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分析測定標準料金表 ( 平成 20 年 1 月 ) 菱電化成株式会社

料金について 1. 掲載しました価格は 原則として 1 試料当たりの標準を示します なお消費税は含まれておりません 2. 次のような場合には料金を割引致します 1 試料数が多い場合 2 長期間契約に基づく場合 3. 次のような場合には ご相談の上 割増料金を申し受けることがあります 1 妨害物質等により規定の方法で分析できない場合 2 分析結果に対する詳細な考察を必要とする場合 3 特に急を要する場合 4 試料を引き取りに伺う場合 備考 1. 分析をご依頼の節は分析申込書にご記入の上 FAX 等にてご連絡下さい 2. 試料は原則として ご持参あるいはご送付いただきます 3. ご報告納期は 標準的な機器分析の場合 試料受け取り後 2 週間以内です

目 次 Ⅰ. 元素分析 1. プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 1 2. マイクロ波誘導質量分析 (MIP-MS) 2 3. プラズマ質量分析 (ICP-MS) 2 4. 原子吸光分析 (AAS) 2 5. 蛍光 X 線分析 (XRF) 3 6. 有機元素分析 3 7. 重量分析 容量分析 3 Ⅱ. クロマトグラフ分析 6. イオンクロマトグラフ分析 (IC) 4 7. ガスクロマトグラフ分析 (GC) 5 8. ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC) 5 Ⅲ. 化合物構造解析 10. 赤外分光分析 (IR,FT-IR) 6 11. 紫外 可視分光分析 (UV VIS) 6 12. ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 7 13. 気中有機物分析 (TCT-GC/MS) 7 14.X 線回折 (XD) 8 15. 昇温脱離ガス分析 (TDS) 8 Ⅳ. 表面分析 局所分析 16. 電子線マイクロアナリシス (EPMA) 9 17. オージェ電子分光分析 (SAM) 11 18. 二次イオン質量分析 (SIMS) 12 19.X 線光電子分光分析 (XPS) 13 Ⅴ. 形態観察 20. 走査電子顕微鏡 (SEM) 14 21. 透過電子顕微鏡 (TEM) 15 22. 集束イオンビーム加工 (FIB) 17 23. 光学顕微鏡 (OM) 17 24. 写真撮影 17-0-

Ⅰ. 元素分析 プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 試料前処理 酸溶解 ( 可溶性試料 ) 酸溶解 ( 難溶性試料 ) ろ過 洗浄 アルカリ融解 振とう抽出 灰化 切断 粉砕 加圧酸分解 有機物湿式分解 マイクロ波溶解 テフロン密封容器酸抽出 濃度調製 定性分析 水溶液 1ppm 以上指定成分 1 試料 /20 元素まで 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 半定量分析 1 試料 /20 元素まで 追加 1 試料 / 同一系列ごとに 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 定量分析 ( 特殊溶媒測定 ) ( 有機溶媒測定 ふっ酸溶媒測定 ) 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 定量分析 ( 窒素パージ測定 :S P) 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 2~25 元素目まで 26~50 元素目まで 51 元素目より 7,000 1 1 1 2,000 7,000 4,000 7,000 4,000-1-

Ⅰ. 元素分析 ( つづき ) プラズマ発光分光分析 (ICP-AES) 水素化物法 (As,Se,Ge,Sb) 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素 1 マイクロ波誘導質量分析 (MIP-MS) 試料前処理 クリーンルーム環境分析ガス捕集器具準備 2 箇所目より 薬液中不純物分析濃縮 ウェハ表面微量金属分析 (8 インチ ) 酸溶解 (Si ウエハ HF 溶解 ) ウェハ表面微量金属分析 (12 インチ ) ウェハ表面微量金属分析 ( 不定形基板 ) 定性分析 半定量分析 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに 4 プラズマ質量分析 (ICP-MS) 定量分析 1 元素 /1 試料 追加 1 元素 / 同一試料または同一系列試料ごとに その他特殊元素 原子吸光分析 (AAS) フレーム法 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素ごとに 2~10 試料目まで 11 試料目より フレームレス法 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素 還元気化法 (Hg) 1 元素 /1 試料 追加 1 試料 / 同一元素 1 1-2-

