1-6 ダイシング工程 < ダイシング工程の主な項目名称 > ダイシング工程の主な項目の名称は 1 切断ピッチ 2 カーフ幅 3 ウェーハ切込み量 4 チッピング量ウェーハでは 1 ストリート幅があるであり切断ピッチ < 拡大図 > ストリート幅チッピング量カーフ幅 < 断面図 > チップ

Size: px

Start display at page:

Download "1-6 ダイシング工程 < ダイシング工程の主な項目名称 > ダイシング工程の主な項目の名称は 1 切断ピッチ 2 カーフ幅 3 ウェーハ切込み量 4 チッピング量ウェーハでは 1 ストリート幅があるであり切断ピッチ < 拡大図 > ストリート幅チッピング量カーフ幅 < 断面図 > チップ"

あいりあわたけ
5 years ago
Views:

1 1-2 バックグラインディング工程 < 方式と研削跡 2> < 特徴 > 1インフィールド方式は砥石とウェーハが回転しながら研削する研削粗さ =0.1μm 程度面内厚さバラツキ =1.5μm 程度 Φ6 インチ以上の大口径ウエーハに適用 2クリープフィールド方式 ( ワンパス方式ウェーハが回転しないで進んで研削する ) は研削粗さ =0.5μm 程度面内厚さバラツキ =5μm 程度坑折強度はインフィールド方式がクリープフィールド方式に比較して強い木目細かい研削跡となるためであるインフィールド方式断面図クリープフィールド方式断面図 ( ワンパス方式 ) ウェーハ砥石チャックテーブルインフィールド方式はウェーハが回転するがクリープフィールド方式はウェーハは回転しない 1

2 1-6 ダイシング工程 < ダイシング工程の主な項目名称 > ダイシング工程の主な項目の名称は 1 切断ピッチ 2 カーフ幅 3 ウェーハ切込み量 4 チッピング量ウェーハでは 1 ストリート幅があるであり切断ピッチ < 拡大図 > ストリート幅チッピング量カーフ幅 < 断面図 > チップウェーハ切込み量接着剤ダイシングテープチッピングはダイシング時に必ず発生するがチッピング量が規格値以下であれば良品となる 2

3 1-9 ダイシング工程の不良 < チッピング ( 割れ欠け ) 不良 > 現象原因対策発生工程チップのコーナーや辺の一部が割れたり欠けたりしているブレードの切れ味が悪かったりダイシング条件が不適切なためダイシング時に不要な力が加わったためブレード交換やダイシングブレードの切れ味を良くするためにドレッシング ( 目立て ) やダイシング条件の見直しダイシング工程 < 拡大図 > < 辺部チッピング > チップコーナー欠けチップ欠けチップの周辺や角に欠けた部分がないかどうかを見る 3

リードフレームマガジンの出し入れで発生ダイボンダの搬送部アンローダ部にチップに当たる部分がないか見直す

4 2-4 ダイボンディング工程の不良 < 引っかき傷 ( スクラッチ ) 不良 > 現象原因対策発生工程チップ表面にスジ状の引っかきキズがあるダイボンディング後にダイボンダの部品が当たったりしたまたリードフレームマガジンの出し入れで発生ダイボンダの搬送部アンローダ部にチップに当たる部分がないか見直すダイボンディング工程チップやリード上にひっかきスジがある < 拡大図 > チップ上の細いスジが無いかどうかを見る 4

STOP MOVE STOP MOVE STOP XY 軸モータ MOVE STOP MOVE STOP 超音波発振器 2nd

5 3-6 ワイヤボンディング工程 < タイミングチャートとキャピラリ動作 1> < キャピラリ高さ > 1st ボンド面到達 2nd ボンド面到達 1st ボンド位置へ向かうサーチレベルサーチスピードで下降 Z 軸モータリバース MOVE STOP MOVE STOP MOVE STOP MOVE STOP XY 軸モータ MOVE STOP MOVE STOP 超音波発振器 2nd ボンド時間クランパ 1st ボンド時間トーチボール形成スプールドライブ A B C D E F G H I J K L M N < 時間の経過 > 5

