24

KMPDC0178JB 228

X線検出器 第 9章 1 Siフォトダイオード 2 Siフォトダイオードアレイ 2-1 2-2 2-3 2-4 構造 特長 応用例 新たな取り組み 3 CCDエリアイメージセンサ 3-1 3-2 3-3 3-4 ダイレクト式CCDエリアイメージセンサ シンチレータ式CCDエリアイメージセンサ 使い方 応用例 章 9 線検出器 X 4 CMOSエリアイメージセンサ 4-1 4-2 4-3 特長 構造

フォト IC ダイオード S SB S CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2

S9066-211SB S9067-201CT 視感度に近い分光感度特性 視感度特性に近い分光感度特性をもったフォトICダイオードです チップ上には2つの受光部があり 1つは信号検出用受光部 もう1つは近赤外域にのみ感度をもつ補正用受光部になっています 電流アンプ回路中で2つの受光部の出力を減算し ほぼ可視光域にのみ感度をもたせています また従来品に比べ 同一照度における異なる色温度の光源に対しての出力変化を低減しています

µµ InGaAs/GaAs PIN InGaAs PbS/PbSe InSb InAs/InSb MCT (HgCdTe)

1001 µµ 1.... 2 2.... 7 3.... 9 4. InGaAs/GaAs PIN... 10 5. InGaAs... 17 6. PbS/PbSe... 18 7. InSb... 22 8. InAs/InSb... 23 9. MCT (HgCdTe)... 25 10.... 28 11.... 29 12. (Si)... 30 13.... 33 14.... 37

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

p ss_kpic1094j03.indd

DC~1 Mbps 光リンク用送受信フォト IC は 光ファイバ通信用トランシーバ (FOT) として プラスチック光ファイバ (POF)1 本で半 2 重通信が可能な送受信フォト ICです POFを用いた光ファイバ通信は ノイズの影響を受けない 高いセキュリティをもつ 軽量といった特長があります は送信部と受信部の光軸が同一なため 1 本のPOFで光信号の送信 受信が可能です POF 通信に最適な500

推奨条件 / 絶対最大定格 ( 指定のない場合は Ta=25 C) 消費電流絶対最大定格電源電圧 Icc 容量性負荷出力抵抗型名 Vcc Max. CL 電源電圧動作温度保存温度 Zo (V) 暗状態 Min. Vcc max Topr* 2 Tstg* 2 Min. Max. (ma) (pf)

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には High/Low 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 用途 電圧出力のため取り扱いが簡単

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

DS

FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS4 272 1 ASSP (AC / DC ) BIPOLAR, IC,, 2 ma, 5 V SOP 16 1 AC/DC Copyright 1986-211 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 211.5 (TOP VIEW) IN1 1 16 IN2 IN1

フォトダイオードモジュール C10439 シリーズ 精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 フォトダイオードモジュール C10439 シリーズは フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます ま

精密測光用フォトダイオードと低ノイズアンプを一体化 は フォトダイオードと I/V アンプを一体化した高精度な光検出器です アナログ電圧出力のため 電圧計などで簡単に信号を観測することができます また本製品には / 2 レンジ切り替え機能が付いています 検出する光量に応じて適切なレンジ選択を行うことで 高精度な出力を得ることができます 特長 電圧出力のため取り扱いが簡単 / 2レンジ切り替え機能付き小型

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

devicemondai

c 2019 i 3 (1) q V I T ε 0 k h c n p (2) T 300 K (3) A ii c 2019 i 1 1 2 13 3 30 4 53 5 78 6 89 7 101 8 112 9 116 A 131 B 132 c 2019 1 1 300 K 1.1 1.5 V 1.1 qv = 1.60 10 19 C 1.5 V = 2.4 10 19 J (1.1)

c 2009 i

I 2009 c 2009 i 0 1 0.0................................... 1 0.1.............................. 3 0.2.............................. 5 1 7 1.1................................. 7 1.2..............................

1. 4cm 16 cm 4cm 20cm 18 cm L λ(x)=ax [kg/m] A x 4cm A 4cm 12 cm h h Y 0 a G 0.38h a b x r(x) x y = 1 h 0.38h G b h X x r(x) 1 S(x) = πr(x) 2 a,b, h,π

. 4cm 6 cm 4cm cm 8 cm λ()=a [kg/m] A 4cm A 4cm cm h h Y a G.38h a b () y = h.38h G b h X () S() = π() a,b, h,π V = ρ M = ρv G = M h S() 3 d a,b, h 4 G = 5 h a b a b = 6 ω() s v m θ() m v () θ() ω() dθ()

ミニ分光器 MS シリーズ C10988MA-01 C11708MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した超小型のミニ分光器 ミニ分光器 MSシリーズは MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合し 親指大の超小型サイズ ( mm) を実現したモバイル測定機器組み込み用

MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した超小型の MSシリーズは MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合し 親指大の超小型サイズ (27.6 16.8 13 mm) を実現したモバイル測定機器組み込み用の分光器ヘッドです 入射スリットと一体のCMOSイメージセンサを使用し 光学系として凸面レンズにナノインプリントでグレーティングを形成することで従来のRCシリーズに比べて1/3 以下の体積を実現しています

NJM78L00S 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78L00S は Io=100mA の 3 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L00 と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および 3.3V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 10

