支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

Size: px
Start display at page:

Download "支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介"

Transcription

1 支援財団研究活動助成 生体超分子を利用利用した 3 次元メモリデバイスメモリデバイスの研究 奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科小原孝介

2 研究背景研究背景研究背景研究背景データデータデータデータの種類種類種類種類データデータデータデータの保存保存保存保存パソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンパソコンデータデータデータデータデータデータデータデータ音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽音楽写真写真写真写真記録媒体記録媒体記録媒体記録媒体フラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリフラッシュメモリ動画動画動画動画 SD カードカードカードカードポータブルポータブルポータブルポータブルプレーヤープレーヤープレーヤープレーヤー USB メモリメモリメモリメモリフィルムフィルムフィルムフィルムカセットカセットカセットカセットテープテープテープテープフロッピーフロッピーフロッピーフロッピーディスクディスクディスクディスク磁気磁気磁気磁気ディスクディスクディスクディスクビデオテープビデオテープビデオテープビデオテープデジタルカメラデジタルカメラデジタルカメラデジタルカメラ SSD

3 研究背景 Roadmap of Flash memory technology Cell Size ( μm 2 ) Mb 64Mb Control Gate 100 nm Floating Gate WSi 256Mb 100 nm 512Mb 1Gb 100 nm 2Gb 4Gb 8Gb 16Gb 32Gb Year

4 Engineering Biology Semiconductor Technology Based On Moore s Law Biotechnology 生体超分子を用いたボトムアップ技術

5 生体超分子の特長 均一性 溶液プロセス 鉱物化 ナノ構造形成能力 特異的認識能力 自己組織化能力 Polypeptide DNA Bio nano block Protein supramolecule この中で最も重要重要な能力能力は特異的認識能力と自己組織化能力

6 高誘電率ゲートゲート酸化膜酸化膜を利用利用したしたフローティングゲートメモリ ゲート酸化膜酸化膜に高誘電率材料 (High-k) 膜を使用 φ 12 nm φ 7 nm S G B n + p-si (100) フェリチン n + ゲート酸化膜 :HfO 2 (~25) Drain Current (A) Thres hold voltage (V) V 2 V -9 V 9 V V d = 50 mv Gate Voltage (V) I D -V G 特性 Writing at + 7 V for 10 s Reading at V 10 years Eras ing at - 7 V for 10 s Retention Time (s ) 電荷保持特性 論文投稿 : 1 件 高性能 高信頼性高信頼性のメモリデバイスメモリデバイスを実現学会発表 : 11 件 ( 国内学会 :8 件国際学会 :3 件 )

7 研究業績 発表論文発表論文 1 件 1) Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics K. Ohara et al: Jpn. J. Appl. Phys. (in press) 国際学会発表国際学会発表 3 件 1) Floating gate memory devices based on ferritin nanodots on high-k gate dielectrics K. Ohara et al: The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai ( 2008 IMFEDK ), Osaka University, March ) Floating gate memory based on ferritin nanodots with high-k gate dielectrics K. Ohara et al: 2008 International Conference on Solid State Devices and Materials ( SSDM 2008 ), Tsukuba International Congress Center, September ) Floating Gate Memory Based on Ferritin Nanodots with High-k Gate Dielectrics K. Ohara et al: 2009 International Thin Film Transistor Conference ( ITC 09 ) Ecole Polytechnique (France), March 2009.

8 研究業績 国内学会発表国内学会発表 8 件 1) High-k 膜を利用利用したしたバイオバイオ系ドットフローティングゲートメモリドットフローティングゲートメモリ 小原孝介他 : 第 55 回応用物理学会学術講演会, 日本大学, 2008 年 3 月 2) High-k 膜を利用利用したしたバイオバイオ系ドットドット型フローティングゲートメモリフローティングゲートメモリ 小原孝介他 : 電子情報通信学会 SDM, 東京大学, 2008 年 6 月 3) High-k 膜を利用利用したしたバイオナノドットフローティングゲートメモリバイオナノドットフローティングゲートメモリ 小原孝介他 : STARC フォーラム / シンポジウム 2008, パシフィコ横浜, 2008 年 7 月 4) High-k 膜を利用利用したしたバイオバイオ系ナノドットナノドット型フローティングゲートメモリフローティングゲートメモリ 小原孝介他 : 第 69 回応用物理学会学術講演会, 中部大学, 2008 年 9 月 5) High-k 膜を利用利用したしたバイオバイオ系ドットドット型フローティングゲートメモリフローティングゲートメモリ 小原孝介他 : 薄膜材料デバイスデバイス研究会, なら 100 年会館, 2008 年 10 月 他 3 件

