160GHz

PowerPoint Presentation

/ 2008/04/04 Ferran Salleras 1 2 40Gb/s 40Gb/s PC QD PC: QD: e.g. PCQD PC/QD 3 CP-ON SP T CP-OFF PC/QD-SMZ T ~ps, 40Gb/s ~100fJ T CP-ON CP-OFF 500µm500µm Photonic Crystal SMZ K. Tajima, JJAP, 1993. Control

Microsoft PowerPoint - 山形大高野send ppt [互換モード]

, 2012 10 SCOPE, 2012 10 2 CDMA OFDMA OFDM SCOPE, 2012 10 OFDM 0-20 Relative Optical Power [db] -40-60 10 Gbps NRZ BPSK-SSB 36dB -80-20 -10 0 10 20 Relative Frequency [GHz] SSB SSB OFDM SSB SSB OFDM OFDM

14 2 5

14 2 5 1 1 1-1... 1 1-2... 3 1-3... 3 1-4... 4 2 5 2-1... 5 2-1-1... 5 2-1-2... 6 2-1-3... 8 2-1-4... 8 2-1-5...11 2-1-6... 12 2-1-7... 13 2-1-8... 14 2-2... 16 2-2-1... 16 2-2-2... 17 2-2-3... 18 2-2-4...

LD

989935 1 1 3 3 4 4 LD 6 7 10 1 3 13 13 16 0 4 5 30 31 33 33 35 35 37 38 5 40 FFT 40 40 4 4 4 44 47 48 49 51 51 5 53 54 55 56 Abstract [1] HDD (LaserDopplerVibrometer; LDV) [] HDD IC 1 4 LDV LDV He-Ne Acousto-optic

吸収分光.PDF

3 Rb 1 1 4 1.1 4 1. 4 5.1 5. 5 3 8 3.1 8 4 1 4.1 External Cavity Laser Diode: ECLD 1 4. 1 4.3 Polarization Beam Splitter: PBS 13 4.4 Photo Diode: PD 13 4.5 13 4.6 13 5 Rb 14 6 15 6.1 ECLD 15 6. 15 6.3

untitled

- i - - i - Application of All-Optical Switching by Optical Fiber Grating Coupler Yasuhiko Maeda Abstract All-optical switching devices are strongly required for fast signal processing in future optical

飽和分光

3 Rb 1 1 4 1.1 4 1. 4 5.1 LS 5. Hyperfine Structure 6 3 8 3.1 8 3. 8 4 11 4.1 11 5 14 5.1 External Cavity Laser Diode: ECLD 14 5. 16 5.3 Polarization Beam Splitter: PBS 17 5.4 Photo Diode: PD 17 5.5 :

LMC6022 Low Power CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

Low Power CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS754 CMOS CMOS (100k 5k ) 0.5mW CMOS CMOS LMC6024 100k 5k 120dB 2.5 V/ 40fA Low Power CMOS Dual Operational Amplifier 19910530 33020 23900

LT 低コスト、シャットダウン機能付き デュアルおよびトリプル300MHz 電流帰還アンプ

µ µ LT1398/LT1399 V IN A R G 00Ω CHANNEL A SELECT EN A R F 3Ω B C 97.6Ω CABLE V IN B R G 00Ω EN B R F 3Ω 97.6Ω V OUT OUTPUT (00mV/DIV) EN C V IN C 97.6Ω R G 00Ω R F 3Ω 1399 TA01 R F = R G = 30Ω f = 30MHz

pc817xj0000f_j

PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87XJF PC87 Date Jun.. 5 SHRP Corporation PC87XJF node Cathode Emitter Collector PC87XJF PC87XIJF node mark. ±..6 ±. Rank mark Factory identification mark Date code PC87.58 ±.5

pc725v0nszxf_j

PC725NSZXF PC725NSZXF PC725NSZXF PC725 DE file PC725 Date Jun. 3. 25 SHARP Corporation PC725NSZXF 2 6 5 2 3 4 Anode Cathode NC Emitter 3 4 5 Collector 6 Base PC725NSZXF PC725YSZXF.6 ±.2.2 ±.3 SHARP "S"

1 1 LD [1] 2 3dB Er 2 [2] 1 P 1330cm 1 P 2 O 5 500cm 1 SiO 2 Ge,Si P Er 1480nm Yb 1289nm nm nm 3 1: P [3] 1330cm 1 510cm 1 [5

1 1 LD [1] 2 3dB Er 2 [2] 1 P 1330cm 1 P 2 O 5 500cm 1 SiO 2 Ge,Si P Er 1480nm Yb (19W@1100nm) 1289nm 1 1380nm 2 1484nm 3 1: P [3] 1330cm 1 510cm 1 [5] 2: 3 2 FBG(Fiber Bragg Gratings) 1 2 R > 99% FBG