端子正定電圧電源 概要 は Io=mA の 端子正定電圧電源です 既存の NJM78L と比較し 出力電圧精度の向上 動作温度範囲の拡大 セラミックコンデンサ対応および.V の出力電圧もラインアップしました 外形図 特長 出力電流 ma max. 出力電圧精度 V O ±.% 高リップルリジェクション セラミックコンデンサ対応 過電流保護機能内蔵 サーマルシャットダウン回路内蔵 電圧ランク V,.V,

推奨端子電圧 (Ta=25 C) 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル 3 Vdd Vdd 0.25 V V() Lowレベル V ブロ

画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現 は 画素ごとにアンプを内蔵することで高感度を実現した CMOS リニアイメージセンサです 画素サイズ 14 14 µm 2048 画素で長尺の受光面 ( 有効受光長 28.672 mm) となっています 特長 用途 画素サイズ : 14 14 μm 2048 画素 有効受光面長 : 28.672 mm 高感度 : 50 V/(lx s) 全画素同時蓄積

MEMS-FPI 分光センサ C14273 MEMS-FPI チューナブルフィルタと受光素子を一体化した近赤外用の超小型分光センサ MEMS-FPI 分光センサ C14273 は 印加電圧により透過波長を可変できる MEMS-FPI (Fabry-Perot Interferometer: ファブリ

MEMS-FPI チューナブルフィルタと受光素子を一体化した近赤外用の超小型分光センサ は 印加電圧により透過波長を可変できる MEMS-FPI (Fabry-Perot Interferometer: ファブリ ペロー干渉計 ) チューナブルフィルタと InGaAs PIN フォトダイオードを 1 パッケージに収めた超小型センサです 感度波長 範囲は 1750~2150 nm であり 物質の吸光度などの簡易計測用小型機器への組み込みに適しています

uPC2711TB,uPC2712TB DS

5 VIC Bipolar Analog Integrated Circuits µpc2711tb, µpc2712tbbsic 20122915 µpc2711tb, µpc2712tb µpc2711t, µpc2712t NESAT TM ft = 20 GHz IC fu = 2.9 GHz TYP.µPC2711TB fu = 2.6 GHz TYP.µPC2712TB GP = 13

2011de.dvi

211 ( 4 2 1. 3 1.1............................... 3 1.2 1- -......................... 13 1.3 2-1 -................... 19 1.4 3- -......................... 29 2. 37 2.1................................ 37

1516-機器センサ_J.indb

機器用センサ Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE Grid-EYE 着座検知 扉開閉 洗濯機の水位検知 電子レンジ PS-A 微圧タイプ 水位検知 Grid-EYE 温度計測 位置検知 熱 軸GF 赤外線アレイセンサ Grid-EYE 設計 仕様について予告なく変更する場合があります ご購入及びご使用前に当社の技術仕様書などをお求め願い それらに基づいて購入及び使用していただきますようお願いします

1. 2 P 2 (x, y) 2 x y (0, 0) R 2 = {(x, y) x, y R} x, y R P = (x, y) O = (0, 0) OP ( ) OP x x, y y ( ) x v = y ( ) x 2 1 v = P = (x, y) y ( x y ) 2 (x

. P (, (0, 0 R {(,, R}, R P (, O (0, 0 OP OP, v v P (, ( (, (, { R, R} v (, (, (,, z 3 w z R 3,, z R z n R n.,..., n R n n w, t w ( z z Ke Words:. A P 3 0 B P 0 a. A P b B P 3. A π/90 B a + b c π/ 3. +

sm1ck.eps

DATA SHEET DS0 0 ASSP, IC,,,,, (VS =. V.%) (VCC = 0. V ) (VR =. V.%) ( ) DIP, SIP, SOP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) (FRONT VIEW) (TOP VIEW) C T C T V S V REF V CC V CC V REF V S (DIP-P-M0) (FPT-P-M0)

211 kotaro@math.titech.ac.jp 1 R *1 n n R n *2 R n = {(x 1,..., x n ) x 1,..., x n R}. R R 2 R 3 R n R n R n D D R n *3 ) (x 1,..., x n ) f(x 1,..., x n ) f D *4 n 2 n = 1 ( ) 1 f D R n f : D R 1.1. (x,

CMOS リニアイメージセンサ用駆動回路 C10808 シリーズ 蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 C10808 シリーズは 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です セン

蓄積時間の可変機能付き 高精度駆動回路 は 電流出力タイプ CMOS リニアイメージセンサ S10111~S10114 シリーズ S10121~S10124 シリーズ (-01) 用に設計された駆動回路です センサの駆動に必要な各種タイミング信号を供給し センサからのアナログビデオ信号 を低ノイズで信号処理します 2 種類の外部制御信号 ( スタート クロック ) と 2 種類の電源 (±15 )

K 1 mk(

R&D ATN K 1 mk(0.01 0.05 = ( ) (ITS-90)-59.3467 961.78 (T.J.Seebeck) A(+ T 1 I T 0 B - T 1 T 0 E (Thermoelectromotive force) AB =d E(AB) /dt=a+bt----------------- E(AB) T1 = = + + E( AB) α AB a b ( T0

ミニ分光器 マイクロシリーズ C12666MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド C12666MAは MEMS 技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型 ( 指先大 ) の分光器ヘッドです 新設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ

ミニ分光器 マイクロシリーズ C12666MA MEMS 技術とイメージセンサ技術を融合した指先大の超小型分光器ヘッド C12666MAは MEMS 技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型 ( 指先大 ) の分光器ヘッドです 新設計の光学系を採用することにより従来品のミニ分光器 MSシリーズ (C988MA-01) に比べ1/2 以下の体積を実現しています また ハーメチックパッケージを採用することにより

LCR e ix LC AM m k x m x x > 0 x < 0 F x > 0 x < 0 F = k x (k > 0) k x = x(t)

338 7 7.3 LCR 2.4.3 e ix LC AM 7.3.1 7.3.1.1 m k x m x x > 0 x < 0 F x > 0 x < 0 F = k x k > 0 k 5.3.1.1 x = xt 7.3 339 m 2 x t 2 = k x 2 x t 2 = ω 2 0 x ω0 = k m ω 0 1.4.4.3 2 +α 14.9.3.1 5.3.2.1 2 x

Microsoft Word - 章末問題

1906 R n m 1 = =1 1 R R= 8h ICP s p s HeNeArXe 1 ns 1 1 1 1 1 17 NaCl 1.3 nm 10nm 3s CuAuAg NaCl CaF - - HeNeAr 1.7(b) 2 2 2d = a + a = 2a d = 2a 2 1 1 N = 8 + 6 = 4 8 2 4 4 2a 3 4 π N πr 3 3 4 ρ = = =

2STB240AA(AM-2S-H-006)_01

項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (A1 A2) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 10 0. 20 + 4 +12 (1)S=12 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

HA17458シリーズ　データシート

お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 1 年 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し 両社の全ての事業が当社に承継されております 従いまして 本資料中には旧社名での表記が残っておりますが 当社の資料として有効ですので ご理解の程宜しくお願い申し上げます ルネサスエレクトロニクスホームページ (http://www.renesas.com)

. ev=,604k m 3 Debye ɛ 0 kt e λ D = n e n e Ze 4 ln Λ ν ei = 5.6π / ɛ 0 m/ e kt e /3 ν ei v e H + +e H ev Saha x x = 3/ πme kt g i g e n

003...............................3 Debye................. 3.4................ 3 3 3 3. Larmor Cyclotron... 3 3................ 4 3.3.......... 4 3.3............ 4 3.3...... 4 3.3.3............ 5 3.4.........

X G P G (X) G BG [X, BG] S 2 2 2 S 2 2 S 2 = { (x 1, x 2, x 3 ) R 3 x 2 1 + x 2 2 + x 2 3 = 1 } R 3 S 2 S 2 v x S 2 x x v(x) T x S 2 T x S 2 S 2 x T x S 2 = { ξ R 3 x ξ } R 3 T x S 2 S 2 x x T x S 2

2 G(k) e ikx = (ik) n x n n! n=0 (k ) ( ) X n = ( i) n n k n G(k) k=0 F (k) ln G(k) = ln e ikx n κ n F (k) = F (k) (ik) n n= n! κ n κ n = ( i) n n k n

. X {x, x 2, x 3,... x n } X X {, 2, 3, 4, 5, 6} X x i P i. 0 P i 2. n P i = 3. P (i ω) = i ω P i P 3 {x, x 2, x 3,... x n } ω P i = 6 X f(x) f(x) X n n f(x i )P i n x n i P i X n 2 G(k) e ikx = (ik) n

uPC1251, 358 DS

Bipolar Analog Integrated Circuit µ PC5,58 µ PC5, 58 GND C 5 µ ATYP. GND µ PC5 µ PC58 DC µ PC45, 4 mvtyp. 5 natyp. TYP. DIP, SOP 9 SIP µ PC5C 8 DIP7.6 mm µ PC5C (5) DC µ PC5G 8 SOP5.7 mm5 µ PC5G (5) DC

= hυ = h c λ υ λ (ev) = 1240 λ W=NE = Nhc λ W= N 2 10-16 λ / / Φe = dqe dt J/s Φ = km Φe(λ)v(λ)dλ THBV3_0101JA Qe = Φedt (W s) Q = Φdt lm s Ee = dφe ds E = dφ ds Φ Φ THBV3_0102JA Me = dφe ds M = dφ ds

simx simxdx, cosxdx, sixdx 6.3 px m m + pxfxdx = pxf x p xf xdx = pxf x p xf x + p xf xdx 7.4 a m.5 fx simxdx 8 fx fx simxdx = πb m 9 a fxdx = πa a =

II 6 ishimori@phys.titech.ac.jp 6.. 5.4.. f Rx = f Lx = fx fx + lim = lim x x + x x f c = f x + x < c < x x x + lim x x fx fx x x = lim x x f c = f x x < c < x cosmx cosxdx = {cosm x + cosm + x} dx = [

50 2 I SI MKSA r q r q F F = 1 qq 4πε 0 r r 2 r r r r (2.2 ε 0 = 1 c 2 µ 0 c = m/s q 2.1 r q' F r = 0 µ 0 = 4π 10 7 N/A 2 k = 1/(4πε 0 qq

49 2 I II 2.1 3 e e = 1.602 10 19 A s (2.1 50 2 I SI MKSA 2.1.1 r q r q F F = 1 qq 4πε 0 r r 2 r r r r (2.2 ε 0 = 1 c 2 µ 0 c = 3 10 8 m/s q 2.1 r q' F r = 0 µ 0 = 4π 10 7 N/A 2 k = 1/(4πε 0 qq F = k r

