LTC4361-1/LTC – 過電圧/過電流保護コントローラ

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1 特長 概要 過電圧 / 過電流保護コントローラ.. 80V TVS %.8V 0% 0mV μs Nチャネル MOSFETを制御 調整可能なパワーアップ dv/dtにより 突入電流を制限 逆電圧保護 パワーグッド出力 低電流のシャットダウン 過電流後にラッチオフ (LTC-) または自動リトライ (LTC-) 8ピン ThinSOT パッケージと 8ピン (mm mm)dfnパッケージ アプリケーション USB 保護 ハンドヘルド コンピュータ 携帯電話 / スマートフォン MP/MPプレーヤー デジタルカメラ LTC /.. AC USB LTC N MOSFET LTC μs MOSFET MOSFET LTC 80V LTC dv/dt PWRGD LTC ON P MOSFET LTC LTC- LTC- 0ms L LT LTC LTM Linear Technoogy および Linear のロゴは リニアテクノロジー社の登録商標です ThinSOT Hot Swap No および PowerPath は リニアテクノロジー社の商標です その他すべての商標の所有権は それぞれの所有者に帰属します 標準的応用例 0.0Ω Si70DH C.A SENSE LTC, /DIV ON PWRGD TA0a V 0V/DIV Si70DH C = 0µF 0.µs/DIV TA0b

2 絶対最大定格 Note バイアス電源電圧 ()... 0.V~8 入力電圧 SENSE... 0.V~8 ON... 0.V~9V 出力電圧 PWRGD... 0.V~9V (Note )... 0.V~ P... 0.V~8 P 間 V~0V 動作温度範囲 LTCC...0 ~70 LTCI... 0 ~8 LTCH... 0 ~ 保存温度範囲... ~0 リード温度 ( 半田付け 0 秒 ) TSOT...00 ピン配置 TOP VIEW ON P TOP VIEW 8 PWRGD 7 SENSE P ON SENSE PWRGD TS8 PACKAGE 8-LEAD PLASTIC TSOT- T JMAX = C, θ JA = 9 C/W DC PACKAGE 8-LEAD (mm mm) PLASTIC DFN T JMAX = C, θ JA = 0 C/W EXPOSED PAD (P 9) IS, CONNECTION OPTIONAL 発注情報 * LTCCTS8-#TRMPBF LTCCTS8-#TRPBF LTDWN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to 70 C LTCCTS8-#TRMPBF LTCCTS8-#TRPBF LTFMN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to 70 C LTCITS8-#TRMPBF LTCITS8-#TRPBF LTDWN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to 8 C LTCITS8-#TRMPBF LTCITS8-#TRPBF LTFMN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to 8 C LTCHTS8-#TRMPBF LTCHTS8-#TRPBF LTDWN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to C LTCHTS8-#TRMPBF LTCHTS8-#TRPBF LTFMN 8-Lead Pastic TSOT- 0 C to C LTCCDC-#TRMPBF LTCCDC-#TRPBF LDWP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to 70 C LTCCDC-#TRMPBF LTCCDC-#TRPBF LFMP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to 70 C LTCIDC-#TRMPBF LTCIDC-#TRPBF LDWP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to 8 C LTCIDC-#TRMPBF LTCIDC-#TRPBF LFMP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to 8 C LTCHDC-#TRMPBF LTCHDC-#TRPBF LDWP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to C LTCHDC-#TRMPBF LTCHDC-#TRPBF LFMP 8-Lead (mm mm) Pastic DFN 0 C to C TRM=00 個 * 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては 弊社または弊社代理店にお問い合わせください 鉛仕上げの製品の詳細については 弊社または弊社代理店にお問い合わせください 無鉛仕上げの製品マーキングの詳細については をご覧ください テープアンドリールの仕様の詳細については をご覧ください

