Microsoft PowerPoint - SCOPE 最終発表 2008short2.ppt

14 2 1 1 2 2 1 2 2 2 2 3 2 3 6 2 4 7 2 5 8 3 3 1 10 3 2 12 4 4 1 14 4 17 4 19 4 3 1 22 4 3 2 28 4 3 3 31 5 34 6 36 37 38 1. Ti:Sapphire 2. (1) (2) 2. 2. (3)(4) (5) 2 2 1 (6) 2. 3. 4 3.. 5 4 3. 6 2 5. 1

Microsoft PowerPoint - 山形大高野send ppt [互換モード]

, 2012 10 SCOPE, 2012 10 2 CDMA OFDMA OFDM SCOPE, 2012 10 OFDM 0-20 Relative Optical Power [db] -40-60 10 Gbps NRZ BPSK-SSB 36dB -80-20 -10 0 10 20 Relative Frequency [GHz] SSB SSB OFDM SSB SSB OFDM OFDM

「世界初、高出力半導体レーザーを8分の1の狭スペクトル幅で発振に成功」

NEWS RELEASE LD を 8 分の 1 以下の狭いスペクトル幅で発振するレーザー共振器の開発に 世界で初めて成功全固体レーザーの出力を向上する励起用 LD 光源の開発に期待 215 年 4 月 15 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 高出力半導体レーザー ( 以下 LD ) スタック 2 個を ストライプミラーと単一面型

AN504 Through-hole IRED/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はん

特長 パッケージ 製品の特長 φ3.6 サイドビュ - タイプ 無色透明樹脂 光出力 : 5mW TYP. (I F =50mA) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長指向半値角素子材質ランク選別はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 60 deg. GaAs 放射強度選別を行い ランクごとに選別 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください

1 2 2 (Dielecrics) Maxwell ( ) D H

2003.02.13 1 2 2 (Dielecrics) 4 2.1... 4 2.2... 5 2.3... 6 2.4... 6 3 Maxwell ( ) 9 3.1... 9 3.2 D H... 11 3.3... 13 4 14 4.1... 14 4.2... 14 4.3... 17 4.4... 19 5 22 6 THz 24 6.1... 24 6.2... 25 7 26

<4D F736F F D2091AA92E895FB964082C982C282A282C45F >

相対強度 の特性測定方法について 製品の特性は主に光学的な特性面と電気的な特性面で仕様化されております この文書はこれらの特性がどのような方法で数値化されているか すなわち測定方法や単位系などについて解説しております また 弊社は車載用途向けの に関しましてはパッケージの熱抵抗を仕様化しておりますので その測定方法について解説しております 光学的特性 の発光量を表す単位には 2 つの単位があります

スライド 1

超短電子バンチ計測のための超広帯域 EO プローブ光開発 小川奏 2013 年 1 月 10 日 第 10 回高輝度 高周波電子銃研究会 SPring-8 研究の目的 超短電子バンチを高時間分解能 非破壊 リアルタイム シングルショットで3 次元バンチ形状計測するためのEOサンプリング計測技術開発 1) 試験加速器 SCSSで精度の高いシーディングを行う ( 電子バンチとシード光 (HHG) の3

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

160GHz

2006 11 24 2006 2006/11/24 Seminar-Progresses-A1.ppt 1 Ultrafast Optical Logic Lab., UEC 160GHz 0212014 1 DISC-Loop DISC-Loop 2 DFB-LD DFB-LD 2 WDM 100 Ch OTDM t 3 DISC-Loop 10 160GH 6~100ps 10~160GHz

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

Microsoft PowerPoint - machida0206

広帯域制御のためのフォトメカニカルアクチュエータの開発とその応用 東京大学新領域創成科学研究科物質系専攻三尾研究室 M2 町田幸介 重力波研究交流会 (2009 2/6) 1 発表の流れ 実験の背景 広帯域制御のためのアクチュエータ 実験の目的 実験 電磁アクチュエータの作製 電磁アクチュエータの評価 電磁アクチュエータの応用 ( 位相雑音補償と共振器長制御 ) まとめ 2 広帯域制御のためのアクチュエータ

図1 図2 THz TDS 装置の基本構成 THz パルス波のサンプリングの概念図 せることは 時間にして 1 ピコ秒変化させることに相 間波形を計測することができる 時間波形の再現性は 等する 図 2 に THz パルス波の時間波形のサンプリ 可動鏡を移動させるためのステージの位置精度に依存す ン

テラヘルツ時間領域分光法と分析化学 半導体にフェムト秒の光パレスを照射して, パルス状のテラヘルツ波の発生や検出を行う研究が世界中で精力的に展開されている これにより, テラヘルツ時間領域分光法という遠赤外からミリ波にかけての新しい分光法が出現してきた ここでは, 新しい分光法を紹介するとともに, 分析化学への応用について展望する 深澤亮一 1 はじめに近年, 光と電波の境界領域にあるテラヘルツ (1