9 Bio-LBL 法によるによる積層積層ナノドットナノドット型 3 次元メモリメモリの作製 TBF TBF (Titane Binding Ferritin) Ti, Ag, SiO 2 を認識認識し, 結合するする SiO 2 特定材料へのへの結合過程バイオミネラル過程 Ti Pt Ti Pt Ti Pt 特定材料に対するする認識および結合 バイオミネラル TBFの結合結合によるによるフェリチンフェリチンの積層化 Bio-LBL 法によりによりナノドットナノドットを積層化 メモリウィンドウ幅の増大電荷保持特性の向上 新たなたな機能機能を持つメモリデバイスメモリデバイスの作製

10 システムオンパネル 生体超分子を利用利用したした半導体半導体デバイスプロセスプラスチック基板上基板上に低温 ( 200 以下 ) でメモリメモリを作製作製 システムオンパネルの実現 プラスチック基板 Wireless Interface Pen Input RAM CPU ROM System On Panel

11 タンパクタンパクタンパクタンパク質を利用利用利用利用したしたしたした半導体半導体半導体半導体デバイスプロセスデバイスプロセスデバイスプロセスデバイスプロセス半導体微細化技術半導体微細化技術半導体微細化技術半導体微細化技術 フォトリソグラフィーフォトリソグラフィーフォトリソグラフィーフォトリソグラフィー エッチングエッチングエッチングエッチングバイオテクノロジーバイオテクノロジーバイオテクノロジーバイオテクノロジーフェリチンフェリチンフェリチンフェリチン TMV ( タバコモザイクウィルスタバコモザイクウィルスタバコモザイクウィルスタバコモザイクウィルス ) トップダウンプロセストップダウンプロセストップダウンプロセストップダウンプロセスとボトムアッププロセボトムアッププロセボトムアッププロセボトムアッププロセスの融合融合融合融合無機材料認識能力無機材料認識能力無機材料認識能力無機材料認識能力制御制御制御制御されたされたされたされた自己組織化能力自己組織化能力自己組織化能力自己組織化能力フローティングゲーフローティングゲーフローティングゲーフローティングゲートメモリトメモリトメモリトメモリ Si 結晶化結晶化結晶化結晶化新たなたなたなたな機能機能機能機能を持つデバイスデバイスデバイスデバイスの実現実現実現実現新たなたなたなたな機能機能機能機能を持つデバイスデバイスデバイスデバイスの実現実現実現実現 etc

研究成果報告書

研究成果報告書 10m 2m Ge Si BaF2 ZnSZnSe Sb-Ge-Sn-S IIR-SF1 1 2 Tungsten SilicideWSi WSi () IIR-SF 1 Sb-Ge-Sn-S 0.85~11μm2.710μm 253 C Al Al 220μm He-Cd laser 1 Exposure Photoresist WSi (a) 500 nm Development RIE WSi

More information

The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices

The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices ASAKURA Nobuyuki, Japan Atomic Energy Research Institute, Naka, Ibaraki 311-0193, Japan e-mail: asakuran@fusion.naka.jaeri.go.jp The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices Naka Fusion Research Establishment,

More information

10 IDM NEC

10 IDM NEC No.29 1 29 SEAJ SEAJ 2 3 63 1 1 2 2002 2003 6 News 9 IEDM 11 13 15 16 17 10 IDM NEC 3 12 3 10 10 2 3 3 20 110 1985 1995 1988 912001 1 1993 95 9798 199010 90 200 2 1950 2 1950 3 1311 10 3 4 4 5 51929 3

More information

単位、情報量、デジタルデータ、CPUと高速化 ~ICT用語集~

単位、情報量、デジタルデータ、CPUと高速化  ~ICT用語集~ CPU ICT mizutani@ic.daito.ac.jp 2014 SI: Systèm International d Unités SI SI 10 1 da 10 1 d 10 2 h 10 2 c 10 3 k 10 3 m 10 6 M 10 6 µ 10 9 G 10 9 n 10 12 T 10 12 p 10 15 P 10 15 f 10 18 E 10 18 a 10 21