LM7171 高速、高出力電流、電圧帰還型オペアンプ

Very High Speed, High Output Current, Voltage Feedback Amplifier Literature Number: JAJS842 2 1 6.5mA 4100V/ s 200MHz HDSL 100mA 15V S/N ADC/DAC SFDR THD 5V VIP III (Vertically integrated PNP) 19850223

OPA277/2277/4277 (2000.1)

R OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA µ µ ± ± µ OPA ±± ±± ± µ Offset Trim Offset Trim In OPA +In -Pin DIP, SO- Output NC OPA Out A In A +In A A D Out D In D +In D Out A In A +In A A B Out B In B +In B

LM837 Low Noise Quad Operational Amplifier (jp)

Low Noise Quad Operational Amplifier Literature Number: JAJSBB7 600 Low Noise Quad Operational Amplifier 2000 8 Converted to nat2000 DTD ds009047tl/h/9047 33020 19860602 10 V/ s ( ); 8 V/ s ( ) 25 MHz

Triple 2:1 High-Speed Video Multiplexer (Rev. C

www.tij.co.jp OPA3875 µ ± +5V µ RGB Channel OPA3875 OPA3875 (Patented) RGB Out SELECT ENABLE RED OUT GREEN OUT BLUE OUT 1 R G B RGB Channel 1 R1 G1 B1 X 1 Off Off Off 5V Channel Select EN OPA875 OPA4872

光ネットワーク用デバイス

Optical Devices for Photonic Networks WDM OADM OXC 140 Gbps Abstract This paper describes optical devices required for rapidly evolving large-capacity photonic networks and introduces some optical devices

1. 4cm 16 cm 4cm 20cm 18 cm L λ(x)=ax [kg/m] A x 4cm A 4cm 12 cm h h Y 0 a G 0.38h a b x r(x) x y = 1 h 0.38h G b h X x r(x) 1 S(x) = πr(x) 2 a,b, h,π

. 4cm 6 cm 4cm cm 8 cm λ()=a [kg/m] A 4cm A 4cm cm h h Y a G.38h a b () y = h.38h G b h X () S() = π() a,b, h,π V = ρ M = ρv G = M h S() 3 d a,b, h 4 G = 5 h a b a b = 6 ω() s v m θ() m v () θ() ω() dθ()

Microsoft PowerPoint - ueno-PN rev2.ppt

超高速光通信デバイスの動作速度と消費電力概論 電気通信大学 上野芳康 1987-1999 年 NEC 光エレクトロニクス研究所 1999-2001 年 NEC 光 超高周波デバイス研究所 2001-2002 年 NEC ネットワーキング研究所 2002~ 現在電気通信大学電子工学科 PN 研究会チュートリアル講演会テレコム先端技術研究支援センター 2007 年 12 月 6 日 1 自己紹介 NEC/FESTA,

1 7 ω ω ω 7.1 0, ( ) Q, 7.2 ( Q ) 7.1 ω Z = R +jx Z 1/ Z 7.2 ω 7.2 Abs. admittance (x10-3 S) RLC Series Circuit Y R = 20 Ω L = 100

7 7., ) Q, 7. Q ) 7. Z = R +jx Z / Z 7. 7. Abs. admittance x -3 S) 5 4 3 R Series ircuit Y R = Ω = mh = uf Q = 5 5 5 V) Z = R + jx 7. Z 7. ) R = Ω = mh = µf ) 7 V) R Z s = R + j ) 7.3 R =. 7.4) ) f = π.

Microsoft Word - 学士論文（表紙）.doc

GHz 18 2 1 1 3 1.1....................................... 3 1.2....................................... 3 1.3................................... 3 2 (LDV) 5 2.1................................ 5 2.2.......................

kokyo 株式会社光響 ファイバレーザ総合カタログ

kokyo 株式会社光響 ファイバレーザ総合カタログ 2014 http://fiberlaser.jp ご挨拶 ファイバレーザが広く普及している現在 国内外には優れたファイバレーザ関連製品があります 本カタログは ( 株 ) 光響が運営しているファイバレーザ専門サイト ファイバレーザ.JP に掲載されている製品をまとめたファイバレーザの総合カタログです 本カタログに掲載されている各製品には コード

OPA134/2134/4134('98.03)

OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA OPA TM µ Ω ± ± ± ± + OPA OPA OPA Offset Trim Offset Trim Out A V+ Out A Out D In +In V+ Output In A +In A A B Out B In B In A +In A A D In D +In D V NC V +In B V+ V +In

LMC6082 Precision CMOS Dual Operational Amplifier (jp)