Ⅰ. 元素分析 ( つづき ) 分析測定項目 単価 ( 単位 : 円 ) 備考 蛍光 X 線分析 (XRF- 波長分散型 ) (XRF- エネルギー分散型 ) 有機元素分析 試料前処理 錠剤法 切断 粉砕 定性分析 ( 原子番号 9 以上の元素 ) 指定成分 1 元素 /1 試料 追加指定成分 1 元素 / 同一試料ごとに 未知試料 半定量分析 (FP 法 ) *1 1 試料 定量分析 1 元素 /1 試料 スクリーニング分析 (RoHS 指令 *2 物質 ) (Cd,Pb,Cr,Hg,Br) C,H,N の定量分析 50,000 3 成分 /1 試料 (n=2) * 3 重量分析 容量分析 強熱残渣 乾燥減量 蒸発残留物 その他 中和滴定 その他 4,000 *1 FP 法 :Fundamental Parameter Method *2 RoHS:Restriction of Hazardous Substances *3 (n=2):2 点測定を標準とする -3-

Ⅱ. クロマトグラフ分析 イオンクロマトグラフ分析 (IC) 試料前処理 溶液濃度調製 ( 希釈 ) 水抽出 ( 超音波抽出 ) 振とう抽出 テフロン密封容器抽出 遠心分離 ろ過 試料燃焼処理 酸素フラスコ燃焼 その他 ( 発生ガス捕集など ) 標準無機陰イオン (F -,Cl -,NO 2-,Br -,NO 3-,PO 4 3-,SO 4 2- ) 1 試料 7 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準無機陰イオン ( 濃縮法 ) (F -,Cl -,NO 2 -,Br -,NO 3 -,PO 4 3-,SO 4 2- ) 1 試料 7 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準無機陽イオン (1 価 :Li +,Na +,K +,NH 4 + ) 1 試料 4 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに (2 価 :Ca 2+,Mg 2+ ) 1 価陽イオンと同一試料追加 2 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに 標準有機酸イオン (HCOO -,CH 3 COO -,C 2 H 5 COO - ) 1 試料 3 成分まで 追加 1 試料 ( 同一系列 ) ごとに その他特殊イオン 2 1 2 1 2 1-4-

Ⅱ. クロマトグラフ分析 ( つづき ) ガスクロマトグラフ分析 (GC) サンプリング ( ガス捕集 ) 試料前処理 濃縮( ロータリーエバポレータ ) 振とう抽出 ソックスレー抽出 1 定性分析 ( 無機ガスのみ ) 指定 1 成分 /1 試料 追加 1 試料 / 同一条件 定量分析 (TCD,FID) *1 指定 1 成分 /1 試料まで 追加 1 成分 / 同一試料ごとに 追加 1 試料ごとに 熱分解ガスクロマトグラフ分析 ゲル浸透クロマトグラフ分析 (GPC) 試料前処理 溶液濃度調製( 希釈 ) 溶解(THF) *2 振とう抽出 濾過 測定 ( 成分数 ホ リスチレン基準の相対分子量 ) 1 試料 /1 条件 (THF) 追加 1 試料ごとに *1 TCD:Thermal Conductivity Detector FID:Flame Ionization Detector *2 THF:Tetrahydrofuran -5-

Ⅲ. 化合物構造解析 赤外分光分析 (IR,FT-IR) 紫外 可視分光分析 (UV VIS) 試料前処理 KBr 錠剤法フィルム法 KRS 板塗布法振とう抽出ソックスレー抽出 2 試料目より乾留 ( 試験管 ) 濃縮 ( ヒーターなどによる ) 濃縮 ( ロータリーエバポレータ ) カラムクロマト分離 ( シリカケ ルによる ) 粉砕削り取り切断 測定 1( フーリェ変換型装置 ) 透過法 反射法 ATR 法 * 高感度反射法 測定 2( 顕微 FT-IR 法 ) マイクロサンプリング 20μmφ 以上 ( 顕微鏡写真を含む ) 顕微高感度反射法 特別データ処理 差スペクトル, チャート拡大 データ解析 ( 定量 図表作成 ) 同定 解析 通常のもの 検討を要するもの 透過率測定 スペクトル測定 (200~900nm) 積分球反射率測定 スペクトル測定 (240~800nm) 2 試料目より その他 * ATR 法 :Attenuated Total Reflection 1 1-6-

Ⅲ. 化合物構造解析 ( つづき ) ウエハアナライザ (WTD-GC/MS) 前処理ケース搬送 測定 1 試料目 2 試料目 半定量 30 成分まで / 試料 50 成分まで / 試料 追加 25 成分ごと 2 1 2 定量 50 成分まで / 試料 指定 1 成分定量 / 試料 定性 10 成分まで / 試料 50 成分まで / 試料 追加 1 成分ごとに 化合物分類 50 成分まで / 試料 1,000 60,000 100,000 TIC ピーク面積測定法 気中有機物分析 (TCT-GC/MS) 前処理 吸着管エージング サンプリング 測定 1 試料目 2 試料目から 半定量 10 成分まで / 試料 30 成分まで / 試料 定性 10 成分まで / 試料 30 成分まで / 試料 化合物分類 30 成分まで / 試料 1 2 1-7-

