fabrication_09_5.ppt

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路3回目.pptx

アナログ電 回路 3-1 電気回路で考える素 ( 能動素 ) 抵抗 コイル コンデンサ v v v 3-2 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp トランジスタ トランジスタとは? トランジスタの基本的な動作は? バイポーラトランジスタ JFET MOFET ( エンハンスメント型 デプレッション型 ) i R i L i C v Ri di v L dt i C

「リフレッシュ理科教室」テキスト執筆要領

F. 部品を集めてラジオを作ろう 電波はラジオ テレビ 携帯電話をはじめとして 宇宙通信など多くの通信に広く使われている ただし 最近のラジオは IC を使用し 動作がよくわからない ここでは 簡単な回路を用いて基本的なラジオを作る ラジオ伝送では 変調と検波と呼ばれる操作があり これを理解しておこう 1. ラジオによる音声信号の送受信 1.1 ラジオ送信の考え方 ( 変調 ) ラジオなどに利用される電波は音声に比較するとはるかに高い周波数です

Microsoft PowerPoint - H30パワエレ-3回.pptx

パワーエレクトロニクス 第三回パワー半導体デバイス 平成 30 年 4 月 25 日 授業の予定 シラバスより パワーエレクトロニクス緒論 パワーエレクトロニクスにおける基礎理論 パワー半導体デバイス (2 回 ) 整流回路 (2 回 ) 整流回路の交流側特性と他励式インバータ 交流電力制御とサイクロコンバータ 直流チョッパ DC-DC コンバータと共振形コンバータ 自励式インバータ (2 回 )

Microsoft PowerPoint - ch3

第 3 章トランジスタと応用 トランジスタは基本的には電流を増幅することができる部品である. アナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われる. 1 トランジスタの発明 トランジスタは,1948 年 6 月 30 日に AT&T ベル研究所のウォルター ブラッテン ジョン バーディーン ウィリアム ショックレーらのグループによりその発明が報告され, この功績により 1956 年にノーベル物理学賞受賞.

電子回路基礎

電子回路基礎アナログ電子回路 デジタル電子回路の基礎と応用 月曜 2 時限目教室 :D205 天野英晴 hunga@am.ics.keio.ac.jp 講義の構成 第 1 部アナログ電子回路 (4/7, 4/14, 4/21, 5/12, 5/19) 1 ダイオードの動作と回路 2 トランジスタの動作と増幅回路 3 トランジスタ増幅回路の小信号等価回路 4 演算増幅器の動作 5 演算増幅器を使った各種回路の解析

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学７.ppt

集積デバイス工学 (7 問題 追加課題 下のトランジスタが O する電圧範囲を求めよただし T, T - とする >6 問題 P 型 MOS トランジスタについて 正孔の実効移動度 μ.7[m/ s], ゲート長.[μm], ゲート幅 [μm] しきい値電圧 -., 単位面積あたりの酸化膜容量

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3.2 スイッチングの方法 1 電源の回路図表記 電源ラインの記号 GND ラインの記号 シミュレーションしない場合は 省略してよい ポイント : 実際には V CC と GND 配線が必要だが 線を描かないですっきりした表記にする 複数の電源電圧を使用する回路もあるので 電源ラインには V CC などのラベルを付ける 2 LED のスイッチング回路 LED の明るさを MCU( マイコン ) で制御する回路

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1 MOSFETの動作原理 しきい電圧 (V TH ) と制御 E 型とD 型 0 次近似によるドレイン電流解析 2 電子のエネルギーバンド図での考察 理想 MOS 構造の仮定 : シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 電子エ金属 酸化膜 シリコン (M) (O) (S) フラットバンド ネルギー熱平衡で 伝導帯 E

Microsoft PowerPoint - semi_ppt07.ppt

半導体工学第 9 回目 / OKM 1 MOSFET の動作原理 しきい電圧 (V( TH) と制御 E 型と D 型 0 次近似によるドレイン電流解析 半導体工学第 9 回目 / OKM 2 電子のエネルギーバンド図での考察 金属 (M) 酸化膜 (O) シリコン (S) 熱平衡でフラットバンド 伝導帯 E c 電子エネルギ シリコンと金属の仕事関数が等しい 界面を含む酸化膜中に余分な電荷がない