Precision CMOS Dual Operational Amplifier Literature Number: JAJS760 CMOS & CMOS LMC6062 CMOS 19911126 33020 23900 11800 ds011297 Converted to nat2000 DTD Edited for 2001 Databook SGMLFIX:PR1.doc Fixed

Plastic Package (Note 12) Note 1: ( ) Top View Order Number T or TF See NS Package Number TA11B for Staggered Lead Non-Isolated Package or TF11B for S

Overture 68W ( ) 0.1 (THD N) 20Hz 20kHz 4 68W 8 38W SPiKe (Self Peak Instantaneous Temperature ( Ke)) SOA (Safe Operating Area) SPiKe 2.0 V ( ) 92dB (min) SN 0.03 THD N IMD (SMTPE) 0.004 V CC 28V 4 68W

LM358

LM358 2 DC LM358 5V DC 15V DC micro SMD (8 micro SMD) LM358 LM2904 LM258 LM158 20000801 19870224 33020 23900 11800 2002 3 ds007787 Converted to nat2000 DTD added avo -23 to the first page Edited for 2001

(FBG).7 (OADM)

... 1...... 3... 5... 9... 10... 10... 10 1... 1 1.1... 1 1. 13 13.1 13. 13.3 16.4 17.5 19.6 (FBG).7 (OADM) 5.8 7 3 7 3.1 7 3. 7 3.3 8 3.3.1 8 3.3. 8 3.4 30 3.4.1 30 3.4. 30 3.5 36 3.5.1 36 3.5. 36 3.6

LTC ビット、200ksps シリアル・サンプリングADC

µ CBUSY ANALOG INPUT 10V TO 10V 2. 2. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 V DIG V ANA PWRD BUSY CS R/C TAG SB/BTC DATA EXT/INT DATACLK DGND SY 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 10µF 0.1µF SERIAL INTERFACE

Microsoft Word - 稲田_卒論Verfinal.doc

平成 18 年度卒業論文 光へテロダイン法による 160GHz 領域の 周波数スペクトル計測方法の研究 学籍番号 0212014 稲田功一郎 電子工学科 指導教官 提出日 光エレクトロニクス講座 上野芳康助教授 平成 19 年 2 月 28 日 指導教員印 学科長印 概要 超高速な光クロックパルス発生法の研究のためにより高分解能な光スペクトルの測定が必要となる 本研究では被測定光に光を混ぜ合わせて差周波成分を測定する光へテロダイン法について

光産業の将来ビジョン―ボーダレス化の中での進化と展開―(1BIZYON)

SiRi Group 2008 2012 SRI PC19981000 3 1000 2010 100 10 2003 2010 20102000 30 2 5 10 30 2 5 10 10% 1970 1980 1990 30 2 5 10 30 2 5 10 10% 1970 1980 1990 18 2 2~3 3:3:3 18 2 2~3 3:3:3

橡実験IIINMR.PDF

(NMR) 0 (NMR) 2µH hω ω 1 h 2 1 1-1 NMR NMR h I µ = γµ N 1-2 1 H 19 F Ne µ = Neh 2mc ( 1) N 2 ( ) I =1/2 I =3/2 I z =+1/2 I z = 1/2 γh H>0 2µH H=0 µh I z =+3/2 I z =+1/2 I z = 1/2 I z = 3/2 γh H>0 2µH H=0

高速データ変換

Application Report JAJA206 V+ R 5 V BIAS Q 6 Q R R 2 Q 2 Q 4 R 4 R 3 Q 3 V BIAS2 Q 5 R 6 V Ω Q V GS + R Q 4 V+ Q 2 Q 3 + V BE V R 2 Q 5 R Op Amp + Q 6 V BE R 3 Q 7 R 4 R 2 A A 2 Buffer 2 ± Ω Ω R G V+ Q.4.2

アプリケーションノート: 光増幅器(EDFA)の特性評価

Application Note 光増幅器 (EDFA) の特性評価 光スペクトラムアナライザ MS9740A による光増幅器の NF/Gain 測定 MS9740A 光スペクトラムアナライザ 目次 1. はじめに 2. NF/gain 測定の概要 3. 測定例 3.1 レベル補間法 3.2 偏光ヌリング法 3.3 パルス法 4. まとめ 2 1. はじめに 1990 年代後半に出現したエルビウムドープ光ファイバ増幅器

LLG-R8.Nisus.pdf

d M d t = γ M H + α M d M d t M γ [ 1/ ( Oe sec) ] α γ γ = gµ B h g g µ B h / π γ g = γ = 1.76 10 [ 7 1/ ( Oe sec) ] α α = λ γ λ λ λ α γ α α H α = γ H ω ω H α α H K K H K / M 1 1 > 0 α 1 M > 0 γ α γ =

LMC7101/101Q Tiny Low Pwr Op Amp w/Rail-to-Rail Input and Output (jp)