回転楕円鏡を用いた高感度放射電力測定技術の研究開発 平成 23 年 11 月 30 日アンリツ株式会社

回転楕円鏡を用いた高感度放射電力測定技術の研究開発 平成 23 年 11 月 30 日アンリツ株式会社 背景 ユビキタス社会の到来を迎え 携帯電話機や無線 LAN に加え RFID や UWB などの小型無線機器の爆発的増大が予測されている これらの機器の多くは測定用の端子を有しないものが多く 既存の方法で測定を行うことは困難であり 新たな放射測定法の確立が求められている 従来の携帯機 これからの無線機

Microsoft Word - 学士論文（表紙）.doc

GHz 18 2 1 1 3 1.1....................................... 3 1.2....................................... 3 1.3................................... 3 2 (LDV) 5 2.1................................ 5 2.2.......................

PowerPoint Presentation

/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

untitled

ファイバーレーザーや固体レーザー発振器 のフェムト秒タイミング同期とその応用 産業技術総合研究所 小林洋平 ガスレーザー レーザーの種類と特徴 高出力 狭帯域 大きい 制御性 エキシマ He-Ne CO2 アルゴンなど 半導体レーザー 小型 波長可変 高出力 デザインできない >500fs GaAs InGaAs など 固体レーザー 高出力 広帯域 超短パルス

加速器学会年会プロシーディングス

Fiber laser development of DAW RF gun for SuperKEKB (2) Xiangyu Zhou #,), Mitsuhiro Yoshida, Takuya Natsui, Yujiro Ogawa High Energy Accelerator Research Organization 1-1 Oho, Tsukuba, Ibaraki, 305-0801

相互相関型暗視野顕微計測を用いた金 bow-tie ナノ構造の応答関数計測と2 光子励起場制御 Measurement of Response Function of Gold Bow-tie Nano Structure using Dark-field Cross-correlation Mic

相互相関型暗視野顕微計測を用いた金 bow-tie ナノ構造の応答関数計測と2 光子励起場制御 Measurement of Response Function of Gold Bow-tie Nano Structure using Dark-field Cross-correlation Microscopy and Controlling of Two-photon Excitation. 草場美幸

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum phys/ishikawa/class/index.html

1 Visible spectroscopy for student Spectrometer and optical spectrum http://www.sci.u-hyogo.ac.jp/material/photo phys/ishikawa/class/index.html 1 2 2 2 2.1................................................

NJU72501 チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 NJU72501はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3V 入力から 18Vppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更すること

チャージポンプ内蔵 圧電用スイッチングドライバ 概要 はチャージポンプ回路を内蔵し 最大で3 入力から 18ppで圧電サウンダを駆動することができます このチャージポンプ回路には1 倍 2 倍 3 倍昇圧切り替え機能を備えており 圧電サウンダの音量を変更することができます また シャットダウン機能を備えており 入力信号を検出し無信号入力時には内部回路を停止することでバッテリーの長寿命化に貢献します

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には / 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 電圧出力のため取り扱いが簡単 / 2レンジ切り替え機能付き小型

推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単

普及し始めている それに伴い, 光学部品やレーザー光源の低価格化が進んでいるため, ファイバーレーザーを光源として用いることで, ひずみ計測システムのコストを抑えることができる しかしながら, 一般的なファイバーレーザーでは, 帯域が狭いため, センサの光源として使用することができない そのため本研

重点研究 光計測技術を応用したひずみ計測システムの開発 ( 第 1 報 ) * 清水暁 * 植竹大輔 Development of a Strain Measuring System applying Optical Method (1st Report) Akira SHIMIZU and Daisuke UETAKE FBG センサを用いたひずみ計測システムの開発に向け, レーザー光源の試作ならびに検出系の検

Yb 添加セラミックレーザー発振器の開発 Development of an Yb-doped sesquioxide ceramic oscillator 石川智啓 (M1) Tomohiro Ishikawa Abstract Yb-doped sesquioxide ceramics are

Yb 添加セラミックレーザー発振器の開発 Development of an Yb-doped sesquioxide ceramic oscillator 石川智啓 (M1) Tomohiro Ishikawa Abstract Yb-doped sesquioxide ceramics are expected as gain materials for high power ultrafast

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

Microsoft PowerPoint - 阪大XFELシンポジウム_Tono.ppt [互換モード]

X 線自由電子レーザーシンポジウム 10 月 19 日大阪大学レーザー研 X 線自由電子レーザーを用いた利用研究 登野健介 理研 /JASRI X 線自由電子レーザー計画合同推進本部 1 科学の基本中の基本 : 光 ( 電磁波 ) による観察 顕微鏡 望遠鏡 細胞の顕微鏡写真 赤外望遠鏡 ( すばる ) で観測した銀河 2 20 世紀の偉大な発明 : 2 種類の人工光源 レーザー LASER: Light

Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt

特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては

PowerPoint プレゼンテーション

東北大学サイクロトロン ラジオアイソトープセンター測定器研究部内山愛子 2 電子の永久電気双極子能率 EDM : Permanent Electric Dipole Moment 電子のスピン方向に沿って生じる電気双極子能率 標準模型 (SM): クォークを介した高次の効果で電子 EDM ( d e ) が発現 d e SM < 10 38 ecm M. Pospelov and A. Ritz,

相互相関型暗視野顕微計測を用いた金十字ナノ構造の応答関数計測 Measurement of Response Function of Gold Nano Cross Structure using Dark-field Cross-correlation Microscopy 大井潤 (M2) Oi

相互相関型暗視野顕微計測を用いた金十字ナノ構造の応答関数計測 Measurement of Response Function of Gold Nano Cross Structure using Dark-field Cross-correlation Microscopy 大井潤 (M2) Oi Jun Abstract We report the experimental results of

p ss_kpic1094j03.indd

DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

フェムト秒時間分解能ストリークイメージング Optical Streak Imaging System with Femtosecond Time Resolution 中村葵 (M2), 中川桂一 ( 東京大学大学院 D3), 藤井令央 (M1), 伊佐文宏 (B4) Aoi Nakamura,K

フェムト秒時間分解能ストリークイメージング Optical Streak Imaging System with Femtosecond Time Resolution 中村葵 (M2), 中川桂一 ( 東京大学大学院 D3), 藤井令央 (M1), 伊佐文宏 (B4) Aoi Nakamura,Keiichi Nakagawa,Leo Fujii and Fumihiro Isa Abstract

電力線重畳型機器認証技術

1 電力線重畳型認証技術 RFID over Power Line System ソニー株式会社コーポレート R&D 新規事業創出部門ホームエネルギーネットワーク事業開発部 和城賢典 2012 年 4 月 17 日 2 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 3 内容 イントロダクション 基本構造 測定結果 EV 充電スタンドへの取り組み 4 RFID の原理

21世紀COE講義2006_5.ppt

T c T>Tc T

高速度スイッチングダイオード

は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します

スライド 1

研究期間 : 平成 22 年度 絶縁体中のスピン流を用いた 超低電力量子情報伝送 演算機能デバイスの研究開発 安藤和也 東北大学金属材料研究所 総務省戦略的情報通信研究開発推進制度 (SCOPE) 若手 ICT 研究者育成型研究開発 Outline 1. 研究背景と研究開発のターゲット スピントロニクスとスピン流 2. 研究期間内 ( 平成 22 年度 ) の主要研究成果 1. あらゆる物質へ応用可能なスピン注入手法の確立

Microsoft PowerPoint - 小林.ppt

レーザーコンプトン散乱装置用 タイミング同期レーザー 産業技術総合研究所 小林洋平吉富大鳥塚健二 レーザーコンプトン散乱 フォトカソード用レーザー 電子加速器 fs X 線 フォトカソード ~ 基準発振器 衝突用レーザー 全てのタイミング同期を取る必要がある タイミングデリバリ 必要なレーザー技術 フォトカソード用レーザー 波長カソード材料による (ERL( では ~800nm) 平均パワー繰り返しによる

muramatsu_ver1.key

229-ThTES α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow 2005) Radiationdominated era Matterdominated era Dark energy era 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 10 9 10 10 Time (years) Time 2 α = e 2 /2ε 0 hc (John D. Barrow

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C CCD リニアイメージセンサ (S11155/S ) 用 C は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-

CCD リニアイメージセンサ用駆動回路 C11165-02 CCD リニアイメージセンサ (S11155/S11156-2048-02) 用 C11165-02は 当社製 CCDリニアイメージセンサ S11155/S11156-2048-02 用に開発された駆動回路です S11155/S11156-2048-02と組み合わせることにより分光器に使用できます C11165-02 は CCD 駆動回路

スマートメーター通信機能基本仕様に対する意見 について Ⅲ. 無線マルチホップネットワークのシステム概要 Ⅲ- 3. 通信ユニット概要ハードウェアアンテナについて 平成 24 年 4 月 20 日 三菱マテリアル株式会社電子材料事業カンパニーセラミックス工場電子デバイス開発センター 1

スマートメーター通信機能基本仕様に対する意見 について Ⅲ. 無線マルチホップネットワークのシステム概要 Ⅲ- 3. 通信ユニット概要ハードウェアアンテナについて 平成 24 年 4 月 20 日 三菱マテリアル株式会社電子材料事業カンパニーセラミックス工場電子デバイス開発センター 1 < 意見内容 > < スマートメーターに適した内蔵アンテナとして > 屋外設置 長期利用の使用環境より 外的要因による故障等を防ぐためには

