HIGIS 3/ﾌﾟﾚｾﾞﾝﾃｰｼｮﾝ資料/J_GrayA.ppt

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27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

二次イオン質量分析法 -TOF-SIMS法の紹介-

SCIENTIFIC INSTRUMENT NEWS 2016 Vol. No.1 M A R C H 59 Technical magazine of Electron Microscope and Analytical Instruments. 技術解説 二次イオン質量分析法ー TOF-SIMS 法の紹介ー Secondary Ion Mass Spectrometry -Time of Flight

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

J. Mass Spectrom. Soc. Jpn.: 58(5), (2010)

J. Mass Spectrom. Soc. Jpn. Vol. 58, No. 5, 2010 REVIEW 9 Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS) SIMS SIMS Fundamentals of Mass Spectrometry Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS), Cluster SIMS, and Electrospray

図 2 TOF-SIMS 測定の模式図. され, それまで数 10 μm であったビーム径が, 一気にサブミクロンにまで向上した. ただし, 当時のイオン源は Ga のみであったため, 無機材料の応用例が中心であった. 液体金属型イオン銃はサブミクロンのビーム径に加え, 高質量分解能も容易に達成でき

ナノイオンプローブによる新規顕微計測技術の展開 TOF-SIMS による有機材料の 3 次元ナノスケールイメージ解析 Three Dimensional Nano Scale Image Analysis of Organic Materials Using TOF-SIMS 飯田真一 Shin-ichi Iida アルバック ファイ株式会社 要 旨表面に非常に敏感で, 元素あるいは分子種を高感度で検出可能な飛行時間型二次イオン質量分析法

■ 質量分析計の原理 ■

質量分析装置 1, 質量分析法とは? 質量分析法 (Mass Spectrometry, 以下 MS と略す ) は 極めて少量の試料 (1mg 以下, 最低必要量は 1 mmol/l の溶液が数 μl あれば測定可能 ) で 信頼性のある分子量を測定する方法である 実際には試料を高真空下 適当な方法でイオン化し そのイオンを電磁気的に分離して検出を行う 元素分析と MS を組み合わせれば 試料の分子式が決定できる

Microsoft PowerPoint - SISS SIMS基礎講座 D-SIMS.ppt [互換モード]

SIMS 基礎講座 D-SIMS( ダイナミック SIMS) について 2016 年 7 月 20 日 アメテック ( 株 ) カメカ事業部三輪司郎 内容 1. D-SIMSとは? (Static SIMSとの違い 応用分野 ) 2. D-SIMS 装置の構成 簡単な構造 原理 ( 質量分析計 イオン源 ) 3. 応用例 4. まとめ 内容 1. D-SIMSとは? (Static SIMSとの違い

Title

SIMS のアーティファクトについて ナノサイエンス株式会社 永山進 1 artifact( アーティファクト ) とは? 辞書を調べると Artifact ( 考古学 ), 人工品 人工遺物 ( 先史時代の単純な器物 宝石 武器など ) 出土品 Artifact ( 技術的なエラー ), 技術的な側面から入り込むデーターにおける望ましくない変化 ( 測定や解析の段階で発生したデータのエラーや解析のゆがみ

Introduction of Focused Ion Beam Time-of Flight Secondary Ion Mass Spectrometer

Laser-SNMS (FILMER) の技術情報 SIMS 研究会 7, 成蹊大学, 2016.07.20 株式会社トヤマ http://www.toyama-jp.com 柏木隆宏 石川丈晴 長嶋悟 山下智之 中川潤 竹中久貴 高野明雄 遠藤克己 E-mail; takano@toyama-jp.com 会社名 本社 工場 関西営業所 代表者 会社設立 株式会社トヤマ 258-0112 神奈川県足柄上郡山北町岸

ビジネスグリッドコンピューティングプロジェクト 事後評価の概要について

第 1 回 高度分析機器開発実用化プロジェクト事後評価検討会資料 5 ー 2 表面微量分析用の高感度 3 次元質量分析装置開発の概要について 開発装置名 : 表面微量分析用高感度 3D-TOF 質量分析装置 平成 21 年 10 月 6 日 アルバック ファイ ( 株 ) 目次 1. プロジェクトの概要 2. 目的 政策的位置付け 3. 目標 4. 成果 目標の達成度 5. 事業化 波及効果 6.

