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小型 低コストパッケージとして実用化が始まる FO-WLP 2016 年 3 月 4 日 WG7 リーダ : 杉崎吉昭 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 4, 2016, WG7Assembly&Packaging 1 WG7 の活動概要 ファンアウト型パッケージ (FO-WLP) の動向 FO-WLP の概要と課題 各社製造プロセスの動向

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わかりやすい 低消費電力 高速デバイスの 普及を支えるパッケージ開発 2013 年 3 月 8 日中島宏文ルネサスエレクトロニクス STRJ WG7 Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 8, 2013, WG7 実装 1 Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 8, 2013, WG7

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学２.ppt

チップレイアウトパターン ( 全体例 ) 集積デバイス工学 () LSI の製造プロセス VLSI センター藤野毅 MOS トランジスタの基本構造 MOS トランジスタの基本構造 絶縁膜 絶縁膜 p 型シリコン 断面図 n 型シリコン p 型シリコン 断面図 n 型シリコン 破断面 破断面 トランジスタゲート幅 W 平面図 4 トランジスタゲート長 L 平面図 MOS トランジスタ (Tr) の構造

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2011 エレクトロニクス実装学会年度 STRJワークショップ第 1 回システムインテグレーション実装技術研究会公開研究会 低密度実装を可能にする パッケージ技術 2011 年 3 月 2 日 ( 社 ) 電子情報技術産業協会半導体技術ロードマップ委員会 STRJ WG7 ( 実装 ) 中島宏文 ( ルネサスエレクトロニクス ) 1 1. 概要 2011 年度 STRJ WG7 メンバー リーダ :

目次 1. 適用範囲 2 2. 実装仕様概要 2 3. 実装に必要な事項 必要となるデータ 部品リストの記載内容 実装図の記載内容 基板のシルク印刷表示について 5 4. 注意事項 電子組立品のお取り扱いについて メ

2017 年 11 月 29 日版 記載内容は予告なく変更する場合がございます 予めご了承ください Quadcept Inc. All Rights Reserved. 目次 1. 適用範囲 2 2. 実装仕様概要 2 3. 実装に必要な事項 3 3.1. 必要となるデータ 3 3.2. 部品リストの記載内容 4 3.3. 実装図の記載内容 4 3.3. 基板のシルク印刷表示について 5 4. 注意事項

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(2)MEMS- 半導体横方向配線技術の研究開発 (2)-1.MEMS ー半導体横方向配線技術の研究開発 ( 東北大学 ) 1. 研究の概要 344 2. 成果の詳細 MEMS と LSI を高密度に一体化実装する新しい低温積層高密度一体化実装技術を開発することを目的として研究開発を行った 研究開発の内容は 1) セルフアセンブリー機能を利用してフレキシブル配線基板上に LSI チップや MEMS

図 1 シリコンチップ, 半導体パッケージおよびプリント配線板の階層構造図 Figure 1 Hierarchical structure of silicon chips, semiconductor package substrates and printed wiring boards 銅張積

総説 6 半導体実装基板材料の歩みと今後の技術動向 Technology Trends and Future History of Semiconductor Packaging Substrate Material 中村吉宏 Yoshihiro Nakamura 機能材料事業本部配線板材料事業部 加藤木茂樹 Shigeki Katogi 新事業本部筑波総合研究所情報通信材料開発センタ 50 PCLSI

解説 スマートフォンの高性能化を 実現する先端半導体パッケージ 西尾俊彦 Toshihiko Nishio ( 株 )SBR テクノロジー 1 はじめに 源や信号の損失を最小にしなければならない. 本稿では, 最も性能要求が高い AP, グローバル対応 IoT(Internet of Things)

スマートフォンの高性能化を 実現する先端半導体パッケージ 西尾俊彦 Toshihiko Nishio ( 株 )SBR テクノロジー 1 はじめに 源や信号の損失を最小にしなければならない. 本稿では, 最も性能要求が高い AP, グローバル対応 IoT(Internet of Things) は 2016~2020 年にかけて約 3 倍以上に拡大 (1) し,IoT から派生する大量の未分析のデータ

FPC & FPC Material Report

< 新刊レポートのご案内 > 先端 IC パッケージと封止 のトレンド ~ モバイル用 FC パッケージ /FO-WLP と封止材 装置の技術市場動向 ~ 2014 年 3 月 31 日発刊 103-0004 東京都中央区東日本橋 3-10-14 サンライズ橘ヒ ル 株式会社ジャパンマーケティングサーベイ 電話 :03-5641-2871 Fax:03-5641-0528 http://www.jms21.co.jp/

電子部品及びプリント基板実装品の調査事例

IC a1. 端子間イオンマイク レーション a2. チップ /PKG 樹脂剥離 a3.auワイヤー不具合 a4. 過電流破壊 a5. 配線腐食 LED b1. 点灯不具合 チップコンデンサ c1. 内部電極割れ c2. 内部電極間ショート 電解コンデンサ d1. 電解液漏れ d2. 開弁 写真と不具合現象とは関係ありません 実装部不具合 e1. はんだ接合界面劣化 e2. はんだ濡れ不具合 信頼性試験

Microsoft Word - 3　　4端子治具ﾊﾞﾘｴｰｼｮﾝ.doc

4 端子測定各種治具 同軸型 4 端子コンタクトフ ローフ を使用した応用製品の紹介 PATENT ( テストフィクスチャーハ リエーション ) 同軸型 4 端子コンタクトプローブ (PATENT) は 最小 0.4 ピッチまで取り揃えております コンタクトプローブと配線技術 (PATENT) を駆使して 各種治具に応用展開できます 開発 ~ 品質 ~ 量産に至る各部門 工程で 仕様や目的に合せて設計製作致します

<4D F736F F F696E74202D D828CF897A64D454D53975A8D8790BB91A28CF68A4A94C22E B8CDD8AB B83685D>

高効率 MEMS 融合製造技術 - 話題提供 : 低ダメージ接合技術 - 独立行政法人産業技術総合研究所 高木秀樹 Youn Sung-Won 栗原一真 松本壮平 高橋正春 2010/05/14 マイクロシステム融合研究会 @ 東北大学 1 融合 MEMS デバイスを効率良く作る 異種デバイス融合プロセスの高効率化 サイズフリー集積化技術 接合技術 高精度 高速 一括アセンブリ技術 デバイスごとの最適化

