テクニカルノート TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 はじめに Comparing Micron and Spansion Flash Devices はじめに 本 テクニカルノートは Micron (32Mb または 64Mb) と Spansion フラッ シュ メモリ デバイスの 機 能 を 比 較 することを 目 的 としています 比 較 した 機 能 には メ モリ アーキテクチャ パッケージ オプション 信 号 説 明 コマンドセット 電 気 的 仕 様 デバイス 識 別 が 含 まれます 1 Products and specifications discussed herein are for evaluation and reference purposes only and are subject to change by Micron without notice. Products are only warranted by Micron to meet Micron's production data sheet specifications. All information discussed herein is provided on an "as is" basis, without warranties of any kind.
メモリ 配 列 アーキテクチャ 機 能 機 能 1-256 バイトのプログラミング 256 バイトまでのプログラミング セクタ 消 去 のユニフォーム (64KB) TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 メモリ 配 列 アーキテクチャ セクタ 消 去 と 一 括 消 去 のユニフォーム (64KB および 32KB) ユニフォームサブセクタ 消 去 (4KB) ユニフォームサブセクタ 消 去 (4KB) 1 注 : 1. サブセクタは ユニフォーム 64KB セクター デバイスのトップとボトム パラメータ ブロック のみを 消 去 します パッケージ 構 成 表 1: パッケージ 構 成 パッケージ 32Mb 64Mb 32Mb 64Mb VDFPN8 (8mm x 6mm MLP8) Yes Yes Yes TBGA24 (6mm x 8mm) Yes Yes VFDFPN8 (6mm x 5mm MLP) Yes Yes SO16 (300 mils(ミル) ボディ 幅 ) Yes Yes Yes Yes SO8W (SO8 208 mils(ミル) ボディ 幅 ) Yes Yes Yes Yes UFDFPN8 (4mm x 3mm MLP) Yes SO8N (SO8 150 mils(ミル) ボディ 幅 ) Yes 信 号 説 明 表 2: 信 号 説 明 信 号 信 号 タイプ 概 要 C SCK 入 力 シリアルクロック DQ0 SI 入 力 または I/O シリアルデータ 入 力 または I/O DQ1 SO 出 力 または I/O シリアルデータ 出 力 または I/O S# CS# 入 力 チップセレクト W/V PP /DQ2 WP#/ACC 入 力 または I/O 書 き 込 み 禁 止 / 強 化 プログラム 供 給 電 圧 / 追 加 データ I/O HOLD#/DQ3 HOLD# 入 力 または I/O HOLD または I/O V CC V CC 電 源 供 給 電 圧 V SS GND グランド グランド メモ: 1. クアッド I/O 操 作 中 デバイスは ENABLE QUAD I/O コマンドをクアッド I/O 機 能 に 送 信 しなければなりません 2. クアッド I/O 操 作 中 はクアッド I/O 機 能 向 けにビット (VCR または NVCR) を 設 定 しな ければなりません この 間 W および HOLD 信 号 は 機 能 します W および HOLD 信 号 は クアッド I/O 操 作 が 進 行 中 (QUAD OUTPUT FAST READ QUAD I/O FAST READ および QUAD INPUT FAST PROGRAM) の 時 だけ 機 能 しなくなります 2
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 コマンド コマンド 表 3: 対 応 コマンドセット コマンド 名 READ コマンド コード (セットアップ/ 確 認 ) コマンド コード (セットアップ/ 確 認 ) READ 03h 03h FAST READ 0Bh 0Bh DUAL OUTPUT FAST READ 3Bh 3Bh DUAL INPUT/OUTPUT FAST READ BBh BBh QUAD OUTPUT FAST READ 6Bh 6Bh QUAD INPUT/OUTPUT FAST READ EBh EBh READ DEVICE ID 9Fh/9Eh 9Fh 2 READ ELECTRONIC SIGNATURE N/A 90h 3 PROGRAM PAGE PROGRAM 02h 02h DUAL INPUT FAST PROGRAM A2h N/A 1 QUAD INPUT FAST PROGRAM 32h 32h ERASE BULK ERASE C7h C7h/60h 4 SECTOR ERASE 64KB D8h D8h SUBSECTOR ERASE 4KB 20h 20h SUBSECTOR ERASE 8KB N/A 40h 5 SUSPEND PROGRAM/ERASE SUSPEND 75h 75h PROGRAM/ERASE RESUME 7Ah 7Ah DEEP POWER-DOWN DEEP POWER-DOWN B9h B9h 6, 7 RELEASE FROM DEEP POWER-DOWN ABh A8h 6, 7 注 記 メモ: 1. では 対 応 していません 2. 