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論 文 表面科学 Vol. 35, No. 7, pp. 351-355, 2014 クラスター SIMS 法による脂質分子の高感度検出と イメージングへの応用 藤井麻樹子 1 宍戸理恵 2 鳥居聡太 3 中川駿一郎 3 瀬木利夫 3 4 青木学聡 鈴木茂 2 1 松尾二郎 京都大学大学院工学研究科附属量子理工学教育研究センター 2 東北大学多元物質科学研究所 3 京都大学大学院工学研究科原子核工学専攻

42 1 Fig. 2. Li 2 B 4 O 7 crystals with 3inches and 4inches in diameter. Fig. 4. Transmission curve of Li 2 B 4 O 7 crystal. Fig. 5. Refractive index

MEMOIRS OF SHONAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Vol. 42, No. 1, 2008 Li 2 B 4 O 7 (LBO) *, ** * ** ** Optical Scatterer and Crystal Growth Technology of LBO Single Crystal For Development with Optical Application

Dynamic SIMS Static SIMS µ µ

. (Secondary Ion Mass Spectroscopy:SIMS) 1) SIMS SIMS Dynamic SIMS Static SIMS µ µ SIMS 1. 2. DSIMS) 3. DSIMS) 4. DSIMS) 5. 6. 7. SSIMS) 8. SSIMS) 9. SSIMS) SIMS 1. 2. = O - Cs + µ µ µ SIMS 4keV O 2 +

Microsoft PowerPoint - 豊田2008HP閲覧用資料

核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University

スペースプラズマ研究会-赤星.ppt

14 1 1 1 1 Pauline Faure 1 1 2 3 (1: 2: JAXA 3: IHI) IHI (C)(No.21560819) ISAS(JAXA) ISO TC20/SC14 / (Spall) 60~90% 2 (Cone) 1% (Jetting) CDV11227 Committee Draft for Comments CDV11227 Witness plate Sabot

Degradation Mechanism of Ethylene-propylene-diene Terpolymer by Ozone in Aqueous Solution Satoshi MIWA 1 *, 2, Takako KIKUCHI 1, 2, Yoshito OHTAKE 1 a

Degradation Mechanism of Ethylene-propylene-diene Terpolymer by zone in Aqueous Solution Satoshi MIWA 1, 2, Takako KIKUCHI 1, 2, Yoshito TAKE 1 and Keiji TANAKA 2 ( 1 Chemicals Evaluation and Research

ミューオンによる非破壊分析の可能性_toyoda

Ion Source Detector = Δ T 2 Δ T 12 6 C 6 + 6 13 6 C 6 + 7 R = / Δ 5% Δ 10% +Δ 大阪大学大分散質量分析器 H. Matsuda, S. Fukuoto, Y. Kuroda, Z. Naturforschg., 21a (1966), 25-33. S. Fukuoto, T. Matsuo and H. Matsuda,

卒業論文（中島）

Abstract 1 1.1 1.2 MULTUM Ⅱ 1.3 1.4 2 2.1 2.2 2.3 Charge-Sensitive Amplifier 2.4 2.5 3 3.1 MULTUM-TOF/TOF 4 MULTUM-TOF/TOF 4.1 4.2 5 6 Abstract (MULTUM Ⅱ) MCP(Microchannel Plate) MCP Time of Flight(TOF)

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

2

Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上へのCuマイクロパターン形成

Title 無電解めっきとレーザー照射による有機樹脂板上への Cu マイクロパターン形成 Author(s) 菊地, 竜也 ; 和智, 悠太 ; 坂入, 正敏 ; 高橋, 英明 ; 飯野, 潔 ; 片山, 直樹 Citation 表面技術, 59(8): 555-561 Issue Date 2008-08 Doc URL http://hdl.handle.net/2115/36647 Type

Microsoft Word - 13_hyomen-1.doc

総説レビュー 最新の表面分析技術 アルバック ファイ 星孝弘 はじめに表面分析法は,1970 年代から材料固体表面の定性 定量分析法として高く評価されており, 他の分析法と比較すると表面一原子層から 5 nm 程度の組成分析が行えることに特徴がある. その代表的なのもとして, オージェ電子分光法 (AES:Auger Electron Spectroscopy),X 線光電子分光法 (XPS:X-Ray