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Chapter 3 成熟期 (~2014 年 ) のパッケージング技術 で搭載する検討が一気に加速する この結果,PKG は1つの PKG の中に複数チップを並列する MCM(Multi-Chip Module) から複数チップを積層する CoC(Chip on Chip) の構造へ進化する ( 図 38) また, 複数 PKG を積層する PoP(PKG on PKG) も実用化される これら3

15群(○○○)-8編

10 群 ( 集積回路 )- 3 編 ( システムオンチップ技術 ) 3 章実装形態 ( 執筆者 : 小谷光司 )[2009 年 9 月受領 ] 概要 本章では, 集積回路実装技術を活用して SoC のコンセプトをより柔軟性高く低コストで実現する手法について述べる. すなわち, 複数の集積回路チップを同一パッケージ内に搭載してパッケージ単位でシステム集積化を実現する SiP(System in Package)

新高耐久Pbフリーソルダペースト

完全ハロゲンフリー 1 PS48BR-6-LSP -4 +15 3,サイクルの熱衝撃にも耐えるはんだ接合部.5mmP BGAも実装可能な微細印刷性 柔軟な樹脂を配合し フラックス残渣のクラックを抑制 完全ハロゲンフリー化により ウィスカの発生ゼロ 鉛フリーはんだの耐久性不足でお困りではありませんか? 使用環境が厳しくなった 壊れやすい形状の部品が増加した 高密度実装に伴い 十分な量のはんだが供給できなくなった

パッケージ実装ガイド

Revision 1.0 2017-03 2017/03/17 1 / 16 Rev. 1.0 2017 Toshiba Corporation 目次 目次... 2 図目次... 3 表目次... 3 序章... 4 このガイドの目的... 4 想定する読者... 4 パッケージ関連のドキュメント... 4 略語... 4 1. 概要... 5 2. パッケージの構造... 5 3. パッケージのラインアップ...

目 次 1 適用範囲 1 2 基本材料 1,2 2.1 基板仕様 1,2 3 基板外形 2,3 3.1 寸法公差 反り ねじれ 3 4 パターン 4~7 4.1 ライン幅 ライン間隔 穴径 5,6 4.4 穴位置 フットプリント 7 5 ソルダレジスト

プリント基板 製造基準書 第 1.0 版 2008 年 7 月 24 日 目 次 1 適用範囲 1 2 基本材料 1,2 2.1 基板仕様 1,2 3 基板外形 2,3 3.1 寸法公差 2 3.2 反り ねじれ 3 4 パターン 4~7 4.1 ライン幅 4 4.2 ライン間隔 4 4.3 穴径 5,6 4.4 穴位置 6 4.5 フットプリント 7 5 ソルダレジスト 8 5.1 色 8 5.2

第２部＜実現技術＞　コスト、放熱、テスト

Cover Story 第 2 部 < 実現技術 > コスト 放熱 テスト TSV の 3 大課題を解決へ TSV 技術の普及に向けた課題は コスト 放熱 テスト との指摘が多い 最大の課題であるコストに関しては TSV 加工とチップ接続の両面から低減する必要がある こうした課題に対し 解決の可能性を秘めた新技術が続々と登場してきた とにかくコスト それから放熱とテストだ TSV(through silicon

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1 2010 エレクトロニクス実装学会年度 STRJワークショップ第 1 回システムインテグレーション実装技術研究会公開研究会 日本の実装技術 世界の実装技術 2011 年 3 月 4 日 ( 社 ) 電子情報技術産業協会半導体技術ロードマップ委員会 STRJ WG7 中島宏文 ( ルネサスエレクトロニクス ) 2 1. 概要 2010 年度 STRJ WG7 メンバー リーダ : 中島宏文 ( ルネサスエレ

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テキスト 16 年 11 月 半導体物性 各種デバイス CMOS 前工程プロセス講師鈴木俊治 半導体パッケージング技術講師池永和夫 半導体のアプリケーションと業界動向講師市山壽雄 特別講話半導体は現代文明のエンジン講師牧本次生 MEMS 製造技術とアプリケーション講師金尾寛人 量産開始年 ウェーハ口径 (in) 半導体物性 各種デバイス CMOS 前工程プロセス 半導体産業人協会教育委員 サクセスインターナショナル

UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っていま

UL 規格規UL(Underwriters Laboratories.lnc) は 米国の火災保険業者によって 1894 年に設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界に特に関係の深いものとして 次の規格があります 規格サブジェクト : プラスチック材料の燃焼試験

20 m Au 2. 現行のマイクロバンプ形成技術における課題 Au Au Au 2 WB 11 m m 1 m 2008 Au FC m 10 m 30 m OTK Au 表 1 マイクロバンプ形成におけるめっき法の比較 3. 無電解めっきによる Au

Fabrication technology of Au micro-bump by electroless plating. 関東化学株式会社技術 開発本部中央研究所第四研究室德久智明 Tomoaki Tokuhisa Central Research Laboratory, Technology & Development Division, Kanto Chemical Co., Inc. 1.

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1-1 情報デバイス工学特論 第 1 回 CMOS 集積回路概観 1-2 目的 現在の LSI の主流デバイスであるシリコン CMOS 集積回路を理解する 素子の製法 ( プロセス ) から動作原理 ( デバイス ) 素子の使い方 ( 回路 ) まで総合的に理解する 半導体集積回路 LSI : Large Scale Integrated Circuit 1-3 チップ ウエハ 現在は直径 12 インチ

チップ間広帯域信号伝送を実現する2.1次元有機パッケージ技術

2.1 2.1D Organic Package Technology to Realize Die-to-Die Connection for Wide-Band Signal Transmission あらまし 2.52.5D 2.5D 2.12.1D 2.1D2.1D 2.5D Line/Space 2/2 m 2.1D i-thop integrated-thin film High density