Datenblatt

寸法 35 55 9 Teach H.Res Norm H.Spd Off.D T.Off On.D LO DO 型番 光ファイーバーアンプ 特長 接続方法 簡単操作 表示と設定ボタンでパラメータ設定可能 ブリッジ通信でもっと簡単な配線構成が可能 ASC ( 自動信号制御 ) 透明体検出可能 マスタモジュール 3 μs ハイスピードモード +UB 13VDC V Q Release dae: 29-1-22

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

Microsoft Word - note02.doc

年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm

Microsoft Word - fujii.docx

フェムト秒レーザ測定法としての自己参照型周波数干渉法の評価 Assessment o sel-reerenced spectral intererometry as a diagnostic o emtosecond laser pulses 藤井令央 (B4) 吉清健太 (M) Leo Fujii, and Kenta Yoshikiyo Abstract We examine a emtosecond

IEC シリーズ イミュニティ試験規格の概要

IEC 61000-4 e 2018 7 23 1 2 2 2 2.1.............. 2 2.2.................. 2 3 IEC 61000-4-2 ( ) 3 3.1...................... 3 3.2..................... 3 3.2.1 ESD........... 3 3.2.2 ESD.............. 3

FT-IRにおけるATR測定法

ATR 法は試料の表面分析法で最も一般的な手法で 高分子 ゴム 半導体 バイオ関連等で広く利用されています ATR(Attenuated Total Reflectance) は全反射測定法とも呼ばれており 直訳すると減衰した全反射で IRE(Internal Reflection Element 内部反射エレメント ) を通過する赤外光は IRE と試料界面で試料側に滲み出した赤外光 ( エバネッセント波

Microsoft PowerPoint - 9.菅谷.pptx

超多積層量子ドット太陽電池と トンネル効果 菅谷武芳 革新デバイスチーム 量子ドット太陽電池 電子 バンド3:伝導帯 E23 E13 E12 正孔 バンド2:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド1:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率60%以上 集光 A. Luque et al., Phys. Rev. Lett.

装置に組込可能なFTIRを実現、世界初の超小型FTIRエンジンを開発

NEWS RELEASE 装置に組み込み可能 小型で安価な FTIR を実現する世界初 MEMS 技術で指先サイズにまとめた超小型 FTIR エンジンを開発 2013 年 1 月 29 日 本社 : 浜松市中区砂山町 325-6 代表取締役社長 : 晝馬明 ( ひるまあきら ) 当社は 世界で初めて MEMS( 微小電気機械システム ) 技術で 光干渉計と赤外線検出素子の光学機構を指先サイズにまとめた

CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 です マルチポート読み出し ( ポート当たり 5 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=000 nm) 高速ラインレート : 70 khz max. 低エタロニング OCT ( 光干渉断層計 ) 分光測光 構成

PRESS RELEASE (2012/9/27) 北海道大学総務企画部広報課 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL FAX URL:

PRESS RELEASE (2012/9/27) 北海道大学総務企画部広報課 060-0808 札幌市北区北 8 条西 5 丁目 TEL 011-706-2610 FAX 011-706-4870 E-mail: kouhou@jimu.hokudai.ac.jp URL: http://www.hokudai.ac.jp ナノ秒パルス電場による細胞内機能の制御 : アポトーシス誘導を蛍光寿命イメージングを用いて観測することに成功

Microsoft Word - AnnualReport_M1sawada rev.docx

緑色 青色 InGaN 半導体レーザ励起モード同期 Ti:sapphire レーザの高出力化 Power scaling of mode-locked Ti:sapphire laser directly pumped with green and blue diode lasers 澤田亮太 (B4), 田中裕樹 (M2), 狩山了介 (M1), 保坂有杜 (M1) Ryota Sawada, Hiroki

<4D F736F F F696E74202D2091E F12D96B390FC92CA904D82D682CC899E97702E707074>

電磁波工学 第 11 回無線通信システムと回線設計 ( 固定局通信 移動体通信 衛星通信 ) 講義ノート 柴田幸司 無線通信と回線設計 無線機器の信号 ( 電磁波 ) を空間に放射し 情報 ( デジタル アナログ ) を伝送する手法 --- 通信方式 ( 送受信点による分類 )--- 固定通信 マイクロ波 中継回線 (4,5,6G), 携帯電話のエントランス回線 (TV ラジオ放送) 移動体通信 携帯電話

スライド 1

資 RJC-15J3 アプリケーションノート ( 第 3 版 ) チップアンテナ - 弊社標準基板におけるアンテナ特性 - 三菱マテリアル株式会社電子材料事業カンパニー電子デバイス事業部 Copyright 217 Mitsubishi Materials Corporation Version 3. 1 アプリケーションノート ( 第 3 版 ) もくじ ページ 1.AM11DP-ST1 3 1)315MHz