Microsoft Word - 自技会原稿-9.doc

75385 3-75385 エアロゾル質量分析計の改良による連続粒径毎成分の測定 秋山賢一 ), 下野彰夫 ),Douglas Worsnop 3) Continuous particle size depend composition measurement using improved aerosol mass spectrometer. Kenichi Akiyama, Akio Shimono,

ochem2_30

第 30 回 有機化合物の構造決定 (2) NMR NMR NMR 質量分析法 赤外分光法 NMR 1. 質量分析法の原理 1913 Thomson (Proc. R. Soc. Lond. A 1913, 89, 1 26) Thomson Thomson 20 Ne 22 Ne Thomson mv/qb m q v B m/q Thomson 1 EI 法 ( electron ionization,

natMg+86Krの反応による生成核からのβ線の測定とGEANTによるシミュレーションとの比較

nat Mg+ 86 Kr の反応による生成核からの β 線の測定と GEANT によるシミュレーションとの比較 田尻邦彦倉健一朗 下田研究室 目次 実験の目的 nat Mg+ 86 Kr 生成核からの β 線の測定 @RCNP 実験方法 実験結果 GEANT によるシミュレーション 解析 結果 まとめ 今後の課題 実験の目的 偏極した中性子過剰 Na アイソトープの β-γ-γ 同時測定実験を TRIUMF

fma20.PDF

PZT TSC Measurement for Degraded and Damaged PZT Thin Films Capacitors Prepared by Sputtering. FeRAM MFIS : XRD, TEM : XRF, EDS, EPMA, SIMS : SPM, NDM? DLTS DLTS (TSC) (TSC) fatigue,, ( ) (1) (2) J T TSC

高分解能LC/MSによる構造解析（新規導入装置による超高分解能測定および多段階MS測定）

The TRC ews, 177-1 (July 17) 高分解能 LC/M による構造解析 ( 新規導入装置による超高分解能測定および多段階 M 測定 ) 有機分析化学研究部小野田資 秋山毅 井口詔雄 要旨質量分析計の進歩は目覚ましく 現代ではありとあらゆる分野の微量分析 構造解析において欠かすことのできない分析手法である 特に 幅広い成分に適用可能な HPLC および 質量分解能の非常に高い質量分析計

TSP-MPS-OM.book

取扱説明書 Transpector MPS Transpector MPH www.inficon.com 2014 INFICON reachus@inficon.com INFICON Inc. Two Technology Place East Syracuse, NY 13057 USA PN 074-603-P1A 1-1 PN 074-603-P1A 1-2 PN 074-603-P1A

Microsoft PowerPoint - TMTinst_ _summerschool_akiyama

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 590nm 2200nm 0 1.739 1.713 5 1.708 1.682 10 1.678 1.652 0-10 0.061061 0.061061 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 1.0 x1.0 0.5 x0.5 0.2 x0.2 0.1 x0.1 bg/30ms

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

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1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of

(Microsoft PowerPoint - \201\232\203|\203X\203^\201[)

[ 2Pf012 ] 溶液ラジカル重合における末端変性アクリル系ポリマーの合成 Synthesis of terminal-modified acrylic polymers by the solution polymerization with radical initiators. ( 株 )DNP ファインケミカル 西馬千恵 清水圭世 竹岡知美 有富充利 顔料分散体 インクジェットインクやカラーフィルタ用レジストなどの顔料分散体が優れた性能を発揮するためには

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LC/Q-TOFを用いた環境関連化合物の分析第 1 部 : 染料と色素 アプリケーション 環境 著者 JimLau,Chin-KaiMeng,andJenniferGushue AgilentTechnologies,Inc. 285CentervilleRoad Wilmington,DE1988 USA VimalBalakrishnanandMehranAlaee EnvironmentCanada

Drift Chamber

Quench Gas Drift Chamber 23 25 1 2 5 2.1 Drift Chamber.............................................. 5 2.2.............................................. 6 2.2.1..............................................

J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay E15 dete

J-PARC E15 (TGEM-TPC) TGEM M1 ( ) J-PARC E15 TPC TGEM TGEM J-PARC E15 K K-pp Missing mass Invariant mass K - 3 He Formation K - pp cluster neutron Mode to decay charged particles p Λ π - Decay p Decay

1-x x µ (+) +z µ ( ) Co 2p 3d µ = µ (+) µ ( ) W. Grange et al., PRB 58, 6298 (1998). 1.0 0.5 0.0 2 1 XMCD 0-1 -2-3x10-3 7.1 7.2 7.7 7.8 8.3 8.4 up E down ρ + (E) ρ (E) H, M µ f + f E F f + f f + f X L

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20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

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5 5.1 mass spectrometer electron impact, EI 5.1 :;"< 789 =>? *!"#$%& '%&(),,,-./ 0.12%3456 :;"@AB CDEFG:;"HIJK@LMN :;"@HIOPQ0RST6 5.1. 70 ev molecular ion #"$%& M M e!"!"'() #" m/z ; m = z = 1 mass spectrum,