9E h は では 対 応 していません で 9Eh によってアクセスされた CFI コンテン ツ 3. では 対 応 していません 4. 60h は では 対 応 していません 5. 40h は では 対 応 していません 6. 1.8V でのみ 対 応 3V では 対 応 していません 7. コマンドはデバイスを 低 消 費 電 力 モードにするために 使 用 されます READ コマンド と デバイスで 設 定 されている READ コマンドは 同 一 であり 各 デバイスと も 標 準 的 な 3 バイトアドレス プロトコルに 従 っています 3
XIP (Execute in Place) TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 コマンド ではダミー サイクル 読 み 取 りが 固 定 されていますが のダミー サイクルは 構 成 可 能 であり 不 揮 発 性 構 成 レジスタ (NVCR) のビット 12~15 または 揮 発 性 構 成 レ ジスタ (VCR) のビット 7~4 でコントロールすることができます と の 製 造 元 ID メモリ タイプ およびメモリ 容 量 は 9Fh コマンドを 発 行 して 読 み 出 しすることができます は 9Eh コマンドが 発 行 されると 同 一 のデータ を 出 力 します は 9Eh コマンドに 対 応 していません XIP (Execute in Place) 向 けのプロトコルは 両 デバイス 共 に 同 一 です XIP は 適 切 なラ イン アイテムを 選 択 または 正 しい 確 認 コマンドを 発 行 することで 構 成 することができ ます アプリケーション ノートの Forte フラッシュ メモリ デバイスでの XIP モードの 使 用 を 参 照 してください 図 1: XIP タイミング 構 成 S# Confirmation bits B7 B0 Mode 3 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 C Mode 0 I/O switches from Input to Output DQ0 20 16 12 8 4 0 4 0 4 0 4 0 4 DQ1 21 17 13 9 5 1 5 1 5 1 5 1 5 DQ2 22 18 14 10 6 2 6 2 6 2 6 2 6 DQ3 23 19 15 11 7 3 7 3 7 3 7 3 7 Dummy Dummy Byte 1 Byte 2 表 4: XIP 確 認 ビットソフトウェア コマンド XIP 確 認 ビット 開 始 / 確 認 XIP モード B4 = 0 (B7 to B5 and B3 to B0 = "Don't Care") B7 B3 and B6 B2 and B5 B1 and B4 B0 XIP モードを 終 了 B4 = 1 (B7 to B5 and B3 to B0 = "Don't Care") B7= B3 or B6 = B2 or B5 = B1 or B4 = B0 4
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 電 気 的 諸 特 性 電 気 的 諸 特 性 表 5: DC 電 流 特 性 パラメータ シンボル 最 小 最 大 最 小 最 大 スタンバイ 電 流 I CC1 100 100 µa 操 作 電 流 (FAST READ QUAD I/O) ユニット I CC3 20 38 ma 操 作 電 流 (PAGE PROGRAM) I CC4 20 26 ma 操 作 電 流 (WRITE STATUS REG- ISTER) I CC5 20 26 ma 操 作 電 流 (ERASE) I CC6 20 25 ma 表 6: DC 電 圧 仕 様 パラメータ シンボル 最 小 最 大 最 小 最 大 ユニット 入 力 低 電 圧 V IL 0.5 0.3 V CC 0.3 0.3 V CC V 入 力 高 電 圧 V IH 0.7 V CC V CC + 0.4 0.7 V CC V CC + 0.5 V CC V 出 力 低 電 圧 V OL 0.4-0.4 V 出 力 高 電 圧 V OH V CC - 0.2 V CC - 0.6 V 5