Microsoft PowerPoint - 14.菅谷修正.pptx

InGaAs/系量子ドット太陽電池の作製 革新デバイスチーム 菅谷武芳 電子 バンド3:伝導帯 E3 E3 E 正孔 バンド:中間バンド 量子ドット超格子 ミニバンド 量子ドットの井戸型 ポテンシャル バンド:価電子帯 量子ドット太陽電池のバンド図 6%を超える理想的な量子ドット太陽 電池実現には E3として１ 9eVが必要 量子ドット超格子太陽電池 理論上 変換効率6%以上 集光 を採用 MBE

Microsoft Word - Annual_report_2014_Ishikawa

レーザーダイオード励起カーレンズモード同期 Yb:Lu2O3 セラミックレーザー発振器の開発 Development of a Kerr lens mode-locked Yb:Lu 2O 3 bulk ceramic oscillator pumped by a multimode laser diode 石川智啓 (M2) Tomohiro Ishikawa Abstract We developed

Siマイクロマシニングと集積化技術.PDF

ケミカル エンジニアリング(化学工業社) 25 年 9 月号 pp.731-735. シリコンマイクロマシニングと集積化技術 佐々木実*1 金森義明*2 羽根一博*3 Minoru Sasaki, Yoshiaki Kanamori, Kazuhiro Hane 東北大学大学院工学研究科 *1 助教授 工学博士 *2 助手 工学博士 *3 教授 工学博士 １ はじめに LSI に代表される半導体産業の黎明期にフォト

スライド 1

プリント回路基板の EMC 設計 京都大学大学院工学研究科 松嶋徹 EMC( 電磁的両立性 ): 環境電磁工学 EMC とは? 許容できないような電磁妨害波を, 如何なるものに対しても与えず, かつ, その電磁環境において満足に機能するための, 機器 装置またはシステムの能力 高 Immunity イミュニティ ( 耐性 ) 低 EMI 電磁妨害 EMS 電磁感受性 低 電磁妨害波によって引き起こされる機器

1.千葉工業大学（長）修正版

別紙 5 周波数選択性素子を用いた 周波数共用アンテナ 千葉工業大学工学部情報通信システム工学科 教授長敬三 平成 30 年 2 月 19 日 Antennas and Wireless Systems Lab. 1 背景 移動通信トラヒックの増加 高速 大容量通信システムの必要性 New Band 周波数帯の追加 4.5GHz Band etc. 1.5/1.7GHz Band 2GHz/800MHz

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

(Microsoft Word - \216\374\224g\220\224\212g\222\243\203A\203_\203v\203^QEX.doc)

QEX 11 月掲載記事低価格スペアナの周波数拡張アダプタ ワンチップの GHz 帯シンセサイザ IC を応用して ローカル信号源とミキサーを一体化させた周波数拡張アダプタを試作しました RIGOL DSA815TG などの低価格スペアナで 6.5GHz までのフィルタやアンプの通過特性 スペクトルの測定を可能にします 周波数拡張アダプタの設計 製作 評価のレポートをいたします 1. ブロック図と主な仕様

PowerPoint プレゼンテーション

低温科学 A レーザーによる希薄原子気体の冷却と ボース アインシュタイン凝縮 物理第一教室量子光学研究室 http://yagura.scphys.kyoto-u.ac.jp 高橋義朗 yitk@scphys.kyoto-u.ac.jp 5 号館 203 号室 講義予定 1. イントロダクションレーザー冷却からボース アインシュタイン凝縮へ 2. 光と原子の相互作用 3. レーザー冷却 トラップの原理

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

Title 非線形応答特性を持つ光デバイスを有する光通信システムの伝送特性に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 山田, 英一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date URL

Title 非線形応答特性を持つ光デバイスを有する光通信システムの伝送特性に関する研究 ( Abstract_ 要旨 ) Author(s) 山田, 英一 Citation Kyoto University ( 京都大学 ) Issue Date 2016-03-23 URL https://doi.org/10.14989/doctor.k19 Right 許諾条件により本文は 2016-04-01

RF-ASE トレーニング

Bluetooth 信号の測 定に必要なリアルタイム測定技術 本日の内容 Bluetooth 規格の概要 Bluetooth LE(Low Energy) と従来のBluetooth(Classic Bluetooth) スペクトラム アナライザの分類 掃引型スペクトラム アナライザとリアルタイム スペクトラム アナライザ Bluetooth 測定ソリューション 2 Bluetooth 規格全体の概要

<834A835E838D834F2E786C7378>

無偏光ビームスプリッターキューブ / Non Polarizing Beamsplitter Cubes 無偏光ビームスプリッターは 透過と反射の成分比率を等分にするビームスプリッターです BK7 寸法公差 +0.0/-0.2mm 有効径 >90% スクラッチ - ディグ 40-20 面精度

すとき, モサプリドのピーク面積の相対標準偏差は 2.0% 以下である. * 表示量 溶出規格 規定時間 溶出率 10mg/g 45 分 70% 以上 * モサプリドクエン酸塩無水物として モサプリドクエン酸塩標準品 C 21 H 25 ClFN 3 O 3 C 6 H 8 O 7 :

モサプリドクエン酸塩散 Mosapride Citrate Powder 溶出性 6.10 本品の表示量に従いモサプリドクエン酸塩無水物 (C 21 H 25 ClFN 3 O 3 C 6 H 8 O 7 ) 約 2.5mgに対応する量を精密に量り, 試験液に溶出試験第 2 液 900mLを用い, パドル法により, 毎分 50 回転で試験を行う. 溶出試験を開始し, 規定時間後, 溶出液 20mL

24

Siフォトダイオード 第 2章 1 Siフォトダイオード 章 1-1 動作原理 1-2 等価回路 1-3 電流ー電圧特性 1-4 直線性 1-5 分光感度特性 1-6 ノイズ特性 1-7 感度均一性 1-8 応答速度 1-9 オペアンプとの接続 1-10 応用回路例 2 フォトダイオード S i 2 PSD 位置検出素子 2-1 2-2 2-3 2-4 2-5 2-6 2-7 特長 構造 動作原理

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています

400Gbit/s用光トランシーバに搭載可能な8ch集積光受信モジュール

情報通信 4Gbit/s 用光トランシーバに搭載可能な 8ch 集積光受信モジュール Optical Receiver Module with Integrated 8-ch Optical De-multiplexer for 4 Gbit/s Transceivers 川村 * 正信 三井主成 中山謙一 Masanobu Kawamura Kazuaki Mii Kenichi Nakayama

USB

2 2018 3 9 icrr granite yuzuru930sakai(at)gmail.com 1 http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/masterthesis.pdf http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/masterthesis0.pdf 2017 Lorentz http://granite.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sakai/2017-03

Microsoft PowerPoint - n161_163.ppt

特長 ケースサイズ 製品の特長 12.5 x 19.0 mm (W x H) アノードコモンとカソードコモン対応 ケース色はブラックとグレー対応 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク発光波長 Green Orange Red : 565nm : 605nm : 660nm 桁数文字形状文字高素子材質 1 桁ヤバネタイプ 15.24 mm Green Orange Red : GaP : GaAsP

Microsoft Word - 稲田_卒論Verfinal.doc

平成 18 年度卒業論文 光へテロダイン法による 160GHz 領域の 周波数スペクトル計測方法の研究 学籍番号 0212014 稲田功一郎 電子工学科 指導教官 提出日 光エレクトロニクス講座 上野芳康助教授 平成 19 年 2 月 28 日 指導教員印 学科長印 概要 超高速な光クロックパルス発生法の研究のためにより高分解能な光スペクトルの測定が必要となる 本研究では被測定光に光を混ぜ合わせて差周波成分を測定する光へテロダイン法について

愛媛県工業系研究報告 No ネットワークアナライザ (VNA) から発信した電波を誘電体レンズアンテナから測定試料に送信し 試料からの反射波及び 透過波をレンズアンテナで受信した後 反射波 透過波の振幅及び位相量を測定し その値から複素比誘電率 複素比透磁率を求めた 測定系の周波数範

報文 愛媛県工業系研究報告 No.45 2007 76GHz 帯で吸収特性を有するフェライト系電波吸収体の開発 * 倉橋真司加藤秀教堀内健太郎 * 西内正樹 ** 末永慎一 ** 窪田賢 The development research of the ferrite type radio absorptive material which has an absorption characteristic

C12CA/C13CA シリーズ 光学的特性 項目 TM-UV/VIS-CCD TM-VIS/NIR-CCD C12CA C12CAH C13CA C13CAH 単位 感度波長範囲 2 ~ 32 ~ 1 nm 波長分解能 ( 半値幅 )* 3 max. 1 typ. * 4 max. 1* 4 ty

C12CA/C13CA シリーズ 高感度タイプ ( 裏面入射型 CCD イメージセンサを採用 ) 高分解能タイプ ミニ分光器 TMシリーズは 光学素子とイメージセンサと駆動回路をコンパクトにまとめた分光器 ( ポリクロメータ ) です 測定光を光ファイバ経由で入光し 分光結果をUSB 接続でPCに取り込むことにより 分光スペクトルの収集が可能です 本製品は 裏面入射型 CCDイメージセンサを採用した高感度タイプで