電子回路I_4.ppt

電子回路 Ⅰ 第 4 回 電子回路 Ⅰ 5 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 電界効果トランジスタ (FET) 基本構造 基本動作動作原理 静特性 電子回路 Ⅰ 5 2 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) ダイオード (2 端子素子 ) トランジスタ (3 端子素子 ) バイポーラトランジスタ (Biolar) 電界効果トランジスタ

Microsoft Word - ライントレーサー2018.docx

トランジスタとライントレースカー 作成 阪府 学太 正哉改変奈良教育 学薮哲郎最終修正 時 206.5.2 的 ライントレースカーを製作することにより 回路図の読み 各種回路素 の理解 電 作の技術を習得します 2 解説 2. トランジスタ トランジスタはさまざまな電気 電 機器の回路に搭載される最も重要な電 部品のひ とつです トランジスタは電流を増幅する機能を持っています 飽和領域で いると 電

予定　（川口担当分）

予定 ( 川口担当分 ) (1)4 月 13 日 量子力学 固体の性質の復習 (2)4 月 20 日 自由電子モデル (3)4 月 27 日 結晶中の電子 (4)5 月 11 日 半導体 (5)5 月 18 日 輸送現象 金属絶縁体転移 (6)5 月 25 日 磁性の基礎 (7)6 月 1 日 物性におけるトポロジー 今日 (5/11) の内容 ブロッホ電子の運動 電磁場中の運動 ランダウ量子化 半導体

diode_revise

2.3 pn 接合の整流作用 c 大豆生田利章 2015 1 2.3 pn 接合の整流作用 2.2 節では外部から電圧を加えないときの pn 接合について述べた. ここでは, 外部か らバイアス電圧を加えるとどのようにして電流が流れるかを電子の移動を中心に説明す る. 2.2 節では熱エネルギーの存在を考慮していなかったが, 実際には半導体のキャリアは 周囲から熱エネルギーを受け取る その結果 半導体のキャリヤのエネルギーは一定でな

第 5 章復調回路 古橋武 5.1 組み立て 5.2 理論 ダイオードの特性と復調波形 バイアス回路と復調波形 復調回路 (II) 5.3 倍電圧検波回路 倍電圧検波回路 (I) バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ ht

第 章復調回路 古橋武.1 組み立て.2 理論.2.1 ダイオードの特性と復調波形.2.2 バイアス回路と復調波形.2.3 復調回路 (II).3 倍電圧検波回路.3.1 倍電圧検波回路 (I).3.2 バイアス回路付き倍電圧検波回路 本稿の Web ページ http://mybook-pub-site.sakura.ne.jp/radio_note/index.html 1 C 4 C 4 C 6

Microsoft PowerPoint - 4.CMOSLogic.ppt

第 4 章 CMOS 論理回路 (1) CMOS インバータ 2008/11/18 広島大学岩田穆 1 抵抗負荷のインバータ V dd ( 正電源 ) R: 負荷抵抗 In Vin Out Vout n-mos 駆動トランジスタ グランド 2008/11/18 広島大学岩田穆 2 抵抗負荷のインバータ V gs I d Vds n-mos 駆動トランジスタ ドレイン電流 I d (n-mos) n-mosの特性

電子回路I_6.ppt

電子回路 Ⅰ 第 6 回 電子回路 Ⅰ 7 講義内容. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ). 基本回路 3. 増幅回路 バイポーラトランジスタの パラメータと小信号等価回路 二端子対回路 パラメータ 小信号等価回路 FET(MOFET) の基本増幅回路と等価回路 MOFET の基本増幅回路 MOFET の小信号等価回路 電子回路 Ⅰ 7 増幅回路の入出力インピーダンス 増幅度 ( 利得 )

AK XK109 答案用紙記入上の注意 : 答案用紙のマーク欄には 正答と判断したものを一つだけマークすること 第一級総合無線通信士第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 試験問題 25 問 2 時間 30 分 A 1 図に示すように 電界の強さ E V/m が一様な電界中を電荷 Q C が電界の方向

