表 1 情報種 - 何を知りたいか 情報種 光で見た形状 赤外光で見た形状 電子で見た形状 紫外光で見た形状 形を重視 イオンで見た形状 可視光で見た形状 形状 X 線で見た形状 大きさを重視 超音波で見た形状 SPM で見た形状 全成分 定性 平均 特定成分多量成分に注目するか 成分 半定量 分布
|
|
|
- せとか いしなみ
- 5 years ago
- Views:
Transcription
1 表面 界面分析概論 および 電子プローブ X 線マイクロアナライザと走査電子顕微鏡 (EPMA/SEM-EDX) Ⅰ. 表面 界面分析概論 島津製作所 副島啓義 1. はじめに [ 表面分析 ][ 界面分析 ][ 微小部分析 ] とは目的を表した言い方であり 方法を表した言い方ではない したがって 方法は幾らでもあり得る 分類の仕方にもよるが 150 種以上はある 主要な手法だけでも 30 種はゆうに越すであろう それらの原理構成を羅列的に記述しても あるいは覚えてもあまり役には立たない 電子 イオン 中性原子 分子 X 線や各種電磁波を試料に照射すると それらは試料により散乱 吸収を受ける また 試料が励起されて 試料から電子 イオン 中性原子 分子 X 線や各種電磁波が発生することがある これらの散乱 吸収の様子や信号発生から試料の様々な情報を得ることが出来る 試料表面のμm~nm 領域の解析には 電子 イオン X 線を組み合わせた手法が多い したがって 電子やイオン X 線の振る舞いを理解することが 分析目的に対する適した表面分析法 微小部分析法の理解と選択に肝要である なお 原理から予想される基本性能や得意不得意も大切であるが 実際の利用にあたっては装置の完成度や蓄積されたノウハウの質 量 分析コストも重要な判断項目である 2. 何を知りたいのかよくある要求は これは何だろう? どうなっているのだろう どんな形 色をして どんな成分で出来ているか 元素の結合状態は? 化学状態 電子状態は? ある程度微小部の情報と全体的情報の両方知りたい 大きな試料 汚れた試料もそのまま分析できないかなどである 分析の立場からまとめると表 1となる 項目を大別すると 形状観察 成分分析 構造解析あるいは状態分析 となる この表において 例えば形状観察では 肉眼と可視光顕微鏡に対して 他の顕微鏡は単に分解能が異なるだけではない 具体例で言えば 1000 倍のSEM 像と 1000 倍の可視光顕微鏡像が同じ形状を示すとは限らない 可視光と物質との相互作用と電子と物質との相互作用が異なるので形状に違いが出ても不思議ではない したがって顕微鏡を選ぶとき分解能だけで判断すべきではない また 成分分析では 特定の微量元素の検出と全成分を満遍なく検出するのとでは目的も手法も異なるので 高感度分析法が良い定性分析法とは限らない 高感度 高分解能は分析装置の永遠の課題ではあるが 分析目的から見た場合は 適当な 感度と分解能も重要な要素であり 先端的性能と汎用性や間口や底辺の広がりのバランスが分析目的によって異なることも大切な判断要素である 言い換えると これらの情報をどれくらいの領域に対して どれくらいの感度と精度で必要か 要するコスト ( 人 物 時間 ) と投入できるコストはどうか などを含めて 知りたいこと と 知らなければならないこと と 知りえること が決まることとなる
2 表 1 情報種 - 何を知りたいか 情報種 光で見た形状 赤外光で見た形状 電子で見た形状 紫外光で見た形状 形を重視 イオンで見た形状 可視光で見た形状 形状 X 線で見た形状 大きさを重視 超音波で見た形状 SPM で見た形状 全成分 定性 平均 特定成分多量成分に注目するか 成分 半定量 分布 少量成分に注目するか 微量成分に注目するか 定量 量の単位 ( 重量濃度 モル濃度 原子数 ) 精度 結合状態 分子式 ( 化学式 ) 状態 吸着状態 構造式 電子状態 電位 物理状態 磁区 構造解析 各種物理量 ( 多くの場合解析装置の範疇外 ) 結晶種 方位 結晶 格子定数 ( 面間隔 ) 原子間距離 原子配列 ひずみ等 完全度 不純物 (Soejima) 手法 装置に対して判断すべきことを列挙すると 1 得られる情報の種類 : 形状 分子配列 原子配列 組成 分布 化学状態 電子状態 物理物性など 2 検出感度 : 全元素対応か 特定の元素か 微量検出能力 定量性 必要試料量など ( 必ずしも高感度が適しているわけではない 定量の単位に注意 ) 3アウトプット形体 : マッピング能力はあるか 必要か 4 空間分解能 : 水平方向 垂直方向 ( 必ずしも高分解能が適しているわけではない ) 5どんな試料が分析可能か : 試料種 形状 形態 絶縁物 前処理の必要性 6 分析環境は?: 大気中か 溶液中か 真空中か 真空度は? 7 手法 装置の完成度 : 信頼度 自動化 データ解析能力 データベースなど 8コスト : 装置導入コスト 運転コスト 操作難易度と人件費 所要時間 3. 表面分析法の基本原理図 1に示すように 多くの表面分析は電子やイオンあるいはX 線などの電磁波と試料との相互作用を用いている したがって電子 イオン X 線の振る舞いを理解することにより 表面分析法を理解することが出来る
3 電子イオン X 線中性原子 分子赤外線 可視光紫外線 γ 線 形状 組成 原子配列化学状態 電子状態電気的特性 機械的特性 電子イオン X 線中性原子 分子赤外線 可視光紫外線 γ 線 2 次変質層表面処理層構築層 2 構築層 1 基盤 図 1 表面の分析法 (Soejima) 3.1. 電子 イオン X 線の振る舞い電子や光子 (X 線 光 ) の固体内での振る舞いを考えるとき [ 電子は固体内を通過するとき個数と運動エネルギーの両方が変化 ( 多くの場合 減少 減衰 ) するが 光子は個数は変化 ( 多くの場合 減少 ) するがエネルギーは変化しない ] という性質を忘れてはいけない 電子の主な性質と振る舞い 電子はその発生源が何であろうと電子に変わりはない 陽電子を除外するなら 電子を区別しているのは唯一運動エネルギーだけである プローブ電子であろうと多種の信号電子であろうと判別可能なのは個数と運動エネルギーと運動の方向のみである ( 重要な性質 ) 電子は物質を通過すると個数と運動エネルギーの両方が変化する ( 重要な性質 ) 物質との衝突において 電子は比較的強い影響を受けるが 多くの場合 物質に対しては非破壊性である ただし 電子密度が非常に大きいと総運動エネルギーが大きな熱エネルギーに変わり 物質に熱ダメージを与える また 特定の有機物に対しては電子衝突自体が構造変化を引き起こす 観察 分析に利用している電子と物質の主な相互作用は次である 試料原子と衝突するが エネルギーを失わないで散乱する ( 弾性散乱 ) 試料原子と衝突をしてエネルギーを失う ( 非弾性散乱 エネルギー損失 ) 試料表面凹凸により散乱量が変わる ( 形状観察 ) 試料組成により散乱量が変わる ( 平均組成変化 ) 試料の結晶構造の影響を受けて散乱の状態が変わる ( 回折 ) 試料の結晶の方位によって浸入の様子が変わる ( チャネリング ) 試料原子に吸収されて吸収電流となる 例えば半導体 PNジャンクションで電流を発生する ( 内部起電流 ) 試料から電子を発生させる( 二次電子 オージェ電子 )
4 試料からX 線を放出させる ( 特性 X 線 微小部成分分析 ) 試料から光子を放出させる ( カソードルミネッセンス ) 試料がある厚さ以下 入射電子エネルギーがある値以上の場合 上記の相互作用の後 試料を通過する ( 透過電子 ) 透過電子の中に オージェ電子や特性 X 線を発生させた結果の元素固有のエネルギー損失を受けた電子が含まれる (EELS) 試料から原子( イオン ) 分子を脱離する 以上の現象の幾つかを図 2 図 3に示す 入射電子 弾性散乱電子 SEM 回折電子 LEEDEBSD X 線 EPMA エネルギー損失電子 EELS 非弾性散乱電子 SEM 入射電子 オージェ電子 SAM カソードルミネッセンス CL 二次電子 SEM 非弾性散乱吸収電子 EPMA 透過電子 TEM チャネリング電子 ECP 図 2 (Soejima) 図 3 (Soejima) イオンの主な性質と振る舞い イオンはそれ自体が元素つまり物質である 中性原子として扱いたいが 中性の場合は電場 磁場に反応せず扱いにくいので便宜上イオン化して用いることが少なくない ( 注意すべき条件 ) イオンは物質中を通過するとき 電荷変化や運動エネルギー変化( 多くの場合 減衰 ) と個数変化 ( 多くの場合 減少 ) を生じるが質量は変化しない イオンは物質との相互作用が大きく 相手物質の原子をスパッタしたり原子攪拌を起こす 言い換えると 試料原子を空間に分離放出したり原子レベルの試料破壊を引き起こす 分析に利用しているイオンと物質の主な相互作用は次である 試料表面の原子と衝突し散乱する ( イオン散乱 表面原子層解析 ) 試料表面の原子と衝突し試料原子をスパッタする (2 次イオン 高感度成分分析 ) 試料の結晶の方位によって浸入の様子が 変わる ( チャネリング ) 試料から電子を発生させる ( 二次電子 オージェ電子 ) 試料からX 線を放出させる ( 特性 X 線 成分分析 ) 試料近傍から光子を放出させる ( プラズマ発光 ) 以上の現象の幾つかを図 4に示す 二次イオン SIMS X 線 PIXE 入射イオン 光 SCANIR 反射イオン RBS ISS 注入イオン 二次電子チャネリングイオン SIM ICP 図 4 (Soejima)
5 3.1.3 X 線の主な性質と振る舞い X 線は波長を持つ波としての振る舞いと 光量子としての個数の性質を常に併せ持つ X 線は物質を通過すると個数は変化 ( 多くの場合 減少 ) するが 波長 ( エネルギー ) は変化 しない ( 重要な性質 ) 通常分析に用いられる波長 ~0.1nm~10nm ~ エネルギー ~10keV~100eV ~のX 線の作用深さは 入射角により異なるが 1nm~ 数ミクロンであり意外と浅い 物質との衝突において 物質に対してはほとんどの場合非破壊性である 電場 磁場には反応しない 波長が nm~ サブ nm レベルであり 原子間距離と同等なので原子と原子配列の情報を多く持 ち得る 分析に利用している X 線と物質の主な相互作用は次である 試料表面近傍の原子および内部の原子 により散乱する 光電子 ESCA(XPS) 試料原子に作用して光電子を発生させる ( 光電子 表面状態分析 ) 試料原子に作用して特性 X 線を発生させる ( 特性 X 線 成分分析 ) 入射 X 線低角入射 二次電子 吸収 X 線 EXAFS 蛍光 X 線 XRF 回折 X 線 XRD 全反射 X 線 TR-XRF 低角散乱 X 線 XRD 試料原子に作用してオージェ電子を発 生させる ( オージェ電子 表面成分 分析 ) 試料の原子配列や結晶構造により散乱の状態が変わる ( 回折 結晶種 結晶 吸収 X 線 EXAFS 化度 配向度 結晶粒子径 格子歪 ) 以上の現象の幾つかを図 5に示す 図 5 (Soejima) 3.2 電子 イオン X 線の作用深さ 入射電子 イオン X 線が試料のどこまで侵入し どこで信号を発生し どの深さから信号が脱 出するかは 表面 界面 微小部の観察分析では非常に大切なことであり 空間分解能 /Spatial Resol vingpowerと呼ばれている この言葉は筆者が 1979 年に命名し定義したもので [1][2] 正し い意味を次のように定義している [ 微小部の観察あるいは分析を行うとき 試料微小部の本来の形状を正しく表示する能力と 目的とする分析対象物あるいは領域を近傍の他の対象物あるいは領域から正確に区別して定 性 定量 その他の分析を行うときの精度を保証する能力 ] 日常的にはそれほど厳密である必要はないが 少なくとも 1 次プローブのプローブ径を空間分解能と言うのは間違いであり 2 次元と3 次元を区別せずに用いることはすべきでない この空間分解能は 多くの場合 定量的に記述することができるが ここでは概念のみ図 6に示す 図 6において 横軸は表面からの距離 ( 深さ ) であり 縦軸は実線が電子 イオン X 線 ( フォトン ) の個数 点線が電子 X 線のエネルギーとイオンの質量を示している 横軸にはスケールが入っていないが 一番左が1nm 一番右が 10μm の対数表示という感じである 電子は1nm~1μm~~ 領域で個数もエネルギーも減衰し X 線はサブμm~ 数 μm~ 領域で個数が
6 減衰するがエネルギーが変化しない という具合である (Ⅲ 章に具体的記述を行う ) フォトン数 エネルギー X 線 電子数 エネルギー 電子 イオン数 質量数 イオン 最表面 図 6 電子 イオン X 線の浸入 脱出 深さ 個数とエネルギー変化 4. 様々な分析法 装置と比較先にも述べたように非常に多種の手法 装置があるのでそれらを全て概説し またそれらを比較することは よほどの紙面がないかぎり不可能に近い 多種類の分析法が存在し 必要とする分析目的に対して複数の手法が対応可能と思われるとき 当然のこととしてどの手法 ( どの装置 ) を用いるかの選択が必要となる そこで 手近にある装置から選ぶ 経験者や詳しそうな人に尋ねる 各種表面分析法の比較表を参考にして選ぶ ということになる 幸いにして 比較表は数多く公表されているし 詳しそうな人もかなり居る しかし これら 比較 は難しい問題を抱えている しかるべき出版物に掲載されている比較表においても随所に間違いが見受けられる 間違いが生じる背景の推測は次である 日々進歩する何十種以上の表面分析法を全て常に満遍なく公平に理解しているのは不可能に近い そこで 作成者は自分の専門分野の手法については最新の能力を記述するが そうでない手法についは他人が以前に作成した比較表を参考にしたり丸写ししたりせざるを得ない この結果 引用 転載の繰り返された古い性能の記述と最新性能の新規記述とが同じ比較表に記載されてしまうことになる 原理から予測される得意 不得意以外に製造技術や機種 型名からくる性能レベルの違いが合わさるため一層比較を複雑にしている また 非常に技術的に高度な記述にも関わらず大きな間違いをしている比較もある 典型的事例に軽元素検出感度におけるオージェ電子と特性 X 線の比較がある 断っておくが オージェ分析は大変優れた分析法であり けっして悪く言う気はないが 専門家でも陥る過ちが 権威有るハンドブックに記載されてしまうことすらある という事例である よく知られているように電子ビーム照射によりオージェ電子と特性 X 線が発生するが オージェ電子が発生する収率 ωaと X 線が発生する収率はωXの間には概略 ωa+ωx =1 の関係がある 軽元素領域ではωAが 1に近いことが知られている この収率を根拠に軽元素分析ではオージェ電子が高感度でX 線は感度が悪い と記述している解説書がある 入射電子は固体試料内に侵入拡散し 通常 ~1μm 程度の深さまでの領域においてオージェ電子またはX 線を発生させる 発生オージェ電子あるいはX 線の総量は上記収率に従う しかしオージェ電子は試料表面 ~2nm 程度までの深さで発生したもので 且つ表面方向に発生しないと脱出しない つまり検出できない それに対してX 線は全領域で表面方向に発生し
7 たものが脱出する つまり検出可能である さらに オージェ電子は脱出過程でエネルギーロスし 白色化してバックグランドになるものが少なくないので結果として さらに信号が減り S/Nの悪い検出となる X 線は脱出過程でもエネルギーロスせずS/Nの良い状態が保たれる 検出感度は総発生量 脱出効率 検出効率 S/Nなどの総合により決まるのであり 固体内での発生量だけで判断するのは間違いである オージェ電子分光法は軽元素高感度分析ではなく表面敏感分析であり EPMAはμm 領域の高感度分析法である 汎用的に良く用いられるバルク試料用の5 種の分析法 EPMA SEM-EDX AES SI MS,XPSについて分析テーマ別に得意 不得意を定性的に示したのが表 2である はあくまで参考である 原理上の能力以外に 解析ソフトの充実度や応用データベースの充実度 試料前処理の容易さなども考慮している 表 2 代表的表面分析法の機能 能力 EPMA SEM-EDX AES SIMS XPS 光学的な形の観察 ( ) ( ) ( ) ( ) 色の判断 ( 可視光顕微鏡 ) ( ) ( ) ( ) ( ) 高倍率 ( サブミクロン ) 観察 ( ) X サブミクロン分析 X 深さ分解能 ( ) 水平方向分解能 大面積分析 元素をまんべんなく検出 0.1~100% 〇 ( ) ppm~100% X X ( ) X ppm 以下 ( ) X X ( ) X 元素を確実に定性判定高速自動定性 ( ) ( ) ( ) 精密定性 X X X 定量分析高速半定量分析 X X X 精密定量分析 X 薄層状態分析 X X 微小部状態分析 X X 同位体分析 X X X X 大きな試料の分析 汚れた試料の分析 X X 絶縁物試料の分析 ( ) Soejima Ⅱ. 電子プローブ X 線マイクロアナライザと走査電子顕微鏡 (EPMA/SEM-EDX) EPMAやSEMは良く知られているように 細く絞られた電子ビームを固体試料 ( 生体を含む ) に照射し 発生する電子 [ 反射電子 吸収電子 2 次電子など ] と電磁波 [X 線や光など ] などの信号を用いて 微小部の観察 組成分析 ( 状態分析) を行う 何の元素が [(Li Be) U] 何処に [(cm)~mm~μm~(nm)] どのように結合して 何量だけ[(0.0001%) 0.1% 100%) 存在するかを明らかにする分析法 装置である 非常に広い応用分野と実績を有し 数多くあるマイクロアナライザの中で最も汎用的で中心的役割を果たしている なお 波長分散形 X 線検出器 (WDXあるいはWDS) を搭載したEPMAとエネルギー分散形 X 線検出器 (EDX
8 あるいはEDS) を取り付けたSEM(SEM-EDX) は類似装置であるが より高分解能観察力に優れたSEMと 精密な元素分析力とX 線スペクトル解析による状態分析力を有したEPMA は区別して取り扱われる (EPMAにしろSEMにしろ よく知られた汎用装置であり また紙面の制約もあり 一通りの応用例を示すのも無理であるので重要な基本的項目の記述に留めることとする ) 1. 主な信号と情報 図 7 に示すように電子ビーム照射により 様々な信号が発生する 夫々の信号が持つ主な情報を図 8と次に示す 5CL 光 4 特性 X 線 1 反射電子 1 後方散乱電子 (Back Scattered Electron BSE): 試料の平均原子番号により強度が変化するので おおざっぱな成分動向 ( 均一性や析出 異物など ) を知ることができる 2 吸収電子 ( 試料電流ともいう ): 一般的に BSEの逆のコントラストを持つが 検出感度が高くなく あまり利用されていない 試料 8 チャネリング電子 7 透過電子図 7 9 回折電子 32 次電子 2 吸収電子 6 内部起電流 図 8 EPMA の機能と用途 Soejima 32 次電子 (Secondary Electron SE): 空間分解能が高く微細組織の顕微鏡観察に利用する 4 特性 X 線 : 微小部の組成分析がこのX 線により実施される X 線の波長は元素に固有であるので波長測定により定性分析ができる また その強度が元素の重量濃度に比例するので定量分析ができる さらに 特性 X 線のスペクトルの微細構造は元素の状態 ( たとえば結合状態 ) により変
9 化するので この変化を検出して状態分析も行われている 5 光 ( カソードルミネッセンス Cathode Luminescence CL): 直接的には材料の発光特性の分析であるが 微量成分の動向や結晶欠陥の解析に重要な役割を持っている 6 内部起電流 : 例えば半導体 PNジャンクションに電子が入射すると電子増殖が生じる 電子特性 半導体特性の解明に用いられる 7 透過電子 (Transmitted Electron TE): 試料が 1μm 程度より薄いと発生するが 薄膜試料中の原子番号コントラストを有している 2. 電子線信号の発生と主なるコントラスト要因 試料表面から空間に放出される電子のエネルギー 分布は一般に図 9 のような分布を持っている 図 10 を合わせてみながら記述する 入射電子が ほとんどエネルギーを失わずに散乱してくる弾性 散乱電子 ( 記号 E) エネルギーを失って散乱して くる非弾性散乱電子 ( 記号 NE) そして 50eV 程 度よりエネルギーの低い電子 ( 記号 S) である 通常 EとSE 領域の電子を反射電子 S 領域の電子を2 次電子と言っているのであるが NE とSの区別は曖昧である 散乱を繰り返してエネルギーが 50eV 以下になった散乱電子も 2 次電子という分類になってしまっている さらに 実際のSEM において2 次電子像といわれているのは 多くの場合 EとNEと Sの混合であり 厳密な像解釈においては注意深い考察が必要である なお 図 9に現れている小さなピークはオージェ電子や試料原子固有のエネルギーロスによるものあるが 通常のSEMではこれらも反射電子や2 次電子に含めている 2 次電子像をしばしばSEM 像というが 図 10 図 9 Soejima 図 11 反射電子と 2 次電子 発生量の原子番号依存性 [1][2]
10 この言い方は案外的を得た言い方である ( 通常の言い方における )2 次電子や反射電子の主なるコントラスト要因は試料表面の平均原子番号 ( 図 11) と凹凸 ( 例えば図 12) である ところで入射電子 1 個に対して通常は発生電子数は1 個未満であるが 入射エネルギーが低い時 発生電子数が1 個超になることがあり この様子を示したのが図である 試料材質依存性があるが 多くの場合 入射電子エネルギーが1keV 程度以下になると1 個超となる この現象は絶縁物観察の時に特別な効果をもたらす マイナス電子が照射されると試料は当然マイナスになるが 導電試料では試料内を電子が高速に自由に移動してチャージアップとはならないが 絶縁試料では試料表面がマイナスにチャージして 像コントラスト異常を起こし ついには観察不能に陥ることもある ところが発生電子が 1 個超であると 試料表面はプラスにチャージすることになる プラスにチャージすればマイナス電子の発生が抑えられ あるいは空間に出た電子が戻ってきて中和される つまり 絶縁物試料の正常観察が可能となる 超低加速 SEMは極表面敏感であると共に絶縁物試料観察にも適している理由がこれである 図 13 図 12 2 次電子収率の加速電圧依存性 3. 特性 X 線の発生図 14に示すように 内殻軌道電子が外部からのエネルギー入射により離脱した空席 ( 空孔 ) に外殻軌道電子が遷移したときの位置エネルギー差が あるときはX 線として放出され あるときは他の軌道電子を励起してオージェ電子として放出される 最終的に特性 X 線となるかオージェ電子となるかの両者の収率は1 章 4 項で述べたように 軽元素領域でのX 線収率は大変小さいが X 線の検出効率はオージェ電子よりずっと高く S/N 値もはるかに良いので 実際の検出感度は特性 X 線の方が 10 倍 ~100 倍高い 後述するように 分析深さは多くの場合サブミクロン図 14 ~ミクロンである 特性 X 線の
![名前は どの軌道の空孔にどの軌道の電子が遷移することにより発生するかによって 図 15 のよう に決められている [3] 電子軌道が M 殻以上ある元素では K 線以外に L 線や M 線などが存在する 通 常のEPMA 分析条件では K 線のエネルギーが 10KeV 程度を超える元素ではエネルギーのより小 さい L 線や M 線が用いられる 図 15 エネルギー順位間の電子遷移と特性 X](/docs-images/92/109354130/images/11-0.jpg "線の名称 [3] 4.")
11 名前は どの軌道の空孔にどの軌道の電子が遷移することにより発生するかによって 図 15 のよう に決められている [3] 電子軌道が M 殻以上ある元素では K 線以外に L 線や M 線などが存在する 通 常のEPMA 分析条件では K 線のエネルギーが 10KeV 程度を超える元素ではエネルギーのより小 さい L 線や M 線が用いられる 図 15 エネルギー順位間の電子遷移と特性 X 線の名称 [3] 4. 特性 X 線の波長 / 定性分析 発生する X 線の振動数 ν( この ν にプランクの乗数 h を乗じればエネルギー ) と波長 λ と原子番号 Zの間には次 Moseley の法則が成り立つ ν=k 1 (Z+k) 2 (1) λ=k 2 1/(Z+k) 2 (2) k 1 k 2 k は定数 Kα 線については λ は次式で近似されることが知られている もっとも実際の分析では 正確な波 長表が用意されており 都度計算する必要はない λ= /(Z-1) 2 (3) 上記のようにエネルギーや波長は原子番号に固有なので 未知 X 線のエネルギーあるいは波長を測 定すれば定性分析が成り立つ
![5. 特性 X 線の強度 / 定量分析 る 元素固有のエネルギーあるいは波長の X 線のピーク強度と元素の重量濃度の間には次の関係があ C unk =C std [I unk /I std ] [f(zaf) f(other )) (4) 未知試料と標準試料からの X 線強度は基本的には夫々の試料の重量濃度に比例するが 補正ファク ターが 2 種ある f(zaf) は ZAF( ザフと言っている](/docs-images/92/109354130/images/12-1.jpg ") 効果と言われており 未知試料と標準 試料において 平均原子番号が異なる (Z)X 線吸収が異なる (A) 蛍光励起が異なる (F) こと を補正するものである この f(zaf) は非常に詳しく正確に計算できるようになっている f (oth er) は試料ダメージや装置不安定など補正が難しい誤差を示す f(other) が1の場合 ( つま り不確定誤差が非常に小さい場合 ) は 相対誤算")
12 5. 特性 X 線の強度 / 定量分析 る 元素固有のエネルギーあるいは波長の X 線のピーク強度と元素の重量濃度の間には次の関係があ C unk =C std [I unk /I std ] [f(zaf) f(other )) (4) 未知試料と標準試料からの X 線強度は基本的には夫々の試料の重量濃度に比例するが 補正ファク ターが 2 種ある f(zaf) は ZAF( ザフと言っている ) 効果と言われており 未知試料と標準 試料において 平均原子番号が異なる (Z)X 線吸収が異なる (A) 蛍光励起が異なる (F) こと を補正するものである この f(zaf) は非常に詳しく正確に計算できるようになっている f (oth er) は試料ダメージや装置不安定など補正が難しい誤差を示す f(other) が1の場合 ( つま り不確定誤差が非常に小さい場合 ) は 相対誤算 1% 程度 (WDX の場合 ) あるいは数 %(EDX の場合 ) の精度で定量分析が実施できる 定量分析の詳細は文献 [4] を参照されたい 6.X 線スペクトル解析特性 X 線発生は 軌道電子の遷移によるものであり 軌道電子のエネルギーが元素に固有なので 遷移により放出されるエネルギーすなわちX 線エネルギー ( 波長 ) は固有である という原則がある しかし 実際は原子は孤立しているわけではなく 種々の配列や化学結合の状態にあり したがって 軌道電子エネルギーにも周囲の存在原子状態により何がしかのシフトが生じる 特に外郭軌道電子 ( 価電子帯 ) は周辺状況により変化しやすいので 外郭軌道電子が遷移して生じるX 線にはシフトが生じる 言い換えると K 線よりL 線 α 線よりβ 線に変化が生じやすい 複数軌道電子のエネルギーシフトや どの電子が遷移するかの遷移確率の変化などが重なり合って ピーク波長 ピーク強度 半値幅 対称性が変化し 非図表線 ( サテライト ) の出現などが起きる μmの微小領域において 定性定量分析による精密組成のみならず X 線スペクトル解析 ( 波形解析 ) による状態情報 ( 特に化学結合状態 ) が得られることは非常に有用なことである なお このスペクトル変化は高精度 WDXによってのみ計測可能であり この点においてもSEM-EDXとEPM Aは区別されている 状態分析の詳細は文献 [5] を参照されたい 図 16 各種カーボン CK バンドスペクトル 図 17 鉄の状態マップ
13 7.WDXとEDX 一昔前にしばしば解説書やハンドブックに記述されていた両者の比較は 夫々の進歩により現時 点では通用しない項目も多い まして 総合的に見てどちらが良いか という記述は成り立たない し 原理の異なる手法を比較するのは望ましいことではないが 項目ごとにあえて表 3に示す な お 試料面凹凸の影響は 焦点深度ではなく 凹凸による影やエッジ効果の問題であり WDXと EDXの比較ではなくX 線取り出し角度の項目で取り扱うべきものである WDXとEDXの比較 は別の角度からも見る必要がある 微小部分析を可能にしているWDXは結晶直進型湾曲結晶分光 器と呼ばれる分光器で 理想に近い分光 表 3 特性を持ちうる反面 マイクロビーム装 EDX WDX 置に装着するには制約が多く 高性能タ主成分の定性 検出 イプは現時点ではEPMAにしか装着で きない これに対してEDXはほとんどのタイプがほとんどのマイクロビーム装置に装着できる このため WDXとE DXの違い以外にマイクロビーム本体の応用分野にも左右されることになる 他方 最近の状況としてSEMやTEM に装着可能な新原理の高波長分解能 WD Xが誕生しており EDXも新たな開発 工夫が実現しており 従来の比較表に判断を任せるべきではない 微量成分の定性 検出超軽元素の定性 検出定性 半定量分析速度定性 定量分析精度複雑多元系の分析多元系の分析速度波形解析 ( 状態分析 ) SEM TEMへの取付け分光器の焦点合わせ 速い 速い 簡単簡単 速い 遅い 難しい難しい Ⅲ. 空間分解能分解能という言葉は多くの場合 像がシャープであるとかスペクトルがシャープである という使い方がされる これらの場合は 人がデータを見れば少なくとも定性的には分解能の良し悪しが判断できる しかし これらは2 次元あるいは1 次元の話である Ⅰ 章 3.2で述べたように表面分析 微小部分析では深さ方向を含めた3 次元の分解能を判断しなければならない この深さ方向の分解能は像やスペクトルの単純なシャープさには反映しないので見落とすことが多く そのためデータ解釈に重大な過ちが生ずることが少なくない データをただ単に眺めていても深さ分解能の知見はえられない 幸い現在は 装置原理 装置性能 分析条件 試料状態などにより空間分解能が計算と経験でかなり精度よく得られるようになってきているので 的確なデータ解析も可能であり 必要な空間分解能を想定した分析条件を設定することもかなり可能である ここでは 電子ビーム照射によるX 線の発生領域の事例を示す ところで シャープな像が必ずしも正しい像ではない場合もあるので SEMにおける走査像の事例を示す 1. 入射電子の侵入と拡散領域ならびにX 線の発生領域図 18 は 1965 年の古いデータであるが 隠された分析深さがデータを左右することを顕著に示した例で 今日の空間分解能の検討のきっかけになったデータである [6] 試料はシルミンというAi -Siの実用合金で 光学顕微鏡的に 1μm 程度の灰色の組織 (Si 初昌 ) があり その組織におけるAlとSiの濃度分布をEPMA 分析した結果である 当時は 30 kev が標準加速電圧なので 30keV で分析したが 分析結果は金属学的には納得性がなかった まったく同じ試料位置を 20keV と 5keV で分析した結果 30keV とは異なる結果となった 金属学的には 5keV のデータが納得
 性があった 何故 このようなことが生じたのか 入射電子が固体内でどのように振舞うかを理論的に扱う手法に大別して2 種ある 一つは入射電子の動きを平均自由行程 散乱角 エネルギー損失からシミュレートする いわゆるモンテカルロ法といわれるものであり 他は拡散中心 電子の存在密度](/docs-images/92/109354130/images/14-0.jpg "進入深さなどを含んだ全体形状を図として表示するものである 前者は一個一個の電子の軌道が見える表示で理解しやすいのと 境界値問題に対処しやすい利点がある 後者は空間分解能が数値的に把握できるので分析現場向きである どちらも文献 [1][2] に詳しく記述されているが ここでは後者の領域形状モデルの概要を紹介する 膨大な数の入射電子がそれぞれ拡散していった結果 全体としてどのような 拡がり 形")
14 図 18 EPMA によるシルミン初昌の分析 / 加速電圧依存性 [6]( 若林 副島 1965) 性があった 何故 このようなことが生じたのか 入射電子が固体内でどのように振舞うかを理論的に扱う手法に大別して2 種ある 一つは入射電子の動きを平均自由行程 散乱角 エネルギー損失からシミュレートする いわゆるモンテカルロ法といわれるものであり 他は拡散中心 電子の存在密度 進入深さなどを含んだ全体形状を図として表示するものである 前者は一個一個の電子の軌道が見える表示で理解しやすいのと 境界値問題に対処しやすい利点がある 後者は空間分解能が数値的に把握できるので分析現場向きである どちらも文献 [1][2] に詳しく記述されているが ここでは後者の領域形状モデルの概要を紹介する 膨大な数の入射電子がそれぞれ拡散していった結果 全体としてどのような 拡がり 形 が出来上がるかを 次の項目に対して数値化 図式化を行いモデルが作成された ( 図 19)[1][2] 次の項目を図および数式化したものである a 多くの(99% あるいは 90%) のX 線の発生領域とその密度分布 (X 線分析の実質的な空間分解能 ) b 入射電子の拡散領域の中心はどこか( 信号発生の中心と深い関係 ) c 電子の通路はどこが多いか( 固体内電子密度に関係 X 線発生密度に関係 ) d 入射直後の散乱角はどうか( 薄膜 微粒子にとって重要 ) こモデルでは多数のレンジと夫々の数式が用いられているがその詳細は省略する もっとも重要な値はX 線発生有効深さRsx である Rsx は入射電子エネルギーが1keV 程度 ~ 数十 kev 程度の場合は (5) 式のように近似される Rsx の式で分かるように加速電圧を最少励起エネルギーに近づけると Rsx がゼロに近づくすなわち 発生領域を非常に小さく出来る また ωは入射電子が浸入する角度で 表面層 薄膜 微粒子の場合に発生領域の横の広がりにとって重要な値であり ( 6 )
15 式によって求められる ω は加速電圧が大きいほど小さくなる したがって TEM における STE M では ω が非常に小さくなり 入射ビーム径が分析領域の幅になるのはこのためである 99% 領域 90% 領域 X-raygenerationmodel by Soejima RS1 RX 最大発生深さ RSX 実行的発生深さ R1 入射電子の最大エネルギーロス深さ ω1 Rsx RS1 X 線の最大発生密度深さ RWX 入射電子の表面での横の広がり 99.9% 領域 ω1 入射電子の90% は入射直後この角度以内に散乱される ω2 入射電子の99% は入射直後この角度以内に散乱される 図 19 電子ビーム励起による X 線発生領域モデル [1][2] Rsx=1/40 A /ρz (V 1.7 -VE 1.7 )μm (5) A: 試料平均原子量 ρ: 試料平均密度 Z: 試料平均原子番号 V: 入射電子エネルギー (kev) VE: 最少励起エネルギー (kev) ω1=1-[2β 0.90/1+β-0.90] (6) β=(5.44/v)z 2/3 V: 入射電子エネルギー ( 加速電圧 ) ボルト Z: 試料平均原子番号 表 4 発生領域計算例 (Al 中の微量 Cu の CuKα)( μ m)[1][2] Al 中の微量 Cu の CuKα 線の発生領域の各 R 値の計算結果を表 4 に示す 電圧により各レンジが大
![きく変わることが示されている [1][2] 表 5 は低加速電圧における CuKαと AlKαの発生領域の加速電圧依存性の計算値である [7] 低加速電圧ではサブミクロン~ナノの分析が可能であることが示されている 表 5 発生領域計算例 ( 純 Al 中の AlKα 純 Cu の CuKα)( μ m)[7] Cu Kα 15kV 10kV 5kV AlKα 3kV 2kV 99% 実効深さ 0.](/docs-images/92/109354130/images/16-0.jpg "36 0.05 0.23 0.07 0.018 領域 実効幅 ( 約 ) 0.36 0.05 0.23 0.07 0.018 90% 領域 実効深さ実効幅 0.19 0.07 - - 0.20 0.")
16 きく変わることが示されている [1][2] 表 5 は低加速電圧における CuKαと AlKαの発生領域の加速電圧依存性の計算値である [7] 低加速電圧ではサブミクロン~ナノの分析が可能であることが示されている 表 5 発生領域計算例 ( 純 Al 中の AlKα 純 Cu の CuKα)( μ m)[7] Cu Kα 15kV 10kV 5kV AlKα 3kV 2kV 99% 実効深さ 領域 実効幅 ( 約 ) % 領域 実効深さ実効幅 加速電圧依存性はもちろんX 線のみならず電子信号においても顕著である 図 20 は加速電圧 30kV~300V で撮影されたステンレス鋼の2 次電子像である [8][9] 表面に人為的に作られた1nm~3nm のカーボン層のコントラストや結晶方位によるチャネリングコントラストの電圧依存性が明瞭に観察されている 重要なことは どのデータも正しいデータであるが 深さ分解能の違いが情報の違いを示していることである このデータも 1973 年の古いデータであるが 今日の低加速 SEMの開発のきっかけとなった ところで信号の発生領域は空間分解能の重要な要素であるが 発生した信号の脱出深さも重要な要素である Ⅰ 章 3 項で述べたように物質内を通過する時 電子や X 線は夫々の性質を示す このことは同じ条件の電子 Soejima 1973 ビームで励起されたX 線と図 20 ステンレス鋼上のカーボン薄層の2 次電子像 [8][9] オージェ電子はまったく同じ領域で発生するが 脱出過程が大きく異なり 検出信号では空間分解能に大きな違いが生じることを示している 実際のデータ例を講演時に示す 2. 走査像の分解能 SEM 像や成分の2 次元マッピング像は大変分かりやすいデータで多用されているが この走査像には 試料微小部の本来の形状を正しく表示する能力 という点において誤りが起きることがある 図 21に画素の概念で単純化して示す 2つの接する微細組織を この組織より小さくないサイズのビームで走査した信号分布を示している 単純化のため ビームと組織が重なる面積に比例した強度の信号が発生するとしている
17 得られる信号分布は いわゆるボケが生じることを示している ところで 走査像というのはデータ後処理により 閾値やコントラストをかなり自由に変えることができる ということは 例えばAで もし6 以下の信号をカットすれば 9の強度を持つ離れた画素 1 個の小さな組織像となってしまう C の例では 同様に本来離れた2つの組織が1つの組織として表示されることを示している データ処理の詳細を知らずに結果の走査像を見た場合 試料の形状を正しく理解できるか 強い疑問が生じる 以上の他に ボケがなくシャープな像で 画像処理を変えても形状が変わらないので疑問が生じないにもかかわらず 実試料の形状とは異なる像が得られてしまう事例がある 紙面の都合でテキストには表示しないが講演では示す 図 21 走査像の形状変形画素による模式表示 [1][2] おわりに表面分析法と総称される一連の分析法が非常に多数開発されている すでに数十年の実績を有するものや まさに試作された直後のものなど多様である これらは 科学技術 先端研究の学術研究分野 製造 品質保証 クレーム対策などの産業の現場 さらに環境 医学 健康 安全 食品 などなどで広く使われている 多岐にわたる分析原理 そうとうに高度な装置構造 多くは高価格 操作も簡単とはいえない といった状況において 表面分析を総合理解するのは大変である 実際の分析で成果をあげるには どうやら広く浅くはダメなようである 何かの理由で使うこととなった手法 装置をまず深めていくことにより 他の手法も理解しやすくなると考えられる 参考文献 [1] 副島啓義 : 博士論文大阪大学 (1979) [2] 副島啓義 : 電子線マイクロアナリシス 日刊工業新聞社 基礎編 4 章 (1987) [3] 飯田修一訳 : 固体物性 丸善 (1962 ) [4] 副島啓義 : 電子線マイクロアナリシス 日刊工業新聞社 応用編 8 章 (1987 ) [5] 副島啓義 : 電子線マイクロアナリシス 日刊工業新聞社 応用編 9 章 (1987) [6] 若林忠男 副島啓義 : 金属分析における発表とシンポジウム 14(1965) [7] H.Soejima et al:int. Symp. on Microbeam Analysis in Cheju Ses.Ⅱinvited(2002) [8] 副島啓義 : 電子顕微鏡学会 A Ⅱ 19(1973) [9] H.Soejima:Surface Science, 85, (1979)
化学結合が推定できる表面分析 Ｘ線光電子分光法
1/6 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.39 p1 (2004) 化学結合が推定できる表面分析 X 線光電子分光法 加藤鉄也 ( 技術部試験一課主任 ) 1. X 線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS) とは物質に X 線を照射すると 物質からは X 線との相互作用により光電子 オージェ電子 特性 X 線などが発生する X 線光電子分光法ではこのうち物質極表層から発生した光電子
1/8 ページ ユニケミー技報記事抜粋 No.40 p2 (2005) 1. はじめに 電子顕微鏡のはなし 今村直樹 ( 技術部試験一課 ) 物質表面の物性を知る方法として その表面構造を拡大観察するのが一つの手段となる 一般的には光学顕微鏡 (Optical Microscope) が使用されているがより高倍率な像が必要な場合には電子顕微鏡が用いられる 光学顕微鏡と電子顕微鏡の違いは 前者が光 (
EDS分析ってなんですか？どのようにすればうまく分析できますか？（EDS分析の基礎）
EDS 分析ってなんですか? どのようにすればうまく分析できますか?(EDS 分析の基礎 ) ブルカー エイエックスエス ( 株 ) 山崎巌 Innovation with Integrity 目次 1 SEM EDS とは 1-1 走査電子顕微鏡と X 線分析 1-2 微少領域の観察 分析 1-3 SEM で何がわかる 1-4 試料から出てくる情報 2 EDS でどうして元素がわかるの 2-1 X
Microsoft PowerPoint - EDX講習会.ppt
設備機器技術講習会 エネルギー分散型 X 線分析装置 大阪府立産業技術総合研究所機械金属部金属表面処理系 西村崇中出卓男森河務 本日の予定 113:30~14:30 214:30~14:40 314:40~15:20 エネルギー分散型 X 線分析装置について 休憩装置見学 1 班エネルギー分散型 X 線分析装置見学 2 班他の機器見学 1 本日の内容 表面分析方法の種類 エネルギー分散型 X 線分析装置
untitled
インクジェットを利用した微小液滴形成における粘度及び表面張力が与える影響 色染化学チーム 向井俊博 要旨インクジェットとは微小な液滴を吐出し, メディアに対して着滴させる印刷方式の総称である 現在では, 家庭用のプリンターをはじめとした印刷分野以外にも, 多岐にわたる産業分野において使用されている技術である 本報では, 多価アルコールや界面活性剤から成る様々な物性値のインクを吐出し, マイクロ秒オーダーにおける液滴形成を観察することで,
Microsoft Word - プレス原稿_0528【最終版】
報道関係各位 2014 年 5 月 28 日 二酸化チタン表面における陽電子消滅誘起イオン脱離の観測に成功 ~ 陽電子を用いた固体最表面の改質に道 ~ 東京理科大学研究戦略 産学連携センター立教大学リサーチ イニシアティブセンター 本研究成果のポイント 二酸化チタン表面での陽電子の対消滅に伴って脱離する酸素正イオンの観測に成功 陽電子を用いた固体最表面の改質に道を拓いた 本研究は 東京理科大学理学部第二部物理学科長嶋泰之教授
FT-IRにおけるATR測定法
ATR 法は試料の表面分析法で最も一般的な手法で 高分子 ゴム 半導体 バイオ関連等で広く利用されています ATR(Attenuated Total Reflectance) は全反射測定法とも呼ばれており 直訳すると減衰した全反射で IRE(Internal Reflection Element 内部反射エレメント ) を通過する赤外光は IRE と試料界面で試料側に滲み出した赤外光 ( エバネッセント波
電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー A 電子部品の試料加工と観察 分析 解析 ~ 真の姿を求めて ~ セミナー 第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイ
第 9 回 品質技術兼原龍二 前回の第 8 回目では FIB(Focused Ion Beam:FIB) のデメリットの一つであるGaイオンの打ち込み ( 図 19. 第 6 回参照 ) により 試料の側壁に形成されるダメージ層への対処について事例などを交えながら説明させていただきました 今回は 試料の表面に形成されるダメージ層について その対処法を事例を示してお話しをさせていただきます Gaイオンの試料への打ち込みですが
厚生労働省委託事業 「 平成25年度 適切な石綿含有建材の分析の実施支援事業 」アスベスト分析マニュアル1.00版
クリソタイル標準試料 UICC A 1 走査型電子顕微鏡形態 測定条件等 :S-3400N( 日立ハイテクノロジーズ )/BRUKER-AXS Xflash 4010) 倍率 2000 倍 加速電圧 5kv 162 クリソタイル標準試料 UICC A 2 走査型電子顕微鏡元素組成 cps/ev 25 20 15 C O Fe Mg Si Fe 10 5 0 2 4 6 8 10 12 14 kev
特長 01 裏面入射型 S12362/S12363 シリーズは 裏面入射型構造を採用したフォトダイオードアレイです 構造上デリケートなボンディングワイヤを使用せず フォトダイオードアレイの出力端子と基板電極をバンプボンディングによって直接接続しています これによって 基板の配線は基板内部に納められて
16 素子 Si フォトダイオードアレイ S12362/S12363 シリーズ X 線非破壊検査用の裏面入射型フォトダイオードアレイ ( 素子間ピッチ : mm) 裏面入射型構造を採用した X 線非破壊検査用の 16 素子 Si フォトダイオードアレイです 裏面入射型フォトダイオードアレ イは 入射面側にボンディングワイヤと受光部がないため取り扱いが容易で ワイヤへのダメージを気にすることなくシ ンチレータを実装することができます
8.1 有機シンチレータ 有機物質中のシンチレーション機構 有機物質の蛍光過程 単一分子のエネルギー準位の励起によって生じる 分子の種類にのみよる ( 物理的状態には関係ない 気体でも固体でも 溶液の一部でも同様の蛍光が観測できる * 無機物質では規則的な格子結晶が過程の元になっているの
6 月 6 日発表範囲 P227~P232 発表者救仁郷 シンチレーションとは? シンチレーション 蛍光物質に放射線などの荷電粒子が当たると発光する現象 材料 有機の溶液 プラスチック 無機ヨウ化ナトリウム 硫化亜鉛 など 例えば以下のように用いる 電離性放射線 シンチレータ 蛍光 光電子増倍管 電子アンプなど シンチレーションの光によって電離性放射線を検出することは非常に古くから行われてきた放射線測定法で
Nov 11
http://www.joho-kochi.or.jp 11 2015 Nov 01 12 13 14 16 17 2015 Nov 11 1 2 3 4 5 P R O F I L E 6 7 P R O F I L E 8 9 P R O F I L E 10 11 P R O F I L E 12 技術相談 センター保有機器の使用の紹介 当センターで開放している各種分析機器や計測機器 加工機器を企業の技術者ご自身でご利用できます
EDS の課題としては,1エネルギー分解能が低いため隣接するピーク同士がオーバーラップするケースが数多く存在し判別を難しくしていること,2バックグラウンドが高いため S/N 比が低く検出下限値が高いこと,3 軽元素の感度が低いこと, などが挙げられる. 検出下限は数千 ppm オーダーであり, エネ
EPMA の基礎技術と最新の FE-EPMA の紹介 Basic Technologies of EPMA and Latest FE-EPMA 坂前浩, 林広司 Hiroshi Sakamae and Hiroshi Hayashi 株式会社島津製作所分析計測事業部 要旨近年,SEM-EDS はその技術革新により大変身近で便利な表面分析装置となったが, 検出下限値が低く定量精度に優れる EPMA(
ＬＥＤの光度調整について
光測定と単位について 目次 1. 概要 2. 色とは 3. 放射量と測光量 4. 放射束 5. 視感度 6. 放射束と光束の関係 7. 光度と立体角 8. 照度 9. 照度と光束の関係 10. 各単位の関係 11. まとめ 1/6 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです
02.参考資料標準試料データ
参考資料 標準試料データ目次 クリソタイル標準試料 JAWE111 108 アモサイト標準試料 JAWE211 113 クロシドライト標準試料 JAWE311 118 クリソタイル標準試料 JAWE121 123 アモサイト標準試料 JAWE221 131 クロシドライト標準試料 JAWE321 139 アンソフィライト標準試料 JAWE411 147 トレモライト標準試料 JAWE511 155
B. モル濃度 速度定数と化学反応の速さ 1.1 段階反応 ( 単純反応 ): + I HI を例に H ヨウ化水素 HI が生成する速さ は,H と I のモル濃度をそれぞれ [ ], [ I ] [ H ] [ I ] に比例することが, 実験により, わかっている したがって, 比例定数を k
![B. モル濃度 速度定数と化学反応の速さ 1.1 段階反応 ( 単純反応 ): + I HI を例に H ヨウ化水素 HI が生成する速さ は,H と I のモル濃度をそれぞれ [ ], [ I ] [ H ] [ I ] に比例することが, 実験により, わかっている したがって, 比例定数を k](/thumbs/81/83835231.jpg "B. モル濃度 速度定数と化学反応の速さ 1.1 段階反応 ( 単純反応 ): + I HI を例に H ヨウ化水素 HI が生成する速さ は,H と I のモル濃度をそれぞれ [ ], [ I ] [ H ] [ I ] に比例することが, 実験により, わかっている したがって, 比例定数を k")
反応速度 触媒 速度定数 反応次数について. 化学反応の速さの表し方 速さとは単位時間あたりの変化の大きさである 大きさの値は 0 以上ですから, 速さは 0 以上の値をとる 化学反応の速さは単位時間あたりの物質のモル濃度変化の大きさで表すのが一般的 たとえば, a + bb c (, B, は物質, a, b, c は係数 ) という反応において,, B, それぞれの反応の速さを, B, とし,
本日の内容 HbA1c 測定方法別原理と特徴 HPLC 法 免疫法 酵素法 原理差による測定値の乖離要因
HbA1c 測定系について ~ 原理と特徴 ~ 一般社団法人日本臨床検査薬協会 技術運営委員会副委員長 安部正義 本日の内容 HbA1c 測定方法別原理と特徴 HPLC 法 免疫法 酵素法 原理差による測定値の乖離要因 HPLC 法 HPLC 法原理 高速液体クロマトグラフィー 混合物の分析法の一つ 固体または液体の固定相 ( 吸着剤 ) 中で 液体または気体の移動相 ( 展開剤 ) に試料を加えて移動させ
金属イオンのイオンの濃度濃度を調べるべる試薬中村博 私たちの身の回りには様々な物質があふれています 物の量を測るということは 環境を評価する上で重要な事です しかし 色々な物の量を測るにはどういう方法があるのでしょうか 純粋なもので kg や g mg のオーダーなら 直接 はかりで重量を測ることが
金属イオンのイオンの濃度濃度を調べるべる試薬中村博 私たちの身の回りには様々な物質があふれています 物の量を測るということは 環境を評価する上で重要な事です しかし 色々な物の量を測るにはどういう方法があるのでしょうか 純粋なもので kg や g mg のオーダーなら 直接 はかりで重量を測ることが出来ます しかし 環境中の化学物質 ( 有害なものもあれば有用なものもある ) は ほとんどが水に溶けている状態であり
<4D F736F F D2089FC92E82D D4B CF591AA92E882C CA82C982C282A282C42E727466>
11 Application Note 光測定と単位について 1. 概要 LED の性質を表すには 光の強さ 明るさ等が重要となり これらはその LED をどのようなアプリケーションに使用するかを決定するために必須のものになることが殆どです しかし 測定の方法は多種存在し 何をどのような測定器で測定するかにより 測定結果が異なってきます 本書では光測定とその単位について説明していきます 2. 色とは
線形システム応答 Linear System response
画質が異なる画像例 コントラスト劣 コントラスト優 コントラスト普 鮮鋭性 普 鮮鋭性 優 鮮鋭性 劣 粒状性 普 粒状性 劣 粒状性 優 医用画像の画質 コントラスト, 鮮鋭性, 粒状性の要因が互いに密接に関わり合って形成されている. 比 鮮鋭性 コントラスト 反 反 粒状性 増感紙 - フィルム系での 3 要因の関係 ディジタル画像処理系でもおよそ成り立つ WS u MTFu 画質に影響する因子
スライド 1
暫定版修正 加筆の可能性あり ( 付録 ) 屈折率と誘電率 : 金属. 復習. 電気伝導度 3. アンペールの法則の修正 4. 表皮効果 表皮深さ 5. 鏡の反射 6. 整理 : 電子振動子模型 注意 : 整理しましょう! 前回 : 付録 (4) のアプローチ. 屈折率と損失について記述するために分極振動 ( 電気双極子の集団運動 ) による電気双極子放射を考慮. 誘電率は 真空中の値 を採用 オリジナル光
2008JBMIA技術調査小委員会報告書
画像濃度 Ⅴ-6 トナー内部材料分散観察の進化 ( トナー開発における分析技術 ) 河野信明キヤノン株式会社材料プロセス開発センター室長 1. はじめに電子写真用トナーは バインダ樹脂中に着色剤 ワックス 荷電制御剤等を分散した構造を有し 各材料の分散状態はトナー性能に大きく影響する たとえば 着色剤の分散状態は着色力に影響することが知られている 分散良 モグラフィー法や連続断面画像から三次元像を構築する手法で
Microsoft Word - note02.doc
年度 物理化学 Ⅱ 講義ノート. 二原子分子の振動. 調和振動子近似 モデル 分子 = 理想的なバネでつながった原子 r : 核間距離, r e : 平衡核間距離, : 変位 ( = r r e ), k f : 力の定数ポテンシャルエネルギー ( ) k V = f (.) 古典運動方程式 [ 振動数 ] 3.3 d kf (.) dt μ : 換算質量 (m, m : 原子, の質量 ) mm
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 2 次元陽電子消滅 2 光子角相関の低温そのまま測定による 絶縁性結晶および Si 中の欠陥の研究 武内伴照 絶縁性結晶に陽電子を入射すると 多くの場合 電子との束縛状態であるポジトロニウム (Ps) を生成する Ps は 電子と正孔の束縛状態である励起子の正孔を陽電子で置き換えたものにあたり いわば励起子の 同位体 である Ps は 陽電子消滅 2 光子角相関 (Angular
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage
Mirror Grand Laser Prism Half Wave Plate Femtosecond Laser 150 fs, λ=775 nm Mirror Mechanical Shutter Apperture Focusing Lens Substances Linear Stage NC Unit PC は 同時多軸に制御はできないため 直線加工しかでき 図３は ステージの走査速度を
<4D F736F F F696E74202D C834E D836A834E83588DDE97BF955D89BF8B5A8F F196DA2E >
7-1 光学顕微鏡 8-2 エレクトロニクス材料評価技術 途による分類 透過型顕微鏡 体組織の薄切切 や細胞 細菌など光を透過する物体の観察に いる 落射型顕微鏡 ( 反射型顕微鏡 ) 理 学部 材料機能 学科 属表 や半導体など 光を透過しない物体の観察に いる 岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 電 線を使った結晶の評価法 透過電 顕微鏡 査電 顕微鏡 実体顕微鏡拡 像を 体的に
Microsoft Word - planck定数.doc
. 目的 Plck 定数 光電効果についての理解を深める. また光電管を使い実際に光電効果を観察し,Plck 定数および仕事関数を求める.. 課題 Hg- スペクトルランプから出ている何本かの強いスペクトル線のなかから, フィルターを使い, 特定の波長域のスペクトル線を選択し, それぞれの場合について光電効果により飛び出してくる電子の最高エネルギーを測定する. この測定結果から,Plck 定数 h
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r 2 e = (e 2 mc 2 ) 2 で表される為
Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments.. Energy Loss by Radiation : Bremsstrahlung 制動放射によるエネルギー損失は σ r e = (e mc ) で表される為 質量に大きく依存する Ex) 電子の次に質量の小さいミューオンの制動放射によるエネルギー損失 m e 0.5 MeV, m
RMS(Root Mean Square value 実効値 ) 実効値は AC の電圧と電流両方の値を規定する 最も一般的で便利な値です AC 波形の実効値はその波形から得られる パワーのレベルを示すものであり AC 信号の最も重要な属性となります 実効値の計算は AC の電流波形と それによって
入門書 最近の数多くの AC 電源アプリケーションに伴う複雑な電流 / 電圧波形のため さまざまな測定上の課題が発生しています このような問題に対処する場合 基本的な測定 使用される用語 それらの関係について理解することが重要になります このアプリケーションノートではパワー測定の基本的な考え方やパワー測定において重要な 以下の用語の明確に定義します RMS(Root Mean Square value
SP8WS
GIXS でみる 液晶ディスプレイ用配向膜 日産化学工業株式会社 電子材料研究所 酒井隆宏 石津谷正英 石井秀則 遠藤秀幸 ( 財 ) 高輝度光科学研究センター 利用研究促進部門 Ⅰ 小金澤智之 広沢一郎 背景 Ⅰ ~ LCD の表示品質 ~ 液晶ディスプレイ (LCD) 一方向に揃った ( 配向した ) 液晶分子を電圧により動かすことで表示 FF 液晶分子 液晶配向と表示品質 C 電極 液晶分子の配向が乱れると表示品質が悪化
Problem P5
問題 P5 メンシュトキン反応 三級アミンとハロゲン化アルキルの間の求核置換反応はメンシュトキン反応として知られている この実験では DABCO(1,4 ジアザビシクロ [2.2.2] オクタン というアミンと臭化ベンジルの間の反応速度式を調べる N N Ph Br N N Br DABCO Ph DABCO 分子に含まれるもう片方の窒素も さらに他の臭化ベンジルと反応する可能性がある しかし この実験では
基礎化学 Ⅰ 第 5 講原子量とモル数 第 5 講原子量とモル数 1 原子量 (1) 相対質量 まず, 大きさの復習から 原子 ピンポン玉 原子の直径は, 約 1 億分の 1cm ( 第 1 講 ) 原子とピンポン玉の関係は, ピンポン玉と地球の関係と同じくらいの大きさです 地球 では, 原子 1
第 5 講原子量とモル数 1 原子量 (1) 相対質量 まず, 大きさの復習から 原子 ピンポン玉 原子の直径は, 約 1 億分の 1cm ( 第 1 講 ) 原子とピンポン玉の関係は, ピンポン玉と地球の関係と同じくらいの大きさです 地球 では, 原子 1 つの質量は? 水素原子は,0.167 10-23 g 酸素原子は,2.656 10-23 g 炭素原子は,1.993 10-23 g 原子の質量は,
s ss s ss = ε = = s ss s (3) と表される s の要素における s s = κ = κ, =,, (4) jωε jω s は複素比誘電率に相当する物理量であり ここで PML 媒質定数を次のように定義する すなわち κξ をPML 媒質の等価比誘電率 ξ をPML 媒質の
FDTD 解析法 (Matlab 版 2 次元 PML) プログラム解説 v2.11 1. 概要 FDTD 解析における吸収境界である完全整合層 (Perfectl Matched Laer, PML) の定式化とプログラミングを2 次元 TE 波について解説する PMLは異方性の損失をもつ仮想的な物質であり 侵入して来る電磁波を逃さず吸収する 通常の物質と接する界面でインピーダンスが整合しており
例 e 指数関数的に減衰する信号を h( a < + a a すると, それらのラプラス変換は, H ( ) { e } e インパルス応答が h( a < ( ただし a >, U( ) { } となるシステムにステップ信号 ( y( のラプラス変換 Y () は, Y ( ) H ( ) X (
第 週ラプラス変換 教科書 p.34~ 目標ラプラス変換の定義と意味を理解する フーリエ変換や Z 変換と並ぶ 信号解析やシステム設計における重要なツール ラプラス変換は波動現象や電気回路など様々な分野で 微分方程式を解くために利用されてきた ラプラス変換を用いることで微分方程式は代数方程式に変換される また 工学上使われる主要な関数のラプラス変換は簡単な形の関数で表されるので これを ラプラス変換表
Microsoft Word -
電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで
Microsoft PowerPoint - hiei_MasterThesis
LHC 加速器での鉛鉛衝突における中性 πおよびω 中間子測定の最適化 日栄綾子 M081043 クォーク物理学研究室 目的 概要 目的 LHC 加速器における TeV 領域の鉛鉛衝突実験における中性 π および ω 中間子の測定の実現可能性の検証 および実際の測定へ向けた最適化 何故鉛鉛衝突を利用して 何を知りたいのか中性 πおよびω 中間子測定の魅力 ALICE 実験検出器群 概要予想される統計量およびバックグランドに対するシグナルの有意性を見積もった
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します 情報機構 sample
sample リチウムイオン電池の 電気化学測定の基礎と測定 解析事例 右京良雄著 本書の購入は 下記 URL よりお願い致します http://www.johokiko.co.jp/ebook/bc140202.php 情報機構 sample はじめに リチウムイオン電池は エネルギー密度や出力密度が大きいことなどから ノートパソコンや携帯電話などの電源として あるいは HV や EV などの自動車用動力源として用いられるようになってきている
Microsoft Word - Chap17
第 7 章化学反応に対する磁場効果における三重項機構 その 7.. 節の訂正 年 7 月 日. 節 章の9ページ の赤枠に記載した説明は間違いであった事に気付いた 以下に訂正する しかし.. 式は 結果的には正しいので安心して下さい 磁場 の存在下でのT 状態のハミルトニアン は ゼーマン項 と時間に依存するスピン-スピン相互作用の項 との和となる..=7.. g S = g S z = S z g
論文の内容の要旨
論文の内容の要旨 論文題目 Superposition of macroscopically distinct states in quantum many-body systems ( 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ね合わせ ) 氏名森前智行 本論文では 量子多体系におけるマクロに異なる状態の重ねあわせを研究する 状態の重ね合わせ というのは古典論には無い量子論独特の概念であり 数学的には
スライド 0
2016 OEG セミナー 樹脂の劣化度合および劣化原因解析 2016 年 7 月 12 日 環境事業部調査分析グループ 征矢健司 Copyright 2016 Oki Engineering Co., Ltd. 目次 1. 樹脂関連解析お問合せ状況 2.FT-IRとは 測定と解析原理 FT-IRの紹介一般的な解析事例 ゴムの定性解析 積層構造の解析 マッピング解析 プラスチック製品の変色原因解析
QOBU1011_40.pdf
印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)
SPring-8ワークショップ_リガク伊藤
GI SAXS. X X X X GI-SAXS : Grazing-incidence smallangle X-ray scattering. GI-SAXS GI-SAXS GI-SAXS X X X X X GI-SAXS Q Y : Q Z : Q Y - Q Z CCD Charge-coupled device X X APD Avalanche photo diode - cps 8
2018/6/12 表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位 1. ショックレー状態 ( 準位 ) 2. タム状態 ( 準位 ) 3. 鏡像状態 ( 準位 ) 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテン
表面の電子状態 表面に局在する電子状態 表面電子状態表面準位. ショックレー状態 ( 準位. タム状態 ( 準位 3. 鏡像状態 ( 準位 4. 表面バンドのナローイング 5. 吸着子の状態密度 鏡像力によるポテンシャル 表面からzの位置の電子に働く力とポテンシャル e F z ( z z e V ( z ( Fz dz 4z e V ( z 4z ( z > ( z < のときの電子の運動を考える
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と
フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法
e - カーボンブラック Pt 触媒 プロトン導電膜 H 2 厚さ = 数 10μm H + O 2 H 2 O 拡散層 触媒層 高分子 電解質 触媒層 拡散層 マイクロポーラス層 マイクロポーラス層 ガス拡散電極バイポーラープレート ガス拡散電極バイポーラープレート 1 1~ 50nm 0.1~1
Development History and Future Design of Reduction of Pt in Catalyst Layer and Improvement of Reliability for Polymer Electrolyte Fuel Cells 6-43 400-0021 Abstract 1 2008-2008 2015 2 1 1 2 2 10 50 1 5
2009 年 11 月 16 日版 ( 久家 ) 遠地 P 波の変位波形の作成 遠地 P 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに P U () t = S()* t E()* t P() t で近似的に計算できる * は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録
遠地 波の変位波形の作成 遠地 波の変位波形 ( 変位の時間関数 ) は 波線理論をもとに U () t S() t E() t () t で近似的に計算できる は畳み込み積分 (convolution) を表す ( 付録 参照 ) ここで St () は地震の断層運動によって決まる時間関数 1 E() t は地下構造によって生じる種々の波の到着を与える時間関数 ( ここでは 直達 波とともに 震源そばの地表での反射波や変換波を与える時間関数
コロイド化学と界面化学
環境表面科学講義 http://res.tagen.tohoku.ac.jp/~liquid/mura/kogi/kaimen/ E-mail: mura@tagen.tohoku.ac.jp 村松淳司 分散と凝集 ( 平衡論的考察! 凝集! van der Waals 力による相互作用! 分散! 静電的反発力 凝集 分散! 粒子表面の電位による反発 分散と凝集 考え方! van der Waals
Microsoft PowerPoint - siryo7
. 化学反応と溶液 - 遷移状態理論と溶液論 -.. 遷移状態理論 と溶液論 7 年 5 月 5 日 衝突論と遷移状態理論の比較 + 生成物 原子どうしの反応 活性錯体 ( 遷移状態 ) は 3つの並進 つの回転の自由度をもつ (1つの振動モードは分解に相当 ) 3/ [ ( m m) T] 8 IT q q π + π tansqot 3 h h との並進分配関数 [ πmt] 3/ [ ] 3/
Application Note 光束の評価方法に関して Light Emitting Diode 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ This document contains tentative information; the contents may chang
光束の評価方法に関して 目次 1. 概要 2. 評価方法 3. 注意事項 4. まとめ 1/6 1. 概要 本書では 日亜化学工業株式会社製 LED について積分球にて光束を評価する上での評価方法と注意事項を示します 2. 評価方法 通常 LED の光束を評価する際は積分球を用いて評価を行います 積分球のサイズも数 inch クラスのものから 1inch クラスまでの様々なサイズのものがありますが
王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態
2015.02 王子計測機器株式会社 LCD における PET フィルムの虹ムラに関する実験結果 はじめに最近 PETフィルムはLCD 関連の部材として バックライトユニットの構成部材 保護シート タッチセンサーの基材等に数多く使用されています 特に 液晶セルの外側にPET フィルムが設けられる状態のとき 表示画面を偏光メガネを通して見たときに干渉色いわゆる虹ムラが発生する場合があることはよく知られています
Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx
. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は
フォルハルト法 NH SCN の標準液または KSCN の標準液を用い,Ag または Hg を直接沈殿滴定する方法 および Cl, Br, I, CN, 試料溶液に Fe SCN, S 2 を指示薬として加える 例 : Cl の逆滴定による定量 などを逆滴定する方法をいう Fe を加えた試料液に硝酸
沈殿滴定とモール法 沈殿滴定沈殿とは溶液に試薬を加えたり加熱や冷却をしたとき, 溶液から不溶性固体が分離する現象, またはその不溶性固体を沈殿という 不溶性固体は, 液底に沈んでいいても微粒子 ( コロイド ) として液中を浮遊していても沈殿と呼ばれる 沈殿滴定とは沈殿が生成あるいは消失する反応を利用した滴定のことをいう 沈殿が生成し始めた点, 沈殿の生成が完了した点, または沈殿が消失した点が滴定の終点となる
リアルタイムPCRの基礎知識
1. リアルタイム PCR の用途リアルタイム PCR 法は 遺伝子発現解析の他に SNPs タイピング 遺伝子組み換え食品の検査 ウイルスや病原菌の検出 導入遺伝子のコピー数の解析などさまざまな用途に応用されている 遺伝子発現解析のような定量解析は まさにリアルタイム PCR の得意とするところであるが プラス / マイナス判定だけの定性的な解析にもその威力を発揮する これは リアルタイム PCR
計算機シミュレーション
. 運動方程式の数値解法.. ニュートン方程式の近似速度は, 位置座標 の時間微分で, d と定義されます. これを成分で書くと, d d li li とかけます. 本来は が の極限をとらなければいけませんが, 有限の小さな値とすると 秒後の位置座標は速度を用いて, と近似できます. 同様にして, 加速度は, 速度 の時間微分で, d と定義されます. これを成分で書くと, d d li li とかけます.
木村の理論化学小ネタ 緩衝液 緩衝液とは, 酸や塩基を加えても,pH が変化しにくい性質をもつ溶液のことである A. 共役酸と共役塩基 弱酸 HA の水溶液中での電離平衡と共役酸 共役塩基 弱酸 HA の電離平衡 HA + H 3 A にお
緩衝液 緩衝液とは, 酸や塩基を加えても,pH が変化しにくい性質をもつ溶液のことである A. 酸と塩基 弱酸 HA の水溶液中での電離平衡と酸 塩基 弱酸 HA の電離平衡 HA H 3 A において, O H O ( HA H A ) HA H O H 3O A の反応に注目すれば, HA が放出した H を H O が受け取るから,HA は酸,H O は塩基である HA H O H 3O A
Microsoft PowerPoint - summer_school_for_web_ver2.pptx
スピン流で観る物理現象 大阪大学大学院理学研究科物理学専攻 新見康洋 スピントロニクスとは スピン エレクトロニクス メモリ産業と深くつなが ている メモリ産業と深くつながっている スピン ハードディスクドライブの読み取りヘッド N 電荷 -e スピンの流れ ピ の流れ スピン流 S 巨大磁気抵抗効果 ((GMR)) from http://en.wikipedia.org/wiki/disk_readand-write_head
Microsoft PowerPoint - Engmat210Y14V1pdf.ppt
第十四回目 12 非破壊検査と機器分析 生命医科学部医工学科バイオメカニクス研究室 ( 片山 田中研 ) IN116N 田中和人 E-mail: 内線 : 6408 テキスト 改訂機械材料学 P.190 12.1. 非破壊検査の意義と目的欠陥の存在を考慮して設計応力を決定 K =σ(πa) 1/2 製品の信頼性破壊力学 12.2. 放射線による非破壊検査放射線透過検査の原理 X 線,g 線, 濃淡像,
τ－→K－π－π＋ν τ崩壊における CP対称性の破れの探索
τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れの探索 奈良女子大学大学院人間文化研究科 物理科学専攻高エネルギー物理学研究室 近藤麻由 1 目次 はじめに - τ 粒子の概要 - τ - K - π - π + ν τ 崩壊における CP 対称性の破れ 実験装置 事象選別 τ - K - π - π + ν τ 崩壊の不変質量分布 CP 非対称度の解析 - モンテカルロシミュレーションによるテスト
<4D F736F F F696E74202D208C758CF FC E B82CC93C782DD95FB82C982C282A282C E378C8E8DC58F4994C5>
Kα Kα1 Kβ1,3 Lγ Lβ2,15 Kη Ll Ls 蛍光 X 線スペクトルの 読み方について 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻河合潤 1 2.1 スペクトル線の呼び方 K 殻から始まる. K 殻は1つの副殻 L 殻は3つの副殻 M 殻は5つの副殻,7 KやLは電子が1 個不足した状態を表す. L3=2p3/2に電子 3 個 = 2p3/2に空孔 1 個 K L M L M K 2 2p
Excelによる統計分析検定_知識編_小塚明_5_9章.indd
第7章57766 検定と推定 サンプリングによって得られた標本から, 母集団の統計的性質に対して推測を行うことを統計的推測といいます 本章では, 推測統計の根幹をなす仮説検定と推定の基本的な考え方について説明します 前章までの知識を用いて, 具体的な分析を行います 本章以降の知識は操作編での操作に直接関連していますので, 少し聞きなれない言葉ですが, 帰無仮説 有意水準 棄却域 などの意味を理解して,
ダンゴムシの 交替性転向反応に 関する研究 3A15 今野直輝
ダンゴムシの 交替性転向反応に 関する研究 3A15 今野直輝 1. 研究の動機 ダンゴムシには 右に曲がった後は左に 左に曲がった後は右に曲がる という交替性転向反応という習性がある 数多くの生物において この習性は見受けられるのだが なかでもダンゴムシやその仲間のワラジムシは その行動が特に顕著であるとして有名である そのため図 1のような道をダンゴムシに歩かせると 前の突き当りでどちらの方向に曲がったかを見ることによって
Microsoft PowerPoint - 多核NMRへの応用_提出版.pptx
多核 NMR の応用 ~ 19 F NMRを用いた定量分析 ~ 第 1 回定量 NMRクラブ (2012/12/4) 産業技術総合研究所計測標準研究部門有機分析科バイオディカル標準研究室山﨑太一 1 定量 19 FNMR 法の開発目的 フッ素化合物は生化学におけるスクリーニングや材料科学におけるポリマー分析等幅広く用いられている 分子構造解析や酵素活性等の速度論解析に使用 19 FNMR を用いた高精度な定量法開発は重要!
<4D F736F F D2097CA8E718CF889CA F E F E2E646F63>
量子効果デバイス第 11 回 前澤宏一 トンネル効果とフラッシュメモリ デバイスサイズの縮小縮小とトンネルトンネル効果 Si-CMOS はサイズの縮小を続けることによってその性能を伸ばしてきた チャネル長や ゲート絶縁膜の厚さ ソース ドレイン領域の深さ 電源電圧をあるルール ( これをスケーリング則という ) に従って縮小することで 高速化 低消費電力化が可能となる 集積回路の誕生以来 スケーリング側にしたがって縮小されてきたデバイスサイズは
( 全体 ) 年 1 月 8 日,2017/1/8 戸田昭彦 ( 参考 1G) 温度計の種類 1 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k B T を
( 全体 htt://home.hiroshima-u.ac.j/atoda/thermodnamics/ 9 年 月 8 日,7//8 戸田昭彦 ( 参考 G 温度計の種類 次温度計 : 熱力学温度そのものの測定が可能な温度計 どれも熱エネルギー k T を単位として決められている 9 年 月 日 ( 世界計量記念日 から, 熱力学温度 T/K の定義も熱エネルギー k T/J に基づく. 定積気体温度計
PowerPoint Presentation
半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式
横浜市環境科学研究所
周期時系列の統計解析 単回帰分析 io 8 年 3 日 周期時系列に季節調整を行わないで単回帰分析を適用すると, 回帰係数には周期成分の影響が加わる. ここでは, 周期時系列をコサイン関数モデルで近似し単回帰分析によりモデルの回帰係数を求め, 周期成分の影響を検討した. また, その結果を気温時系列に当てはめ, 課題等について考察した. 気温時系列とコサイン関数モデル第 報の結果を利用するので, その一部を再掲する.
Microsoft Word - t30_西_修正__ doc
反応速度と化学平衡 金沢工業大学基礎教育部西誠 ねらい 化学反応とは分子を構成している原子が組み換り 新しい分子構造を持つことといえます この化学反応がどのように起こるのか どのような速さでどの程度の分子が組み換るのかは 反応の種類や 濃度 温度などの条件で決まってきます そして このような反応の進行方向や速度を正確に予測するために いろいろな数学 物理的な考え方を取り入れて化学反応の理論体系が作られています
テレコンバージョンレンズの原理 ( リアコンバーター ) レンズの焦点距離を伸ばす方法として テレコンバージョンレンズ ( テレコンバーター ; 略して テレコン ) を入れる方法があります これには二つのタイプがあって 一つはレンズとカメラ本体の間に入れるタイプ ( リアコンバーター ) もう一つ
テレコンバージョンレンズの原理 ( リアコンバーター ) レンズの焦点距離を伸ばす方法として テレコンバージョンレンズ ( テレコンバーター ; 略して テレコン ) を入れる方法があります これには二つのタイプがあって 一つはレンズとカメラ本体の間に入れるタイプ ( リアコンバーター ) もう一つはレンズの前に取り付けるタイプ ( フロントコンバーター ) です 以前 フロントコンバーターについて書いたことがありました
Microsoft Word - 5章摂動法.doc
5 章摂動法 ( 次の Moller-Plesset (MP) 法のために ) // 水素原子など 電子系を除いては 原子系の Schrödiger 方程式を解析的に解くことはできない 分子系の Schrödiger 方程式の正確な数値解を求めることも困難である そこで Hartree-Fock(H-F) 法を導入した H-F 法は Schrödiger 方程式が与える全エネルギーの 99% を再現することができる優れた近似方法である
塗料の研究第147号本体.indd
Observation of Particle Materials in Wet and Dry Paints with Transmission Electron Microscope and Scanning Electron Microscope Yukiko Chitose Masami Hayashi Matoba Yabe 透過型電子顕微鏡 走査型電子顕微鏡による塗料 塗膜中の粒子成分の観察
Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 株式会社ブルービジョン 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて
Pick-up プロダクツ プリズム分光方式ラインセンサカメラ用専用レンズとその応用 当社は プリズムを使用した 3CMOS/3CCD/4CMOS/4CCD ラインセンサカメラ用に最適設計した FA 用レンズを設計 製造する専門メーカである 当社のレンズシリーズはプリズムにて発生する軸上色収差 倍率色収差を抑えた光学設計を行い 焦点距離が異なったレンズを使用しても RGB 個々の焦点位置がレンズ間で同じ位置になるよう設計されている
図 5 一次微分 図 6 コントラスト変化に伴う微分プロファイルの変化 価し, 合否判定を行う. 3. エッジ検出の原理ここでは, 一般的なエッジ検出の処理内容と, それぞれの処理におけるパラメータについて述べる. 3.1 濃度投影検出線と直交する方向に各画素をスキャンし, その濃度平均値を検出線上
The Principles of Edge Detection, and Its Application to Image Measurement/ Junichi SUGANO ヴィスコ テクノロジーズ株式会社開発本部研究部菅野純一 1. はじめに画像処理におけるエッジとは, 対象物と背景の境界点を指しており, この境界点が連なることで対象物の輪郭を形成する. 対象物の輪郭を拡大してみると, レンズボケにより明から暗または暗から明へ濃度値が連続的に変化していることがわかる.
IB-B
FIB による TEM 試料作製法 2 バルクピックアップ法 1. はじめにピックアップ法を用いた FIB による TEM 試料作製法は事前の素材加工が不要であり 試料の損失を無くすなど利点は多いが 磁性材料は観察不可能であること 薄膜加工終了後 再度 FIB に戻して追加工をすることができないこと 平面方向の観察試料作製が難しいことなど欠点もある 本解説ではこれらの欠点を克服するバルクピックアップ法を紹介する
Microsoft PowerPoint - H21生物計算化学２.ppt
演算子の行列表現 > L いま 次元ベクトル空間の基底をケットと書くことにする この基底は完全系を成すとすると 空間内の任意のケットベクトルは > > > これより 一度基底を与えてしまえば 任意のベクトルはその基底についての成分で完全に記述することができる これらの成分を列行列の形に書くと M これをベクトル の基底 { >} による行列表現という ところで 行列 A の共役 dont 行列は A
Kumamoto University Center for Multimedia and Information Technologies Lab. 熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI 宮崎県美郷
熊本大学アプリケーション実験 ~ 実環境における無線 LAN 受信電波強度を用いた位置推定手法の検討 ~ InKIAI プロジェクト @ 宮崎県美郷町 熊本大学副島慶人川村諒 1 実験の目的 従来 信号の受信電波強度 (RSSI:RecevedSgnal StrengthIndcator) により 対象の位置を推定する手法として 無線 LAN の AP(AccessPont) から受信する信号の減衰量をもとに位置を推定する手法が多く検討されている
Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]
![Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]](/thumbs/104/162320494.jpg "Microsoft PowerPoint プレゼン資料（基礎）Rev.1.ppt [互換モード]")
プレゼン資料 腐食と電気防食 本資料は当社独自の技術情報を含みますが 公開できる範囲としています より詳細な内容をご希望される場合は お問い合わせ よりご連絡願います 腐食とは何か? 金属材料は金や白金などの一部の貴金属を除き, 自然界にそのままの状態で存在するものではありません 多くは酸化物や硫化物の形で存在する鉱石から製造して得られるものです 鉄の場合は鉄鉱石を原料として精錬することにより製造されます
(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周
トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが
スライド 1
相対論的プラズマにおける PIC シミュレーションに伴う数値チェレンコフ不安定の特性ついて 宇宙物理学研究室 4 年池谷直樹 研究背景と目的 0 年 Ie Cube 国際共同実験において超高エネルギーニュートリノを検出 780Tev-5.6PeV 890TeV-8.5PeV 相互作用が殆んど起こらないため銀河磁場による軌道の湾曲が無く 正確な到来方向の情報 を得られる可能性がある ニュートリノから高エネルギー宇宙線の起源を追う
スライド 1
劣化診断技術 ビスキャスの開発した水トリー劣化診断技術について紹介します 劣化診断技術の必要性 電力ケーブルは 電力輸送という社会インフラの一端を担っており 絶縁破壊事故による電力輸送の停止は大きな影響を及ぼします 電力ケーブルが使用される環境は様々ですが 長期間 使用環境下において性能を満足する必要があります 電力ケーブルに用いられる絶縁体 (XLPE) は 使用環境にも異なりますが 経年により劣化し
EBNと疫学
推定と検定 57 ( 復習 ) 記述統計と推測統計 統計解析は大きく 2 つに分けられる 記述統計 推測統計 記述統計 観察集団の特性を示すもの 代表値 ( 平均値や中央値 ) や ばらつきの指標 ( 標準偏差など ) 図表を効果的に使う 推測統計 観察集団のデータから母集団の特性を 推定 する 平均 / 分散 / 係数値などの推定 ( 点推定 ) 点推定値のばらつきを調べる ( 区間推定 ) 検定統計量を用いた検定
構造力学Ⅰ第１２回
第 回材の座屈 (0 章 ) p.5~ ( 復習 ) モールの定理 ( 手順 ) 座屈とは 荷重により梁に生じた曲げモーメントをで除して仮想荷重と考える 座屈荷重 偏心荷重 ( 曲げと軸力 ) 断面の核 この仮想荷重に対するある点でのせん断力 たわみ角に相当する曲げモーメント たわみに相当する ( 例 ) 単純梁の支点のたわみ角 : は 図 を仮想荷重と考えたときの 点の支点反力 B は 図 を仮想荷重と考えたときのB
Microsoft PowerPoint - 01_内田 先生.pptx
平成 24 年度 SCOPE 研究開発助成成果報告会 ( 平成 22 年度採択 ) 塩害劣化した RC スラブの一例 非破壊評価を援用した港湾コンクリート構造物の塩害劣化予測手法の開発 かぶりコンクリートのはく落 大阪大学大学院鎌田敏郎佐賀大学大学院 内田慎哉 の腐食によりコンクリート表面に発生したひび割れ ( 腐食ひび割れ ) コンクリート構造物の合理的な維持管理 ( 理想 ) 開発した手法 点検
実験題吊 「加速度センサーを作ってみよう《
加速度センサーを作ってみよう 茨城工業高等専門学校専攻科 山越好太 1. 加速度センサー? 最近話題のセンサーに 加速度センサー というものがあります これは文字通り 加速度 を測るセンサーで 主に動きの検出に使われたり 地球から受ける重力加速度を測定することで傾きを測ることなどにも使われています 最近ではゲーム機をはじめ携帯電話などにも搭載されるようになってきています 2. 加速度センサーの仕組み加速度センサーにも様々な種類があります
スライド 1
表面 九州大学先導物質化学研究所宮脇仁 miyawaki@cm.kyushu-u.ac.jp 表面 1 バルク 表面 気体 ( 真空 ) 異なる組成 構造 物性 固体 液体 どこまでが表面? 表面エネルギー 考慮する物性に依る 対形成 原子配列のずれ Ref.) 表面科学入門, 丸善 (1994). 表面緩和 表面再構成 表面 2 バルク 表面 気体 ( 真空 ) 異なる組成 構造 物性 固体 液体
ÿþŸb8bn0irt
折戸の物理 スペシャル補習 http://oritobuturi.co/ NO.5(009..16) 今日の目的 : 1 物理と微分 積分について 微分方程式について学ぶ 3 近似を学ぶ 10. 以下の文を読み,[ ア ]~[ ク ] の空欄に適当な式をいれよ 物体物体に一定の大きさの力を加えたときの, 物体の運動について考え よう 右図のように, なめらかな水平面上で質量 の物体に水平に一定の大きさ
多変量解析 ~ 重回帰分析 ~ 2006 年 4 月 21 日 ( 金 ) 南慶典
多変量解析 ~ 重回帰分析 ~ 2006 年 4 月 21 日 ( 金 ) 南慶典 重回帰分析とは? 重回帰分析とは複数の説明変数から目的変数との関係性を予測 評価説明変数 ( 数量データ ) は目的変数を説明するのに有効であるか得られた関係性より未知のデータの妥当性を判断する これを重回帰分析という つまり どんなことをするのか? 1 最小 2 乗法により重回帰モデルを想定 2 自由度調整済寄与率を求め
Microsoft Word - basic_15.doc
分析の原理 15 電位差測定装置の原理と応用 概要 電位差測定法は 溶液内の目的成分の濃度 ( 活量 ) を作用電極と参照電極の起電力差から測定し 溶液中のイオン濃度や酸化還元電位の測定に利用されています また 滴定と組み合わせて当量点の決定を電極電位変化より行う電位差滴定法もあり 電気化学測定法の一つとして古くから研究 応用されています 本編では 電位差測定装置の原理を解説し その応用装置である
Microsoft PowerPoint - シミュレーション工学-2010-第1回.ppt
シミュレーション工学 ( 後半 ) 東京大学人工物工学研究センター 鈴木克幸 CA( Compter Aded geerg ) r. Jaso Lemo (SC, 98) 設計者が解析ツールを使いこなすことにより 設計の評価 設計の質の向上を図る geerg の本質の 計算機による支援 (CA CAM などより広い名前 ) 様々な汎用ソフトの登場 工業製品の設計に不可欠のツール 構造解析 流体解析
する距離を一定に保ち温度を変化させた場合のセンサーのカウント ( センサーが計測した距離 ) の変化を調べた ( 図 4) 実験で得られたセンサーの温度変化とカウント変化の一例をグラフ 1 に載せる グラフにおいて赤いデータ点がセンサーのカウント値である 計測距離一定で実験を行ったので理想的にはカウ
岡山 3.8m 新望遠鏡制御系のための多点温度計開発 京都大学理学研究科宇宙物理学教室 M1 出口和弘 1. 岡山 3.8m 新望遠鏡に使われる分割鏡のメリットと技術的ハードル我々は現在 京都大学を中心として国立天文台 岡山天体物理観測所に新技術を用いた口径 3.8m の可視 近赤外望遠鏡の建設を計画している ( 図 1) 新技術の一つとして望遠鏡の主鏡に一枚鏡ではなく 扇型のセグメントを組み合わせて一枚の円形の鏡にする分割鏡を採用している
と 測定を繰り返した時のばらつき の和が 全体のばらつき () に対して どれくらいの割合となるかがわかり 測定システムを評価することができる MSA 第 4 版スタディガイド ジャパン プレクサス (010)p.104 では % GRR の値が10% 未満であれば 一般に受容れられる測定システムと
.5 Gage R&R による解析.5.1 Gage R&Rとは Gage R&R(Gage Repeatability and Reproducibility ) とは 測定システム分析 (MSA: Measurement System Analysis) ともいわれ 測定プロセスを管理または審査するための手法である MSAでは ばらつきの大きさを 変動 という尺度で表し 測定システムのどこに原因があるのか
振動学特論火曜 1 限 TA332J 藤井康介 6 章スペクトルの平滑化 スペクトルの平滑化とはギザギザした地震波のフーリエ スペクトルやパワ スペクトルでは正確にスペクトルの山がどこにあるかはよく分からない このようなスペクトルから不純なものを取り去って 本当の性質を浮き彫
6 章スペクトルの平滑化 スペクトルの平滑化とはギザギザした地震波のフーリエ スペクトルやパワ スペクトルでは正確にスペクトルの山がどこにあるかはよく分からない このようなスペクトルから不純なものを取り去って 本当の性質を浮き彫りにするために スペクトルを滑らかにする操作のことをいう 6.1 合積のフーリエ変換スペクトルの平滑化を行う際に必要な 合積とそのフーリエ変換について説明する 6.2 データ
物薬
!ANSWERS!? HEK? 問題解説 10 THE GOAL OF THE DAY 溶解速定数に影響を及ぼす因子についてわかる 溶解速定数を計算で求められる 溶解速 固形薬物の溶解速を表す次式に関する記述の正誤について答えよ ks( ) 溶解速 ただし におけるを 固形薬品の表面積を S その溶媒に対する溶解を みかけの溶解速定数を k とする 1 この式は界面反応過程が律速であるとして導かれたものである
New Color Chemosensors for Monosaccharides Based on Azo Dyes
New olor hemoenor for Monocchride ed on zo Dye 著者 : Nicol Diere nd Joeph R. Lkowicz 雑誌 : rg.lett. 1, 3 (4), 3891-3893 紹介者 : 堀田隼 1 年 1 月 7 日 ボロン酸の性質 1 ci-ジオールと環状エステルを形成する 環状エステルを形成すると ボロン酸の酸性度が高まる btrct
Microsoft PowerPoint - H17-5時限（パターン認識）.ppt
パターン認識早稲田大学講義 平成 7 年度 独 産業技術総合研究所栗田多喜夫 赤穂昭太郎 統計的特徴抽出 パターン認識過程 特徴抽出 認識対象から何らかの特徴量を計測 抽出 する必要がある 認識に有効な情報 特徴 を抽出し 次元を縮小した効率の良い空間を構成する過程 文字認識 : スキャナ等で取り込んだ画像から文字の識別に必要な本質的な特徴のみを抽出 例 文字線の傾き 曲率 面積など 識別 与えられた未知の対象を
Microsoft PowerPoint - DigitalMedia2_3b.pptx
Contents デジタルメディア処理 2 の概要 フーリエ級数展開と 離散とその性質 周波数フィルタリング 担当 : 井尻敬 とは ( ) FourierSound.py とは ( ) FourierSound.py 横軸が時間の関数を 横軸が周波数の関数に変換する 法 声周波数 周波数 ( 係数番号 ) 後の関数は元信号に含まれる正弦波の量を す 中央に近いほど低周波, 外ほどが 周波 中央 (
<4D F736F F F696E74202D E9197BF36817A90DA92858DDC8DCC8EE68E8E97BF92B28DB8>
資料 6 接着剤化学分析等調査 目的 アンカーボルトおよび覆工コンクリートコアから接着剤を採取しア, 各種化学分析等を行い, 接着剤の性状の変化を把握したもの 平成 25 年 3 月 27 日 ( 水 ) 1 試験概要 (1) 接着剤採取による試験引抜き抵抗力試験実施箇所において 接着剤成分の劣化 変質 物性などに着目した化学分析を行う 実施機関 実施時期 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
内 容 目 次
二カ所をホチキスで止めて 黒 又は白の製本テープを裏表紙まで貼る 平成 25 年度岡山大学大学院保健学研究科博士学位申請論文 内容要旨 放射線技術科学分野黒田昌宏教授指導 734216 播本隆平成 25 年 6 月提出 1 内容目次 主論文 Influence of permittivity and electrical conductivity on image pattern of MRI (
2. 蛍光 X 線分析装置を使用した応用例 工業材料の分析評価分析が迅速及び非破壊という特徴を利用し 各種工業材料の研究開発評価や品質管理分析に用いられ 蛍光 X 線分析としては広く利用されている分野である 特に近年 RoHS 指令の検査法としてプラスティック中の有害重金属の分析方法としても取り入れ
蛍光 X 線分析装置による粉体試料中の元素の定性について 永田陽子 日影達夫 分析物質技術系はじめに : 蛍光 X 線分析法 ( 装置名 SEIKO SEA-2010) の特徴は 分析が迅速 試料準備が容易 非破壊分析 ファンダメンタルパラメーター (FP) 法を用いれば標準試料なしに半定量が可能など様々な利点が挙げられる 蛍光 X 線の強度は元素濃度に比例しているため X 線強度を測定することにより定量分析が可能であるなどがある
プランクの公式と量子化
Planck の公式と量子化 埼玉大学理学部物理学科 久保宗弘 序論 一般に 量子力学 と表現すると Schrödinger の量子力学などの 後期量子力学 を指すことが多い 本当の量子概念 には どうアプローチ? 何故 エネルギーが量子化されるか という根本的な問いにどうこたえるか? どのように 量子 の扉は叩かれたのか? 序論 統計力学 熱力学 がことの始まり 総括的な動き を表現するための学問である