PrimePACK 3+ モジュール トレンチ / フィールドストップ IGBT5and エミッターコントロール 5diode 内蔵 and NTC サーミスタ PrimePACK 3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandNTC CES = 7 IC nom = A / ICRM = 3A 一般応用 TypicalApplications ハイパワーコンバータ Highpowerconverters モーター駆動 Motordrives 電鉄駆動 Tractiondrives 風力タービン Windturbines 電気的特性 ElectricalFeatures 拡張された動作温度 Tvjop ExtendedoperatingtemperatureTvjop 高い電流密度 Highcurrentdensity 低スイッチング損失 Lowswitchinglosses 低 CEsat 飽和電圧 LowCEsat Tvjop=75 C Tvjop=75 C 機械的特性 MechanicalFeatures CTI( 比較トラッキング指数 )>のモジュールパッケージ PackagewithCTI> 長い縁面 / 空間距離 Highcreepageandclearancedistances 高いパワー / サーマルサイクル耐量 Highpowerandthermalcyclingcapability 高いパワー密度 Highpowerdensity ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit -5 6-2-9 2-2 22-23 Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument 3.2 www.infineon.com
IGBT- インバータ /IGBT,Inverter 最大定格 /MaximumRatedalues コレクタ エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage 連続 DC コレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent ゲート エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage CES 7 TC = 85 C, Tvj max = 75 C IC nom A tp = ms ICRM 3 A GES +/-2 電気的特性 /Characteristicalues min. typ. max. コレクタ エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage ゲート エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage ゲート電荷量 Gatecharge 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor 入力容量 Inputcapacitance 帰還容量 Reversetransfercapacitance コレクタ エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent ゲート エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent ターンオン遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-ondelaytime,inductiveload ターンオン上昇時間 ( 誘導負荷 ) Risetime,inductiveload ターンオフ遅れ時間 ( 誘導負荷 ) Turn-offdelaytime,inductiveload ターンオフ下降時間 ( 誘導負荷 ) Falltime,inductiveload ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse 短絡電流 SCdata ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IC = A, GE = 5 IC = A, GE = 5 IC = A, GE = 5 CE sat,75 2, 2,3 2,2 2,65 2,9 IC = 64, ma, CE = GE, GEth 5,35 5,8 6,25 GE = -5... +5 QG 9, µc RGint,8 Ω f = MHz,, CE = 25, GE = Cies 5 nf f = MHz,, CE = 25, GE = Cres 3,2 nf CE = 7, GE =, ICES 5, ma CE =, GE = 2, IGES na IC = A, CE = 9 GE = ±5 RGon =,56 Ω IC = A, CE = 9 GE = ±5 RGon =,56 Ω IC = A, CE = 9 GE = ±5 RGoff =,68 Ω IC = A, CE = 9 GE = ±5 RGoff =,68 Ω IC = A, CE = 9, LS = 3 nh GE = ±5, di/dt = 9 A/ () RGon =,56 Ω IC = A, CE = 9, LS = 3 nh GE = ±5, du/dt = 25 / () RGoff =,68 Ω GE 5, CC = CEmax = CES -LsCE di/dt tp, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,3,33,34,7,8,9,7,8,85,4,8,2 45 725 485 68 78 7 A IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt RthJC 6,5 K/kW IGBT 部 ( 素子当り )/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH 4, K/kW Tvj op -4 75 C Datasheet 2 3.2
Diode インバータ /Diode,Inverter 最大定格 /MaximumRatedalues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage 連続 DC 電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent 電流二乗時間積 I²t-value 最大損失 Maximumpowerdissipation RRM 7 IF A tp = ms IFRM 3 A R =, tp = ms, R =, tp = ms, I²t 73 65 ka²s ka²s PRQM kw 電気的特性 /Characteristicalues min. typ. max. 