NJM78L00 3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さ

3 端子正定電圧電源 概要高利得誤差増幅器, 温度補償回路, 定電圧ダイオードなどにより構成され, さらに内部に電流制限回路, 熱暴走に対する保護回路を有する, 高性能安定化電源用素子で, ツェナーダイオード / 抵抗の組合せ回路に比べ出力インピーダンスが改良され, 無効電流が小さくなり, さらに雑音特性も改良されています 外形 UA EA (5V,9V,12V のみ ) 特徴 過電流保護回路内蔵

uPC2745TB,uPC2746TB DS

Bipolar Analog Integrated Circuits 3 VIC µpc2745tb, µpc2746tb IC3 V1.8 V NESAT TM ft = 20 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 1.83.3 V µpc2745tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc2746tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc2745tbisl

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

1 A A.1 G = A,B,C, A,B, (1) A,B AB (2) (AB)C = A(BC) (3) 1 A 1A = A1 = A (4) A A 1 A 1 A = AA 1 = 1 AB = BA ( ) AB BA ( ) 3 SU(N),N 2 (Lie) A(θ 1,θ 2,

1 A A.1 G = A,B,C, A,B, (1) A,B AB (2) (AB)C = A(BC) (3) 1 A 1A = A1 = A (4) A A 1 A 1 A = AA 1 = 1 AB = BA ( ) AB BA ( ) 3 SU(N),N 2 (Lie) A(θ 1,θ 2,θ n ) = exp(i n i=1 θ i F i ) (A.1) F i 2 0 θ 2π 1

2STB240PP(AM-2S-G-005)_02

項目記号定格単位 電源 1 印加電圧電源 2 印加電圧入力電圧 (1 8) 出力電圧 ( ) 出力電流 ( ) 許容損失動作周囲温度保存周囲温度 S CC I o Io Pd Topr Tstg 24.0 7.0 0.3 S+0.3 0.3 CC+0.3 0.7 +75 45 +5 (1)S= 系項目 記号 定格 単位 電源 1(I/F 入力側 ) 電源 2(I/F 出力側 ) I/F 入力負荷抵抗

ŠéŒØ‘÷†u…x…C…W…A…fi…l…b…g…‘†[…NfiüŒå†v(fl|ŁŠ−Ù) 4. −mŠ¦fiI’—Ÿ_ 4.1 −mŠ¦ŁªŁz‡Ì„v”Z

( ) 4. 4.1 2009 1 14 ( ) ( ) 4. 2009 14.1 14 ( ) 1 / 41 1 2 3 4 5 4.1 ( ) 4. 2009 14.1 14 ( ) 2 / 41 X i (Ω)

MUSES01 2 回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 MUSES01 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 2 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフ

回路入り J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~ 概要 は オーディオ用として特別の配慮を施し 音質向上を図った 回路入り JFET 入力高音質オペアンプです 低雑音 高利得帯域 低歪率を特徴とし オーディオ用プリアンプ アクティブフィルター ラインアンプ等に最適です 外形 特徴 動作電源電圧 Vopr= ~ ±V 低雑音 9.nV/ Hz typ. @f=khz 入力オフセット電圧

PS5042 Through-hole Phototransistor/Right Angle Type 特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感

特長 パッケージ 製品の特長 サイドビュータイプ 無色透明樹脂 光電流 : 1.4mA TYP. (V CE =5V,Ee=1mW/cm 2 ) 鉛フリーはんだ耐熱対応 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 880nm 76 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては はんだ付け条件をご参照ください 2kV (HBM

7 π L int = gψ(x)ψ(x)φ(x) + (7.4) [ ] p ψ N = n (7.5) π (π +,π 0,π ) ψ (σ, σ, σ )ψ ( A) σ τ ( L int = gψψφ g N τ ) N π * ) (7.6) π π = (π, π, π ) π ±

7 7. ( ) SU() SU() 9 ( MeV) p 98.8 π + π 0 n 99.57 9.57 97.4 497.70 δm m 0.4%.% 0.% 0.8% π 9.57 4.96 Σ + Σ 0 Σ 89.6 9.46 K + K 0 49.67 (7.) p p = αp + βn, n n = γp + δn (7.a) [ ] p ψ ψ = Uψ, U = n [ α

1 8, : 8.1 1, 2 z = ax + by + c ax by + z c = a b +1 x y z c = 0, (0, 0, c), n = ( a, b, 1). f = n i=1 a ii x 2 i + i<j 2a ij x i x j = ( x, A x), f =

1 8, : 8.1 1, z = ax + by + c ax by + z c = a b +1 x y z c = 0, (0, 0, c), n = ( a, b, 1). f = a ii x i + i

Microsoft PowerPoint - pp601-1.ppt

特長 パッケージ 製品の特長 ダブルエンドタイプ 黒色可視光カット樹脂 光電流 : 4.8μA TYP. (V R =5V,Ee=0.5mW/cm 2 ) 可視光カット樹脂 (700nm 以下カット品 ) 鉛フリー製品 RoHS 対応 ピーク感度波長指向半値角素子材質はんだ付け方法 ESD 出荷形態 950nm 130 deg. Si 半田ディップ マニュアルはんだ実装工程に対応 はんだ付けについては

MOS FET c /(17)