J. Jpn. Inst. Electron. Packaging 19(1): (2016)

特特集 / エレクトロニクス実装技術の現状と展望 半導体システムインテグレーション技術における とその将来展望 FO-WLP in Semiconductor System Integration Technology and Its Future Prospects システムインテグレーション実装技術委員会 集 はじめに 1),2) MEMS (Micro Electro-Mechanical System)

記者発表開催について

2014 年 6 月 4 日 東京工業大学広報センター長大谷清 300mm ウエハーを厚さ 4µm に超薄化 -DRAM で検証 超小型大規模三次元メモリーに威力 - 概要 東京工業大学異種機能集積研究センターの大場隆之特任教授は ディスコ 富士通研究所 PEZY Computing( ペジーコンピューティング 東京都千代田区 ) WOW アライアンス ( 用語 1) と共同で 半導体メモリー (DRAM)

「○○技術開発」

Ⅲ. 2.17 CVD 膜堆積によるプラズマダメージの評価多層配線を形成するプロセスにおいて Low-k 材料はいろいろな影響を受ける その結果 配線中に組み込まれた Low-k 材料の膜特性は 単独膜とは大幅に異なる事が考えられる 特にプラズマ CVD 膜を堆積するプロセスでは Low-k 膜の表面がダメージを受けることによって 比誘電率 k 値の上昇が起こる事が知られている Low-k 膜のダメージ評価方法

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図 Ⅲ-2.4- 実施例 1-5-2 吸着分光エリプソとX 線法 (SAXS) による空孔サイズの比較 ( ポリマー系 ) 4.2 空孔構造の評価 ALD 法による空孔内壁へのメタル付着 ( 染み込み ) とTEM 観察 ALD 法にて Low-k 膜の空孔に W を染み込ませることを試みた Low-k 材 6 種 (MS Q2 種 HSQ1 種 有機ポリマー 3 種 ) について,W を染み込ませた後の断面

JTAG バウンダリスキャンテストの容易化設計を支援する OrCAD Capture の無償プラグイン 21 July 2017 ( 富士設備 / 浅野義雄 )

JTAG バウンダリスキャンテストの容易化設計を支援する OrCAD Capture の無償プラグイン 21 July 2017 ( 富士設備 / 浅野義雄 ) PACKAGE COMPLEXITY & TRANSISTOR COUNT 課題 : 実装検査 不良解析 デバッグ プローブ接続では BGA 実装の検査 / 解析 / デバッグができない プローブ接続が困難な高密度実装は増加の一方 このままではテスト費用のほうが高くなる!

富士通セミコンダクタープレスリリース 2009/05/19

[ デバイス ] 2009 年 5 月 19 日富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 世界初!125 動作の SiP 向け低消費電力メモリを新発売 ~ メモリの耐熱性向上により 消費電力の大きな高性能デジタル家電に最適 ~ 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ( 注 1) は DDR SDRAM インターフェースを持つメモリでは世界で初めて動作温度範囲を 125 まで拡張したコンシューマ FCRAM(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合(

1 薄膜 BOX-SOI (SOTB) を用いた 2M ビット SRAM の超低電圧 0.37V 動作を実証 大規模集積化に成功 超低電圧 超低電力 LSI 実現に目処 独立行政法人新エネルギー 産業技術総合開発機構 ( 理事長古川一夫 / 以下 NEDOと略記 ) 超低電圧デバイス技術研究組合( 理事長 : 豊木則行 / 以下 LEAP と略記 ) と国立大学法人東京大学は このたび マイコン等に使われる論理集積回路の大幅な省エネ化を可能とする

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板

単板マイクロチップコンデンサ / 薄膜回路基板 2 2 3 単板マイクロチップコンデンサ CLB シリーズ 特長. なめらかで緻密なセラミクスと金電極を用いたシンプルな単板構造であるため 信頼性 周波数特性に優れています 2. 超小型の0.25mm 角からシリーズ化しており 回路の小型化 高密度実装に適しています 3. 金電極を用いているので AuSnによるダイボンディング Au 線によるワイヤーボンディングができます

Microsoft Word - 第9章　WG7 実装 Rev2.doc

第 9 章 WG7 実装 9-1 はじめに半導体技術ロードマップ (STRJ) の WG7( 実装 ) は JEITA Jisso 戦略専門委員会実装技術ロードマップ G (Japan Jisso Technology Roadmap Council : JJTRC) の WG3( 半導体パッケージ ) と一体になり 活動を推進している JJTRC では隔年で 日本実装技術ロードマップ を発行しており

目次 1. 装置のご紹介 2. 技術的背景 3. 製造工程の概要 4. ロール to ロール / リール to リール 搬送機構例 5. 装置例 6. お問合せ Contact Us

FPC & TAB COF 製造装置 RTR Wet Processing Line 進和工業株式会社 SHINWA IND. CO., LTD. http://www.shinwa-ind.com/ REV. FEB., 2015 目次 1. 装置のご紹介 2. 技術的背景 3. 製造工程の概要 4. ロール to ロール / リール to リール 搬送機構例 5. 装置例 6. お問合せ Contact

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技術報告 Development of CVD/ALD Combined System 博士 ( 工学 ) 寅丸雅光 Dr. Masamitsu Toramaru 石田祐大 Yuta Ishida 松本竜弥 Tatsuya Matsumoto 中田真生 Masao Nakata 田中博也 Hiroya Tanaka 要 旨 フラットパネルディスプレイ (Flat Panel Display : FPD)

PCB 端子台 製品概要

PCB 端子台 製品概要 幅広い製品ラインナップ WAGOプリント基板用端子台は 信号用細線から電源用太線まで幅広いサイズを取りそろえています スプリング式結線により 圧着端子やネジ締めが不要で 振動に強くゆるみません 小型設計により省スペースで機器の小型化 高密度実装を実現します 豊富なラインナップから用途に合わせてお選び下さい ピン ピッチ : 2.5 ~ 20 mm PCB 実装種類 : スルーホール実装

UL(Underwriters Laboratories lnc.) は 1894 年に米国の火災保険業者によって 設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界

UL(Underwriters Laboratories lnc.) は 1894 年に米国の火災保険業者によって 設立された非営利の試験機関で 火災 盗難 その他の事故から人命 財産を守ることを目的として 材料 部品 および製品の安全規格の制定 試験 承認登録 検査などの業務を行っています 当業界に特に関係の深いものとして 以下の規格があります UL 規格規規格サブジェクト : プラスチック材料の燃焼試験