,Q /Q Tiny Low Power Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Literature Number: JAJS809 CMOS SOT23-5 CMOS LMC6482/6484 PHS (PDA) PCMCIA 5-Pin SOT23 CMOS 19940216 33020 23900 11800 2006

pc123xnnsz_j

PC2XNNSZF PC2XNNSZF = UL577 2 fi le No. E68 PC2 BSI BS-EN665 fi le No. 787 BS-EN695 fi le No. 79 PC2 SEMKO EN665 EN695 PC2 DEMKO EN665 EN695 PC2 NEMKO EN665 EN695 PC2 FIMKO EN665 EN695 PC2 CSAfile No.CA952

CWContinuous Wave CW 1.1.2 XCT(Computed Tomography) MRI Magnetic Resonance Imaging)PET(Positron Emission Tomography) XCT 2

1.1 1.1.1 RadarRadio Detection and Ranging 1960 1 10 1 CWContinuous Wave CW 1.1.2 XCT(Computed Tomography) MRI Magnetic Resonance Imaging)PET(Positron Emission Tomography) XCT 2 3 XCTMRI XCTMRI XCT /10

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37

AN5637

IC SECAM IC SECAM IC 1 SECAM Unit : mm 19.2±0.3 16 9 1 8 (0.71) 0.5±0.1 Seating plane 2.54 1.22±0.25 DIP016-P-0300D 6.2±0.3 5.20±0.25 1.10±0.25 3.05±0.25 7.62±0.25 3 to 15 0.30 +0.10 ) (DIP016- P-0300M)

MainOfManuscript.dvi

18 2 28 0244086 IC IC IC (MDA) 20% 60% i 1 1 2 4 2.1................. 4 2.2 UHF............. 9 2.2.1 315MH.......................... 10 2.2.2 433MH.......................... 13 2.2.3.......................

プリント

Łñ“’‘‚2004

2 1,384,000 2,000,000 1,296,211 1,793,925 38,000 54,500 27,804 43,187 41,000 60,000 31,776 49,017 8,781 18,663 25,000 35,300 3 4 5 6 1,296,211 1,793,925 27,804 43,187 1,275,648 1,753,306 29,387 43,025

untitled

MRR Physical Basis( 1.8.4) METEK MRR 1 MRR 1.1 MRR 24GHz FM-CW(frequency module continuous wave) 30 r+ r f+ f 1.2 1 4 MRR 24GHz 1.3 50mW 1 rf- (waveguide) (horn) 60cm ( monostatic radar) (continuous wave)

POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz TV CONVERTER TV POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz CONVERTER POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz TV CONVERTER 1 1 1-1 1 1 1 1-2 1 1 2 3 4 5 1 2 1 1 2 1 2 3 4 5 6 7 1 1 2 3 4 5 1 2 3 1

Microsoft PowerPoint - 小林.ppt

レーザーコンプトン散乱装置用 タイミング同期レーザー 産業技術総合研究所 小林洋平吉富大鳥塚健二 レーザーコンプトン散乱 フォトカソード用レーザー 電子加速器 fs X 線 フォトカソード ~ 基準発振器 衝突用レーザー 全てのタイミング同期を取る必要がある タイミングデリバリ 必要なレーザー技術 フォトカソード用レーザー 波長カソード材料による (ERL( では ~800nm) 平均パワー繰り返しによる

AN15880A

DATA SHEET 品種名 パッケージコード QFH064-P-1414H 発行年月 : 2008 年 12 月 1 目次 概要.. 3 特長.. 3 用途.. 3 外形.. 3 構造...... 3 応用回路例.. 4 ブロック図.... 5 端子.. 6 絶対最大定格.. 8 動作電源電圧範囲.. 8 電気的特性. 9 電気的特性 ( 設計参考値 )... 10 技術資料.. 11 入出力部の回路図および端子機能の

untitled

ファイバーレーザーや固体レーザー発振器 のフェムト秒タイミング同期とその応用 産業技術総合研究所 小林洋平 ガスレーザー レーザーの種類と特徴 高出力 狭帯域 大きい 制御性 エキシマ He-Ne CO2 アルゴンなど 半導体レーザー 小型 波長可変 高出力 デザインできない >500fs GaAs InGaAs など 固体レーザー 高出力 広帯域 超短パルス

