Introduction of Focused Ion Beam Time-of Flight Secondary Ion Mass Spectrometer

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1 Laser-SNMS (FILMER) の技術情報 SIMS 研究会 7, 成蹊大学, 株式会社トヤマ 柏木隆宏 石川丈晴 長嶋悟 山下智之 中川潤 竹中久貴 高野明雄 遠藤克己 ;

2 会社名 本社 工場 関西営業所 代表者 会社設立 株式会社トヤマ 神奈川県足柄上郡山北町岸 TEL.046(579)1411( 代表 ) FAX.046(579) 兵庫県姫路市北条口 1 丁目 35 番地東和シティコア姫路駅前 101 TEL.0792(26)8373 FAX.0792(26)8374 代表取締役社長遠藤敬介 ( 克己 ) 1956( 昭和 31) 年 4 月 19 日 ( 個人創業 :1954( 昭和 29) 年 1 月 ) 先端科学技術分野でのオーダーメイド実験装置の設計 製造 加速器 放射光 分光器 物性研究 分子科学 薄膜形成 SIMS7, 成蹊大学,

3 FIB Laser Ionization Nano Mass Imager FILMER 高面分解能で高質量分解能を同時に実現新設計のパルス FIB と二次イオン遅延引き出し技術 横方向分解能 : 50 nm 質量分解能 m/δm: FIB/SEM 同じ場所での観察可能なデュアルビーム FIB 加工した部分を非破壊で SEM 観察が可能 またその面での分析も可能 表面分析 断面分析が可能 レーザー SNMS レーザー SNMS 用に設計された光学系 TOF-SIMS に比べての高い感度 低マトリックス効果 有機物に対する高い感度 ガスイオン銃 クリーニング デプスプロファイル O 2+ での高感度分析 (SIMS モード ) SIMS7, 成蹊大学,

4 東京工業大学藤井正明教授 FILMER の開発 工学院大学坂本哲夫教授 レーザー分光 レーザーイオン化 FIB-SIMS ナノサンフ ルフ ロセッシンク 新日鐵住金株式会社林俊一博士他 Laser-SNMS SIMS 株式会社トヤマ遠藤克己他 各種真空技術 TOF-MS JST ( 科学技術振興機構 ) 先端計測分析技術機器開発プログラム機器開発タイプ + 実証 実用化タイプ SIMS7, 成蹊大学,

5 高面分解能と高質量分解能を同時に実現 ~TOF-SIMS の基本性能 ~ TOF-MS 質量分解能 m/δm > 40nm (84-16%) SEM 40 mm MCP Sputter Ion Pump Ga-FIB, 30keV 横方向分解能 ; 40 nm m/δm = = 63 Sample stage (x-y-z, tilt, rotation) Pulse Laser 257nm, 10kHz Sputter Ion Pump Mass Spectrum Mass Resolution オプション : 低加速イオン銃 (O 2 or Ar) Result of TOF-SIMS Measurement SIMS7, 成蹊大学,

6 単一微粒子の分析をするために (FILMER 開発の基礎 ) SPM: 直径数 nm~ 数 μm 他種多様な形状 無機物 有機物 付着微粒子 反応変性層 吸着有機物 発生源粒子本体 必須条件 形成履歴による内部層構造 - 極微小領域を観察 TOF-SIMSを基本としてLaser-SNMSと - 極微細構造を高感度で分析 FIB 加工機能 SEMを兼ね備えた新規微粒子分析装置を開発 - 微粒子内部の観察と分析 - さまざまな成分が検出できる JST 機器開発プログラム及びプロトタイプ実証実用化プログラムにて開発 6

7 浮遊粒子の Cut & Analysis ~FIB-TOF-SIMS の応用 ~ process observation by SEM e - e - Ga-FIB M+ or M - Ga-FIB (Continuous) (Pulse) FIB Machining SIMS Mapping U-Centric Rotation (Software Control) U セントリックマニピュレータの採用で断面測定が容易になりました 1um Ref.) T. Sakamoto et. all, Applied Surface Science, 2008, 255, SIMS image of cross section of PM SIMS7, 成蹊大学,