JAIST Reposi Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: Issu

JAIST Reposi https://dspace.j Title プロジェクトの連続性を考慮した半導体分野プロジェ クト群の評価手法に関する一考察 Author(s) 工藤, 祥裕 ; 有馬, 宏和 ; 佐藤, 義竜 Citation 年次学術大会講演要旨集, 24: 661-666 Issue Date 2009-10-24 Type Conference Paper Text version

Application Note LED 熱設計について 1. 熱設計の目的 LED を用いた製品設計を行なう上で 熱の発生に注意が必要です LED の使用できる温度はジャンクション温度 (Tj) により決められます この Tj が最大値を超えると著しい光束低下 場合によっては故障モード ( 例えば

LED 熱設計について 1. 熱設計の目的 LED を用いた製品設計を行なう上で 熱の発生に注意が必要です LED の使用できる温度はジャンクション温度 (Tj) により決められます この Tj が最大値を超えると著しい光束低下 場合によっては故障モード ( 例えば ワイヤー断線による LED の不灯 等 ) となるため 最大値を超えないように使用する必要があります また Tj をできる限り低く抑えることにより製品の寿命を伸ばすことができます

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加工 Si 基板上への 非極性 GaN 結晶成長 1) 名古屋大学工学研究科 赤崎記念研究センター 2) 愛知工業大学工学研究科 1) 本田善央 1) 谷川智之 1) 鈴木希幸 1) 山口雅史 2) 澤木宣彦 豊田講堂時計台 赤崎研究センター auditorium Akasaki research center 常圧 MOVPE 減圧 MOVPE (2inch) HVPE MOVPE #3 MOVPE

SNTパッケージ活用の手引き パッケージ活用の手引き

(Small outline Non-leaded Thin package) 対象パッケージ SNT-4A SNT-6A SNT-6A(H) SNT-8A はじめに 本資料は半導体実装技術者の方を対象に 超小型パッケージSNT (Small outline Non-leaded Thin package) の特徴 外形形状 実装性 信頼性 梱包形態などを説明しています 弊社 CMOS ICの品質保証システム

45 nm世代のCMOS LSI多層配線技術

Multilevel Interconnect Technology for 45-nm Node CMOS LSI あらまし 45 nm 世代のCMOS LSIの高速化に向けて,2.25の低い比誘電率と弾性率 10 GPaの高い機械的強度を持つポーラスLow-k 材料, ナノクラスタリングシリカ (NCS) を開発し, 配線層, ビア層にNCSを適用したCu/Full-NCS 多層配線の形成技術を確立した

フジクラ技報　第１２３号

1 電子デバイス研究所中尾知 Advanced High Density Interconnection Technology O. Nakao 全層ポリイミドからなる IVH(Interstitial Via Hole) 多層配線板と部品内蔵基板を紹介いたします. これらは絶縁層にポリイミドフィルムを採用することで, 従来の多層板に比べて極めて薄い基板厚と高い信頼性を有していることが特長です. 隣接する層間を接続するIVHには特殊な導電性ペーストを用いており,

INTERNATIONAL

INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2009 EDITION ASSEMBLY AND PACKAGING TABLE OF CONTENTS 概要... 1 困難な技術課題... 2 シングルチップ パッケージ... 2 パッケージ基板とボードの接続... 13 パッケージ基板... 13 ウェーハレベル パッケージング...

研究報告57巻通し.indd

39 ガスバリア材料の開発 東京研究所有機電子材料分野光学材グループ原大治 1. 緒言ガスバリア材料とは 水蒸気や酸素等のガスの侵入を遮断する為の材料であり 既に食品包装で用いられ 今後 太陽電池 電子デバイス等の用途にその使用が拡大すると言われている 当社では 成長が期待される有機 EL デバイス ( 照明 ディスプレイ ) の薄膜による封止や軽量化及びフレキシブル化を目的としたディスプレイ用のガラス代替の樹脂基板化の重要な要素技術である薄膜系ガスバリア材料の開発を進めてきた

ロードセル方式による比重の測定 ロードセル方式の SG-2110RS 型比重計の測定原理の概要を下記 ( 図 2) に示します ロードセルとは荷重 ( 力 ) を電気信号に変換する変換器で 当比重計においては錘の重量を検知しその信号を電気信号に変換します 液体の中に入った錘はその体積に相当する液体の

比重計による薬液の濃度測定 現在 幅広い産業分野の生産ラインで液体 特にウエットプロセス用の薬液の濃度管理において電磁式導電率計 超音波式濃度計 分光光度計 屈折計などの様々な計測器が使用されています それぞれの計測器には測定原理にもとずく測定の精度 安定性 サイズ 使いやすさ 価格など様々な特徴がありますが 最終製品の歩留まりを左右する重要な機器として使用条件に応じた最適な選択をする必要があります

投影片 1

GIA TZOONG ENTERPRISE CO., LTD. Jiangmen PSC Electronics Ltd. ISO 9001 / ISO 14001 / UL / TS16949 Registered Professional MCPCB 1& PCB Manufacturer 所在地 China Taoyuan Taiwan Jiangmen Guandong 会社概要 会社設立従業員数資本金工場敷地面積

The next technology platform based on mobile and 3D integration

超 LSI 配線技術の今後のあり方 -- VLSI 設計技術の観点より -- 松澤昭 Akira Matsuzawa 東京工業大学 Tokyo Institute of Technology 1 内容 LSI 技術の基本 トランジスタスケーリング ゲート遅延 配線遅延 配線のスケーリング リピータバッファ 多層配線とレイアウト インダクタを考慮した分布定数線路 配線の性質の比較 LSI アーキテクチャと性能

2003

第 8 章 WG7 実装 81 はじめに Gordon E. Moore が 1965 年に 部品あたりのコストが最小になるような複雑さは 毎年およそ 2 倍の割合で増大してきた 短期的には この増加率が上昇しないまでも 現状を維持することは確実である より長期的には 増加率はやや不確実であるとはいえ 少なくとも今後 10 年間ほぼ一定の率を保てないと信ずべき理由は無い すなわち 1975 年までには