Microsoft PowerPoint - 上野説明スライド c.ppt

光エレクトロニクス講座 ( 西 2 号館 一部は西 一部は西 7 号館 ) 高速で省エネルギーな 光エレクトロニクスデバイス ~ 未来の情報通信技術 毎秒 200 ギガビット 光トランジスタ ~ Intensity (a. u.) 1.5 1.0 0.5 Distance 距離 ( ミリメートル in air, z (mm) ) Wavelength (nm) -20-10 0 +10 +20 1552

untitled

LeCroy Technical Seminar WaveExpert April 13, 2005 LJDN-ST-WE-0204-0001 WaveExpert WaveExpert WaveExpert NRO WaveExpert LeCroy Japan, May 13, 2005 Page 2 Page 1 WaveExpert LeCroy Japan, May 13, 2005 Page

„´™Ÿ/’£flö

48 144 2006 206-213 Journal of the Combustion Society of Japan Vol. 48 No. 144 (2006) 206-213 ORGNAL PAPER * * An Approach to Combustion Diagnostics of Premixed Flame by Chemiluminescence of OH * and CH

Mｏｔｔ散乱によるParity対称性の破れを検証

Mott Parity P2 Mott target Mott Parity Parity Γ = 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 t P P ),,, ( 3 2 1 0 1 γ γ γ γ γ γ ν ν µ µ = = Γ 1 : : : Γ P P P P x x P ν ν µ µ vector axial vector ν ν µ µ γ γ Γ ν γ

ADC121S Bit, ksps, Diff Input, Micro Pwr Sampling ADC (jp)

ADC121S625 ADC121S625 12-Bit, 50 ksps to 200 ksps, Differential Input, Micro Power Sampling A/D Converter Literature Number: JAJSAB8 ADC121S625 12 50kSPS 200kSPS A/D ADC121S625 50kSPS 200kSPS 12 A/D 500mV

Unidirectional Measurement Current-Shunt Monitor with Dual Comparators (Rev. B

www.tij.co.jp INA206 INA207 INA208 INA206-INA208 INA206-INA208 V S 1 14 V IN+ V S 1 10 V IN+ OUT CMP1 IN /0.6V REF 2 3 1.2V REF 13 12 V IN 1.2V REF OUT OUT CMP1 IN+ 2 3 9 8 V IN CMP1 OUT CMP1 IN+ 4 11

スライド 1

[1] [2] BB84B92BBM92DPS [3] (1) (2) BB84 (3) DPS [4] [5] BB84 θ θ 0 1 0 1 {0, π} 0 π π, π 2 2 -π/2 π/2 B92 {0, π} Im unbalance unbalance Re DPS 0.1/ {0, π} BBM92 BB84 PBS PBS PBS λ/4 λ/4 PBS BB84 {0,

スライド 1

2011 年 10 月 4 日,SCOPE 第 7 回成果発表会, 幕張メッセ デジタルコヒーレント光通信技術の 研究開発 Research on Digital Coherent Optical Communication Systems 菊池和朗 Kazuro Kikuchi 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻 Department of Electrical Engineering and

0.1 I I : 0.2 I

1, 14 12 4 1 : 1 436 (445-6585), E-mail : sxiida@sci.toyama-u.ac.jp 0.1 I I 1. 2. 3. + 10 11 4. 12 1: 0.2 I + 0.3 2 1 109 1 14 3,4 0.6 ( 10 10, 2 11 10, 12/6( ) 3 12 4, 4 14 4 ) 0.6.1 I 1. 2. 3. 0.4 (1)

news

ETL NEWS 1999.9 ETL NEWS 1999.11 Establishment of an Evaluation Technique for Laser Pulse Timing Fluctuations Optoelectronics Division Hidemi Tsuchida e-mail:tsuchida@etl.go.jp A new technique has been

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC

[ ] [ ] [ ] [ ] [ ] [ ] ADC BS1 m1 PMT m2 BS2 PMT1 PMT ADC PMT2 α PMT α α = n ω n n Pn TMath::Poisson(x,[0]) 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 λ 1.5 ω n 2 = ( α 2 ) n n! e α 2 α 2 = λ = λn n! e λ Poisson Pn 0.1

5988_2410J.qxd

Agilent Product Note Agilent E8244A 2 khz 40 GHz PSG -L Series Signal Generator Frequency MENUS Sweep/ List FREQUENCY AMPLITUDE 40.000 000 000 000 GHZ 10.00 dbm MOD Amplitude Utility Save Recall Trigger

2

Rb Rb Rb :10256010 2 3 1 5 1.1....................................... 5 1.2............................................. 5 1.3........................................ 6 2 7 2.1.........................................

