの時間幅は 66 fs となり, 自己相関波形から求まる時間幅とおおよそ一致した. 的に得られたスロープ効率は 3.7 % であり, 量子効率やモードマッチングを考慮した上でさらなるスロープ効率の減少が観測された. この原因として, Roth らが指摘した励起誘起吸収の影響が考えられる [4]. これによって緑 2 台励起の実験よりも吸収パワーが大きいにもかかわらず,CW で最大出力 82 mw と緑 2 台励起の 93 mw よりも悪い結果になった. モード同期動作では, 最大出力 34 mw でシングルパルス発振が観測された. このときの Fig. 9 に示されるように, スペクトル幅は 11.4 nm であった. これ以上出力が高くなるとマルチパルスになり, 安定的なモード同期が得られなかった. このマルチパルス化は, 励起光が強くなったことによって自己位相変調の効果が強くなったことや,SESAM での集光が強すぎることなどが原因として考えられる. Fig. 7 Interferometric autocorrelation of the pulses at maximum output 3.2 青 緑色 LD 励起 Ti:sapphire レーザ本実験においても,CW 動作および SESAM を用いたモード同期動作を達成した.CW 動作では最大吸収パワー 2121 mw のときに最大出力 82 mw を得た. このときの入出力特性を Fig. 8 に示す.Fig. 8 において, 励起光出力を青色 LD から下げていった場合と緑色 LD から下げていった場合で入出力特性が異なっている.Table 1 に励起光の特性を示す. 青の励起光のスロープ効率は, 緑の励起光のスロープ効率とそれぞれの量子効率, モードマッチングの比率から求めることが出来る. このとき求められる青の励起光のスロープ効率は 6.1 % であるが, 実験 Fig. 8 Plot of output power of Ti:sapphire laser pumped with green and blue diode lasers in CW operation. Table 1 Characteristic of green and blue pump beams
5 Fig. 9 Spectrum of output pulses at maximum output 4. まとめ緑色 青色 LD を用いた LD 直接励起 Ti:sapphire レーザの高出力化に成功した. 短い結晶を用いることで, 閾値を下げつつもモードマッチングを良くすることができた. 励起光出力を上げた場合,SESAM での集光が強くなることや自己位相変調の効果が大きくなる影響でマルチパルス化することがわかった. References [1] S. Sawai et al. "An InGaN diode-laser pumped Ti:Sapphire laser." ALPS 13, Yokohama, Apr (2013). [2] S. Sawai, et al. "Demonstration of a Ti:sapphire mode-locked laser pumped directly with a green diode laser." Appl. Phy. Express 7, (2014). [3] PW. Roth et al. "Power scaling of a directly diode-laser-pumped Ti: sapphire laser." Opt. Express 20, (2012). [4] PW. Roth et al. "Directly diode-laser-pumped Ti: sapphire laser." Opt. Lett (2009).
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平成 28 年 10 月 25 日 報道機関各位 東北大学大学院工学研究科 熱ふく射スペクトル制御に基づく高効率な太陽熱光起電力発電システムを開発 世界トップレベルの発電効率を達成 概要 東北大学大学院工学研究科の湯上浩雄 ( 機械機能創成専攻教授 ) 清水信 ( 同専攻助教 ) および小桧山朝華 ( 同専攻博士課程学生 ) の研究グループは 幅広い波長の光を含む太陽光を 太陽電池に最適な波長の熱ふく射
Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて
Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて発生する軸上色収差 倍率色収差を抑えた光学設計を行い 焦点距離が異なったレンズを使用しても RGB 個々の焦点位置がレンズ間で同じ位置になるよう設計されている
2 1,384,000 2,000,000 1,296,211 1,793,925 38,000 54,500 27,804 43,187 41,000 60,000 31,776 49,017 8,781 18,663 25,000 35,300 3 4 5 6 1,296,211 1,793,925 27,804 43,187 1,275,648 1,753,306 29,387 43,025
アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用
アナログ回路 I 参考資料 2014.04.27 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用いて再現することである 従って LTspice の使用方法などの詳細は 各自で調査する必要があります
3. 測定方法 測定系統図 測定風景写真
ワンセグ切り出し方式室内実験結果 北日本放送株式会社 目的 ワンセグ切り出し方式の 固定受信への影響軽減 を検証 1. 内容 SFN 干渉による固定受信への影響について以下を測定し比較する フルセグ( 希望波 ) にフルセグ ( 再送信波 ) が重なった時の (B 階層 ) のC/N フルセグ( 希望波 ) にワンセグ切り出し ( 再送信波 ) が重なった時の (B 階層 ) のC/N 2. 被測定装置
空間光変調器を用いた擬似振幅変調ホログラムによる光の空間モード変換 1. 研究目的 宮本研究室北谷拓磨 本研究は 中心に近づく程回折効率が小さくなるホログラムを作製し 空間光変調器 (spatial light modulator SLM) を用いて 1 次のラゲールガウスビーム (LG ビーム )
空間光変調器を用いた擬似振幅変調ホログラムによる光の空間モード変換 1. 研究目的 宮本研究室北谷拓磨 本研究は 中心に近づく程回折効率が小さくなるホログラムを作製し 空間光変調器 (spatial light modulator SLM) を用いて 1 次のラゲールガウスビーム (LG ビーム ) を正確に発生させることを目的とする このようなホログラムはまた 光子の軌道角運動量状態および軌道角運動量重ね合わせ状態の柔軟な検出及び操作を実現することが期待される
質問 レーザーとは何か? 準位レーザーで反転分布が作れないのはなぜ? なぜ誘導放出という現象が起こる? レーザーの原理には量子力学が必要? 誘導放出光 自然放出光の特徴は? 実験ではどのように観測できるか?