圧電型加速度センサ Piezoelectric Acceleration sensor 特長 Features 圧電素子に圧電型セラミックを用いた加速度センサは 小型堅牢 高感度で広帯域を特長としております 従って 低い周波数の振動加速度から衝突の様な高い加速度の測定まで 各分野で 幅広く使用されて

圧電型加速度センサ 小型タイプ φ3.5 5.85 2.5(H)mm 加速度 MAX100,000m/s 2 高温タイプ MAX250 小型 3 軸タイプ 8 7 5.5(H)mm Super miniature type φ3.5 5.85 2.5(H)mm 100,000m/s 2 High temperature resistance type MAX250 and Triaxial type

03J_sources.key

Radiation Detection & Measurement (1) (2) (3) (4)1 MeV ( ) 10 9 m 10 7 m 10 10 m < 10 18 m X 10 15 m 10 15 m ......... (isotope)...... (isotone)......... (isobar) 1 1 1 0 1 2 1 2 3 99.985% 0.015% ~0% E

研究成果報告書

① ア ニ ー ル 温 度 の 違 い に よ る ナ ノ 構 造 制御 論文④ ⑤関連 シード層として Ti を用い Ag/Ti 薄膜を MgO(001)基板上に室温蒸着させた後にアニ ール処理を施す その際 アニール条件 温 度 時間 を変えた場合の基板上に形成され る Ag ナノ構造の変化について調べた Fig.1 の薄膜表面の原子間力顕微鏡 AFM 像に見られるように (a)ti シード層

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

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LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった

21世紀COE講義2006_5.ppt

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OPA134/2134/4134('98.03)

OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In

42 3 u = (37) MeV/c 2 (3.4) [1] u amu m p m n [1] m H [2] m p = (4) MeV/c 2 = (13) u m n = (4) MeV/c 2 =

3 3.1 3.1.1 kg m s J = kg m 2 s 2 MeV MeV [1] 1MeV=1 6 ev = 1.62 176 462 (63) 1 13 J (3.1) [1] 1MeV/c 2 =1.782 661 731 (7) 1 3 kg (3.2) c =1 MeV (atomic mass unit) 12 C u = 1 12 M(12 C) (3.3) 41 42 3 u

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第 1 回先進的観測技術研究会 2012.12.26 KEK オングストロームビーム電子回折法によるム電子回折法による 金属ガラスの局所構造解析 東北大学 原子分子材料科学高等研究機構 平田秋彦 陳明偉 共同研究者 : Pengfei Guan, 1 藤田武志, 1 弘津禎彦, 2 井上明久, 3 Alain Reza Yavari, 1,4 桜井利夫, 3 1. WPI AIMR, Thk Tohoku

CuおよびCu‐Sn系化合物のSn‐Pbはんだ濡れ性解析

61 Wettability of Cu and Cu-Sn Intermetallic Compound by Sn-Pb Solder Alloy Hisaaki Takao, Nobuyuki Yamamoto, Hideo Hasegawa CuCu-Sn Cu 150 C 2h55nmCu 2 O Cu Cu-Sn 5nm Cu-Sn Cu SnCu-Sn Wettability of Cu

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213 74 AlGaN/GaN Influence of metal material on capacitance for Schottky-gated AlGaN/GaN 1, 2, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, 1 1 AlGaN/GaN デバイス ① GaNの優れた物性値 ② AlGaN/GaN HEMT構造 ワイドバンドギャップ半導体 (3.4eV) 絶縁破壊電界が大きい

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16 -Feb 2017 ILC 飛跡測定器における GEM 型ゲート装置の特性評価 Characteristic evaluation of Gating GEM in ILC track measuring instrument 平成 28 年度修士論文審査会 Master's thesis presentation 岩手大学大学院工学研究科電気電子 情報システム工学専攻 博士前期課程 2 年

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1 000 Ni-Cr Tribological Characteristics of Ni-Cr Alloy at 1 000 C in Air R&D 1 000 Ni-Cr 1 000 Ni-Cr alloy sliding tests in atmosphere at 1 000 C were carried out and the process in which a glazed oxide

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a b Chroma Graphein Chromatography (Stationary Phase) (Mobile Phase) CHROMATOGRAPHY GAS SFC LIQUID GSC GLC Column Planar NP RP IEC SEC TLC Paper Normal Phase Reverse Phase GPC GFC Thin Layer Chromato.