1 -- 7 1 2008 9 MOS FT 1-1 1-2 1-3 1-4 c 2011 1/(17) 1 -- 7 -- 1 1--1 2008 9 1 1 1 1(a) VVS: Voltage ontrolled Voltage Source v in µ µ µ 1 µ 1 vin 1 + - v in 2 2 1 1 (a) VVS( ) (b) S( ) i in i in 2 2 1

1 Ricci V, V i, W f : V W f f(v ) = Imf W ( ) f : V 1 V k W 1

1 Ricci V, V i, W f : V W f f(v = Imf W ( f : V 1 V k W 1 {f(v 1,, v k v i V i } W < Imf > < > f W V, V i, W f : U V L(U; V f : V 1 V r W L(V 1,, V r ; W L(V 1,, V r ; W (f + g(v 1,, v r = f(v 1,, v r

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 Min. Typ. Max. 単位 電源電圧 Vdd V 電源電流 Ivdd ma サンプルホールド電圧 1 Vref V サンプルホールド電流 1 Iref ma サンプルホールド電

1024 画素の高速ラインレート近赤外イメージセンサ (0.9~1.7 μm) 多チャンネル高速ラインレートを必要とする異物選別や医療診断装置用として設計された1024 ch 近赤外 / 高速リニアイメージセンサです 信号処理回路にはCTIA (Capacitive Transimpedance Amplifi er) を採用し サンプルホールド回路を介する事で全画素同時蓄積を行いながら 読み出しを可能にしています

uPC2745TB,uPC2746TB DS

Bipolar Analog Integrated Circuits 3 V IC µpc275tb, µpc27tb IC3 V V NESAT ft = 2 GHz IC VCC = 2.73.3 V VCC = 3.3 V µpc275tbfu = 2.7 GHz TYP. @3 db µpc27tbfu = 1.5 GHz TYP. @3 db µpc275tbisl = 38 db TYP.

IA hara@math.kyushu-u.ac.jp Last updated: January,......................................................................................................................................................................................

PS2701-1, PS2701-2, PS DS

Photocoupler SOP NEPOC PS2701-1, PS2701-2, PS2701-4 GaAs LED IC BV = 3 7 Vr.m.s. SOP tr = 3 µs TYP., tf = 5 µs TYP. 1 PS2701-1-E3, E4, F3, F4 UL No. E72422 (S) VDE0884 IC PS2701-1 4 SOP PS2701-2 8 SOP

MB (FRONT VIEW) (TOP VIEW) VSA VSB / RESIN VSC VSA OUTC VSB /RESIN GND GND OUTC (DIP-P-M0) (FPT-P-M0) VSC (SIP-P-M0) VSA VSB / RESIN 00 kω 0 kω + + Co

DATA SHEET DS0 00 ASSP BIPOLAR MB MB IC V (VSA =. V ±. ) (VSB =. V ±. ) (+ V ) ( = 0. V ) ( ) (ICC = 0. ma = V) DIP, SIP, SOIP, (DIP-P-M0) (SIP-P-M0) (FPT-P-M0) MB (FRONT VIEW) (TOP VIEW) VSA VSB / RESIN

body.dvi

..1 f(x) n = 1 b n = 1 f f(x) cos nx dx, n =, 1,,... f(x) sin nx dx, n =1,, 3,... f(x) = + ( n cos nx + b n sin nx) n=1 1 1 5 1.1........................... 5 1.......................... 14 1.3...........................

CCD リニアイメージセンサ S11491 近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 CCD リニアイメージセンサです マルチポート読み出し (1 ポート当たり 25 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 Q

近赤外高感度 高速ラインレート 近赤外域で高感度を実現した裏面入射型 です マルチポート読み出し ( ポート当たり 5 MHz max.) により 70 khz の高速ラインレートを実現しました 特長 用途 近赤外高感度 QE=70% (λ=900 nm), QE=40% (λ=000 nm) 高速ラインレート : 70 khz max. 低エタロニング OCT ( 光干渉断層計 ) 分光測光 構成

y = x x R = 0. 9, R = σ $ = y x w = x y x x w = x y α ε = + β + x x x y α ε = + β + γ x + x x x x' = / x y' = y/ x y' =

y x = α + β + ε =,, ε V( ε) = E( ε ) = σ α $ $ β w ( 0) σ = w σ σ y α x ε = + β + w w w w ε / w ( w y x α β ) = α$ $ W = yw βwxw $β = W ( W) ( W)( W) w x x w x x y y = = x W y W x y x y xw = y W = w w

untitled

: SOU1AP2011003 2011/12/25 & Copyright 2010, Toshiba Corporation. : SOU1AP2011003 1. 2.CMOS 3.CMOS 4.CMOS 5.CMOS 6. 2 : SOU1AP2011003 3 : SOU1AP2011003 NAND,OR,, IC 1A 1 1B 2 14 13 V CC 4B 1Y 2A 2B 3 4

高速度スイッチングダイオード

は簡単な構成で FM ステレオ送信を実現できる IC です ステレオコンポジット信号を作るステレオ変調器及び FM 信号を空中へ輻射するための FM トランスミッタで構成されています ステレオ変調器は 3kHz 発振器より MAIN SUB 及びパイロット信号からなるコンポジット信号を発生します FM トランスミッタは FM 帯のキャリアを発振させコンポジット信号によって FM 変調をかけ FM 波を空中に輻射します

2019 1 5 0 3 1 4 1.1.................... 4 1.1.1......................... 4 1.1.2........................ 5 1.1.3................... 5 1.1.4........................ 6 1.1.5......................... 6 1.2..........................