6 3-7 ワイヤボンディング工程 < タイミングチャートとキャピラリ動作 2> < キャピラリ高さ > 1st ボンド面到達 2nd ボンド面到達 1st ボンド位置へ向かうサーチレベルサーチスピードで下降 Z 軸モータリバース MOVE STOP MOVE STOP MOVE STOP MOVE STOP XY 軸モータ MOVE STOP MOVE STOP 超音波発振器 2nd ボンド時間クランパ 1st ボンド時間トーチボール形成スプールドライブ A B C D E F G H I J K L M N < 時間の経過 > 6

略称はキャピラリメーカによって異なることがあります ) H:hole( 孔 ) CD:chamfer diameter( 面の直径 ) ICA: inner chamfer angle( 内側面の角度 ) CA:chamfer angle( 面の角度 )

7 3-9 ワイヤボンディング工程 < キャピラリ先端各部の機能 > キャピラリ各寸法キャピラリ寸法ボールボンド時 H: 金線がスムーズに通る最小寸法角度はそれぞれ CD: 金ボールを中心で捉えるための寸法役割を持っている ICA: つぶれた金ボールの根元の角度で超音波振動をどれだけ伝えるかを決める CA: キャピラリ先端強度の確保と隣接ワイヤとの接触を回避する角度 < 参考 > 各部分の寸法角度記号は一般的に略称を用いているのでこれで記憶すると良い ( 略称はキャピラリメーカによって異なることがあります ) H:hole( 孔 ) CD:chamfer diameter( 面の直径 ) ICA: inner chamfer angle( 内側面の角度 ) CA:chamfer angle( 面の角度 ) FA:face angle( 接触面の角度 ) OR:outer radius( 外側の半径 ) T:tip( 先端 ) ステッチボンド時 FA: ステッチ金線をつぶす程度を決める T: ステッチ金線の残り距離を決める OR: ステッチ金線のつぶされた部分と残った部分を強度劣化なくつなぐ形状を決める 7

ワイヤテンションが弱いためやタイミングが悪かったために金線の供給過多でループが張れていなボンダのワイヤテンション

8 3-10 ワイヤボンディング工程の不良 < ループたるみ ( エッジタッチ ) 不良 > 現象原因対策発生工程ワイヤが垂れてチップやダイパッドのエッジに接触しているループ形成時にワイヤテンションが弱いためやタイミングが悪かったために金線の供給過多でループが張れていなボンダのワイヤテンションタイミング金線供給量の適切化ワイヤボンディング工程ループたるみ ( ワイヤがダイパッドのエッジに接触している ) ワイヤ形状が低くなりすぎていないかどうかを見る 8

9 4-9 封止工程の不良 < 位置ズレ不良 > 現象原因対策発生工程上樹脂の位置がずれている樹脂の縁とタイバまでの距離が左右または上下同じではないリードフレームの金型へのセットがずれたり上金型と下金型がずれている場合に発生するリードフレームのセッティング見直しや金型ズレの見直し封止工程上樹脂の位置がずれている樹脂縁とタイバまでの距離が異なっているズレが明確に見えるタイバ付近の左右上下の間隔に違いがないかどうかを見る 9

10 5-4 端子形成工程の不良 < パッケージ割れ ( ひび ) 不良 > 現象原因対策発生工程パッケージの側面上面にひび割れがあるタイバ切断型リード成形型テストハンドラからの衝撃により発生封止後に無理な力や衝撃が加わる可能性のある金型下死点や設備の押えの見直しを行う切断や曲げ金型封止工程 ~テスト工程パッケージ割れ樹脂表面に細い線がないかどうかを見る 10

11 5-6 リード外装工程および端子形成工程 < めっきクズ不良 > 現象原因対策発生工程めっきクズが付着し隣のリードとショートしているめっき時のはんだクズが製品に付着していたりリード成形金型にめっきクズがありそれが加工時にリードに転写しめっき装置のはんだクズ除去めっき条件見直しリード成形金型のクリーニングめっき工程リード成形工程めっき屑リード間にはんだが付着しつながっていないかどうかを見る 11