8 Li イオン電池正極の Cut & Analysis ~FIB-TOF-SIMS の応用 ~ Li イオン電池は充放電を繰り返すと劣化します その原因は正極 負極電極材料表面にあると言われています FILMER を用いれば 材料粒子一つずつ さらには結晶面を区別した解析が可能です 上図は正極粒子のイメージング例ですが 電解液成分が Li 脱挿入が起こる層状構造面に 添加剤はその面に不均一に付着していることが判ります 劣化機構の解析や効果的な添加剤の開発に役立ちます (M.Ohnishi et al., J. Surf. Anal., 20, 99 (2013)) SIMS7, 成蹊大学,

9 Li イオン電池正極の Cut & Analysis ~FIB-TOF-SIMS の応用 ~ Sample offer: Associate Prof. Okada (kyusyu university) 10 split Interval; 2 mm Cleaning; Ar+, 3 kev, 20min. 180º rotation Mapping m/z = 7 Li Soft ware fine processing by FIB SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

10 Li-Na イオン電池負極の分析 ~FIB-TOF-SIMS の応用 ~ After discharge Li ion Red: m/z = 7 Li + Green: m/z = 33 Li 2 F + Gray: SIM image Na ion Red: m/z = 23 Na + Green: m/z = 65 Na 2 F + Gray: SIM image After charge Li ion 2 μm 2 μm Red: m/z = 7 Li + Green: m/z = 33 Li 2 F + Gray: SIM image Na ion 2 μm 2 μm Red: m/z = 23 Na + Green: m/z = 65 Na 2 F + Gray: SIM image 10 SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

11 トナー ( シアン ) の表面 断面分析 ~FIB-TOF-SIMS の応用 ~ Toner SIM image Surface cross section wax pigment charge control agents 1 μm 1 μm polymer Size 5 ~ 10 μm external additive agents SIMS image Positive ion mode Mass image External additive agents 1 μm 1 μm Red; m/z = 27 C 2 H 3 Green; m/z = 28 Si Blue; m/z = 48 Ti Gray; SIM image 11 SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

12 二次イオン質量分析 (SIMS) イオン照射モデル 固体表面 一次イオン 二次電子中性分子二次イオン ( 正 負 ) 極めて少ない MASS 表面でのイオン化 ( 表面の影響 ) スパッタリング レーザースパッタ中性粒子質量分析 (Laser-SNMS) イオン化した中性粒子 MASS Laser 中性粒子をイオン化 真空中でのイオン化 ( 表面の影響は少ない ) SIMS7, 成蹊大学,

13 Theoreticaal Detection Limit (atoms/cm 3 ) なぜ SNMS が必要なのか 1E+23 1E+22 1E+21 1E+20 1E+19 Theoretical Detection limit for silicon Ionization efficiecy; Assumption; 100 %; 5E22 atoms/cm3 Transmission efficiecy; 100 % 微小領域でのイオン化率向上 小さい領域では 原子数が少なくなる スパッタ粒子の内 圧倒的に数の多い中性粒子をイオン化することが必要 1E nm 1E+17 Ionization efficiency; 1 1 nm 1E nm 1E+15 1E+1 1E+2 1E+3 1E+4 1E+5 Detection Width (nm) マトリックス効果低減 表面でイオン化される二次イオンはマトリックス効果が大きい マトリックス効果を抑えることが必要 微小領域で 高感度に正しいイメージングを行うためには SNMS での測定が望まれる 13

14 レーザーによるイオン化 単光子イオン化 多光子イオン化共鳴型非共鳴型 電子 イオン化ポテンシャル 励起状態 基底状態 hv 特徴 単光子イオン化多光子イオン化共鳴型多光子イオン化非共鳴型 - イオン化ポテンシャル (8~10eV 程度 ) 以上の光子エネルギーが必要 - 真空紫外光を使用 - フラグメント化が少ない - 物質の励起準位にあった波長のレーザーが必要 - 光子エネルギーはイオン化ポテンシャルより低くて良い - 高感度 - 分子選択性 ( 前処理不要 ) - 光子密度が極めて大きいものが必要 - 一つの波長のレーザーで多くの原子 分子のイオン化が可能 Ref.) 藤井正明, 石内俊一, 林俊一, 真空, 47, 8, 612 (2004) SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