XFEL/SPring-8

DEVELOPMENT STATUS OF RF SYSTEM OF INJECTOR SECTION FOR XFEL/SPRING-8 Takao Asaka 1,A), Takahiro Inagaki B), Hiroyasu Ego A), Toshiaki Kobayashi A), Kazuaki Togawa B), Shinsuke Suzuki A), Yuji Otake B),

MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated

1 -- 7 6 2011 11 1 6-1 MOSFET 6-2 CMOS 6-2 TTL Transistor Transistor Logic ECL Emitter Coupled Logic I2L Integrated Injection Logic 6-3 CMOS CMOS NAND NOR CMOS 6-4 6-5 6-1 6-2 CMOS 6-3 6-4 6-5 c 2011 1/(33)

AN Pasteup.qxd

1 4 ( 4 ) 1. - 3 5 2. - 6 9 3. - 10 18 4. Agilent 83480A 86100A - 19 28 1 ( ) 0 1 ( ) 1 = 0 1 (db) = 10 log 10 0 1 % = 100 0 11000 W0 50 W 20 13dB 5% (BER) ( ) BER 2BER 8.2dB13dBBER 1dB 0dBm 13dB 1dBm

Donald Carl J. Choi, β ( )

:: α β γ 200612296 20 10 17 1 3 2 α 3 2.1................................... 3 2.2................................... 4 2.3....................................... 6 2.4.......................................

Gauss Gauss ɛ 0 E ds = Q (1) xy σ (x, y, z) (2) a ρ(x, y, z) = x 2 + y 2 (r, θ, φ) (1) xy A Gauss ɛ 0 E ds = ɛ 0 EA Q = ρa ɛ 0 EA = ρea E = (ρ/ɛ 0 )e

7 -a 7 -a February 4, 2007 1. 2. 3. 4. 1. 2. 3. 1 Gauss Gauss ɛ 0 E ds = Q (1) xy σ (x, y, z) (2) a ρ(x, y, z) = x 2 + y 2 (r, θ, φ) (1) xy A Gauss ɛ 0 E ds = ɛ 0 EA Q = ρa ɛ 0 EA = ρea E = (ρ/ɛ 0 )e z

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2005 2 1 105-0004 5-34-3 Tel: 03-3431-4002 Fax: 03-3431-4044 1 SRL/ISTEC 1 1 SFQ SFQ SFQ 2004 9 4 SFQ SFQ / LSI 269 230 230 230 269 230 SFQ SFQ 2005 2 ISTEC 2005 All rights reserved. - 1 - 2005 2 1 105-0004

1

2 Light Source Technologies 2-1 Fourier Synthesis of Optical Pulses HYODO Masaharu, Kazi Sarwar ABEDIN, ONODERA Noriaki, and WATANABE Masayoshi With the rapid progress made recently in the field of optical

pc910l0nsz_j

PC90L0NSZ0F PC90L0NSZ0F µ µ µ PC90L PC90L Date Sep.. 00 SHARP Corporation 7 NC Anode Cathode NC 7 GND V O (Open collector) V E (Enable) V CC H H L L H H H L H L L H L: (0) H: () PC90L0NSZ0F PC90L0YSZ0F

1 s(t) ( ) f c : A cos(2πf c t + ϕ) (AM, Amplitude Modulation) (FM, Frequency Modulation) (PM, Phase Modulation) 2

(Communication and Network) 1 1 s(t) ( ) f c : A cos(2πf c t + ϕ) (AM, Amplitude Modulation) (FM, Frequency Modulation) (PM, Phase Modulation) 2 1.1 AM s(t) : A(αs(t) + 1) cos 2πf c t A, α : s(t) = cos

devicemondai

c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)

Keysight Technologies PNA-Xシリーズ マイクロ波ネットワーク・アナライザ

Keysight Technologies PNA-X PNA-X Application Note VNA CWRF/ VNA /DC S S 1 db P1 db IMD3IP3 VNA PNA-X 1 S PNA-X4 2 PNA-X SRF 2PNA-X 1408-12 RF S 5989-4839JAJP ... 2... 4 RF... 5 RF... 6... 7... 8 PNA-X

main.dvi

FDTD S A Study on FDTD Analysis based on S-Parameter 18 2 7 04GD168 FDTD FDTD S S FDTD S S S S FDTD FDTD i 1 1 1.1 FDTD.................................... 1 1.2 FDTD..................... 3 2 S 5 2.1 FDTD

4‐E )　キュリー温度を利用した消磁：熱消磁

( ) () x C x = T T c T T c 4D ) ) Fe Ni Fe Fe Ni (Fe Fe Fe Fe Fe 462 Fe76 Ni36 4E ) ) (Fe) 463 4F ) ) ( ) Fe HeNe 17 Fe Fe Fe HeNe 464 Ni Ni Ni HeNe 465 466 (2) Al PtO 2 (liq) 467 4G ) Al 468 Al ( 468

. NICT 100Tbps 10 80 40Gbit/s4ch x 40Gbit/s DQPSK 1 LSI 40G OTN LSI 40G DWDM LSI H22 12 5 1000 H23 2 22 10 LSI 4 1 042 327 7457 042 327 5959 042 327 6011 2 NICT GMPLS IETFASON ID 3 JGN2plus H20 ID H22