K XK9 答案用紙記入上の注意 : 答案用紙のマーク欄には 正答と判断したものを一つだけマークすること 第一級総合無線通信士第一級海上無線通信士 無線工学の基礎 試験問題 25 問 2 時間 3 分 図に示すように 電界の強さ /m が一様な電界中を電荷 Q が電界の方向に対して θ rd の角度を保って点 から点 まで m 移動した このときの電荷の仕事量 W の大きさを表す式として 正しいものを下の番号から選べ

電子回路基礎

前回はダイオードをやりましたが 今回はトランジスタ素子について学びます まず 古典的なバイポーラトランジスタを紹介します バイポーラトランジスタ または BJT は 以前はアナログ ディジタルの両方に用いられましたが 最近はほとんどアナログ回路専門で 実際はアナログ回路でも使われなくなっています しかも 電流増幅素子なんで理解が難しいし 回路構成法も難しいです しかし 最も早く発明されたのでその動作原理を知らないとバカにされてしまいますし

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電気工学講義資料 直流回路計算の基礎 ( オームの法則 抵抗の直並列接続 キルヒホッフの法則 テブナンの定理 ) オームの法則 ( 復習 ) 図 に示すような物体に電圧 V (V) の直流電源を接続すると物体には電流が流れる 物体を流れる電流 (A) は 物体に加えられる電圧の大きさに比例し 次式のように表すことができる V () これをオームの法則 ( 実験式 ) といい このときの は比例定数であり

A 5 図に示すように一次側及び二次側の巻線数がそれぞれ 及び で 巻数比 = 5 の無損失の変成器 ( 理想変成器 ) の二次 側に 8 Ω の抵抗を接続したとき 端子 から見たインピーダンスの値として 正しいものを下の番号から選べ 1 16 Ω 2 2 Ω 3 24 Ω 4 32 Ω 8 Ω :

IZ12 答案用紙記入上の注意 : 答案用紙のマーク欄には 正答と判断したものを一つだけマークすること 第二級アマチュア無線技士 無線工学 試験問題 25 問 2 時間 A 1 図に示す静電容量の等しいコンデンサ C 1 C 2 C 3 及び C 4 からなる回路に 9 V の直流電圧を加えたところ コンデンサ C 1 には 6 μc の電荷が蓄えられた 各コンデンサの静電容量の値とコンデンサ C

電子回路I_8.ppt

電子回路 Ⅰ 第 8 回 電子回路 Ⅰ 9 1 講義内容 1. 半導体素子 ( ダイオードとトランジスタ ) 2. 基本回路 3. 増幅回路 小信号増幅回路 (1) 結合増幅回路 電子回路 Ⅰ 9 2 増幅の原理 増幅度 ( 利得 ) 信号源 増幅回路 負荷 電源 電子回路 Ⅰ 9 3 増幅度と利得 ii io vi 増幅回路 vo 増幅度 v P o o o A v =,Ai =,Ap = = vi

Microsoft PowerPoint - 基礎電気理論 07回目 11月30日

基礎電気理論 7 回目 月 30 日 ( 月 ) 時限 次回授業 時間 : 月 30 日 ( 月 )( 本日 )4 時限 場所 : B-3 L,, インピーダンス教科書 58 ページから 64 ページ http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 授業評価アンケート ( 中間期評価 ) NS の授業のコミュニティに以下の項目について記入してください

Microsoft PowerPoint - 9.Analog.ppt

9 章 CMOS アナログ基本回路 1 デジタル情報とアナログ情報 アナログ情報 大きさ デジタル信号アナログ信号 デジタル情報 時間 情報処理システムにおけるアナログ技術 通信 ネットワークの高度化 無線通信, 高速ネットワーク, 光通信 ヒューマンインタフェース高度化 人間の視覚, 聴覚, 感性にせまる 脳型コンピュータの実現 テ シ タルコンヒ ュータと相補的な情報処理 省エネルギーなシステム

Microsoft PowerPoint - 集積デバイス工学５.ppt

MO プロセスフロー ( 復習 集積デバイス工学 ( の構成要素 ( 抵抗と容量 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 6 7 センター藤野毅 MO 領域 MO 領域 MO プロセスフロー ( 復習 素子分離 -well 形成 ゲート形成 拡散領域形成 絶縁膜とコンタクト形成 l 配線形成 i 膜 ウエルポリシリコン + 拡散 + 拡散コンタクト