More information

untitled

untitled 213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

More information

1949 1902 1872 1886 1873 04 UNIVERSITY OF TSUKUBA 2002 1973 1962 UNIVERSITY OF TSUKUBA 05 06 UNIVERSITY OF TSUKUBA UNIVERSITY OF TSUKUBA 07 10 UNIVERSITY OF TSUKUBA 105 UNIVERSITY OF TSUKUBA 11 1.85%

More information

2 1997 1M SRAM 1 25 ns 1 100 250 1,000 DRAM 60 120 ns 50 5 10 50 10 20 ms 5,000,000 0.1 0.2 1

2 1997 1M SRAM 1 25 ns 1 100 250 1,000 DRAM 60 120 ns 50 5 10 50 10 20 ms 5,000,000 0.1 0.2 1 1 2 1997 1M SRAM 1 25 ns 1 100 250 1,000 DRAM 60 120 ns 50 5 10 50 10 20 ms 5,000,000 0.1 0.2 1 CPU 1 1 2 2 n CPU SRAM DRAM CPU 3 4 5 6 7 N+ N+ P SRAM DRAM 8 Computer Architecture 9 DRAM 3 4 10 11 Ta 2

More information

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70

c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 Encore SSIS 10 c c SSIS10 10 10 1998 2001 SSIS 2001 LSI 2001 MIRAI NECASKA SELETE 21 5ISSCC LSI 2004 2004SSIS PR 60 70 SSIS NOSIDE PR SSIS SSIS PR 2000 5SSIS SSIS 1 2001 5 8 3 2004 SSIS 1 2 SSIS 24 SSISPR

More information

1 osana@eee.u-ryukyu.ac.jp : FPGA : HDL, Xilinx Vivado + Digilent Nexys4 (Artix-7 100T) LSI / PC clock accurate / Artix-7 XC7A100T Kintex-7 XC7K325T : CAD Hands-on: HDL (Verilog) CAD (Vivado HLx) : 28y4

More information

T O H O K U U N I V E R S I T Y 16152005.2 C O N T E N T S HASANUDIN ABDURAKHMAN FEUERSTEIN MARIO ANDREAS The Institute of Physics Smart Materials and Structures DRAM MOS nm International

More information

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として1 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 第 12 回窒化物半導体応用研究会 2011 年 11 月 10 日 ノーマリオフ型 HFET の高性能化 前田就彦 日本電信電話株式会社 NTT フォトニクス研究所 243-0198 神奈川県厚木市森の里若宮 3-1 E-mail: maeda.narihiko@lab.ntt.co.jp 内容 (1) 電力応用におけるノーマリオフ型デバイス (2) / HFETにおけるノーマリオフ化 - デバイス構造のこれまでの展開

More information

untitled

untitled 2013 74 Tokyo Institute of Technology AlGaN/GaN C Annealing me Dependent Contact Resistance of C Electrodes on AlGaN/GaN, Tokyo Tech.FRC, Tokyo Tech. IGSSE, Toshiba, Y. Matsukawa, M. Okamoto, K. Kakushima,

More information

2 ( ) ( ) ( )

2 ( ) ( ) ( ) 10:3012:00 13:0014:30 14:4016:10 16:2017:50 719() 722() 723() 724() 725() 726() 729() 3 9. 2 ( ) ( ) ( ) ... 4... 5... 5... 6... 8... 9...10...12...13...13...14...15...16...16...17...17...18...20...20...21...

More information

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

More information

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード]

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学 基礎編 2010_5 [互換モード] 半導体メモリが新応用を開拓した例 集積デバイス工学半導体メモリ 2010 年 5 月 14 日東京大学大学院工学系研究科電気系工学竹内健 E-mail : takeuchi@lsi.t.u-tokyo.ac.jp http://www.lsi.t.u-tokyo.ac.jp p y jp アップル社の ipod nano 2005 年 9 月発売 フラッシュメモリの記憶容量によって価格の異なるラインアップ

More information

スライド 1

スライド 1 High-k & Selete 1 2 * * NEC * # * # # 3 4 10 Si/Diamond, Si/SiC, Si/AlOx, Si Si,,, CN SoC, 2007 2010 2013 2016 2019 Materials Selection CZ Defectengineered SOI: Bonded, SIMOX, SOI Emerging Materials Various