Ⅲ. 化合物構造解析 ( つづき ) X 線回折 (XD) 試料前処理 粉砕 回折図形のみ 回折図形 + 解析 既知物質の結晶性 配向性 結晶子径評価 複雑な未知物質の同定 2 1 3 2 その他 昇温脱離ガス分析 (TDS) 指定質量数分析 (n=2) マスフラク メント測定 (n =2) ハ イロスキャンモート 測定 (n=2) (1~200amu の指定質量数 :8 個まで, ステージ温度 :80 ~ 1000 ) 標準測定条件 ( 昇温レート 1 /sec) 1~2 試料目 3 試料目 n 数追加ごとに 追加元素 1~7 まで 1 以外での測定 は 定性分析 (n=2) 出力指定質量数 =5 個 出力質量数追加 ( 質量数 5 個ごと ) 定量 (H2 のみ ) 解析 -8-

Ⅳ. 表面分析 局所分析 電子線マイクロアナリシス (EPMA) ( 波長分散型 ) 試料前処理 試料調製( 特殊切断等 ) 包埋研磨 包埋または研磨各々単独 蒸着 微細パターン断面研磨 1 定性分析 1( スペクトル表示 ) 1 測定 (n=2) 同一視野追加 1 測定点 定性分析 2( 半定量分析 ;B,C,N,O を除く ) 1 3 試料目より 20% 引定量分析のみ 2 試料目より 定性分析 3( 精密測定 ) 1 元素 /1 測定点 表面形状像 ( 二次電子像 ) 組成像 ( 反射電子像 ) 7,000 面分析 ( 特性 X 線像 ) 1 元素 /1 測定 同一視野追加 1 元素 定量分析 ( *1 ZAF 法 ) 5 元素まで /1 測定 (n=5) 2 測定目より 1 測定につき 追加 1 元素 / 同一測定点 32,000-9-

Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) 電子線マイクロアナリシス (EPMA) 線分析 1( ステージスキャン ) 5 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 1 6,000 ( 波長分散型 ) 線分析 2( ビームスキャン ) 5 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 面分析 ( カラーマッピング ) 5 元素 /1 測定,X 軸 /Y 軸 =250 点 /250 点 追加 1 元素 / 同一測定 5 元素 /1 測定, X 軸 /Y 軸 =400 点 /400 点 追加 1 元素 / 同一測定 特殊な表示条件設定 60,000 100,000 3 試料目より 20% 引 定量分析のみ P&B 測定 *2 5 元素 /1 測定点 (n = 5) 追加 1 元素 / 同一測定点 *1 ZAF:Z( 原子番号 ),Absorption ( 吸収 ),Fluorescence ( 蛍光 ) の各補正係数を求めて定量を実施 *2 P&B:Peak & Background -10-

Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) オージェ電子分光分析 (SAM) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 表面形状像 定性分析 同一視野追加 1 測定点 同一試料イオンエッチング後 1 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 30 分まで 追加 1 元素 60 分まで 追加 1 元素 15 分以下 60 分以上 60,000 1 線分析 (4 元素まで ) 追加 1 元素 面分析 (3 元素まで ) 追加 1 元素 バルク定量分析 -11-

Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) 二次イオン質量分析 (SIMS) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 質量スペクトル測定 ( 定性分析 ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 高質量分解能スペクトル 70,000 + 深さ方向の元素分布 (4 元素まで ) 1 次イオン源 1 種による測定 (n=2) 15 分まで (Si 換算 2000A :O + 2 ) 追加 1 元素 30 分まで追加 1 元素 30 分以上 高質量分解能測定(1 元素当たり ) 70,000 7,000 100,000 + 線分析 同時測定可能な 4 元素 長さ 1mm までの 1 測定 80,000 バルク定量分析 画像処理解析 RAE 分析 二次イオン像 デプスプロファイル 断面プロファイル 絶縁物分析 + -12-

Ⅳ. 表面分析 局所分析 ( つづき ) X 線光電子分光分析 (XPS) 試料前処理 試料調製 切断 洗浄 定性分析 ワイドスキャン 精密測定 ( ナロースキャン ) ワイドスキャン測定後 1 元素 イオンエッチング後 1 元素 試料傾斜測定 化学結合状態分析 ピーク分離 深さ方向分析 (Si 換算 1000A まで ) (4 元素 /1 試料 ) 4 元素 4 水準まで 追加 1 元素 /4 水準まで 追加 1 水準 70,000 1 1-13-