スライド 1

アナログ検定 2014 1 アナログ検定 2014 出題意図 電子回路のアナログ的な振る舞いを原理原則に立ち返って解明できる能力 部品の特性や限界を踏まえた上で部品の性能を最大限に引き出せる能力 記憶した知識や計算でない アナログ技術を使いこなすための基本的な知識 知見 ( ナレッジ ) を問う問題 ボーデ線図などからシステムの特性を理解し 特性改善を行うための基本的な知識を問う問題 CAD や回路シミュレーションツールの限界を知った上で

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基礎電気理論 4 回目 月 8 日 ( 月 ) 共振回路, 電力教科書 4 ページから 4 ページ 期末試験の日程, 教室 試験日 : 月 4 日 ( 月 ) 時限 教室 :B-4 試験範囲 : 教科書 4ページまでの予定 http://ir.cs.yamanashi.ac.jp/~ysuzuki/kisodenki/ 特別試験 ( 予定 ) 月 5 日 ( 水 ) 学習日 月 6 日 ( 木 )

(3) E-I 特性の傾きが出力コンダクタンス である 添え字 は utput( 出力 ) を意味する (4) E-BE 特性の傾きが電圧帰還率 r である 添え字 r は rrs( 逆 ) を表す 定数の値は, トランジスタの種類によって異なるばかりでなく, 同一のトランジスタでも,I, E, 周

トランジスタ増幅回路設計入門 pyrgt y Km Ksaka 005..06. 等価回路についてトランジスタの動作は図 のように非線形なので, その動作を簡単な数式で表すことができない しかし, アナログ信号を扱う回路では, 特性グラフのの直線部分に動作点を置くので線形のパラメータにより, その動作を簡単な数式 ( 一次式 ) で表すことができる 図. パラメータトランジスタの各静特性の直線部分の傾きを数値として特性を表したものが

13 2 9

13 9 1 1.1 MOS ASIC 1.1..3.4.5.6.7 3 p 3.1 p 3. 4 MOS 4.1 MOS 4. p MOS 4.3 5 CMOS NAND NOR 5.1 5. CMOS 5.3 CMOS NAND 5.4 CMOS NOR 5.5 .1.1 伝導帯 E C 禁制帯 E g E g E v 価電子帯 図.1 半導体のエネルギー帯. 5 4 伝導帯 E C 伝導電子

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電子回路の基礎 抵抗器 コンデンサ コイル ダイオード トランジスタ 論理回路 抵抗器 ( その ) カーボン抵抗 ( 炭素皮膜抵抗 ) /8[W] /4[W] /[W] 金属被膜抵抗 ([%]) /4[W] [W] 0[W] セメント抵抗 7[W] 3[W] 集合抵抗 抵抗器 ( その ) ホーロー抵抗 (0W) 可変抵抗 チップ抵抗 抵抗の種類 固定抵抗器 可変抵抗器 炭素皮膜抵抗 炭素体抵抗

Microsoft PowerPoint - 6.memory.ppt

6 章半導体メモリ 広島大学岩田穆 1 メモリの分類 リードライトメモリ : RWM リードとライトができる ( 同程度に高速 ) リードオンリメモリ : ROM 読み出し専用メモリ, ライトできない or ライトは非常に遅い ランダムアクセスメモリ : RAM 全番地を同時間でリードライトできる SRAM (Static Random Access Memory) 高速 DRAM (Dynamic

Microsoft Word - 006_01transistor.docx

生産システム工学科 2 年後期必修 1 単位 : センシング演習基礎第 6 回 トランジスタによるスイッチング 講義の必要性 学習意義, 習得していないと困ること トランジスタには小信号用から大電力用まで多くの種類があり様々な使い方ができますが, 基本的には電流増幅として使用します. これは簡単に言うと, 入力の電流変化に対して出力が何百倍も変化することで, 入力が 1 変化すると出力は 100 の変化をすると言う事です.