15 B の深さ方向分析 ~Laser SNMS の応用 ~ 深さ方向分析支援ソフト Ref.) H.Akutsu et.al., SISS-17,(2015) SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

16 融解した Pb-Sn はんだ微細構造の可視化 正イオンSIMS 分析 SIM image Mass image m/z = 120 Sn ~Laser SNMS 応用 ~ Mass image m/z = 208 Pb 2 μm 2 μm Laser-SNMS 分析 Mass image m/z = 120 Sn Mass image m/z = 208 Pb 1 pixel あたり 40nm で構成されたマッピングを取得 2 μm SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

17 SIMS vs Laser-SNMS の比較 ~ 芳香族 Pyrene~ Sample; Pyrene m/z= SIMS analysis, Positive ion mode m/z = 0 ~ 300 Na Si K ? Parent molecular ion? Complicated fragmentation Laser-SNMS analysis, m/z = 0 ~ Parent molecular ion peak SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

18 SIMS vs Laser-SNMS の比較 ~ 芳香族 PolyStyrene~ Sample; Polystyrene SIMS analysis, Positive ion mode m/z = 0 ~ 300 n m/z= C-C 結合由来のフラグメント Laser-SNMS, analysis m/z = 0 ~ SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

19 Intensity arb. unit Intensity arb. unit SIMS vs Laser-SNMS の比較 ~ 多環芳香族ブレンド ~ モデル試料 PS & PHAs 1000 n m/z= m/z= 正イオン SIMS 分析マススペクトル m/z = 0 ~ 300 m/z= m/z= m/z= m/z= m/z= Laser-SNMS 分析マススペクトル m/z = 0 ~ m/z [-] 0 m/z [-] Mass image 4 μm 4 μm 19 SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

20 SIMS vs Laser-SNMS の比較 ~PS/PHS 相分離構造 ~ 正イオンSIMS 分析 Total ion image Mass image m/z = 91 m/z = 107 n n OH 10 μm 10 μm Laser-SNMS 分析 Total ion image Mass image m/z = 104 m/z = 120 n n OH 10 μm 10 μm SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

21 Intensity [count] Intensity [count] Intensity [count] Intensity [count] Laser(257nm)-SNMS analysis of organic compounds Poly(4-styrenesulfonic acid) C8H9O2S 0 Polyethylene terephathalate m/z [-] O O O O n 0 Poly(bisphenol A carbonate) m/z [-] 0 Poly(benzylmethacrylate) C7H7 m/z [-] 0 m/z [-] SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

22 Laser-SNMS のレーザー波長の違い 1.E+05 Tin (Sn m/z = ) 1030 nm ~Sn, Anthracene~ Sn 0.E+00 1.E nm 0.E Anthracene (C14H10 m/z = ) 1.E nm 0.E+00 1.E nm C14H10 0.E SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

23 intensity intensity intensity intensity Laser-SNMS のレーザー波長の違い 1.E+05 Titanium (Ti m/z = 47.95) Ti 1030 nm ~Ti, PHS~ 0.E+00 1.E nm Ti 0.E m/z 1.E+05 Polyhydroxystyrene (C8H8O m/z = ) 1030 nm n O H 0.E+00 1.E nm C8H8O 0.E m/z SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

24 まとめにかえて (FILMER の特徴のおさらい ) 高面分解能と高質量分解能の両立 高面分解能での微小領域における表面分析 断面分析により 今まで測定 観察のできなかった物質の様子を明らかに Laser-SNMS による 無機物の高感度分析の実現 Laser-SNMS による 有機物のフラグメントの少ない分析 デモ分析もお待ちしております ご清聴ありがとうございました SIMS 研究会 7, 成蹊大学,

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untitled 27.2.9 TOF-SIMS SIMS TOF-SIMS SIMS Mass Spectrometer ABCDE + ABC+ DE + Primary Ions: 1 12 ions/cm 2 Molecular Fragmentation Region ABCDE ABCDE 1 15 atoms/cm 2 Molecular Desorption Region Why TOF-SIMS?

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