More information

<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7

<6D31335F819A A8817A89C896DA93C782DD91D682A6955C816991E58A A CF8D588CE3817A C8B8F82B382F1817A7 電気電子工学専攻 54001 電磁波特論 2-0-0 電気電子コース EEE.S401 電気電子工学専攻 54002 無線通信工学 2-0-0 電気電子コース EEE.S451 Advanced Electromagnetic Waves ( 電磁波特論 ) Wireless Communication Engineering ( 無線通信工学 ) 旧電磁波特論あるいは旧 Advanced Electromagnetic

More information

KANSAI UNIVERSITY contents 01 07 27 37 1 2 KANSAI UNIVERSITY 3 KANSAI UNIVERSITY 4 5 KANSAI UNIVERSITY 6 7 KANSAI UNIVERSITY 8 9 KANSAI UNIVERSITY 10 11 KANSAI UNIVERSITY 12 13 KANSAI UNIVERSITY 14 15

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 様式 C-19 科学研究費補助金研究成果報告書 平成 21 年 6 月 1 日現在 研究種目 : 若手研究 ( スタートアップ ) 研究期間 :27~28 課題番号 :198624 研究課題名 ( 和文 ) InAlAs 酸化膜による III-V-OIMOS 構造の作製および界面準位に関する研究研究課題名 ( 英文 ) III-V-OIMOSstructurebyusingselectivewetoxidationofInAlAs

More information

untitled

untitled ITRS2005 DFM STRJ : () 1 ITRS STRJ ITRS2005DFM STRJ DFM ITRS: International Technology Roadmap for Semiconductors STRJ: Semiconductor Technology Roadmap committee of Japan 2 ITRS STRJ 1990 1998 2000 2005

More information

スライド 1

スライド 1 Front End Processes FEP WG - - NEC 1 ITRS2006 update 2 ITRS vs. 2-1 FET 2-2 Source Drain Extension 2-3 Si-Silicide 2-4 2-5 1 , FEP Front End Processes Starting Materials: FEP Si,, SOI SOI: Si on Insulator,

More information

研究成果報告書(基金分)

研究成果報告書(基金分) (DMS) 1 3 DMS 2 4 DMS II-VI CdTe ZnTe 2 4 DMS 2 4 DMS II-VI 2 3d 4 3d (MBE) II-VI ZnTe CdTe 3d Mn, Cr, Fe 2 4 DMS MBE X (XRD)X (XAFS) II (SQUID) (a) 4 DMS (Cd,Mn,Cr)Te 4 DMS II-VI CdTe 2 Mn, Cr (Cd,Mn,Cr)Te

More information

untitled

untitled Tokyo Institute of Technology high-k/ In.53 Ga.47 As MOS - Defect Analysis of high-k/in.53 G a.47 As MOS Capacitor using capacitance voltage method,,, Darius Zade,,, Parhat Ahmet,,,,,, ~InGaAs high-k ~

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 EL EL 17% 1.5 (F. Li, et al. Org. Elect., Vol. 8, 635, 2007 ) (S.Hore, et al., Sol. Energy Mater. Sol. Cells, pp. Vol. 90, 1176, 2006) (C. Haase et al., Proc. of SPIE, Vol. 6645, 66450W, 2007) (T. Fukuda

More information

23 Fig. 2: hwmodulev2 3. Reconfigurable HPC 3.1 hw/sw hw/sw hw/sw FPGA PC FPGA PC FPGA HPC FPGA FPGA hw/sw hw/sw hw- Module FPGA hwmodule hw/sw FPGA h

23 Fig. 2: hwmodulev2 3. Reconfigurable HPC 3.1 hw/sw hw/sw hw/sw FPGA PC FPGA PC FPGA HPC FPGA FPGA hw/sw hw/sw hw- Module FPGA hwmodule hw/sw FPGA h 23 FPGA CUDA Performance Comparison of FPGA Array with CUDA on Poisson Equation (lijiang@sekine-lab.ei.tuat.ac.jp), (kazuki@sekine-lab.ei.tuat.ac.jp), (takahashi@sekine-lab.ei.tuat.ac.jp), (tamukoh@cc.tuat.ac.jp),

More information

untitled

untitled 254nm UV TiO 2 20nm :Sr 5 Ta 4 O 15 3 4 KEY-1 KEY-2 (Ti,Nb,Ta) 5 KEY-1 KEY-2 6 7 NiO/ Sr 2 Ta 2 O 7 mmol h -1 g -1 20 15 10 5 H 2 O 2 H 2 O 2 0 0 2 4 6 8 10 12 NiO/Sr 2 Ta 2 O 7 The synthesis of photocatalysts

