プログラム page 9:50 10:00 開会の辞高梨弘毅東北大学金属材料研究所所長, 東北大学 CSRN センター長 10:00 10:20 8 超短パルス光を用いた金属中のスピンダイナミクスとスピン流の検出水上成美 1,2,3 1 東北大学材料科学高等研究所, 2 東北大学 CSRN, 3

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せぴああわたけ
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1 プログラム 9:50 0:00 開会の辞高梨弘毅東北大学金属材料研究所所長, 東北大学 CSRN センター長 0:00 0:20 8 超短パルス光を用いた金属中のスピンダイナミクスとスピン流の検出水上成美,2,3 東北大学材料科学高等研究所, 2 東北大学 CSRN, 3 東北大学先端スピントロニクス研究開発センター 0:20 0:40 9 プレーナーホール効果を用いた面内スピン軌道トルク素子の特性評価高橋佑, 竹内祐太朗, 張超亮,2,3,4, 陣内佛霖 3, 深見俊輔,3,4,5,6,7, 大野英男,3,4,5,6,7 東北大学電気通信研究所附属ナノスピン実験施設, 2 東北大学学際科学フロンティア研究所, 3 東北大学省エネルギースピントロニクス集積化システムセンター, 4 東北大学 CIES, 5 東北大学 CSRN, 6 東北大学先端スピントロニクス研究開発センター, 7 東北大学材料科学高等研究所 0:40 :00 0 強磁性トポロジカル絶縁体の電子構造相馬清吾 -3, 堀健太郎 4, 松倉文礼 -3,5, 高橋隆 -4, 佐藤宇史 -4 東北大学 CSRN, 2 東北大学先端スピントロニクス研究開発センター, 3 東北大学材料科学高等研究所, 4 東北大学大学院理学研究科, 5 東北大学電気通信研究所 :00 :20 固体中の GHz オーダー渦度を利用したスピン流生成能崎幸雄,2 慶應義塾大学物理学科, 2 慶應義塾大学 CSRN :20 :40 2 ペロブスカイト関連複合アニオン層状化合物の磁性と機能性神原陽一,2 慶應義塾大学物理情報工学科, 2 慶應義塾大学 CSRN :40 2:00 3 ダイヤモンド量子センサーによる単一核スピンの位置決定阿部英介,2 慶應義塾大学理工学研究科, 2 理化学研究所創発物性科学研究センター -2-

2 2:00 4:00 昼休み ( 運営委員会金属材料研究所国際教育研究棟セミナー室 ) 4:00 4:20 4 磁性体を用いた人工知能ハードウエアの開発,2 鈴木義茂大阪大学大学院基礎工学研究科 CSRN, 2 産業技術総合研究所スピントロニクス研究センター 4:20 4:40 5 線形応答計算による 3d 遷移金属等に関するスピン励起スペクトル奥村晴紀, 佐藤和則 2, 小谷岳生大阪大学工学研究科, 2 鳥取大学工学研究科 4:40 5:00 6 Eu 添加 GaN のナノ構造と磁性真砂啓, 新屋ひかり,2,3,4 5, 福島鉄也, 佐藤和則, 吉田博大阪大学 CSRN, 2 横浜国立大学工学研究院, 3 大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター, 4 大阪大学工学研究科, 5 東京大学 CSRN 5:00 5:20 7 Vanishing skyrmion Hall effect in ferrimagnet,2 小野輝男京都大学化学研究所, 2 大阪大学 CSRN 5:20 5:40 コーヒーブレーク 5:40 6: 年度の東工大スピントロニクス研究推進体宗片比呂夫東京工業大学未来産業技術研究所 6:00 6:20 9 Fe 系 III-V 族強磁性半導体とヘテロ構造 : 最近の進展,2 田中雅明, レデゥックアイン 2, グエンタントゥ 2,3, ショービットゴエル 2, スリハーシャカルムリ 2, 瀧口耕介 2, ファムナムハイ,4 東京大学 CSRN, 2 東京大学工学系研究科, 3 ホーチミン市師範大学物理学科, 4 東京工業大学工学院 6:20 6:40 20 Nano-materials design of super-high-t C ferromagnetic semiconductors 吉田博東京大学 CSRN -3-