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 AC 特 性 AC 特 性 表 7: AC 仕 様 AC 仕 様 が 全 電 圧 範 囲 (2.7 3.6V) の 最 速 バージョンを 比 較 パラメータ シンボル 代 替 シンボル 最 小 最 大 最 小 最 大 ユニット クロック 周 波 数 (x1 FAST READ) f C f C 108 104 MHz クロック 周 波 数 (x2 x4 FAST READ) f C f C 108 80 MHz クロック 周 波 数 (READ) f R f R 54 40 MHz S# アクティブ セットアップ タ イム t SLCH t CSS 4 3 ns データ 入 力 セットアップ タイム t DVCH t SU 2 3 ns データ 入 力 ホールド タイム t CHDX t DH 3 2 ns 正 しい READ (ARRAY READ to ARRAY READ) の 後 に S# が 時 間 を 選 択 解 除 誤 った READ または 異 なる 指 示 (ERASE/PROGRAM から READ) の 後 に S#が 時 間 を 選 択 解 除 t SHSL t CSH 20 15 ns t SHSL t CSH 50 50 ns 出 力 無 効 タイム (2.7-3.6V) t SHQZ t DIS 8 10 ns クロック ローで 出 力 有 効 (30pF) t CLQV t V 7 12 ns 出 力 ホールド タイム t CLQX t HO 1 2 ns HOLD 出 力 Low- Z t HHQX t LZ 8 N/A N/A ns HOLD 出 力 High-Z t HLQZ t HZ 8 N/A N/A ns プログラムおよび 消 去 仕 様 表 8: プログラムおよび 消 去 仕 様 32Mb 64Mb 32Mb 64Mb 操 作 タイプ 最 大 タイプ 最 大 タイプ 最 大 タイプ 最 大 単 位 PAGE PROGRAM 0.5 5 0.5 5 1.5 3 1.4 5 ms SUBSECTOR ERASE 0.3 3 0.3 3 N/A N/A N/A N/A s SECTOR ERASE 0.7 3 0.7 3 0.6 3 6 3 s BULK ERASE 30 60 60 120 30 60 50 80 s 6
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 構 成 およびメモリマップ 構 成 およびメモリマップ 表 9: 密 度 別 セクタおよびサブセクタ 集 積 度 セクタ サブセクタ アドレス 範 囲 64 127 2047 7FFFFFh 7FF000h : : : 2032 7F0FFFh 7F0000h : : : : 32 63 1023 3FFFFFh 3FF000h : : : 1008 3F0FFFh 3F0000h : : : : 0 15 0FFFFh 0F000h : : : 4 04FFFh 04000h 3 03FFFh 03000h 2 02FFFh 02000h 1 01FFFh 01000h 0 00FFFh 00000h 7
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 デバイス 識 別 子 デバイス 識 別 子 製 造 元 識 別 子 は JEDEC によって 割 り 当 てられます 結 果 として と SST26WF デ バイスは 異 なる 製 造 元 ID とメモリ タイプ コードを 使 用 しています メモリ 容 量 コード は SST26WF は 128Mb シリアル フラッシュ デバイスを 提 供 しないために 異 なります コマンド 9Fh は 両 デバイスでこれらのコードを 読 み 込 むために 使 用 されます は 17 の 読 み 取 り 専 用 バイトで 構 成 される 固 有 ID (UID) を 持 っており これには 次 のデータが 含 まれます 第 1 のバイトは 10 hにセットされます 拡 張 デバイス ID の 次 の 2 バイトが デバイス 構 成 を 指 定 します (トップ ボトム また はユニフォーム アーキテクチャとホールドまたはリセット 機 能 ) 次 の 14 バイトには オプショナルのカスタマイズ ファクトリ データが 含 まれます カスタマイズ ファクトリ データ バイトは 工 場 でプログラムされています さらなる 詳 細 は のデータシートを 参 照 してください 表 10: 読 み 取 り 識 別 子 まとめ パラメータ コード コード 製 造 元 ID 20h 01h メモリ タイプ BAh N/A メモリ 容 量 17h (64Mb); 16h (32Mb) 02h, 16h (64Mb); 02h, 15h (32Mb) 注 : 1. 32Mb シリアル フラッシュ デバイスのみ 結 果 Micron と Spansion フラッシュ メモリ デバイスの 特 性 を 比 較 することで ユーザーが から へアプリケーションを 移 行 できるようになります 8
TN-12-15: と Spansion フラッシュ デバイスの 比 較 改 訂 履 歴 改 訂 履 歴 改 訂 A 10/10 初 期 リリース 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6, Boise, ID 83707-0006, Tel: 208-368-4000 www.micron.com/products/support Sales inquiries: 800-932-4992 Micron and the Micron logo are trademarks of Micron Technology, Inc. All other trademarks are the property of their respective owners. 9