More information

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di

16 (16) poly-si mJ/cm 2 ELA poly-si super cooled liquid, SCL [3] a-si poly-si [4] solid phase crystalization, SPC [5] mJ/cm 2 SPC SCL (di (15) 15 ELA により形成された poly-si 結晶成長様式 - グレイン形状と水素の関係 - Crystal Growth Mode of Poly-Si Prepared by ELA -Relationship between the Grain Morphology and ydrogens- Naoya KAWAMOTO (Dept. of Electrical and Electronic

More information

技術創造の社会的条件

技術創造の社会的条件 1999 10 21 21 i ... 1 1... 3 1-1. 20...3 1900 1945 3 1945 198x 4 198x 1999 5 1-2....7 1945 198x 7 HEMT 8 198x 1999 9 9 1-3....11 11 12 13 18 2 New Institutions... 21 2-1....21 22 24 26 2-2....27 28 29

More information

表紙

表紙 Akira Fujishima 2005.Vo.3 1 Kiyoshi kanamura kanamura-kiyoshi@c.metro-u.ac.jp 2 2005.Vol.3 Rechargeable Lithium Ion-Battery Active Material Liquid Electrolyte σ = 10-2 10-3 S cm -1 3D Interface of Solid

More information

SONY HAD Sensor に関する SONY と NEC の特許戦争 (1994~2002) SONY の 1975 年の HAD Sensor 特許に対する NEC からの攻撃内容の詳細 NECの1980 年の埋め込みPhotodiode 特許では BASE 領域を完全空乏化することを特許請

SONY HAD Sensor に関する SONY と NEC の特許戦争 (1994~2002) SONY の 1975 年の HAD Sensor 特許に対する NEC からの攻撃内容の詳細 NECの1980 年の埋め込みPhotodiode 特許では BASE 領域を完全空乏化することを特許請 SONY HAD Sensor に関する SONY と NEC の特許戦争 (1994~2002) SONY の 1975 年の HAD Sensor 特許に対する NEC からの攻撃内容の詳細 NECの1980 年の埋め込みPhotodiode 特許では BASE 領域を完全空乏化することを特許請求しているが すでに上記の2 件の萩原 1975 年特許の実施図で完全空乏化が明示されている また その埋め込み層の電位は

More information

untitled

untitled /Si FET /Si FET Improvement of tunnel FET performance using narrow bandgap semiconductor silicide Improvement /Si hetero-structure of tunnel FET performance source electrode using narrow bandgap semiconductor

More information

ナノテクノロジ

ナノテクノロジ Nanotechnology 10 1 HEMT 201 2000 12 Abstract Since former President Clinton announced the National Nanotechnology Initiative, nanotechnology has become a well-known field. It has attracted much attention

More information

2. CABAC CABAC CABAC 1 1 CABAC Figure 1 Overview of CABAC 2 DCT 2 0/ /1 CABAC [3] 3. 2 値化部 コンテキスト計算部 2 値算術符号化部 CABAC CABAC

2. CABAC CABAC CABAC 1 1 CABAC Figure 1 Overview of CABAC 2 DCT 2 0/ /1 CABAC [3] 3. 2 値化部 コンテキスト計算部 2 値算術符号化部 CABAC CABAC H.264 CABAC 1 1 1 1 1 2, CABAC(Context-based Adaptive Binary Arithmetic Coding) H.264, CABAC, A Parallelization Technology of H.264 CABAC For Real Time Encoder of Moving Picture YUSUKE YATABE 1 HIRONORI

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt [互換モード] 1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

More information

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni

C-2 NiS A, NSRRC B, SL C, D, E, F A, B, Yen-Fa Liao B, Ku-Ding Tsuei B, C, C, D, D, E, F, A NiS 260 K V 2 O 3 MIT [1] MIT MIT NiS MIT NiS Ni 3 S 2 Ni M (emu/g) C 2, 8, 9, 10 C-1 Fe 3 O 4 A, SL B, NSRRC C, D, E, F A, B, B, C, Yen-Fa Liao C, Ku-Ding Tsuei C, D, D, E, F, A Fe 3 O 4 120K MIT V 2 O 3 MIT Cu-doped Fe3O4 NCs MIT [1] Fe 3 O 4 MIT Cu V 2 O 3

