スライド 1

Size: px

Start display at page:

Download "スライド 1"

めぐのたにしき
5 years ago
Views:

1 研究期間 : 平成 22 年度絶縁体中のスピン流を用いた超低電力量子情報伝送演算機能デバイスの研究開発安藤和也東北大学金属材料研究所総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発

2 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲットスピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見 3. まとめ

3 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲットスピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見 3. まとめ

4 電流とスピン流電流エレクトロニクススピン : 電子電荷 : スピン流電荷の流れスピントロニクススピンの流れ

5 スピン流 : スピン角運動量の流れ電流スピン流電流スピン流電流 : ジュール熱による莫大なエネルギー損失スピン流 : ジュール熱によるエネルギー損失ゼロ

6 絶縁体中のスピン流伝導絶縁体中でもスピン流は流れる磁性絶縁体 : 電流にとっては絶縁体スピン流にとっては伝導体伝導電子型スピン流 ( 金属半導体 ) スピン波スピン流 ( 絶縁体 ) 数百 nm 程度で消失外場による制御が困難極めて長い伝送長 (~cm) 外場と強く結合

7 スピン流デバイスの創出研究のターゲット : スピン流を用いたジュール損失ゼロの超低電力電子デバイス原理開拓生成検出制御スピン流電子情報デバイス e.g. スピン流論理演算素子

8 スピン流の検出 : 逆スピンホール効果アンペールの法則 ( 電荷 ) アンペールの法則 ( 磁荷 ) 磁場 : 電荷電場 : 磁荷生成スピン流検出制御スピン流は + と - の 2 つの磁荷の流れ

逆スピンホール効果によるスピン流物理の開拓スピン流電場 : 逆スピンホール効果スピン流の電気的検出が可能 Phys. Rev. Lett. 101, 036601 (2008). Appl. Phys. Lett. 94, 262505 (2009). Appl. Phys. Lett. 96, 082502 (2010). Nature 464, 262 (2010).

9 逆スピンホール効果によるスピン流物理の開拓スピン流電場 : 逆スピンホール効果スピン流の電気的検出が可能 Phys. Rev. Lett. 101, (2008). Appl. Phys. Lett. 94, (2009). Appl. Phys. Lett. 96, (2010). Nature 464, 262 (2010). Nature 455, 778 (2008). Appl. Phys.Lett. 94, (2009). 本研究の成果 : 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見 [1] K. Ando et al., Nature Materials 10, 655 (2011). [2] K. Ando et al., Applied Physics Letters 99, (2011).

10 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲットスピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見 3. まとめ

11 スピン流注入とインピーダンスミスマッチ問題スピン偏極率 : : 強磁性層スピン偏極率 : 強磁性層 ( 常磁性層 ) 電気伝導度金属半導体有機物インピーダンスミスマッチ問題 G. Schmidt et al., Phys. Rev. B 62, R4790 (2000).

高抵抗物質へのスピン流注入電気的スピン流注入高抵抗界面が不可欠オーミックコンタクトを介したスピン流注入手法なし H. J. Zhu et al., Phys. Rev. Lett. 87, 016601 (2001). GaAs Interface: Schottky X. Jiang et al., Phys. Rev. Lett. 94, 056601 (2005).

12 高抵抗物質へのスピン流注入電気的スピン流注入高抵抗界面が不可欠オーミックコンタクトを介したスピン流注入手法なし H. J. Zhu et al., Phys. Rev. Lett. 87, (2001). GaAs Interface: Schottky X. Jiang et al., Phys. Rev. Lett. 94, (2005). GaAs Interface: MgO S.A. Crooker et al., Science 309, 2191 (2005). GaAs Interface: Schottky X. Lou et al., Nature Phys. 3, 197 (2007). GaAs Interface: Schottky B. T. Jonker et al., Nature Phys. 3, 542(2007). Si Interface: Al 2 O 3 S. P. Dash et al., Nature 462, 491 (2009). Si Interface: Al 2 O 3 M. Tran et al., Phys. Rev. Lett. 102, (2009). GaAs Interface: Al 2 O 3 C.H. Li et al., Nature Commun. 2, 245 (2011). Si Interface: SiO 2 簡単且つあらゆる物質に応用可能な汎用的スピン流注入手法は?

13 動的スピン流注入動的スピン流注入スピンに対する連続方程式磁化ダイナミクス磁化 M(t) スピン流キャリアスピンスピンポンピング交換相互作用 Y. Tserkovnyak et al., Phys. Rev. Lett. 88, (2002).