物理学実験 3 レーザー レーザーとは何か 誘導放出とは? レーザー発振 質問 レーザーとは何か? 準位レーザーで反転分布が作れないのはなぜ? なぜ誘導放出という現象が起こる? レーザーの原理には量子力学が必要? 誘導放出光 自然放出光の特徴は? 実験ではどのように観測できるか? レーザー光の強さはどのくらい? レーザーポインター
ここまで進化した! 外観検査システムの今 表 2 2 焦点ラインスキャンカメラ製品仕様 項目 仕 様 ラインセンサ 4K ラインセンサ 2 光学系 ビームスプリッター (F2.8) ピクセルサイズ 7μm 7μm, 4096 pixels 波長帯域 400nm ~ 900nm 感度 可視光 : 量子
2 焦点ラインスキャンカメラ 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムによる分光を用いた特殊カメラ 専用レンズの製造販売を行っている 本稿では プルズム分光技術を使用し 可視領域で異なる 2 面に焦点を結ぶようにラインセンサを配置した 2 焦点ラインスキャンカメラ ( 写真 1) および専用レンズについて紹介する 1 開発の経緯と技術的特長 透明物体の表面と裏面の画像を同時に取得する また 凹凸のある製品
観測設定 送信周波数 送信周波数 送信電力 frequency of H frequency of V H Freq_H Hz float frequency of H Freq_V Hz float frequency of V Pt_H mw float H 1 もしくは MHz 単 位 1 も
レーダ観測パラメータ名 ( 案 ) H 水平偏波, horizontally polarized wave V 垂直偏波, vertically polarized wave レーダ情報 観測情報 21/12/2 尾上万里子 日本語名 英語名 変数名 単位 データ型 long name 次元 scale factor offset 備考 レーダサイトの緯度 latitude of R_LAT degree
古河電工時報 第134号
小特集 光通信 High Power AlGaInAs/InP Widely Wavelength Tunable Laser 岩井則広 * 1 Norihiro Iwai 若葉昌布 * 1 Masaki Wakaba 清田和明 * 3 Kazuaki Kiyota 黒部立郎 * 1 Tatsuro Kurobe 小林剛 * 4 Go Kobayashi 木本竜也 * 3 Tatsuya Kimoto
フジクラ技報 第126号
単一偏波ファイバレーザを用いた波長変換技術とその応用 光応用製品事業推進室高橋尚平 1 堀本啓一 1 嶋津啓介 1 金子亨 1 西村文比古 2 石橋健一 2 3 金田恵司 4 株式会社青森フジクラ金矢福士智己 Wavelength Conversion Technology utilizing Linearly-Polarized Fiber Laser and its Application S.
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年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm
レーザー点火向け808 nm帯高出力VCSELファイバー結合型モジュールの開発 | Ricoh Technical Report No.42
レーザー点火向け 808 nm 帯高出力 VCSEL ファイバー結合型 モジュールの開発 808nm Range High-power Fiber-coupled VCSEL Module for Laser Ignition 泉谷一磨 大倉佑介 沼田雅之 新井伸幸 池田圭介 Kazuma IZUMIYA Yusuke OHKURA Masayuki NUMATA Nobuyuki ARAI Keisuke
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, 2012 10 SCOPE, 2012 10 2 CDMA OFDMA OFDM SCOPE, 2012 10 OFDM 0-20 Relative Optical Power [db] -40-60 10 Gbps NRZ BPSK-SSB 36dB -80-20 -10 0 10 20 Relative Frequency [GHz] SSB SSB OFDM SSB SSB OFDM OFDM
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光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する
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別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)
DUVレーザによる微細加工技術開発,三菱重工技報 Vol.53 No.4(2016)
新製品 新技術特集技術論文 57 DUV レーザによる微細加工技術開発 Development of Microfabrication Technology by DUV Laser *1 今宮悠治 *1 赤間知 Yuji Imamiya Satoru Akama *2 藤田善仁 *3 二井谷春彦 Yoshihito Fujita Haruhiko Niitani 近年, レーザ加工技術は目覚ましく進展しており,
AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん
特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください
NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄
3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)
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超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.
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同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 超高輝度 ハイパワー白色光源に適した YAG 単結晶蛍光体を開発 - レーザーヘッドライトなど LED 光源では困難な超高輝度製品への応用に期待 - 配布日時 : 平成 27 年 4 月 13 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構株式会社タムラ製作所株式会社光波 概要 1.
光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE
外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000
USB
2 2018 3 9 icrr granite yuzuru930sakai(at)gmail.com 1 http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/masterthesis.pdf http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/masterthesis0.pdf 2017 Lorentz http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/2017-03
絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度
3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA