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小型 低消費電力を実現するグリーン MEMS センサの開発 センサネットワーク用 VOC( 揮発性有機化合物 ) 濃度センサの開発 オリンパス株式会社白石直規 発表内容 OUTLINE 1. 背景と目的 2. 開発項目と目標 3. 開発の成果 4. ネットワーク 応用分野 5. まとめ 1. 背景と目的 VOCとは VOC(volatile organic compounds 揮発性有機化合物) とは

design_standard_ doc

2010/3/30 版 記載内容は予告無く変更することがあります 予めご了承ください Copyright (c) p-ban.com Corp.All rights reserved. 1. 適用範囲 本基準書は 株式会社ピーバンドットコムによって運営される P 板.com プリント基板設計サービス にて設計されるプリント配線板に適用する 2. 本ドキュメントの取り扱いについて 本ドキュメントは 株式会社ピーバンドットコム

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Copyright 2014 Oki Engineering Co., Ltd. 2014 OEG セミナー SiC デバイスの良品構造解析 2014 年 7 月 8 日 信頼性解析事業部 解析センタ 久保田英久 はじめに ~ 市場の動向 ~ カ-エレクトロニクス分野を中心に パワーデバイスのニーズに増加が見られる 弊社の解析実施件数においても パワーデバイスが増加傾向にある 2011 年度解析の比率

0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2

24 11 10 24 12 10 30 1 0.45m1.00m 1.00m 1.00m 0.33m 0.33m 0.33m 0.45m 1.00m 2 23% 29% 71% 67% 6% 4% n=1525 n=1137 6% +6% -4% -2% 21% 30% 5% 35% 6% 6% 11% 40% 37% 36 172 166 371 213 226 177 54 382 704 216

10 117 5 1 121841 4 15 12 7 27 12 6 31856 8 21 1983-2 - 321899 12 21656 2 45 9 2 131816 4 91812 11 20 1887 461971 11 3 2 161703 11 13 98 3 16201700-3 - 2 35 6 7 8 9 12 13 12 481973 12 2 571982 161703 11

NJG1660HA8 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1660HA8 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーショ

SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は WiMAX やデータ通信カードをはじめとする通信機器の高周波信号切り替え等の用途に最適な大電力 SPDT スイッチです 8GHz までの広周波数帯域をカバーし 高パワーハンドリング 低損失 高アイソレーションを特徴とします また 保護素子を内蔵する事により高い ESD 耐圧を有しています USB-A8 パッケージを採用する事で小型 薄型化を実現し 低背化や高密度表面実装が必要な小型通信機器などへの応用が可能です

サーマルプリントヘッド

サーマルプリントヘッドモジュール サーマルプリントヘッド CONTENTS ロームの基本技術 P. 14 サーマルプリントヘッドセレクションガイド P. 15 ファクシミリ用 Aシリーズ P. 16 モバイルプリンタ用 Bシリーズ P. 16 アミューズメント ATM 用 C CGシリーズ P. 17 POS 端末用 D DGシリーズ P. 18 チケット 計量器用 DC92 DC72シリーズ P.

1-16

Infrared Halogen Heater 85 ON/OFF 02 180 160 140 120 80 62 40 20 0 60 70 80 90 110 ( ) V Infrared halogen heater Lamp & UnitΙ 03 赤外線ハロゲンヒータの用途 赤外線ハロゲンヒータは 他の熱源にはない優れた特性を活かして さまざまな分野で利用されています 半導体 PV 液晶

Microsoft Word - 翻訳ファイル for AN-1154J_JP校正版.doc

アプリケーション ノート :AN-1154 ディスクリート Power QFN(PQFN) の検査方法 目次ページはじめに 2 検査テクニック 2 目視検査 2 X 線検査 2 正しく実装されたデバイスの例 3 写真 3 X 線 3 不合格基準 4 不良の種類 4 位置ずれ 4 空間および平面の傾き 6 固定されていない部品 6 はんだ塗布 7 はんだボールとブリッジ 7 はんだボイド 7 接合部の形成不良

Microsoft PowerPoint - ２．斧先生.ppt

スパッタ方式による ナノワイヤ大量生産法手法 Si ナノワイヤ太陽電池などへの応用を目指して 京都大学工学研究科航空宇宙工学専攻教授斧高一助教太田裕朗 研究背景 米国を中心に ナノワイヤ合成に関する研究が盛んに行われている すでに デバイス応用の研究が行われている Si ナノワイヤ太陽電池 (General Electric, 2007) VLS* による合成とデバイス試作 Si/SiGe ナノワイヤ熱電素子

Readout No.47_05_特別寄稿

GGuest Forum Forum 半導体製造技術の最新動向と計測制御技術特別寄稿 特別寄稿 半導体製造技術の最新動向と計測制御技術 Current Device Processes and Required Sensing & Control Technologies in Semiconductor Chip Manufacturing 榎並弘充 Hiromichi ENAMI 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Microsoft Word - ２_新技術紹介_大野_最終.docx

- 新技術紹介 - 銅配線パッケージの信頼性に対するイオン捕捉剤 IXE, IXEPLAS の効果 Effect of the ion exchanger "IXE, "IXEPLAS for the reliability of the copper wiring package 大野康晴 Yasuharu Oono Key Word : Inorganic ion exchanger, IXE,

α α α α α α

α α α α α α 映像情報メディア学会誌 Vol. 71, No. 10 2017 図 1 レーザビーム方式 図 3 PLAS の断面構造 図 3 に PLAS の断面構造を示す PLAS はゲート電極上の チャネル部の部分的な領域のみをフォトマスクとエッチン グなしに結晶化することが可能である 従来のラインビー ム装置はゲート電極上 テーパー上 ガラス上などの表面 の結晶性制御の課題がある

Application Note 1412 Micro SMDxt Wafer Level Chip Scale Package (jp)

LMZ10500,LMZ10501 Application Note 1412 Micro SMDxt Wafer Level Chip Scale Package Literature Number: JAJA292 ご注意 : 日本語のアプリケーション ノートは参考資料として提供しており 内容が最新でない場合があります 製品のご使用に際しては 必ず最新の英文アプリケーション ノートをご確認ください