3 6:40 7:00 2 スピンゆらぎスピン波による確率共鳴ニューロン素子,2,3 田畑仁, 山原弘靖,S.M.Shamim 2, 加藤木章浩東京大学大学院工学系研究科バイオエンジニアリング専攻, 2 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻, 3 東京大学 CSRN 7:00 7:0 閉会の辞白井正文東北大学電気通信研究所, 東北大学 CSRN 副センター長 7:30 9:30 ポスターセッション / 懇親会 -4-

4 ポスター TKY-0 TKY-02 TKY-03 TKY-04 TKY-05 KOG-0 KOG-02 KOG-03 マルチフェロイック (Bi, Ba)FeO3 薄膜における磁気光電特性の制御題目東京大学工学系研究科, 2 東京大学 CSRN 陳嘉新, 周行, 関宗俊,2, 田畑仁,2 Ru ドープコバルトフェライト CoFe2O4 薄膜における原子価間電荷移動東京大学 CSRN, 2 東京大学工学系研究科, 3 東京大学理学系研究科, 4 高エネルギー加速器研究機構物質構造科学研究所小林正起,2, 関宗俊,2, 鈴木雅弘 3, 北村未歩 4, 藤森淳 3, 堀場弘司 4, 組頭広志 4, 田中雅明,2, 田畑仁,2 La0.6Sr0.4MnO3/LaAlO3 ヘテロ界面における特異な磁気異方性東京大学大学院工学系研究科, 2 東京大学総合研究機構, 3 東京大学 CSRN 大矢忍,2,3, Le Duc Anh,2, 岡本昂, 関宗俊,3, 田畑仁,3, 田中雅明 2,3 Si 中の電子スピン偏極率と緩和時間の電気測定による定量的解析東京大学工学系研究科電気系工学専攻, 2 東京大学工学系研究科国際工学教育推進機構, 3 東京大学工学系研究科 CSRN 中根了昌, 2, 佐藤彰一, 羽田崇人, 田中雅明, 3 Fe δドーピングによる (In,Fe)Sb 高感度磁気センサーの作製と評価東京工業大学工学研究科, 2 東京大学工学系研究科, 3 東京大学 CSRN 西嶋健人, 田中雅明 2,3, Pham Nam Hai,3 SAW デバイスを用いたスピン起電力の生成慶應義塾大学, 2 慶應義塾大学 CSRN 根上脩, 能崎幸雄,2 Quantitative analysis of the spin current in Cu thin film generated via spin-vorticity coupling 慶應義塾大学, 2 慶應義塾大学 CSRN Shoma Tateno, Genki Okano, Yukio Nozaki,2 ZrCuSiAs 型混合アニオン層状マンガン化合物における熱電変換性能の計算科学的検討慶應義塾大学, 2 慶應義塾大学 CSRN 中西愛, 的場正憲,2, 神原陽一,

5 KOG-04 KOG-05 強磁性近藤格子系 EuSn2As2 の熱電性能慶應義塾大学, 2 首都大学東京, 3 慶應義塾大学 CSRN 坂上良介, 狩俣春成, 後藤陽介 2, 平田昂輝, 東伸彦, 山口道太郎, 岩﨑秀, 中西愛, 北脇樹, 水口佳一 2, 的場正憲,3, 神原陽一,3 Magnetic and structural properties of superconducting mixed anion layered compound, La(Ca)FeAsO(F) 慶應義塾大学, 2 慶應義塾大学 CSRN 3 32 Kodai Kaneyasu, Masanori Matoba,2 and Yoichi Kamihara,2 OSK-0 Perpendicular magnetic anisotropy in free standing Co/Ni () thin film Graduate School of Natural Science and Technology, Kanazawa 33 OSK-02 OSK-03 OSK-04 OSK-05 University, 2 Institute of Science and Engineering, Kanazawa University, 3 CSRN, Osaka University I. Pardede, T. Kanagawa, N. Ikhsan, D. Yoshikawa, M. Obata, 2, T. Oda, 2, 3 半金属中間層を用いた全ホイスラー型 CPP-GMR 接合の第一原理計算大阪大学産業科学研究所, 2 大阪大学ナノサイエンスデザイン教育研究センター, 3 大阪大学 CSRN 黒田文彬, 福島鉄也 2,3, 小口多美夫,3 スキルミオンバブルのブラウン運動の評価大阪大学基礎工学研究科, 2 大阪大学 CSRN, 3 グルノーブルアルプス大学 SPINTEC 地引勇磨, 後藤穣,2, Titiksha Srivastava 3, Willy Lim 3, Stephane Auffret 3, Claire Baraduc 3, Helene Bea 3, Jaehun Cho,2, 田村英一,2, 鈴木義茂,2 mrpa を用いた銅酸化物超伝導体のハバード型相互作用の研究鳥取大学工学研究科, 2 理化学研究所榊原寛史,2, 小谷岳生ペロブスカイト酸化物の構造相転移に伴う自発電気分極の変化とその圧電効果大阪大学産業科学研究所勝本啓資, 山内邦彦, 小口多美夫