14 スピンポンピングと逆スピンホール効果スピンポンピング + 逆スピンホール効果逆スピンホール効果による起電力 Ni 81 Fe 19 /p-gaas オーミック界面 Ni 81 Fe 19 /n-gaas ショットキー界面インピーダンスミスマッチ問題

15 スピンポンピングによる高抵抗物質へのスピン流注入 Ni 81 Fe 19 /GaAs 試料マイクロ波吸収 f = 9.4 GHz 膜厚 Ni 81 Fe 19 : 10 nm GaAs: 400 µm 逆スピンホール効果による起電力 E. Saitoh et al., Appl. Phys. Lett. 88, (2006). enabling elimination of heating effects from V あらゆる物質へのスピン流注入が可能に

スピンポンピングコンダクタンススピン流密度 Ni 81 Fe 19 /Pt* *K. Ando et al., J. Appl.

16 スピン流密度 Ni 81 Fe 19 /GaAs 試料の等価回路模型スピン流の緩和 ISHE: 逆スピンホール起電力スピンポンピング Ni 81 Fe 19 /p-gaas (Ohmic) Ni 81 Fe 19 /n-gaas (Schottky) スピンポンピングコンダクタンススピン流密度 Ni 81 Fe 19 /Pt* *K. Ando et al., J. Appl. Phys. 109, (2011). 絶縁障壁を介した電気的スピン流注入 : 従来の 10 2 ~ 10 3 倍の巨大なスピン流の注入を実現

スピンポンピングの電気的制御 weak coupling strong coupling

= 4.1 10 17 cm -3 ) 逆スピンホール起電力 : スピンポンピング効率の増大

, Electrically tunable spin injector free from

17 スピンポンピングの電気的制御 weak coupling strong coupling Schottky NiFe/p-GaAs V in : bias voltage (N D = cm -3 ) 逆スピンホール起電力 : スピンポンピング効率の増大スピンポンピング : スピンポンピングの電気的制御 K. Ando et al., Electrically tunable spin injector free from the impedance mismatch problem, Nature Materials (2011)

18 金属 / 絶縁体界面におけるスピンポンピング強磁性共鳴 Pt(10 nm)/la:y 3 Fe 5 O 12 (2 µm) マイクロ波吸収イットリウム鉄ガーネット : Y 3 Fe 5 O 12 極めて小さな磁気緩和 : 起電力 YIG/Pt 接合におけるスピンポンピングと逆スピンホール効果

19 高マイクロ波強度領域のスピンポンピング Pt/Ni 81 Fe 19 強磁性共鳴 Pt/La:Y 3 Fe 5 O 12 強磁性共鳴 Pt/YIG に特有な新たな信号 Ni 81 Fe 19 Y 3 Fe 5 O 12 金属緩和 : 大絶縁体緩和 : 小非線形スピンダイナミクスによるスピンポンピング?

Solids 1, 209 (1957). スピン流回路中の能動素子構築へのルート K. Ando et al.

20 非線形スピンポンピング閾値閾値 butterfly structure パラメトリック励起によるスピンポンピングスピン流の非線形生成 H. Suhl, J. Phys. Chem. Solids 1, 209 (1957). スピン流回路中の能動素子構築へのルート K. Ando et al., Nonlinear spin pumping induced by parametric excitation, 99, (2011).

21 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲットスピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見 3. まとめ

22 まとめ研究開発のターゲット : スピン流電子情報デバイスの基礎原理開拓 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立 2. 非線形スピン流生成現象の発見研究開発期間中の主要業績誌上発表リスト [1] K. Ando, S. Takahash, J. Ieda, H. Kurebayashi, T. Trypiniotis, C. H. W. Barnes, S. Maekawa, and E. Saitoh, Electrically tunable spin injector free from the impedance mismatch problem, Nature Materials 10, 655 (2011). [2] K. Ando, T. An, and E. Saitoh, Nonlinear spin pumping induced by parametric excitation, Applied Physics Letters 99, (2011). [3] K. Ando, S. Takahashi, J. Ieda, Y. Kajiwara, H. Nakayama, T. Yoshino, K. Harii, Y. Fujikawa, M. Matsuo, S. Maekawa, and E. Saitoh, "Inverse spin-hall effect induced by spin pumping in metallic system," Journal of Applied Physics 109, (2011). 報道発表リスト [1] スピン流 1000 倍超注入に成功日刊工業新聞 17 面 2011 年 6 月 27 日. [2] 東北大と JAEA 新スピン流注入手法を発見化学工業日報 2011 年 6 月 27 日. [3] 電子の磁石スピン材料に簡単注入東北大超省エネ基板技術に日経産業新聞 9 面 2011 年 6 月 28 日.

Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx

Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx スピン流で観る物理現象大阪大学大学院理学研究科物理学専攻新見康洋スピントロニクスとはスピンエレクトロニクスメモリ産業と深くつながているメモリ産業と深くつながっているスピンハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れピの流れスピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head