Microsoft Word - プレリリース参考資料_ver８青柳（最終版）

別紙 : 参考資料 従来の深紫外 LED に比べ 1/5 以下の低コストでの製造を可能に 新縦型深紫外 LED Ref-V DUV LED の開発に成功 立命館大学総合科学技術研究機構の黒瀬範子研究員並びに青柳克信上席研究員は従来 の 1/5 以下のコストで製造を可能にする新しいタイプの縦型深紫外 LED(Ref-V DUV LED) の開発に成功した 1. コスト1/5 以下の深紫外 LED 1)

beginner_garber_data_manual_ doc

2006/6/30 版 < 初めての方へ > これからプリント基板のデータを初めて設計される方に 基本的な用語や仕組みなどをご説明させていただきます < データ形式 > プリント基板を製造するのに世界標準で用いられるデータ形式 ( 言語 ) をガーバー形式といいます ガーバーの出力形式には 2 種類あり 線やランドの大きさの情報がデータ内に含まれる拡張ガーバー (RS-274X) 形式と 含まれない標準ガーバー

<4D F736F F D208E968BC68CB495EB5F8CF68A4A94C52E646F63>

配線抵抗が数 % の分布をもっているが どの low-k 材に関しても研削前後で電気特性の大きな変化はないことがわかる 従って以上の結果より これらのBGテープを使用して low-k 材および配線にダメージを与えず30μm まで研削できることが分かった 4. まとめ 50μm 以下の極薄研削性を評価する技術確立および極薄の研削技術の開発を目的とし 検討を行った結果 (1) 極薄研削性の材料間差を評価する三つの手法として

ST Series レセプタクル (2.5/3.5 インチ HDD/SSD メイン基板側用 ) ST-R22-S23-FG 嵌合スタイルレセプタクル コネクタ形状ライトアングル 芯数信号 7 芯 + 電源 15 芯 FG: 鉛フリーテール部 :Ni 下地 u( フラッシュ ) めっき ハウジング材料

シリアル T コネクタ ST Series 概要シリアル T(ST) はパラレル T から進化したインターフェイスです シリアル信号化し コンタクト数を減らしたことにより薄いフラットケーブルで機内のケーブルの取り回しを容易にし エアフローも改善されております 特長 1. 7 芯 ( 信号 ) と 15 芯 ( 電源 ) のコンタクト構成 2. ホットプラグ対応 3. 伝送速度 6Gbps 用 途 ローエンドサーバー

NJG1815K75 SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1815K75 は無線 LAN システムに最適な 1 ビットコントロール SPDT スイッチです 本製品は 1.8V の低切替電圧に対応し 高帯域 6GHz での低損入損失と高アイソレーション特性を特長とします また 保護素子

SPDT スイッチ GaAs MMIC 概要 は無線 LAN システムに最適な 1 ビットコントロール SPDT スイッチです 本製品は 1. の低切替電圧に対応し 高帯域 6GHz での低損入損失と高アイソレーション特性を特長とします また 保護素子を内蔵することにより高い ESD 耐圧を有します は RF ポートの DC カットキャパシタを内蔵しています また 超小型 薄型 DFN6-75 パッケージの採用により実装面積の削減に貢献します

JJTRC 2005

Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 1 Jisso 2006310 STRJ WG-7 () Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 10, 2006, WG7 A&P 2 ( JEITA Chairman: () Chairman: () :

Application Note 1112 Micro SMD Wafer Level Chip Scale Package (jp)

LMZ10500,LMZ10501 Application Note 1112 Micro SMD Wafer Level Chip Scale Package Literature Number: JAJA245 ご注意 : 日本語のアプリケーション ノートは参考資料として提供しており 内容が最新でない場合があります 製品のご使用に際しては 必ず最新の英文アプリケーション ノートをご確認ください

製品図 /Product outlines 代表製品構造図 /Representative structural drawings 外観図 ( 面実装 LED)/Outline dimensions (SURFACE MOUNT LEDs) < 単位 /Units: mm> SURFACE MOUN

代表製品構造図 /Representative structural drawings 外観図 ( 面実装 LED)/Outline dimensions () チップタイプ LED/ Chip type LED モールド樹脂 / Mold resin PLCCタイプ LED/ PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) type LED 封止樹脂 / Sealing resin

3次元LSI集積化技術

3 LSI 3D LSI Integration Technology あらまし LSI 33DI LSI Si TSV Wafer on Wafer WOW 3 45 nm CMOS LSI FeRAM 10 m 200 3 LSI Abstract The conventional enhancement of LSIs based on Moore s Law is approaching its

ジャンクション温度 (Tj) の検証方法 (ψjt は既知 ) 次の方法でジャンクション温度 (Tj) をおおよそ見積もることができます 1 始めに IC の消費電力 (P) を求めます 2 次に実際のセット時の環境条件でケース表面温度 Tc 1 を放射温度計や熱電対で測定します 3 求めた Tc

本書では お客様におけます熱設計時のご参考のために 弊社での熱抵抗に関する各パラメータの定義 測定方法などについて解説いたします 背景 一般的に素子のジャンクション温度 (Tj) が 10 上がる毎にデバイスの寿命は約半分になり 故障率は約 2 倍になるといわれています Si 半導体の場合では Tj が約 175 を超えると破壊される可能性があります これより Tj を極力さげて使う必要があり 許容温度

ムーアの法則に関するレポート

情報理工学実験レポート 実験テーマ名 : ムーアの法則に関する調査 職員番号 4570 氏名蚊野浩 提出日 2019 年 4 月 9 日 要約 大規模集積回路のトランジスタ数が 18 ヶ月で2 倍になる というムーアの法則を検証した その結果 Intel 社のマイクロプロセッサに関して 1971 年から 2016 年の平均で 26.4 ヶ月に2 倍 というペースであった このことからムーアの法則のペースが遅くなっていることがわかった