More information

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 第 61 回応用物理学会 青山学院大学相模原キャンパス 春季学術講演会 2014 年 3 月 18 日 ( 火曜日 ) La 2 O 3 /InGaAs 界面ラフネスに及ぼす ALD プロセスの影響 Impact of ALD process on La 2 O 3 /InGaAs interface roughness 大嶺洋 1,Dariush Hassan Zadeh 1, 角嶋邦之 2, 片岡好則

More information

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite

** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite ** Department of Materials Science and Engineering, University of California, Los Angeles, CA 90025, USA) Preparation of Magnetopulmbite Type Ferrite Thin Films by Dip-Coating Method and Magnetic Properties

More information

Microsoft Word - 01.doc

Microsoft Word - 01.doc 科学技術振興機構 (JST) 理 化 学 研 究 所 京 都 大 学 有機薄膜太陽電池で飛躍的なエネルギー変換効率の向上が可能に ~ 新材料開発で光エネルギー損失低減に成功 ~ ポイント 塗布型有機薄膜太陽電池 ( 塗布型 OPV) の実用化には変換効率の向上が課題となっている 新しい半導体ポリマーの開発により 塗布型 OPV の光エネルギー損失が無機太陽電池並みまで低減に成功した 塗布型 OPV

More information

untitled

untitled ( ) ( ) 1 MEMS : MEMS ( +13% / ) 2 3 ISFET ph,co 2 (K.Shimada, M.Esashi, Med.& Biol.Eng.& Comp.,18 (1980) p.741) (M.Esashi T.Matsuo, Supplement to the J.J.AP.,44 (1975),339-343) 4 5 (Y.Matsumoto, S.Shoji,

More information

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt 半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

More information

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 MIS HEMT MIS HEMT MIS HEMT AlGaN/GaN MIS ALD AlGaN/GaN MIS-HEMT (1)MIS MIS AlGaN/GaN MIS-HEMT BCl 3 Cl 2 Ti/Al/Mo/Au (15/60/35/50 nm) 850 ºC AlGaN Ni/Au (100/150 nm) 300 ºC Lg=3m Lgd=5 mwg=100 m ALD Al

More information

学位論文題目 Title 氏名 Author 専攻分野 Degree 学位授与の日付 Date of Degree Resource Type 報告番号 Report Number URL Kobe University Repository : Thesis 有機強誘電体薄膜の構造 配向制御および焦電デバイス応用に関する研究 黒田, 雄介 博士 ( 工学 ) 2013-03-25 Thesis or

More information

Laser Ablation Dynamics of Amorphous Film of a Cu-Phthalocyanine Derivative Masahiro HOSODA*,**, Hiroshi FURUTANI*,**. Hiroshi FUKUMURA*,** Hiroshi MASUHARA*, Masanobu NISHII*** Nobuyuki ICHINOSE**,***,

More information

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする

More information

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho

1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Pho 1-2 原子層制御量子ナノ構造のコヒーレント量子効果 Coherent Quantum Effects in Quantum Nano-structure with Atomic Layer Precision Mutsuo Ogura, Research Director of CREST Photonics Research Institute, AIST TBAs) AlGaAs/GaAs TBAs)

More information

八戸工大ドリームゲート16p.indd

八戸工大ドリームゲート16p.indd Hachinohe Institute of Technology Dream Gate 2015 Department of Biotechnology and Environmental Engineering Department of Electrical and Electronic Systems Department of KANSEI Design Department of System

More information

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

More information

記者発表資料

記者発表資料 2012 年 6 月 4 日 報道機関各位 東北大学流体科学研究所原子分子材料科学高等研究機構 高密度 均一量子ナノ円盤アレイ構造による高効率 量子ドット太陽電池の実現 ( シリコン量子ドット太陽電池において世界最高変換効率 12.6% を達成 ) < 概要 > 東北大学 流体科学研究所および原子分子材料科学高等研究機構 寒川教授グループはこの度 新しい鉄微粒子含有蛋白質 ( リステリアフェリティン

More information

Frontier Simulation Software for Industrial Science

Frontier Simulation Software for Industrial Science PACS-CS FIRST 2005 2005 2 16 17 2 28 2 17 2 28 3 IT IT H14~H16 CHASE CHASE-3PT Protein Protein-DF ABINIT-MP 17 2 28 4 CMOS Si-CMOS CMOS-LSI CMOS ATP 10nm 17 2 28 5 17 2 28 6 CMOS CMOS-LSI LSI 90nm CMOS