24 201170068 1 4 2 6 2.1....................... 6 2.1.1................... 6 2.1.2................... 7 2.1.3................... 8 2.2..................... 8 2.3................. 9 2.3.1........... 12

Part () () Γ Part ,

Contents a 6 6 6 6 6 6 6 7 7. 8.. 8.. 8.3. 8 Part. 9. 9.. 9.. 3. 3.. 3.. 3 4. 5 4.. 5 4.. 9 4.3. 3 Part. 6 5. () 6 5.. () 7 5.. 9 5.3. Γ 3 6. 3 6.. 3 6.. 3 6.3. 33 Part 3. 34 7. 34 7.. 34 7.. 34 8. 35

K E N Z OU

K E N Z OU 11 1 1 1.1..................................... 1.1.1............................ 1.1..................................................................................... 4 1.........................................

絶対最大定格 (T a =25 ) 項目記号定格単位 入力電圧 V IN 消費電力 P D (7805~7810) 35 (7812~7815) 35 (7818~7824) 40 TO-220F 16(T C 70 ) TO (T C 25 ) 1(Ta=25 ) V W 接合部温度

3 端子正定電圧電源 概要 NJM7800 シリーズは, シリーズレギュレータ回路を,I チップ上に集積した正出力 3 端子レギュレータ ICです 放熱板を付けることにより,1A 以上の出力電流にて使用可能です 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (1.5A max.) バイポーラ構造 外形 TO-220F, TO-252 NJM7800FA

<4D F736F F D208CF595A890AB F C1985F8BB389C88F CF58C9F8F6F8AED2E646F63>

光検出器 pin-pd 数 GHzまでの高速応答する光検出器に pin-フォトダイオードとアバランシェフォトダイオードがある pin-フォトダイオードは図 1に示すように n + 基板と低ドーピングi 層と 0.3μm 程度に薄くした p + 層からなる 逆バイアスを印加して 空乏層を i 層全体に広げ 接合容量を小さくしながら光吸収領域を拡大して高感度にする 表面より入射した光は光吸収係数 αによって指数関数的に減衰しながら光励起キャリアを生成する

elm73xxxxxxa_jp.indd

概要 ELM73xxxxxxAは 遅延機能付きの CMOS 電圧検出器 ICであり 遅延時間は外付けコンデンサで調整可能です また 非常に低い消費電流 (Tpy.26nA) で動作します ELM73xxxBxxAシリーズはマニュアルリセット機能付きタイプで いつでも手動でリセットすることができます 出力スタイルは N-chオープンドレイン出力と CMOS 出力の 2つがあります 電源電圧 ddは検出電圧以下に低下したとき

MPPC 用電源 C 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても M

MPPC 用電源 C1104-0 高精度温度補償機能を内蔵した MPPC 用バイアス電源 C1104-0は MPPC (Multi-Pixel Photon Counter) を駆動するために最適化された高電圧電源です 最大で90 Vを出力することができます 温度変化を伴う環境においても MPPCを常に最適動作させるために温度補償機能を内蔵しています ( アナログ温度センサの外付けが必要 ) また

‚åŁÎ“·„´Šš‡ðŠp‡¢‡½‹âfi`fiI…A…‰…S…−…Y…•‡ÌMarkovŸA“½fiI›ð’Í

Markov 2009 10 2 Markov 2009 10 2 1 / 25 1 (GA) 2 GA 3 4 Markov 2009 10 2 2 / 25 (GA) (GA) L ( 1) I := {0, 1} L f : I (0, ) M( 2) S := I M GA (GA) f (i) i I Markov 2009 10 2 3 / 25 (GA) ρ(i, j), i, j I

http://www.ike-dyn.ritsumei.ac.jp/ hyoo/wave.html 1 1, 5 3 1.1 1..................................... 3 1.2 5.1................................... 4 1.3.......................... 5 1.4 5.2, 5.3....................

Δ Δ Δ 250

高エネルギー粒子用 Si検出器 第 10 章 1 特性 1-1 1-2 1-3 有感エリア 暗電流 接合容量 応答速度 2 シンチレータ式Si検出器 3 ダイレクト式Si検出器 3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 空乏層の厚さ チャネリング効果 出力波高のばらつき ノイズとエネルギー分解能 位置検出用Si検出器 章 4 新たな取り組み 10 高エネルギー粒子用 5 応用例 粒子衝突実験 FGST

genron-3

" ( K p( pasals! ( kg / m 3 " ( K! v M V! M / V v V / M! 3 ( kg / m v ( v "! v p v # v v pd v ( J / kg p ( $ 3! % S $ ( pv" 3 ( ( 5 pv" pv R" p R!" R " ( K ( 6 ( 7 " pv pv % p % w ' p% S & $ p% v ( J /

,.,, 1. LED, 1450nm 1450nm 2mm 2mm LED 1mm 1mm

25 SpO 2 2014 3 19 10-3A257 ,.,, 1. LED, 1450nm 1450nm 2mm 2mm LED 1mm 1mm 1 1 1.1................................. 1 1.2................................. 1 2 2 2.1............................... 2 2.2..............................

K E N Z U 2012 7 16 HP M. 1 1 4 1.1 3.......................... 4 1.2................................... 4 1.2.1..................................... 4 1.2.2.................................... 5................................