3. フラッシュ メモリフラッシュ メモリは 現在 おもに用いられている構造は図 3のようなフローティング ゲート (Floating Gate= 浮遊ゲート 以下 FG) 型である 通常のMOSのゲート電極とSi 基板 ( チャンネル ) との間に どこにも繋がっていないFGがあり このFGに電荷

メモリの大革命 3 次元 NAND フラッシュ 厚木エレクトロニクス / 加藤俊夫 1. はじめに ~メモリの全般状況 ~ 本レポートは 3 次元 NANDフラッシュ メモリ ( 以下 3D-NANDフラッシュ ) について詳しく説明するのが目的であるが メモリに詳しくない方のために まず最初に半導体メモリ全般について簡単に述べておく 現在 半導体メモリといえば DRAM(Dynamic Random

PCB Report 2015 世界プリント配線板市場に於ける動向 発行目的 : 関係各社にプリント配線板市場の基礎情報を提供する事 発行日 : 平成 27 年 10 月 30 日体裁 :A4 判 224 頁 簡易製本価格 :199,900 円 [ 税別 ] 215,892 円 [ 税込 8%] 書

PCB Report 2015 世界プリント配線板市場に於ける動向 発行目的 : 関係各社にプリント配線板市場の基礎情報を提供する事 発行日 : 平成 27 年 10 月 30 日体裁 :A4 判 224 頁 簡易製本価格 :199,900 円 [ 税別 ] 215,892 円 [ 税込 8%] 書籍のみ 219,900 円 [ 税別 ] 237,492 円 [ 税込 8%] CD 付き CD のみの販売は行っておりません

特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて

16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます

10. 配線 10-1 スコープ 1994 年の NTRS(National Technology Roadmap for Semiconductor) の配線技術の章では 予想される技術的要求全体を満たすための新しい配線金属と絶縁膜への最初の要求が示された NTRS の1997 年版では Cu を

10. 配線 10-1 スコープ 1994 年の NTRS(National Technology Roadmap for Semiconductor) の配線技術の章では 予想される技術的要求全体を満たすための新しい配線金属と絶縁膜への最初の要求が示された NTRS の1997 年版では Cu を使ったチップの開発導入が差し迫っていた 1999 年版 NTRS では かつてないペースで導入されつつある新材料の継続的開発が注目される

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2014 年 9 月 17 日 ( 水 ) 第 75 回応用物理学会秋季学術講演会 TiC 電極,TiSi 2 電極と SiC 基板の Schottky ダイオード特性評価 Schottky diode characteristics of TiC and TiSi 2 electrodes on SiC substrates 東工大フロンティア研 1, 東工大総理工 2, 鈴木智之 1, 岡本真里

博士学位論文 低誘電率絶縁膜デバイスの超微細ピッチ接合法における 接合部および下部配線層の応力低減に関する研究 久田隆史 2013 年 12 月 大阪大学大学院工学研究科

Title Author(s) 低誘電率絶縁膜デバイスの超微細ピッチ接合法における接合部および下部配線層の応力低減に関する研究 久田, 隆史 Citation Issue Date Text Version ETD URL https://doi.org/10.18910/34464 DOI 10.18910/34464 rights 博士学位論文 低誘電率絶縁膜デバイスの超微細ピッチ接合法における

Characteristics of isotope CO2 standard gas and effect on gas analysis

第 363 回ガスクロマトグラフィー研究懇談会半導体製造プロセスと製造用ガス中の不純物分析 株式会社エア リキード ラボラトリーズ東京イノベーションキャンパス園部淳神奈川県横須賀市光の丘 2-2 J. Sonobe R&D Air Liquide The world Leader in Gases Technologies and Services for Industry and Health THIS

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HL SI & HL FWS Script Control

IBIS-LPB Design Kit LPB フォーマットを活用した構想設計自動化 ( 株 ) 東芝 青木孝哲 ( 株 ) 東芝 岡野資睦 メンターグラフィックス ジャパン ( 株 ) 門田和博 Page1 概要 LPB フォーマットと LPB Design Kit を用いて PCB 構想設計を行う HyperLynx SI を用いて IBIS モデル コンデンサ SPICE モデルを Import

3D 自動外観検査装置 BF-3Di 全部品の高さ計測により 検査効率が飛躍的に向上

BF-3Di 全部品の高さ計測により 検査効率が飛躍的に向上 Inspection Ability 3Dで 基板検査を容易に 正確に BF- 3Di Efficiency 従来の 2DAOI に加え 高さという概念を導 部品形状を自動で認識し デバッグ中 ヒストグラムで 入 また 検査結果を数値化し判定するこ 検査データを自動作成 確認する事で適切な閾値を設定 とで いままで検査が難しいとされていた

EcoSolderJ_070514cs.indd

地球環境に優しい鉛フリーはんだ ECO Solder Lineup `CASTIN 1 Solder Paste 2 Flux 3 Flux Cored Solder 4 Preform & Solder Ball エコソルダープリフォーム 電子機器の性能や信頼性の向上に伴って 部品 基板はますます小型化 高密度化さ れてきています この高密度化技術に対応 する製品として ソルダプリフォームがあり

1-6 ダイシング工程 < ダイシング工程の主な項目名称 > ダイシング工程の主な項目の名称は 1 切断ピッチ 2 カーフ幅 3 ウェーハ切込み量 4 チッピング量 ウェーハでは 1 ストリート幅がある であり 切断ピッチ < 拡大図 > ストリート幅 チッピング量 カーフ幅 < 断面図 > チップ

1-2 バックグラインディング工程 < 方式と研削跡 2> < 特徴 > 1インフィールド方式は 砥石とウェーハが回転しながら研削する 研削粗さ =0.1μm 程度 面内厚さバラツキ =1.5μm 程度 Φ6 インチ以上の大口径ウエーハに適用 2クリープフィールド方式 ( ワンパス方式ウェーハが回転しないで進んで研削する ) は 研削粗さ =0.5μm 程度 面内厚さバラツキ =5μm 程度 坑折強度はインフィールド方式がクリープフィールド方式に比較して

Microsoft PowerPoint - 豊田2008HP閲覧用資料

核融合プラズマからプラズマプロセスまで - プラズマ中の原子過程 - 研究会 Aug 24. 26 プロセスガス分子およびイオンの同時照射下における表面反応過程の解析 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 豊田浩孝 高田昇治 木下欣紀 菅井秀郎 Department of Electrical Engineering and omputer Science, Nagoya University