BERTWave™ シリーズ MP2110A MP2100B 個別カタログ

Product Brochure BERTWave MP2110A MP2100B All In One BERT+ Sampling 4chOscilloscope 生産性でコストダウン BERT とサンプリングオシロスコープを一体化した All In One 測定器 マルチチャネル光モジュール評価ソリューション BERTWave MP2110A / MP2100B 4ch for 100G/200G/400G

t

b 原子の ydberg ブロッケード実現のための高出力 高安定 48nm 光源の開発 中川研究室渡邊智貴 年 3 月 日. 研究背景 目的我々の研究室では レーザー冷却技術により原子を一個レベルでトラップし その内部及び外部状態を制御することで 単一中性原子を量子ビットとした量子コンピュータへ応用する事を考えている 古典コンピュータが と の離散的なビットであるのに対し 量子コンピュータでは個々のビットは量子状態

<4D F736F F F696E74202D D824F D F F AAE97B9205B8CDD8AB B83685D>

JCTEA STD-022-1.00 FTTH 型ケーブルテレビシステム RFoG (2011 年 5 月改定 ) 第 1 章一般事項 1 1.1 目的 1 1.2 適用範囲 1 1.3 関連文書 1 1.4 用語 略語 2 第 2 章 RFOG システムの構成 5 2.1 基本システム構成 5 2.2 R-ONUブロック図 6 第 3 章機器性能規定のための運用条件 7 3.1 ODN の運用条件

Microsoft PowerPoint - b3312x.ppt

Round Shape Type 特長 パッケージ φ3 2 色発光丸型タイプ 乳白色拡散樹脂 製品の特長 外形 φ3 丸型タイプ 温度範囲仕様保存温度 : -30 ~100 動作温度 : -30 ~85 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ドミナント波長 Green Yellow Green Red : 558nm (BG) : 567nm (PG) : 572nm (PY) : 624nm

卒業研究報告

卒業研究報告 題 目 VCSEL-array 指導教員 報告者 平成 14 年 2 月 5 日 高知工科大学電子 光システム工学科 1-1 3 2-1 5 2-2 7 3-1-1 VCSEL 8 3-1-2 VCSEL VCSEL-array 8 3-2 9 3-3 10 3-4-1 VCSEL 10 3-4-2 15 3-4-3 16 3-5-1 VCSEL-array 19 3-5-2 21 3-5-3

平成２０年度実績報告

先端光源を駆使した光科学 光技術の融合展開 平成 20 年度採択研究代表者 平成 20 年度 実績報告 佐藤俊一 東北大学多元物質科学研究所 教授 ベクトルビームの光科学とナノイメージング 1. 研究実施の概要 光ビームの性質を現すパラメータとして偏光 位相 強度分布を挙げることができる しかしながら レーザービームとして研究 利用されてきたのは ほとんどが空間的に均一な偏光分布とガウス型の強度分布を持つレーザービームであった

スライド 1

劣化診断技術 ビスキャスの開発した水トリー劣化診断技術について紹介します 劣化診断技術の必要性 電力ケーブルは 電力輸送という社会インフラの一端を担っており 絶縁破壊事故による電力輸送の停止は大きな影響を及ぼします 電力ケーブルが使用される環境は様々ですが 長期間 使用環境下において性能を満足する必要があります 電力ケーブルに用いられる絶縁体 (XLPE) は 使用環境にも異なりますが 経年により劣化し

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

Keysight Technologies 誘電体測定の基礎

Keysight Technologies Application Note LCR1.1 THz (MUT) 1. PCB PCB SAR RAM IC 3 Keysight - Application Note... 2... 4... 4... 7... 8... 1... 11... 11... 12 Debye... 12 Cole-Cole... 13... 13... 14... 15...

Microsoft PowerPoint - 小杉先生HP.ppt

土壌水分計付貫入抵抗試験機を 用いた表層崩壊発生危険箇所の 推定手法の検討 小杉賢一朗 山川陽祐 正岡直也 水山高久堤大三 多田泰之 同様の地形を呈する斜面でも, 表層崩壊が発生する部分としない部分があり, 崩壊位置の正確な予測は容易でない 2004 年高知県大川村 地形からは水の集中が起こりえない, 凸型斜面で発生する表層崩壊も, 決して少なくない これらの表層崩壊の予測は非常に難しい 2004

資料 GHz 以上の人体のばく露評価について 平田晃正 名古屋工業大学 生体電磁環境に関する検討会報告書 ( 案 ) 先進的な無線システムに関する電波防護について 解説資料からの抜粋

資料 32-3 6GHz 以上の人体のばく露評価について 平田晃正 名古屋工業大学 生体電磁環境に関する検討会報告書 ( 案 ) 先進的な無線システムに関する電波防護について 解説資料からの抜粋 1. 局所 SAR と入射電力密度とのギャップ 2 我が国では 6 GHz から 300 GHz までの周波数において 電波放射源より 10 cm 未満における指針値はない 高い周波数帯については 電波の体内部への浸透が減って体表の吸収となるため