3 電気的特性 T A = C = V ON = 0V SYMBOL PARAMETER CONDITIONS M TYP MAX UNITS Suppies Input Votage Range. 80 V (UVL) Input Undervotage Lockout Rising.8..7 V I Input Suppy Current V ON = 0V 0 00 µa V ON =.. 0 µa Threshods (OV) Pin Overvotage Threshod Rising V (OVL) Pin Overvotage Recovery Threshod Faing..7.8 V V OV Overvotage Hysteresis 00 0 mv V OC Overcurrent Threshod V SENSE 0 mv Externa Gate Drive V Externa N-Channe MOSFET Gate Drive (V ). < V, I = µa V <., I = µa V V V (TH) High Threshod for PWRGD Status =.V = I (UP) Pu-Up Current V = V. 0 µa V (UP) Ramp-Up V = V to 7V.. V/ms I (FST) Pu-Down Current Fast Turn-Off, = V, V = 9V (C-, I-Grade) (H-Grade) I (DN) Pu-Down Current V ON =., V = 9V 0 80 µa Input Pins I SENSE() SENSE Input Current V SENSE = 0 na I () Input Current =, V ON = 0V =, V ON = V ON(TH) ON Input Threshod 0.. V I ON ON Pu-Down Current V ON =. 0 µa Output Pins V P(CLP) to P Camp Votage = 8V to 80V V R P P Resistive Pu-Down V P = V 0.. MΩ V PWRGD(OL) PWRGD Output Low Votage =, I PWRGD = ma (C-, I-Grade) (H-Grade) R PWRGD PWRGD Pu-Up Resistance to =., V PWRGD = V kω Deay t ON On Deay High to I = µa ms t OFF Off Propagation Deay = Step to. to PWRGD High V SENSE = Step 0mV to 00mV t PWRGD PWRGD Deay = Step to. V > V (TH) to PWRGD Low t ON(OFF) ON High to Off V ON = Step 0V to. µs ± V V ma ma µa µa V V µs µs µs ms Note 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可能性がある また 絶対最大定格状態が長時間続くと デバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える恐れがある Note 内部クランプにより V は より少なくとも. 高い電圧に制限される このピンをこのクランプ電圧より高い電圧にドライブすると デバイスを損傷する恐れがある Note ピンに流れ込む電流は全て正 ピンから流れ出る電流は全て負 注記がない限り 全ての電圧は を基準にしている

4 標準的性能特性 T A = = V ON = 0V I (µa) V ON = 0V V ON =. V (V) 8 7 = V =. = I (FST) (ma) 0 0 = V V = 9V 0. 0 (V) I (µa) TEMPERATURE ( C) G0 PWRGD G0 G0 PWRGD H V PWRGD(OL) (mv) t OFF (µs) 8 7 = STEP TO ((OV) V OVDRV ) V /VG (TH) (V) = V V (TH) 0 0 I PWRGD (ma) V OVDRV (V).... (V). G0 G0 G0 /DIV /DIV /DIV /DIV V ON /DIV /DIV V 0V/DIV V 0V/DIV V 0V/DIV 0.A/DIV 0.A/DIV 0.A/DIV 0ms/DIV FIGURE CIRCUIT R = 0mΩ, L = 0.7µH = mω LOAD = 0Ω, C = 0µF G07 ms/div FIGURE CIRCUIT R = 0mΩ, L = 0.7µH = mω LOAD = 0Ω, C = 0µF G08 0µs/DIV FIGURE CIRCUIT R = 0mΩ, L = 0.7µH = mω LOAD = 0Ω, C = 0µF G09

5 ピン機能 DFN PCB N MOSFET N MOSFET 0μA V/ms V H PWRGD P P MOSFET P P MOSFET.8V M ON ON L LTC ON H LTC μa ON N MOSFET PWRGD 00k V TH ms L SENSE SENSE 0μs 0mV N MOSFET.8V OV ΔV OV L PWRGD

6 ブロック図 CHARGE PUMP 0µA ON.8V P 00k.8V SENSE.8M V HIGH COMPARATOR µa OVERCURRENT COMPARATOR V (TH) 0mV CONTROL OVERVOLTAGE COMPARATOR 00k.8V.7V PWRGD BD 動作 MP/MP CMOS DC AC 88 AC USB LTC N MOSFET >.V MOSFET.8V OV L.7V OV ΔV OV SENSE 0mV 0μs LTC- LTC- 0ms LTC ON CMOS L H N MOSFET LTC.μA UVLO 0ms PWRGD V TH ms PWRGD L LTC P MOSFET P

7 アプリケーション情報 LTC.. V/ms C I RUSH =C dv dt =C [ ma/µf] 0.0Ω M Si70DH C 0µF.A MOSFET 00pF 00pF SENSE LTC ON PWRGD F0. C G 0μA/C G [V/s] C G C G = 0µA I RUSH C.V L PWRGD.V ON L 0ms <.V >.7V N MOSFET. <V. V. N MOSFET V MOSFET MOSFET 0ms.7V OV ΔV OV.8V OV μs 0mA 0ms.7V MOSFET MOSFET SENSE 0mV 0μs L PWRGD 0ms LTC- 7

8 アプリケーション情報 LTC-.V UVL ON 00μs. V ON TH LTC- SENSE I TRIP = V OC I TRIP I TRIP(MAX) = V OC(MAX) (M) I TRIP(M) = V OC(M) (MAX) PWRGD PWRGD L MOSFET 00k ON H UVLO 0ms PWRGD PWRGD H ms V V TH PWRGD V V TH PWRGD ma LED PWRGD I/O 00k PWRGD I/O PWRGD k LTC- PWRGD UVLO OV OV ON ON OC OC OC (OV) (OV) V OV (UVL) V (TH) V (TH) V (TH) V (TH) V (TH) ON PWRGD 0ms ms 0ms ms 0ms ms 0ms ms 0μs. PWRGD F0 8

9 アプリケーション情報 ON ON CMOS L μa MOSFET H 0μA L MOSFET LTC.μA ON L 0ms N MOSFET P P MOSFET P MOSFET BV DSS P P MOSFET N MOSFET SUPPLY M P P M.8V 00k P P MOSFET V P MOSFET M MOSFET P V GS.8V MOSFET SUPPLY SUPPLY M SENSE SENSE M M M M MOSFET LTC MOSFET N MOSFET R DS ON N MOSFET N MOSFET BV DSS N MOSFET SUPPLY P M P SENSE M SENSE. MOSFET F0 9

10 アプリケーション情報 WALL ADAPTOR AC/DC R L MOBILE DEVICE CABLE C LOAD V 0V/DIV 0A/DIV F0a. 0μF 0V µs/div R = 0mΩ, L = 0.7µH LOAD = 0Ω, C = 0µF F0b WALL ADAPTOR AC/DC R L M Si70DH MOBILE DEVICE 0V/DIV CABLE SENSE LTC C LOAD V/DIV 0A/DIV F0a µs/div R = 0mΩ, L = 0.7µH, = mω LOAD = 0Ω, C = 0µF F0b. LTC 0V AC L AC EMI R AC ESR L R LC AC AC LC AC DC LTC 0V AC 0

11 アプリケーション情報 80V N MOSFET MOSFET BV DSS DC 0V MOSFET LTC 0V LTC N MOSFET 7 L N MOSFET C. Si70DH BV DSS = LTC 8 I AS MOSFET E AS E AS = 0. L I AS L = 0.7μH I AS = A E AS =.μj Si70DH MOSFET I AS E AS LTC 0μs UVL LTC- 0V/DIV V/DIV A/DIV µs/div FDC R = 0mΩ, L = 0.7µH = mω, LOAD = 0Ω, C = 0µF F0. LTC 0V 0V/DIV /DIV V 0V/DIV A/DIV µs/div FIGURE CIRCUIT R = 0mΩ, L = 0.7µH = mω, LOAD = 0Ω, C = 0µF F07 7.

12 アプリケーション情報 8 USB 0V AC 9 C L N MOSFET L C 0V LTC V L C Δ MOSFET SMAJA C C L dv/dt LTC MOSFET MOSFET BV DSS C L Δ N MOSFET SC70 00 LTC TS8 PCB 0 N MOSFET N MOSFET PCB R L 0V/DIV 0V WALL ADAPTER USB D B0 R 00k M Si70DH LTC SENSE C LOAD F08 /DIV V 0V/DIV 0A/DIV µs/div FIGURE 8 CIRCUIT R = 0mΩ L = µh, = mω, LOAD = 0Ω C = 0µF (V, SIZE 0) F V 9. 0V LTC 8 7 SUPPLY Si70DH F0 0. N MOSFET

13 パッケージ DC8 8 DFN mm mm (Reference LTC DWG # Rev A) 0.70 ±0.0. ±0.0. ± ±0.0 ( SIDES) パッケージの.7 ±0.0 ( SIDES) 0. ± BSC する半田パッドのピッチと 半田付けされない には半田マスクを する R = 0.0 TYP R = 0. TYP ± 0.0 ピン バーのトップ マーキング (NOTE ) 0.00 REF.00 ±0.0 ( SIDES) 0.7 ± ± 0.0 ( SIDES).7 ±0.0 ( SIDES) 図 出パッド ピン のノッチ R = 0.0 または 0. の り (DC8) DFN 009 REVA 0. ± BSC NOTE. 図は JEDEC パッケージ とは なる. 図は とは なる. すべての は リメートル. パッケージ の 出パッドの には ールドのバリを まない ールドのバリは ( もしあれ ) イドで 0.mm を超えないこと. 出パッドは半田メッキとする. けの部 はパッケージの上 と のピン の の に過 ない

14 パッケージ TS8 8 TSOT- (Reference LTC DWG # Rev A) 0.0 MAX 0. REF.90 BSC (NOTE ). REF.8 MAX. REF. M.80 BSC.0.7 (NOTE ) P ONE ID IPC CALCULATOR を た 半田パッド レイアウト 0. BSC PLCS (NOTE ) BSC DATUM A.00 MAX REF NOTE. は リメートル. 図は とは なる. にはメッキを む. に ールドのバリ メタルのバリを まない. ールドのバリは 0.mm を超えてはならない. JEDEC パッケージ は MO (NOTE ).9 BSC TS8 TSOT- 070 REV A

15 改訂履歴 REV A / 電気的特性 セクションの V (CLP) とt OFF の条件を改訂 アプリケーション情報 セクションの の制御 を改訂 B / Hグレードの発注情報を追加 Input Undervotage Lockoutの電気的特性を変更 (OVL) の仕様を追加 Overvotage Hysteresisの電気的特性を変更 Pu-Up Currentと Pu-Down Currentの電気的特性を変更 Ramp-Upの電気的特性を変更 I SENSE() の仕様を追加 ON Pu-Down Currentの電気的特性を変更 to P Camp Votageの電気的特性を変更 P Resistive Pu-Downの電気的特性を変更 PWRGD Pu-Up Resistance to の電気的特性を変更 On Deayの電気的特性を変更 PWRGD Deayの電気的特性を変更 の高速プルダウン電流と温度 のグラフを差し替え 図 0のピン をピン に短絡させる PCBトレースを追加 パッケージング情報へのリンクを追加 7

16 標準的応用例 V V M 0.0Ω Si90DV M C 0µF 0.A M Si7DH 0.0Ω FDCAN M M C 0µF 0.A SENSE SENSE LTC P V IO R k LTC P V IO R k ON PWRGD TA0 D LNCTR ON PWRGD TA0 D LNCTR 関連製品 LTC9 8 00nA mm mm 8 DFN TSOT- LT008 μa 0mA LDO 80mV μa.0v 0.V 9. ThinSOT mm mm DFN- LT009 μa 0mA LDO 80mV μa.v 0V 0.V 9. ThinSOT SC-70 LTC7/ LTC7- LTC090/ LTC090- LTC098 USB OTG USB DC/DC USB USB PMIC LDO V 8V 0V.A USB 8V 0V V AC.A USB 00mA LTC0 Hot Swap.7V. SOT- LTC No R SENSE 0V V LT / V 80V 0V LTC SOT-.A 8mV LTC. 8V ThinSOT PowerPath OR DC LTC-/ LTC- mm mm DFN.A.. 0mΩ 8mV LTC 東京都千代田区紀尾井町 - 紀尾井町パークビル 8F TEL FAX LT 0 REV B PRTED JAPAN LEAR TECHNOLOGY CORPORATION 00