1.06μm帯高出力高寿命InGaAs歪量子井戸レーザ

rjtenmy@ipc.shizuoka.ac.jp ZnO RPE-MOCVD UV- ZnO MQW LED/PD & Energy harvesting LED ( ) PV & ZnO... 1970 1980 1990 2000 2010 SAW NTT ZnO LN, LT IC PbInAu/PbBi Nb PIN/FET LD/HBT 0.98-1.06m InGaAs QW-LD

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1 CMOS 0.35um CMOS, 3V CMOS 2 RF CMOS RF CMOS RF CMOS RFCMOS (ADC Fabless 3 RF CMOS 1990 Abidi (UCLA): Fabless RF CMOS CMOS 90% 4 5 f T [GHz] 450 400 350 300 250 200 150 Technology loadmap L[nm] f T [GHz]

AN6591FJM

IC AN6591FJM PHS, PLL IC AN6591FJMPHSIF PLL IC QFN (Quad flat non-leaded PKG) (0.63) 34 44 R0.30 6.20±0.10 (6.00) 33 23 1 11 (0.63) 22 12 3-C 0.50 (6.00) 6.20±0.10 0.20±0.10 0.80 max Unit : mm, PLL,, APC

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1 2 3 4 5 RESISTOR TUNABLE FILTER 6 LR-SERIES 1 1 2 3 4 5 6 7.1.1 1 1 1 RF1 CF1 RF2 CF2 INPUT 14 15 16 17 18 19 2 21 22 23 24 25 26 27 28 29 3 9 8 7 6 5 4 3 2 1 84 83 82 81 8 79 78 77 R R CF CF 56k R R

impulse_response.dvi

5 Time Time Level Level Frequency Frequency Fig. 5.1: [1] 2004. [2] P. A. Nelson, S. J. Elliott, Active Noise Control, Academic Press, 1992. [3] M. R. Schroeder, Integrated-impulse method measuring sound

Wireless Mesh Networks

WMN MBCR 1155056 25 2 12 1 1 2 3 2.1.............................. 3 2.2 Wireless Mesh Networks............................. 3 2.3............................. 3 2.3.1.............................. 4 2.4.........................

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SPring-8 RFgun JASRI/SPring-8 6..7 Contents.. 3.. 5. 6. 7. 8. . 3 cavity γ E A = er 3 πε γ vb r B = v E c r c A B A ( ) F = e E + v B A A A A B dp e( v B+ E) = = m d dt dt ( γ v) dv e ( ) dt v B E v E

B 1 B.1.......................... 1 B.1.1................. 1 B.1.2................. 2 B.2........................... 5 B.2.1.......................... 5 B.2.2.................. 6 B.2.3..................

hν 688 358 979 309 308.123 Hz α α α α α α No.37 に示す Ti Sa レーザーで実現 術移転も成功し 図 9 に示すよ うに 2 時間は連続測定が可能な システムを実現した Advanced S o l i d S t a t e L a s e r s 2016, JTu2A.26 1-3. 今後は光周波 数比計測装置としてさらに改良 を加えていくとともに

ASB-3000 ユーザーズマニュアル

ASB-001-081204 Magic LAB ADTEK SYSTEM SCIENCE Co.,Ltd. 1 1 1 2 3 4 5 7 8 8 9 10 10 14 MagicScope 16 16 19 21 25 28 29 29 29 Function 30 30 30 30 30 31 31 32 33 34 36 36 37 37 38 39 40 41 43 function 1

ELECTRONIC IMAGING IN ASTRONOMY Detectors and Instrumentation 5 Instrumentation and detectors

ELECTRONIC IMAGING IN ASTRONOMY Detectors and Instrumentation 5 Instrumentation and detectors 4 2017/5/10 Contents 5.4 Interferometers 5.4.1 The Fourier Transform Spectrometer (FTS) 5.4.2 The Fabry-Perot

JA.indd

DCA-J Agilent 86100C Technical Specifications 2008 10 1 4 PatternLock 40 Gb/s TDR S Agilent 86100A/86100B/83480A/54750A 100 fs Windows XP Pro 3 4 5 6 /PLL 7 TDR/TDT/S 7 8 9 10 13 16 17 86100 18 19 21 23

AD8212: 高電圧の電流シャント・モニタ

7 V typ 7 0 V MSOP : 40 V+ V SENSE DC/DC BIAS CIRCUIT CURRENT COMPENSATION I OUT COM BIAS ALPHA 094-00 V PNP 0 7 V typ PNP PNP REV. A REVISION 007 Analog Devices, Inc. All rights reserved. 0-9 -- 0 40