順電圧 Forwardvoltage ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent 逆回復電荷量 Recoveredcharge 逆回復損失 Reverserecoveryenergy ジャンクション ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase ケース ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions IF = A, GE = IF = A, GE = IF = A, GE = IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj=75 C) R = 9 GE = -5 IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj=75 C) R = 9 GE = -5 IF = A, - dif/dt = 9 A/ (Tvj=75 C) R = 9 GE = -5 F IRM Qr Erec,75,7,7 35 35 62 8 6 365 48 2, 2,5 2,5 /Diode( 素子当り )/perdiode RthJC 33, K/kW /Diode( 素子当り )/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) A A A µc µc µc RthCH 7, K/kW Tvj op -4 75 C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性 /Characteristicalues min. typ. max. 定格抵抗値 Ratedresistance R の偏差 DeviationofR 損失 Powerdissipation B- 定数 B-value B- 定数 B-value B- 定数 B-value 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TNTC = 25 C R25 5, kω TNTC = C, R = 493 Ω R/R -5 5 % TNTC = 25 C P25 2, mw R2 = R25 exp [B25/5(/T2 - /(298,5 K))] B25/5 3375 K R2 = R25 exp [B25/8(/T2 - /(298,5 K))] B25/8 34 K R2 = R25 exp [B25/(/T2 - /(298,5 K))] B25/ 3433 K Datasheet 3 3.2
モジュール /Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 沿面距離 Creepagedistance 空間距離 Clearance 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip 保存温度 Storagetemperature 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 質量 Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. ISOL 4, k 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal 連絡方法 - ヒートシンク /terminaltoheatsink 連絡方法 - 連絡方法 /terminaltoterminal Cu 33, 33, 9, 9, CTI > min. typ. max. mm mm LsCE nh TC=25 C,/ スイッチ /perswitch RCC'+EE', mω 取り付けネジ M5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジ M4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジ M8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote Tstg -4 5 C M 3, 6, Nm M,8 8, - - 2, Nm Nm G g Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur TBPmax = 5 C Maximum baseplate operation temperature TBPmax = 5 C Datasheet 4 3.2
出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) GE=5 IC [A] 3 3 3 2 2 2 Tvj = 5 C,,4,8,2,6 2, 2,4 2,8 3,2 3,6 CE [] 出力特性 IGBT- インバータ (Typical) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(CE) Tvj=75 C IC [A] 3 3 3 2 2 2 GE = 2 GE = 5 GE = 2 GE = GE = 9 GE = 8,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, CE [] 伝達特性 IGBT- インバータ (Typical) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(GE) CE=2 IC [A] 3 3 3 2 2 2 Tvj = 5 C 5 6 7 8 9 2 GE [] スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) GE=±5,RGon=.56Ω,RGoff=.68Ω,CE=9 E [] Eon, Tvj = 5 C Eon, Eoff, Tvj = 5 C Eoff, 3 IC [A] Datasheet 5 3.2
スイッチング損失 IGBT- インバータ (Typical) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) GE=±5,IC=A,CE=9 過渡熱インピーダンス IGBT- インバータ transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJC=f(t) 2 2 Eon, Tvj = 5 C Eon, Eoff, Tvj = 5 C Eoff, ZthJC : IGBT 2 E [] ZthJC [K/kW],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, RG [Ω] i: ri[k/kw]: τi[s]: 3,5,222 2 6,26,52 3 6,26,52 4,836,7,,,, t [s] 逆バイアス安全動作領域 IGBT- インバータ (RBSOA)) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbsoa) IC=f(CE) GE=±5,RGoff=.68Ω,Tvj=75 C IC [A] 4 3 IC, Modul IC, Chip CE [] 順電圧特性 Diode インバータ (typical) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(F) IF [A] 3 3 3 2 2 2 Tvj = 5 C,,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 F [] Datasheet 6 3.2
スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.56Ω,CE=9 スイッチング損失 Diode インバータ (Typical) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=A,CE=9 Erec, Tvj = 5 C Erec, 65 Erec, Tvj = 5 C Erec, 5 55 5 45 E [] 3 E [] 35 3 25 5 5 3 IF [A],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, 5,5 6, RG [Ω] 過渡熱インピーダンス Diode インバータ transientthermalimpedancediode,inverter ZthJC=f(t) 安全動作領域 Diode インバータ (SOA) safeoperationareadiode,inverter(soa) IR=f(R) Tvj=5 C ZthJC : Diode IR, Modul 35 25 ZthJC [K/kW] IR [A] 5 i: ri[k/kw]: τi[s]: 2,4,22 2 2,4,384 3 6,3,66 4 2,89 2,5 5,,, t [s] R [] Datasheet 7 3.2
NTC- サーミスタ サーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) Rtyp R[Ω] 25 5 75 25 5 TC [ C] Datasheet 8 3.2
,8,3 (8x) 3,8 (8x) 25,,3 (2x) 22,,3 (2x) 37 39 73 (6x) 回路図 /Circuitdiagram 8 7 6 5 4 3 2 パッケージ概要 /Packageoutlines 36,2 (2x) 8, (8x) 8,2 (4x) F A 25 E recommended design height lower side bus bar to baseplate 38,25,25 7,5 +,5 screwing depth max. 8mm (8x) 24 6 58 76 3 5 87 224 M8 (8x),8ABC 8x 5,5 -,2 (4x),5ABC 4x D max. 3 23,6,3 89,5 screwing depth max. 6mm (8x) C 2,6,3 B recommended design height lower side PCB to baseplate max. 2 26,25 B ( 5,5) 4 25 39 M4 (8x) 64 78 92,8ABC 8x 3 7 56 95 234 ( 5,5) C Kanten: ISO 375 Zul. Abweichung: Oberfläche: Maßstab: : ISO 2768 - mk EN ISO 32 Werkstoff: Mat.-Nr.: 32 ba A 8 7 6 5 4 Datum Name Bearb. 6.3.25 EU\froebusd Gepr. 7.6.25 EU\noellem Norm 2 Korrektur 2..25 RöM Korrektur 26.8.25 RöM Revision Änderungen Datum Name 3 Dokumentstatus: Serienfreigabe Benennung: Modul Datenblattskizze PP3+ D6272 Revision: Modell: A6269 Ersatz für: D46423_ Ersetzt durch: 2 2 Alle Rechte bei INFINEON TECHNOLOGIES AG, auch für den Fall von Schutzrechtanmeld Blat Datasheet 9 3.2
TrademarksofInfineonTechnologiesAG µhic,µipm,µpfc,au-convertir,aurix,c66,canpak,cipos,cipurse,cooldp,coolgan,coolir, CoolMOS,CoolSET,CoolSiC,DAE,DI-POL,DirectFET,DrBlade,EasyPIM,EconoBRIDGE,EconoDUAL, EconoPACK,EconoPIM,EiceDRIER,eupec,FCOS,GaNpowIR,HEXFET,HITFET,HybridPACK,iMOTION, IRAM,ISOFACE,IsoPACK,LEDrivIR,LITIX,MIPAQ,ModSTACK,my-d,NovalithIC,OPTIGA,OptiMOS, ORIGA,PowIRaudio,PowIRStage,PrimePACK,PrimeSTACK,PROFET,PRO-SIL,RASIC,REAL3,SmartLEWIS, SOLIDFLASH,SPOC,StrongIRFET,SupIRBuck,TEMPFET,TRENCHSTOP,TriCore,UHIC,XHP,XMC TrademarksupdatedNovember25 OtherTrademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition Publishedby InfineonTechnologiesAG 8726München,Germany 27InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com 重要事項 本文書に記載された情報は いかなる場合も 条件または特性の保証とみなされるものではありません ( 品質の保証 ) 本文に記された一切の事例 手引き もしくは一般的価値 および / または本製品の用途に関する一切の情報に関し インフィニオンテクノロジーズ ( 以下 インフィニオン ) はここに 第三者の知的所有権の不侵害の保証を含むがこれに限らず あらゆる種類の一切の保証および責任を否定いたします さらに 本文書に記載された一切の情報は お客様の用途におけるお客様の製品およびインフィニオン製品の一切の使用に関し 本文書に記載された義務ならびに一切の関連する法的要件 規範 および基準をお客様が遵守することを条件としています 本文書に含まれるデータは 技術的訓練を受けた従業員のみを対象としています 本製品の対象用途への適合性 およびこれら用途に関連して本文書に記載された製品情報の完全性についての評価は お客様の技術部門の責任にて実施してください 本製品 技術 納品条件 および価格についての詳しい情報は インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください (www.infineon.com) 警告事項 技術的要件に伴い 製品には危険物質が含まれる可能性があります 当該種別の詳細については インフィニオンの最寄りの営業所までお問い合わせください インフィニオンの正式代表者が署名した書面を通じ インフィニオンによる明示の承認が存在する場合を除き インフィニオンの製品は 当該製品の障害またはその使用に関する一切の結果が 合理的に人的傷害を招く恐れのある一切の用途に使用することはできないこと予めご了承ください IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ( Beschaffenheitsgarantie ).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,infineontechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer sproductsandanyuseoftheproductofinfineontechnologies incustomer sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestinfineontechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.