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株式会社 ** 御中報告書 : Report No.A18xxxxxxxxxx 2118510 川崎市幸区新小倉 11 GC/MS 分析結果報告書 Result on GC/MS Analysis 形状 マットご依頼元で小片化したもの 緑色 サンプル外観 photo 使用装置 Equipment 熱抽出 / 加熱脱離 カ スクロマトク ラフ / 質量分析法 IEC623218:2017 に準拠 Py/TD

Chap. 1 NMR

β α β α ν γ π ν γ ν 23,500 47,000 ν = 100 Mz ν = 200 Mz ν δ δ 10 8 6 4 2 0 δ ppm) Br C C Br C C Cl Br C C Cl Br C C Br C 2 2 C C3 3 C 2 C C3 C C C C C δ δ 10 8 6 4 δ ppm) 2 0 ν 10 8 6 4 δ ppm) 2 0 (4)

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47 Electrical Discharge Truing for Electroplated Diamond Tools Koji Watanabe Hisashi Minami Hatsumi Hiramatsu Kiyonori Masui (211 7 8 ) Electroplated diamond tools are widely used for grinding because

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2007/8 Vol. J90 D No. 8 Stauffer [7] 2 2 I 1 I 2 2 (I 1(x),I 2(x)) 2 [13] I 2 = CI 1 (C >0) (I 1,I 2) (I 1,I 2) Field Monitoring Server

a) Change Detection Using Joint Intensity Histogram Yasuyo KITA a) 2 (0 255) (I 1 (x),i 2 (x)) I 2 = CI 1 (C>0) (I 1,I 2 ) (I 1,I 2 ) 2 1. [1] 2 [2] [3] [5] [6] [8] Intelligent Systems Research Institute,

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第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが

1 Kinect for Windows M = [X Y Z] T M = [X Y Z ] T f (u,v) w 3.2 [11] [7] u = f X +u Z 0 δ u (X,Y,Z ) (5) v = f Y Z +v 0 δ v (X,Y,Z ) (6) w = Z +

3 3D 1,a) 1 1 Kinect (X, Y) 3D 3D 1. 2010 Microsoft Kinect for Windows SDK( (Kinect) SDK ) 3D [1], [2] [3] [4] [5] [10] 30fps [10] 3 Kinect 3 Kinect Kinect for Windows SDK 3 Microsoft 3 Kinect for Windows

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1/120 別表第 1(6 8 及び10 関係 ) 放射性物質の種類が明らかで かつ 一種類である場合の放射線業務従事者の呼吸する空気中の放射性物質の濃度限度等 添付 第一欄第二欄第三欄第四欄第五欄第六欄 放射性物質の種類 吸入摂取した 経口摂取した 放射線業 周辺監視 周辺監視 場合の実効線 場合の実効線 務従事者 区域外の 区域外の 量係数 量係数 の呼吸す 空気中の 水中の濃 る空気中 濃度限度

新技術説明会　様式例

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30 10 3 from to 10 from to ( ) ( ) 20 20 20 20 20 35 8 39 11 41 10 41 9 41 7 43 13 41 11 42 7 42 11 41 7 42 10 4 4 8 4 30 10 ( ) ( ) 17 23 5 11 5 8 8 11 11 13 14 15 16 17 121 767 1,225 2.9 18.7 29.8 3.9

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SPring-83 22(2010)730 MBE PLD MBE 0.002% PLD p Π n p n PF PF = S 2 S =V/ΔT V: [V] ΔT: [K] S[V/K], T[K], σ[s/m] TeBi 2 Te 3 (Bi,Se) 2 Te 3 (n-type) Ar KrF Ar gas 2. A. 3. c-si a-si InP GaAs 1g (μm) PV(W/g

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B 0 5 0-5 双極子核 I=1/ 2 四極子核 I 1 e Li Be B C N F Ne Na Mg 黒字はNMR 観測不可 Al Si P S Cl Ar K Ca Sc Ti V Cr MnFe Co Ni Cu ZnGaGe As Se Br Kr RbSr Y Zr NbMoTc RuRhPdAgCd In Sn SbTe I Xe Cs Ba La f Ta W Res Ir Pt

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5 11 3 1....1 2. 5...4 (1)...5...6...7...17...22 (2)...70...71...72...77...82 (3)...85...86...87...92...97 (4)...101...102...103...112...117 (5)...121...122...123...125...128 1. 10 Web Web WG 5 4 5 ²

平成20年1月15日

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4. 2 2 Coulomb 2 2 2 ( ) electricity 2 30 4 1 Ampère 4 2 Ampere 31 NS 2 Fleming 4 3 B I r 4 1 0 1.257 10-2 Gm/A µ 0I B = 2πr 4 1 32 4 4 A A A A 4 4 10 9 1 2 12 13 14 4 1 16 4 1 CH 2 =CH 2 28.0313 28 2

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