More information

Microsoft PowerPoint _iwasaki

Microsoft PowerPoint _iwasaki 大阪市大での EPICS 教育 2017/12/15 阪市 学岩崎昌子 1) 学部学生実験 (2016 年度 ) 2)RPi3 + Arduino + EPICS 3) 大学院生授業 (2017 年度 ) 講習会 2016 年 4 月 大阪市大に着任 予算の少なさに 大学で教育 開発環境を作るための重要ポイント 1. 安い 2. コンパクト ( スペースをとらない 持ち運びが簡単 ) 帯名さん 山本さんに御相談

More information

藤村氏(論文1).indd

藤村氏(論文1).indd Nano-pattern profile control technology using reactive ion etching Megumi Fujimura, Yasuo Hosoda, Masahiro Katsumura, Masaki Kobayashi, Hiroaki Kitahara Kazunobu Hashimoto, Osamu Kasono, Tetsuya Iida,

More information

2

2 Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

More information

untitled

untitled 1 / 37 5-4 6.1 1 2 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 2 1 3 / 37 1 (1) FePt AuAg (2) CdSe ZnSXY 2 O 3 X X : ZnO (3) SiO 2 (4) (5) 3 4 / 37 1Tbits/cm 2 HD FePt FePt 110nm

More information

<4D F736F F D F8E968BC68CB495EB81698D828F5790CF814595A18D874D454D53816A5F8CF68A4A94C55F C966B91E58A77816A5B315D89FC92F92E646F63>

<4D F736F F D F8E968BC68CB495EB81698D828F5790CF814595A18D874D454D53816A5F8CF68A4A94C55F C966B91E58A77816A5B315D89FC92F92E646F63> (2)MEMS- 半導体横方向配線技術の研究開発 (2)-1.MEMS ー半導体横方向配線技術の研究開発 ( 東北大学 ) 1. 研究の概要 344 2. 成果の詳細 MEMS と LSI を高密度に一体化実装する新しい低温積層高密度一体化実装技術を開発することを目的として研究開発を行った 研究開発の内容は 1) セルフアセンブリー機能を利用してフレキシブル配線基板上に LSI チップや MEMS

More information

2 1 7 - TALK ABOUT 21 μ TALK ABOUT 21 Ag As Se 2. 2. 2. Ag As Se 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 Sb Ga Te 2. Sb 2. Ga 2. Te 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 1 2 3 4

More information

スライド 1

スライド 1 研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

More information

fromdaikyo_h1

fromdaikyo_h1 FROM DAIKYO 2 3 4 5 6 8 1 12 13 14 16 4 4 17 18 19 2 21 22 23 24 7 8 9 2 3 4 1 No. September 215 OSAKA KYOIKU UNIVERSITY 2 FROM DAIKYO 3 FROM DAIKYO 1 4. 3.5 3. 2.5 2.42 2.49 2.55 2.61 2.68 2.7 2.77 2.83

More information

From Evans Application Notes

From Evans Application Notes 3 From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com From Evans Application Notes http://www.eaglabs.com XPS AES ISS SSIMS ATR-IR 1-10keV µ 1 V() r = kx 2 = 2π µν x mm 1 2 µ= m + m 1 2 1 k ν = OSC 2

More information

スライド 1

スライド 1 Matsuura Laboratory SiC SiC 13 2004 10 21 22 H-SiC ( C-SiC HOY Matsuura Laboratory n E C E D ( E F E T Matsuura Laboratory Matsuura Laboratory DLTS Osaka Electro-Communication University Unoped n 3C-SiC

More information

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt 6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

More information

スライド 1

スライド 1 2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里

More information

研究成果報告書

研究成果報告書 ① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

More information

untitled

untitled 20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

More information

スライド 1

スライド 1 山形大学主催次世代ライフイノベーションワークショップ 2013 年 2 月 1 日 印刷型有機トランジスタの現状と スマート ライフケア システムへの展開 山形大学 有機エレクトロニクス研究センター 時任静士 講演概容 有機トランジスタの位置づけ 印刷法による有機トランジスタの作製と特性 有機トランジスタの集積回路応用 ヘルスケアセンサーへの応用展開 ソース ドレイン電流 (A) 有機トランジスタの基本構造