部門別情報 CONTENTS 36 情報コミュニケーション部門 36 事業戦略 38 業績の概要 40 成長事業 戦略事業の紹介 42 生活 産業部門 42 事業戦略 44 業績の概要 46 成長事業 戦略事業の紹介 48 エレクトロニクス部門 48 事業戦略 50 業績の概要 52 成長事業 戦略事業の紹介 34 hontoprintrush DNP DNP BPO 201512 BPO5 IC

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INTEL プロセッサの 技術ロードマップ 2014 年 7 月 目次 Pentium から Ivy Bridge までの Intel の製品ライン 100 nm ノード超 (Gate-First) サブ 100 nm ノード : 90 nm および 65 nm (Gate-First) 45 nm 32nm および 22nm (Gate-Last 高誘電 メタルゲート ) 技術ノード 関連パラメータコンタクテッドゲートピッチ

PowerPoint 프레젠테이션

DRAM 用 18 分岐 1Touch Down 級 Probe Card ギガレイン 目次 1. 企業紹介 2. 技術紹介 3. 市場現況及び見込み 4. 権利獲得現況 1. 企業紹介 会社名 ( 設立日 ) ギガレイン (2000 年 1 月 31 日 ) 代表者 張逸竣 ( ジャン イルジュン ) 技術分野半導体製造装備 /RF 主生産品 半導体製造装備 / 通信機器部品 資本金 89,453

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2001 6 BGA/CSPSIP Series http://www.rlz.co.jp No.179 C o n t e n t s Feature... 2 Special Issue BGA/CSPSIP... 4... 8... 12, *,, * Series 1... 17 Challenge of Intelligence for Future BREAK THROUGH 2001.6

■2群（画像・音・言語）■8編(音声・オーディオ符号化)

9 群 - インターコネクション 実装技術 -1 章 ver.1/2011.2.16 9 群 ( 電子材料 デバイス )- インターコネクション 実装技術 1 章パッケージレベルインターコネクション技術 電子情報通信学会 知識ベース 電子情報通信学会 2011 1/(16) 9 群 - インターコネクション 実装技術 -1 章 ver.1/2011.3.28 インターコネクション 実装技術 - 1

NJG1684ME2 ハイパワー SP4T スイッチ GaAs MMIC 概要 NJG1684ME2 は LTE/UMTS/CDM/GSM などの通信端末に最適なハイパワー SP4T スイッチです 本製品は切替電圧 1.8V に対応し 低損失 高アイソレーション 高線形性を 2.7GHz までカバー

ハイパワー SP4T スイッチ GaAs MMIC 概要 は LTE/UMTS/CDM/GSM などの通信端末に最適なハイパワー SP4T スイッチです 本製品は切替電圧 1.8V に対応し 低損失 高アイソレーション 高線形性を 2.7GHz までカバーすることを特徴としています 保護素子を内蔵することにより高い ESD 耐圧を有しています 本製品は DC ブロッキングキャパシタが不要であるため実装面積の縮小が可能です

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活動報告 WG15 MEMS STRJ WS2015 WG15(MEMS) 活動報告 ~ITRSでのMEMS 動向紹介と出口アプリとしてのヘルスケア向けモバイル機器動向 ~ 2015 年 3 月 6 日 ( 金 ) WG15 主査 : 古賀章浩 ( 東芝 ) Work in Progress - Do not publish STRJ WS: March 6, 2015,WG15(MEMS) 1 構成メンバー

9 2

NW 9 9 2 リア ル モ バ イ ル の た め に 積 み 重 ねられ た 優 れ た 堅 牢 性 へ のこだわり ねじれに強く 高い剛性を発揮する 東芝オリジナルのボディ構造を全面採用 薄型軽量パネルを採用 液晶パネル バスタブ構造 液晶パネルの軽量化は ノートCを90度以上開いた状態でも重量バランス 東芝は 薄さを維持しながら高いボディ剛性を実現するオリジナル設計の を適切に保つために重要なポイントです

Microsystem Integration & Packaging Laboratory

2015/01/26 MemsONE 技術交流会 解析事例紹介 東京大学実装工学分野研究室奥村拳 Microsystem Integration and Packaging Laboratory 1 事例紹介 1. 解析の背景高出力半導体レーザの高放熱構造 2. 熱伝導解析解析モデルの概要 3. チップサイズの熱抵抗への影響 4. 接合材料の熱抵抗への影響 5. ヒートシンク材料の熱抵抗への影響 Microsystem

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産総研 Technology CAD (TCAD) 実習初級コース 中級コース 短期型 Technology CAD(TCAD) は 計算機上のシミュレーションにより 所望の機能を持つ半導体素子の構造とその作製条件の最適化を行うことができる技術です 通常 半月から数ヶ月程度かかる半導体プロセスを実行することなく 半導体素子の作製条件を計算機上で導き出すことができます 初級コースは TCAD 初心者を対象として

レイアウト設計ワンポイント講座CMOSレイアウト設計_５

CMO レイアウト設計法 -5 ( ノイズと特性バラツキをおさえる CMO レイアウト設計法 ) (C)2007 umiaki Takei 1.IC のノイズ対策 CMO 回路では微細加工技術の進歩によりデジタル回路とアナログ回路の両方を混載して 1 チップ化した LI が増えてきた 昨今では 携帯電話用の高周波 1 チップ CMOLI が頻繁に話題になる しかし 混載した場合 デジタル回路のノイズがアナログ回路へ混入し

【NanotechJapan Bulletin】10-9　INNOVATIONの最先端＜第4回＞

企画特集 10-9 INNOVATION の最先端 Life & Green Nanotechnology が培う新技術 < 第 4 回 > プリンテッドエレクトロニクス時代実現に向けた材料 プロセス基盤技術の開拓 NEDO プロジェクトプロジェクトリーダー東京 学教授染 隆夫 に聞く 図6 ４ ３ 解像度を変えた TFT アレイによる電子ペーパー 提供 凸版印刷 株 大面積圧力センサの開発