10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi (b) SF 6 (c) Evaporation 50 deg Al Chalcogenide glass Chalcogenide glass RIE (e) CHF 3 2 (f) (d) t
WSi SF 6 WSi WSi CHF 3 SEM 3 500nm 280nm 3 253 C 3.8MPa90 4 500nm260nm 2.7 60% 7 89 GC8 500nm230nm GC 3μm1.94μm 9 Al SEM 1011 10 100nm Al Al 3μm1.55μm 11 12 12 9.5μm 10% 3 500nm 54 Al SEM 500nm 80 4 SEM 500nm 4 Al Al 5 6 59μm Al 60% 20dB :=1:100 4μm Al Transmittance (%) 60 40 20 0 Substrate 2 4 6 8 10 12 Wavelength (μm) 6
偏光機能 カルコゲナイド ガラス 反射防止機能 Transmittance (%) 100 80 Substrate 60 40 20 0 GC 図 7 両面インプリント加工 図 8 モールド 周期 500nm 図 9 GC モールド 周期 3μm 図 10 成形したカルコゲガラスに Al を蒸着 した表面写真 周期 500nm 6 7 8 9 10 11 12 Wavelength (μm) 図 12 基板と両面インプリント加工した 試料の透過スペクトル ５おわりに カルコゲナイドガラスへのインプリント 加工 および赤外用ワイヤグリッド偏光子の 作製を行った紫外レーザーを使用した露光 法とドライエッチングを用いて 赤外光の波 長よりも小さな周期の格子構造を有するモ ールドを作製し カルコゲナイドガラスへの インプリント加工を行うことができたさら に Al 蒸着を行うことにより 製品レベルの 消光比を持つ赤外用偏光子を得ることに成 功したまた 両面インプリント加工より 反射防止構造を付加した偏光子の作製も行 うことができた今後 両面インプリント加 工技術を活用することにより 複合機能を持 つ赤外デバイスの作製ができると考えてい る ６主な発表論文等 雑誌論文 計６件 1. I. Yamada, N. Yamashita, T. Einishi, M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Design and fabrication of an achromatic infrared wave plate with Sb Ge Sn S system chalcogenide glass", Appl. Opt., vol. 52, pp. 1377 1382 (2013). 2. M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Infrared wire-grid polarizer with antireflection structure by imprinting on both sides", Appl. Phys. Express, vol. 5, 082502 (2012). 3. M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Fabrication of achromatic infrared wave plate by direct imprinting process on chalcogenide glass", Appl. Phys. Express, vol. 5, 072601 (2012). 4. M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Infrared polarizer fabrication by imprinting on Sb-Ge-Sn-S chalcogenide Glass", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 51, 012201 (2012). 5. M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Fabrication of a mid-ir wire-grid polarizer 図 11 Al 格子の裏面の表面写真 周期 3μm
by direct imprinting on chalcogenide glass", Opt. Lett., vol. 36, pp. 3882 3884 (2011). 6. I. Yamada, K. Fukumi, J. Nishii, and M. Saito, "Near-infrared polarizer with tungsten silicide wire grids", Jpn. J. Appl. Phys., vol. 50, 012502 (2011). 1. " "25 30Ba-6 2013 12 p.44. 2. "Sb-Ge-Sn-S "54 PB-14 2013 11 pp. 62-63. 3. " "22 14pP2 2013 11 14pP2. 4. T. Ishihara, I. Yamada, J. Yanagisawa, K. Koyama, T. Inoue, J. Nishii, and M. Saito, "Fabrication of silicone grating using a photoimprinted polymer mold and period control by mechanical distortion", International Conference on Solid State Devices and Materials, (Fukuoka, Japan, September 24-27, 2013). 5. " "74 17a-P10-6 2013 9 03-017. 6. " "74 19a-C13-4 2013 9 03-035. 7. I. Yamada, N. Yamashita, T. Einishi, M. Saito, K. Fukumi, and J. Nishii, "Direct imprinting on chalcogenide glass and fabrication of infrared wire-grid polarizer", SPIE Conference Integrated Photonics: Materials, Devices, and Applications II, 8767 (Grenoble, France, April 24-26, 2013). 8. " " 21 23pP10 2012 10 23pP10. 9. " Sb-Ge-Sn-S "53 P1-18 2012 10 pp. 78-79. 10. " "73 13p-F3-4 2012 9 03-026. 11. I. Yamada, K. Fukumi, J. Nishii, and M. Saito, "Fabrication of near- or mid-infrared wire-grid polarizers with WSi wires", SPIE Conference Micro-Optics, 64141V (Brussels, Belgium, April 16 19, 2012). 12. " "72 30p-P12-4 2011 8 03-020. 1. " "2 3 pp. 78 86CMC 2013 4 2011-158045 2011.7.19