Ⅴ. 形態観察 走査電子顕微鏡 (SEM) 試料前処理 1( 通常測定 ) 試料調製 包埋 研磨 蒸着 2 試料目より フラットイオンミリング 微細パターン断面研磨 試料前処理 2( 高分解能観察 ) 試料調製 切断 蒸着 包埋 研磨 測定 1( 通常 ) 倍率 2 10 4 まで 倍率 2 10 4 ~8 10 4 1 視野増すごとに 測定 2( 高分解能観察 ) 倍率 1 10 5 まで 倍率 1 10 5 以上 1 視野増すごとに 測定 3( 絶縁物 極表面観察 ) 倍率 2 10 4 まで 倍率 2 10 4 ~8 10 4 1 視野増すごとに 組成像 ( 反射電子像 ) 定性分析 (EDX) * 同一視野追加 1 測定点 線分析 (EDX) 2 元素 /1 測定点 追加 1 元素 / 同一測定点 面分析 ( 特性 X 線像 (EDX)) 1 元素 /1 測定 同一視野追加 1 元素 7,000 1 1 7,000 7,000 7,500 3 試料目より 20% 引 * EDX:Energy Dispersive X-ray Spectrometer -14-

Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 透過電子顕微鏡 (TEM) 試料前処理 分散法 標準 検討を要するもの レプリカ法 イオンエッチング法 バルク試料 薄膜平面試料 100,000 1 薄膜断面試料 単層膜 標準 検討を要するもの 100,000 多層膜 半導体 セラミックス系 金属層を含むもの 検討を要するもの 150,000 180,000 デバイス構造 半導体デバイス 金属層を含むもの 検討を要するもの 180,000 2 化学研磨法 研磨条件が確立されているもの 検討を要するもの 50,000 電解研磨法 研磨条件が確立されているもの 検討を要するもの 超薄切片法 50,000-15-

Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 透過電子顕微鏡 ( つづき ) (TEM) 撮影 明視野法 標準 追加 1 視野につき 3 暗視野法 標準 特殊観察 ( 弱ビーム法等 ) 追加 1 視野につき 3 60,000 電子線回折 反射法 2 透過法 制限視野回折 極微電子線回折 追加 1 視野につき 極微電子線回折 ( 特定微小領域 ) 追加 1 視野につき 4 3 格子像観察 2 波格子像 多波格子像 追加 1 視野につき 写真焼増 80,000 3 1,000 分析 点分析 ( 定性分析 ) 追加 1 測定点 線分析 (4 元素まで ) 追加 1 元素 面分析 (3 元素まで ) 追加 1 元素 1-16-

Ⅴ. 形態観察 ( つづき ) 集束イオンビーム加工 (FIB) イオンビーム加工 断面観察用試料作製 (3hr 以内 ) 3hr 以上 透過電子顕微鏡用試料作製 透過電子顕微鏡用試料作製 ( ダイシング用前処理含 ) 透過電子顕微鏡用試料作製 ( 再加工可能ピックアップ用 ) 60,000 1 150,000 180,000 ダイシング ピックアップ 光学顕微鏡 (OM) 観察 (SIM 像 ) 1 視野 追加 1 視野 試料前処理 切断 包埋 研磨 エッチング ( 化学的 ) エッチング ( 電解 ) 写真撮影 観察 1 視野 (400 倍まで ) 追加 1 視野 (400 倍まで ) 接写 1 視野 追加 1 視野増すごとに -17-

様式 3 菱電化成 ( 株 ) 分析センター宛 661-8661 尼崎市塚口本町 8-1-1 三菱電機 ( 株 ) 先端技術総合研究所内 TEL:06-6497-7544 分析申込書 貴社名所属御名前所在地 T E L F A X FAX:06-6497-1473 題目申込日年月日御希望納期年月日試料数個試料返却要 不要添付資料有 無 1. 分析目的 内容 ( 明らかにしたい項目 問題となっている項目等 ) 2. 分析項目 ( 元素 分離分析 組成 構造解析 表面 局所分析 形態観察 その他 ) 3. その他 ( 御要望事項 ): 4. 試料内容 ( 名称 主成分等 ) 5. 前処理条件 6. 試料取り扱い上の留意点 : 安全性 毒性 保管方法 その他 -18-