More information

Microsoft PowerPoint - 今栄一郎.ppt [互換モード]

Microsoft PowerPoint - 今栄一郎.ppt [互換モード] 37 1 高性能分子デババイスを志向した配向性単分子膜の新規製造方法 広島大学大学院工学研学研究院物質化学工学部門学部門准教授今栄一郎郎 教授播磨裕 2 有機電子デバイスの発展 プラスチックフィルム上での有機 TFT 駆動 EL ディスプレイを実現 (2007 年 5 月 ) http://www.sony.co.jp/sonyinfo/news/press /200705/07-053/index.html

More information

スライド 1

スライド 1 CMOS : swk(at)ic.is.tohoku.ac.jp [ 2003] [Wong1999] 2 : CCD CMOS 3 : CCD Q Q V 4 : CMOS V C 5 6 CMOS light input photon shot noise α quantum efficiency dark current dark current shot noise dt time integration

More information

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx 超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

More information

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル

AlGaN/GaN HFETにおける 仮想ゲート型電流コラプスのSPICE回路モデル AlGaN/GaN HFET 電流コラプスおよびサイドゲート効果に関する研究 徳島大学大学院先端技術科学教育部システム創生工学専攻電気電子創生工学コース大野 敖研究室木尾勇介 1 AlGaN/GaN HFET 研究背景 高絶縁破壊電界 高周波 高出力デバイス 基地局などで実用化 通信機器の発達 スマートフォン タブレットなど LTE LTE エンベロープトラッキング 低消費電力化 電源電圧を信号に応じて変更

More information

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T

C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T C 3 C-1 Cu 2 (OH) 3 Cl A, B A, A, A, B, B Cu 2 (OH) 3 Cl clinoatacamite S=1/2 Heisenberg Cu 2+ T N 1 =18K T N 2 =6.5K SR T N 2 T N 1 T N 1 0T 1T 2T 3T 4T 5T 6T C (J/K mol) 20 18 16 14 12 10 8 6 0 0 5 10

More information

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト

高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクト 高集積化が可能な低電流スピントロニクス素子の開発に成功 ~ 固体電解質を用いたイオン移動で実現低電流 大容量メモリの実現へ前進 ~ 配布日時 : 平成 28 年 1 月 12 日 14 時国立研究開発法人物質 材料研究機構東京理科大学概要 1. 国立研究開発法人物質 材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点の土屋敬志博士研究員 ( 現在 東京理科大学 ) 寺部一弥グループリーダー 青野正和拠点長らの研究チームは

More information

untitled

untitled 1 1-1 p-i-n 1-1 (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si (CIS/CIGS CdTe ) (GaAs) (,,) (, ) (,,) Si Si Si Si 1-2 HITHeterojunction with Intrinsic Thin layer 30 HIT 22.3NIKKEI MICRODEVICES, May,82-86(2008)

More information

1

1 4 Nano Device Technologies From New Functions of Extreme Substances to Telecommunication Technologies 4-1 Controlling Intermolecular Interactions using Nano- Structural Molecules OTOMO Akira, YOKOYAMA

More information

PowerPoint プレゼンテーション

PowerPoint プレゼンテーション 1 45nm 2 2004 2007 2010 90* 65 45 4 10 25 * 100 10001 H16 45 2001-2003 2004-2007 65 45 MIRAI 3 Cu n+ n+ p+ p+ p n nmos pmos ITRS 2004 2007 2010 2013 2016 3.5 k 3.0 2.5 2.0 ITRS2001 ITRS2003 Low-k 1.5 1.0

More information

passive passive active 1 ( ) LTP 1 1) 2) 1 1

passive passive active 1 ( ) LTP 1 1) 2) 1 1 11 8 25 passive passive active 1 ( ) LTP 1 1) 2) 1 1 1997 CA1 12 13 1990 2 K A K 1997 transient 3 transient 4-aminopyridine 4- AP A K A A [ 1 conductivity recording transient 4 ] 2 ( K ) i) A K CA1 A K

More information

untitled

untitled PC 2010 12 PC A PC BDay 1 B PC B * B* B Easy * B B B B B C C PC CD/DVD C PC PC PC PC PC () ( ) -1- *) -2- PC PC PC PC PC 0120-97-1048 043-298-8780 PC PC PC PC PC PDA PC PC 0120-97-1048 043-298-8780 PC

More information