Microsoft Word - TC74HCT245AP_AF_J_P8_060201_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HCT245AP,TC74HCT245AF Octal Bus Transceiver TC74HCT245A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 8 回路入り双方向性バスバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レべルですので TTL レベルのバスに直結可能です

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Bipolar Analog Integrated Circuit 3 IC 3 5 V, 8 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V 6 1 A Marking Side TO-22 MP-45G 4 MIN. µpc1435 5 V µpc1435 3 SIP TO-22 MP-45G 1 2 3 1 INPUT 2 GND 3 OUTPUT µ PC1435HF TO-22 MP-45G

ELCODIS.COM - ELECTRONIC COMPONENTS DISTRIBUTOR

Bipolar Analog Integrated Circuit 3 IC 3 5 V, 8 V, 12 V, 15 V, 18 V, 24 V 6 1 A Marking Side TO-22 MP-45G 4 MIN. µpc1435 5 V µpc1435 3 SIP TO-22 MP-45G 1 2 3 1 INPUT 2 GND 3 OUTPUT µ PC1435HF TO-22 MP-45G

TC7WT126FU

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック Dual Bus Buffer は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 回路入り 3- ステートバッファです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 入力は TTL レベルですので TTL レベルのバスに直結可能です 3- ステートコントロール入力 G を L とすることにより出力

R3111x NO.JA R3111x CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON TYP. 0.8µA (VDD=1.5V) 0.7V 10.0V (Topt=2

NO.JA-71-6112 CMOS IC IC Nch CMOS 2 Rx5VL TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB SON1612-6 6 TYP..8µA (=1.5V).7V 1.V ().9V 6.V.1V ±2.% TYP. ±1ppm/ C Nch CMOS 2 6 TO-92 SOT-89 SOT-23-3 SOT-23-5 SC-82AB

0.1 I I : 0.2 I

1, 14 12 4 1 : 1 436 (445-6585), E-mail : sxiida@sci.toyama-u.ac.jp 0.1 I I 1. 2. 3. + 10 11 4. 12 1: 0.2 I + 0.3 2 1 109 1 14 3,4 0.6 ( 10 10, 2 11 10, 12/6( ) 3 12 4, 4 14 4 ) 0.6.1 I 1. 2. 3. 0.4 (1)

InGaAs リニアイメージセンサ G11508 シリーズ G11475~G11478 シリーズ 近赤外イメージセンサ (0.9~1.67 µm/2.55 µm) G11508/G11475~G11478 シリーズは 近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計された InGaAsリニアイメージセンサです

G1158 シリーズ G11475~G11478 シリーズ 近赤外イメージセンサ (.9~1.67 µm/2.55 µm) G1158/G11475~G11478 シリーズは 近赤外マルチチャンネル分光測光用に設計された InGaAsリニアイメージセンサです これらのリニアイメージセンサは InGaAsフォトダイオードアレイとCMOSチップ上に形成されたチャージアンプ オフセット補償回路 シフトレジスタ

x x x 2, A 4 2 Ax.4 A A A A λ λ 4 λ 2 A λe λ λ2 5λ + 6 0,...λ 2, λ 2 3 E 0 E 0 p p Ap λp λ 2 p 4 2 p p 2 p { 4p 2 2p p + 2 p, p 2 λ {

K E N Z OU 2008 8. 4x 2x 2 2 2 x + x 2. x 2 2x 2, 2 2 d 2 x 2 2.2 2 3x 2... d 2 x 2 5 + 6x 0 2 2 d 2 x 2 + P t + P 2tx Qx x x, x 2 2 2 x 2 P 2 tx P tx 2 + Qx x, x 2. d x 4 2 x 2 x x 2.3 x x x 2, A 4 2

推奨端子電圧 電源電圧 Vdd V クロックパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(CLK) Lowレベル V スタートパルス電圧 Highレベル Vdd Vdd Vdd V V(ST)

CMOS リニアイメージセンサ S10227-10 小型 樹脂封止型 CMOS イメージセンサ S10227-10 は 従来品 (S9227 シリーズ ) と比べて小型で高いコストパフォーマンスを実現した樹脂封止型の CMOS リニ アイメージセンサです 特長 用途 小型で高いコストパフォーマンスを実現表面実装型パッケージ : 4.4 9.1 1.6 t mm 画素ピッチ : 12.5 µm 画素高さ

untitled

1 2 4 50 50 3 1 12ha 500m 45 2,000m 4 m 250m 250m m % % 5 1 0 1 0 6 DID DID DID DID DID DID 7 X 5 1/2 1/2 ( PL) = A + 1 LN( X1) + 2 LN( X 2) + 3 X 3 + 4 LN( X 4) + 5 LN( X 5) + 6 X 6 + 7 X 7 + 8 LN( X

arma dvi

ARMA 007/05/0 Rev.0 007/05/ Rev.0 007/07/7 3. : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 3. : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : : 3.3 : : : :

13Ad m in is t r a t ie e n h u lp v e r le n in g Ad m in is t r a t ie v e p r o b le m e n,p r o b le m e n in d e h u lp v e r le n in g I n d ic

13D a t a b a n k m r in g R a p p o r t M ｨC Aa n g e m a a k t o p 19 /09 /2007 o m 09 :3 1 u u r I d e n t if ic a t ie v a n d e m S e c t o r BJB V o lg n r. 06 013-00185 V o o r z ie n in g N ie

.....qxd

S I. dy fx x fx y fx + C 3 C dy fx 4 x, y dy v C xt y C v e kt k > xt yt gt [ v dt dt v e kt xt v e kt + C k x v + C C k xt v k 3 r r + dr e kt S dt d

S I.. http://ayapin.film.s.dendai.ac.jp/~matuda /TeX/lecture.html PDF PS.................................... 3.3.................... 9.4................5.............. 3 5. Laplace................. 5....