化学結合が推定できる表面分析　Ｘ線光電子分光法

1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子

Microsoft PowerPoint - presen_dist.ppt

LSI 技術とセンサー技術の融合による インテリジェントスマートマイクロチップ 豊橋技術科学大学 赤井大輔 澤田和明 akai@vbl.tut.ac.jp http://www.vbl.tut.ac.jp/ 高性能 独創的なデバイスの実現 - イメージセンサの例 - CCD 型 高性能 特殊プロセス CMOS 型 低性能, 安価 CMOS 周辺回路との融合 高性能化のために プロセスの特殊化 材料の特殊化

NJM 端子負定電圧電源 概要 NJM7900 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電

3 端子負定電圧電源 概要 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を 1 チップ上に集積した負出力 3 端子レギュレータ IC です 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 用途はテレビ, ステレオ等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 FA 1. COMMON 2. IN 3. OUT 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵

Memoirs of the Osaka Institute of Technology, Series A Vol. 54, No. 2(2009)pp InAs 薄膜からの高強度 THz 波放射の膜厚依存性 海野伸弥 石橋祐太郎 竹家啓 前元 利彦 佐々誠彦 井上正崇 斗内政吉 工

Memoirs of the Osaka Institute of Technology, Series A Vol. 54, No. 2(2009)pp. 17 23 InAs 薄膜からの高強度 THz 波放射の膜厚依存性 海野伸弥 石橋祐太郎 竹家啓 前元 利彦 佐々誠彦 井上正崇 斗内政吉 工学研究科電気電子工学専攻 (2009 年 9 月 30 日受理 ) Film thickness dependence

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和

1 マイクロワット閾値を持つ シリコンラマンレーザー 大阪府立大学大学院 工学研究科 電子物理工学分野准教授 高橋 和 発明の概要 世界最高 Q 値を達成しているヘテロ構造ナノ共振器を用いて マイクロワット閾値をもつシリコンラマンレーザーを作製した レーザー素子は シリコン (001) 基板に穴をあけるだけで作製でき 素子サイズは 10 ミクロン程度である 従来の結晶方向から 45 度傾けてデバイスを作製

untitled

20101221JST (SiC - Buried Gate Static Induction Transistor: SiC-BGSIT) SOURCE GATE N source layer p + n p + n p + n p+ n drift layer n + substrate DRAIN SiC-BGSIT (mωcm 2 ) 200 100 40 10 4 1 Si limit

TX M - / T TX M - 20 / T X Y TXMTX

高精密位置決めテーブル ＴＸ TX M Points スライドテーブル スライドテー 転がり案内方式で究極の高精度テーブル ボールねじ 1 2 高精度 高剛性な精密位置決めテーブルHをベースに 究極の転がり案内ＣルーブリニアローラウェイスーパーＸを 組み込み 各部精度を徹底的に追求し エアステージに迫る位置決め精度を実現した位置決めテーブルです リニアローラウェイ リニアエンコーダ 分解能0.016μmの超高精度リニアエンコーダから

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage

Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を

Gefen_EXT-DVI-CP-FM10取扱説明書_ indd

2014 年 5 月版 安全上の注意 この度は Gefen 製品をお買いあげいただき ありがとうございます 機器のセッティングを行う前に この取扱説明書を十分にお読みください この説明書には取り扱い上の注意や 購入された製品を最適にお使いいただくための手順が記載されています 長くご愛用いただくため 製品のパッケージと取扱説明書を保存してください 注意事項は危険や損害の大きさと切迫の程度を明示するために

PowerPoint Presentation

新世代 レーザドップラー振動計 (LDV) 目次 レーザドップラー振動計 (LDV) の理論 LDVの構造およびタイプ LDVの応用 WOE 社のLDV とその仕様 まとめ レーザドップラー振動計 (LDV) 光の周波数 f light = c / l (2.1 10 14 Hz) レーザ 検出器 レーザドップラー振動計 (LDV) 点ごとの測定 指向曖昧性 ヘテロダイン検出 --- AOM( 時間的キャリア

インターリーブＡＤＣでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術

1 インターリーブADCでのタイミングスキュー影響のデジタル補正技術 浅見幸司 黒沢烈士 立岩武徳 宮島広行 小林春夫 ( 株 ) アドバンテスト 群馬大学 2 目次 1. 研究背景 目的 2. インターリーブADCの原理 3. チャネル間ミスマッチの影響 3.1. オフセットミスマッチの影響 3.2. ゲインミスマッチの影響 3.3. タイミングスキューの影響 4. 提案手法 4.1. インターリーブタイミングミスマッチ補正フィルタ

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37