9 1. (Ti:Al 2 O 3 ) (DCM) (Cr:Al 2 O 3 ) (Cr:BeAl 2 O 4 ) Ĥ0 ψ n (r) ω n Schrödinger Ĥ 0 ψ n (r) = ω n ψ n (r), (1) ω i ψ (r, t) = [Ĥ0 + Ĥint (

9 1. (Ti:Al 2 O 3 ) (DCM) (Cr:Al 2 O 3 ) (Cr:BeAl 2 O 4 ) 2. 2.1 Ĥ ψ n (r) ω n Schrödinger Ĥ ψ n (r) = ω n ψ n (r), (1) ω i ψ (r, t) = [Ĥ + Ĥint (t)] ψ (r, t), (2) Ĥ int (t) = eˆxe cos ωt ˆdE cos ωt, (3)

第3節

Prolith 3.1 Post Exposure Bake PEB PC 1970 F.H.Dill [1-2] PC Aerial Image Image in Resist Latent Image before PEB Resist Profile Develop Time Contours Latent Image after PEB 1 NA PEB [3-4] NA Cr 2 3 (b)

Microsoft PowerPoint - 02_資料.ppt [互換モード]

db log db db db log log log db log log log4 y log4 log y log log y log4 log log log y log 4 log log log y log log log log y log log y log log y log y 5V.5 m db db log db db.893 - +..5.779-3 +3.43 db(.)

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レーザダイオード 電子デバイスカンパニー 販売事業部 レーザ販売 4 東京都台東区上野東京ビルF L 767 FAX 769 本書に掲載された内容は 製品改善及び技術改良により予告無しに変更する場合がございます 従いまして ご使用の際には 仕様書 にてご確認下さい フォトニクス事業部 664 鳥取県鳥取市立川町丁目番地 L 77 FAX 76 URL http://www.sanyophotonics.com

空気の屈折率変調を光学的に検出する超指向性マイクロホン

23 2 1M36268 2 2 4 5 6 7 8 13 15 2 21 2 23 2 2 3 32 34 38 38 54 57 62 63 1-1 ( 1) ( 2) 1-1 a ( sinθ ) 2J D ( θ ) = 1 (1-1) kaka sinθ ( 3) 1-2 1 Back face hole Amplifier Diaphragm Equiphase wave surface

Ê u g } }{ ~ Ê Blue Tooth Ì d LAN ÊÊÊ sèííöïõöñ~ Ê Ê y ÑÔ ÑÎ ÉÈ ÑÑÒÕ LSI Ç ÌÍÍÉÆÍ ÑÑÒÕ LSI séê ÇÍÌÉt Ê LSI Ì É ÈÍÉÆÉÌÊÎ ÈÍ séæí }ÊÑÑÒÕ LSI Ê CMOS ÒÓÏÑ

14 s v à dò Ñ~ ÎÒÖÐ ÒÏÑÑÖ ÑÑÒÕ LSI Ê Ã 15 Ï ÏÒÏÐ d f Ê u g } }{ ~ Ê Blue Tooth Ì d LAN ÊÊÊ sèííöïõöñ~ Ê Ê y ÑÔ ÑÎ ÉÈ ÑÑÒÕ LSI Ç ÌÍÍÉÆÍ ÑÑÒÕ LSI séê ÇÍÌÉt Ê LSI Ì É ÈÍÉÆÉÌÊÎ ÈÍ séæí }ÊÑÑÒÕ LSI Ê CMOS ÒÓÏÑÊ

POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz TV CONVERTER TV POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz CONVERTER POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz TV CONVERTER 1 2 3 POWER ACTIVE 2.4GHz 5GHz TV CONVERTER POWER ACTIVE 2.4GHz

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MPPC 18 2 16 MPPC(Multi Pixel Photon Counter), MPPC T2K MPPC T2K (HPK) CPTA, MPPC T2K p,π T2K > 5 10 5 < 1MHz > 15% 200p.e. MIP 5p.e. p/π MPPC HPK MPPC 2 1 MPPC 5 1.1...................................

176 B B.1: ( ) ( ) ( ) (2 2 ) ( ) ( ) ( ) (quantitative nondestructive evaluation:qnde) (1) X X X X CT(computed tomography)

B 1) B.1 B.1.1 ( ) B.1 1 50 100 m B.1.2 (nondestructive testing:ndt) (nondestructive inspection:ndi) (nondestructive evaluation:nde) 175 176 B B.1: ( ) ( ) ( ) (2 2 ) ( ) ( ) ( ) (quantitative nondestructive

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1 2 3 4 5 130mm 32mm UV-irradiation UV-cationic cure UV-cationic cure UV-cationic cure Thermal cationic Reaction heat cure Thermal cationic Cation Reaction heat cure Cation (a) UV-curing of