6 THK-0 THK-02 THK-03 THK-04 THK-05 THK-06 InGaAs 量子井戸におけるスピン軌道ロッキングを用いたスピン制御東北大学工学研究科, 2 東北大学 CSRN, 3 東北大学先端スピントロニクス研究開発センター好田誠,2,3, 岡安孝典, 新田淳作,2,3 Composition dependence of perpendicular magnetic anisotropy in C38-type MnGaGe films Institute for Materials Research, Tohoku University, 2 CSRN, Tohoku University, 3 Samsung R&D Institute Japan Mingling Sun, Takahide Kubota, 2, Yoshiaki Sonobe 3,Koki Takanashi, 2 THz probing of spin-current in CoFeB films induced by a laser pulse Dept. of Appl. Phys., Grad. Sch. Engineering., Tohoku University, 2 WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, 3 CSRN, Tohoku University, 4 Center for Science and Innovation of Spintronics, Tohoku University Y. Sasaki,2, S. Iihama 2, K. Z. Suzuki 2,3, and S. Mizukami 2,3,4 CoPtCr 系グラニュラー薄膜におけるマイクロ波アシスト磁化反転東北大学多元物質科学研究所, 2 東北大学 CSRN, 3 東北大学学際科学フロンティア研究所, 4 東北大学電気通信研究所菊池伸明,2, 島田恭平 3, 佐藤勝成, 菊地瞬 3, 岡本聡,2, 北上修,2, 島津武仁 2,3,4 Ir 添加した Co 基ホイスラー合金における巨大な磁気異方性電圧効果東北大学電気通信研究所, 2 東北大学 CSRN, 3 東北大学先端スピントロニクス研究開発センター辻川雅人,2, 白井正文,2,3 NMR Probes for Electronic States and Strain Modulation in A Gate-Defined One Dimensional Channel CSRN, Tohoku University, 2 Department of Physics, Tohoku University, 3Center for Science and Innovation in Spintronics (Core Research Cluster), Tohoku University M. H. Fauzi, A. Noorhidayati 2, M. Takahahsi 2, M. F. Sahdan 2, K. Sato 2, K. Nagase 2 and Y. Hirayama,2,

互作用によって強磁性が誘起されるとともに半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されますしかし実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 (

互作用によって強磁性が誘起されるとともに半導体中の上向きスピンをもつ電子と下向きスピンをもつ電子のエネルギー帯が大きく分裂することが期待されますしかし実際にはこれまで電子のエネルギー帯のスピン分裂が実測された強磁性半導体は非常に稀で II-VI 族である (Cd,Mn)Te において極低温 ( スピン自由度を用いた次世代半導体デバイス実現へ大きな進展 ~ 強磁性半導体において大きなスピン分裂をもつ電子のエネルギー状態を初めて観測 ~ 1. 発表者 : レデゥックアイン ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻附属総合研究機構助教 ) ファムナムハイ ( 東京工業大学工学院電気電子系准教授 ) 田中雅明 ( 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻教授スピントロニクス学術連携研究教育センターセンター長