V(x) m e V 0 cos x π x π V(x) = x < π, x > π V 0 (i) x = 0 (V(x) V 0 (1 x 2 /2)) n n d 2 f dξ 2ξ d f 2 dξ + 2n f = 0 H n (ξ) (ii) H

199 1 1 199 1 1. Vx) m e V cos x π x π Vx) = x < π, x > π V i) x = Vx) V 1 x /)) n n d f dξ ξ d f dξ + n f = H n ξ) ii) H n ξ) = 1) n expξ ) dn dξ n exp ξ )) H n ξ)h m ξ) exp ξ )dξ = π n n!δ n,m x = Vx)

HA1631S01/02/03/04シリーズ　データシート

H1631S1/2/3/4 CMOS (/ ) R3DS85JJ5 Rev.5. 215.7.1 H1631S1/2/3/4 CMOS IC 1.8V H1631S1/2 H1631S3/4 CMPK-5 SOP-8 1/8 H1631S1/3 : I DDtyp = 5μ () H1631S2/4 : I DDtyp = 5μ () : V DD = 1.8 5.5V : V IOmax = 5mV

電気的特性 (Ta=25 C) 項目 記号 条件 Min. Typ. Max. 単位 読み出し周波数 * 3 fop khz ラインレート * Hz 変換ゲイン Gc ゲイン =2-5 - e-/adu トリガ出力電圧 Highレベル Vdd V -

CCD イメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用 は 当社製 CCDイメージセンサ S11850-1106, S11511 シリーズ用に開発された駆動回路です USB 2.0インターフェースを用いて とPCを接続することにより PCからの制御でセンサのアナログビデオ信号をデジタル出力に変換し PCに取り込むことができます は センサを駆動するセンサ基板 センサ基板の駆動と

‚å„´577-03

NJM78M00 3 端子正定電圧電源 概要 NJM78M00 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄

3 端子正定電圧電源 概要 シリーズは,NJM78L00 シリーズを更に高性能化した安定化電源用 ICです 出力電流が 500mA と大きいので, 余裕ある回路設計が可能になります 用途はテレビ, ステレオ, 等の民生用機器から通信機, 測定器等の工業用電子機器迄広くご利用頂けます 外形 特徴 過電流保護回路内蔵 サーマルシャットダウン内蔵 高リップルリジェクション 高出力電流 (500mA max.)

p = mv p x > h/4π λ = h p m v Ψ 2 Ψ

II p = mv p x > h/4π λ = h p m v Ψ 2 Ψ Ψ Ψ 2 0 x P'(x) m d 2 x = mω 2 x = kx = F(x) dt 2 x = cos(ωt + φ) mω 2 = k ω = m k v = dx = -ωsin(ωt + φ) dt = d 2 x dt 2 0 y v θ P(x,y) θ = ωt + φ ν = ω [Hz] 2π

BD9328EFJ-LB_Application Information : パワーマネジメント

DC/DC Converter Application Information IC Product Name BD9328EFJ-LB Topology Buck (Step-Down) Switching Regulator Type Non-Isolation Input Output 1 4.2V to 18V 1.0V, 2.0A 2 4.2V to 18V 1.2V, 2.0A 3 4.2V

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 反転型チャージポンプ IC MM3631 概要 MM3631XN は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの S

反転型チャージポンプ IC Monolithic IC MM3631 概要 MM3631X は反転型のチャージポンプ IC です 入力電圧範囲の 1.8V ~ 3.3V を 2 個の外付けコンデンサを使用して負電圧を生成します パッケージは 6 ピンの SOT-26B (2.9 2.8 1.15mm) の小型パッケージを採用しています CE 端子を内蔵しており スタンバイ時は 1 μ A 以下と待機時電流を低減しています

2 Part A B C A > B > C (0) 90, 69, 61, 68, 6, 77, 75, 20, 41, 34 (1) 8, 56, 16, 50, 43, 66, 44, 77, 55, 48 (2) 92, 74, 56, 81, 84, 86, 1, 27,

/ (1) (2) (3) ysawano@tmu.ac.jp (4) (0) (10) 11 (10) (a) (b) (c) (5) - - 11160939-11160939- - 1 2 Part 1. 1. 1. A B C A > B > C (0) 90, 69, 61, 68, 6, 77, 75, 20, 41, 34 (1) 8, 56, 16, 50, 43, 66, 44,

Γ Ec Γ V BIAS THBV3_0401JA THBV3_0402JAa THBV3_0402JAb 1000 800 600 400 50 % 25 % 200 100 80 60 40 20 10 8 6 4 10 % 2.5 % 0.5 % 0.25 % 2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.1 200 300 400 500 600 700 800 1000 1200 14001600

i I II I II II IC IIC I II ii 5 8 5 3 7 8 iii I 3........................... 5......................... 7........................... 4........................ 8.3......................... 33.4...................