ダイボンダのペースト塗布方式のようにディスペンサで個別のランドにフラックスを塗布するいろんなパッケージに対応する汎用性があるが

12 5-7 端子形成工程 <BGA のフラックス塗布方式 1> ボール転写方式治工具に孔をあけはんだボールを真空で吸着しているパッケージに搭載するときは真空を切るパッケージに合った個別の治工具が必要はんだボールとフラックスを同時にパッケージに搭載できるメリットがあるフラックスディスペンス方式ダイボンダのペースト塗布方式のようにディスペンサで個別のランドにフラックスを塗布するいろんなパッケージに対応する汎用性があるが個別ランドに塗布するので時間がかかり生産性が低いが少量の試作品などにはメリットがあるフラックスディスペンス方式はダイボンダでマトリックスリードフレームにペーストを塗布する方式に似ている 12

13 5-9 端子形成工程の不良 <BGA はんだボール無し不良 > 現象原因対策発生工程はんだボールがないはんだボール吸着ミスはんだボール吸着ノズルクリーニングまたは交換はんだボール接合工程はんだボール無しはんだボールの接合状態で違う色がないかどうかよく見る 13

14 5-10 レーザマーキング工程 < レーザ光源と加工原理 > レーザ光線はレーザ発振器で作られる人工の光であるレーザ捺印の光源は固体レーザの YAG( ヤグ ) が多く光は赤外線 ( 目には見えない ) である光源として CO2の場合もある YAGとはイットリウムアルミニウムガーネットの人工結晶石の頭文字加工原理はレーザ光の熱で融点の低い樹脂を焼く融点の高いフィラは残る < レーザの波長 > 紫外線可視光線赤外線 < 加工原理 > レーザ長い波長 YAG CO2 1.06μm 10.6μm レーザ種類 < レーザ種類の分類 > レーザ装置 YAG CO2 樹脂レーザ励起ランプ LD ガス放電フィラレーザ波長 1.06μm 1.06μm 10.6μm レーザ種類と波長を記憶する CO2がガス放電で残りがYAG 14 Copy right GK solutions

15 6-17 パッケージの種類 P-QFP < デザインガイド EIAJ)> ( QFN も QFP ほぼ同じ規格下表の白抜きのみ異なる <P-QFP> QFP 寸法例名称端子間隔端子中心位置の許容値端子最下面の均一性 ( コプラナリティ ) シンボル e x y 規格 1.00, 0.80, 0.65, 0.50, 0.40, 0.30 e e 0.05 ( =0.80 のとき ) 0.05 ( =0.80 のとき ) 表面スタンドオフ A1 A1nom=0.05 パッケージ本体高さ端子数 A2 n D X A2=1.35~1.55 E e 最大 n 数 20x オーバーハング ZD ZE 28x D E e e ZD=( -(nd-1)x )/2 ZE=( -(ne-1x )/2 側面 15

これはチップをスクラブ ( 揺する ) のでチップがずれないようにするためである一般的にチップとの磨耗を防ぐため超硬金属で作成されている

16 9-3 器工具 ( 治工具 ) < 角錐コレット > <ダイボンディング工程で使用 > ダイボンディングで金シリコン片でダイボンディングを行うときに使用する先端のチップを吸着する部分でチップを固定する部土手のようなエッジが形成されているこれはチップをスクラブ ( 揺する ) のでチップがずれないようにするためである一般的にチップとの磨耗を防ぐため超硬金属で作成されている中央部分にチップ真空吸着用の孔が形成されているチップサイズ毎に製作する必要がある製作コストは高価である断面図チップ保持真空孔ロウ材の金シリコン片を延ばすため左右前後にスクラブする全体が金属で出来ている 16

17 9-9 器工具 ( 治工具 ) < 出荷トレー > < 検査出荷工程で使用 > 個片となった成形済み製品を入れるものカーボンを樹脂に練りこみ静電気対策を施している製品一個ずつになっているチョコレートの下敷きに似ている 17

series Installed by

series Installed by 精密加工技術の世界最高峰へ MB series 精密加工の頂点を追い求めた MBシリーズより正確により精密により効率良く山頂を目指すかの如く着実に一歩ずつ日々世界最高技術への探求を続けています全機種に新開発NC装置 Smart NC を搭載 M35B MM35B MB MMB MB MMB UltraMMB 3シリーズ7機種 UltraMMB