Microsoft Word - TC4011BP_BF_BFT_J_P8_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4011BP,TC4011BF,TC4011BFT TC4011BP/TC4011BF/TC4011BFT Quad 2 Input NAND Gate は 2 入力の正論理 NAND ゲートです これらのゲートの出力は すべてインバータによるバッファが付加されているため 入出力特性が改善され 負荷容量の増加による伝達時間の変動が最小限に抑えられます

スライド 1

平成 30 年国家試験解答 2 トランスデューサ Transducer ( 変換器 ) ( センサ sensor) 生体などから 温度 圧力 電磁気 超音波などを検出し 別の情報 ( 抵抗や電圧 電流など ) に変換する素子 光センサ CdS 素子 光センサ 光伝導セル 硫化カドミウム CdS を使った抵抗で 光が当たると 抵抗値が小さくなる 車のヘッドライトの点灯確認装置などに利用 フォトダイオードフォトトランジスタ

2013 1 9 1 2 1.1.................................... 2 1.2................................. 4 1.3.............................. 6 1.4...................................... 8 1.5 n p................................

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第 2 章集積回路のデバイス MOSトランジスタダイオード抵抗容量インダクタンス配線 広島大学岩田穆 1 半導体とは? 電気を通す鉄 アルミニウムなどの金属は導体 電気を通さないガラス ゴムなどは絶縁体 電気を通したり, 通さなかったり, 条件によって, 導体と絶縁体の両方の性質を持つことのできる物質を半導体半導体の代表例はシリコン 電気伝導率 広島大学岩田穆 2 半導体技術で扱っている大きさ 間の大きさ一般的な技術現在研究しているところナノメートル

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある

トランジスタ回路の解析 ( 直流電源 + 交流電源 ) 交流回路 ( 小 ) 信号 直流回路 ( バイアス計算 ) 動作点 ( 増幅度の計算 ) 直流等価回路 ダイオードモデル (pnp/npn) 交流 ( 小信号 ) 等価回路 T 形等価回路 トランジスタには直流等価回路と交流等価回路がある 2.6 トランジスタの等価回路 2.6.1 トランジスタの直流等価回路 V I I D 1 D 2 α 0

ディジタル回路　第1回 ガイダンス、CMOSの基本回路

前回簡単に紹介した CMOS は nmos と pmos を相補的に接続した回路構成です 相補的とは pmos,nmos をペアにして入力を共有し pmos が直列接続のときは nmos は並列接続に pmos が並列接続のときは nmos は直列接続にする方法です 現在使われているディジタル回路の 8-9 割は CMOS です CMOS は 1980 年代から急速に発達し 毎年チップ内に格納する素子数が

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半導体の数理モデル 龍谷大学理工学部数理情報学科 T070059 田中元基 T070117 吉田朱里 指導教授 飯田晋司 目次第 5 章半導体に流れる電流 5-1: ドリフト電流 5-: 拡散電流 5-3: ホール効果第 1 章はじめに第 6 章接合の物理第 章数理モデルとは? 6-1: 接合第 3 章半導体の性質 6-: ショットキー接合とオーミック接触 3-1: 半導体とは第 7 章ダイオードとトランジスタ

Microsoft PowerPoint - 第０６章振幅変調.pptx

通信システムのモデル コミュニケーション工学 A 第 6 章アナログ変調方式 : 振幅変調 変調の種類振幅変調 () 検波出力の信号対雑音電力比 (S/N) 送信機 送信メッセージ ( 例えば音声 ) をアナログまたはディジタル電気信号に変換. 変調 : 通信路で伝送するのに適した周波数帯の信号波形へ変換. 受信機フィルタで邪魔な雑音を除去し, 処理しやすい電圧まで増幅. 復調 : もとの周波数帯の電気信号波形に変換し,

酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御

同時発表 : 筑波研究学園都市記者会 ( 資料配布 ) 文部科学記者会 ( 資料配布 ) 科学記者会 ( 資料配布 ) 酸化グラフェンのバンドギャップをその場で自在に制御 - 新規炭素系材料を用いた高性能ナノスケール素子に向けて - 配布日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 14 時解禁日時 : 平成 25 年 12 月 16 日 20 時独立行政法人物質 材料研究機構概要 1. 独立行政法人物質

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4.2 小信号パラメータ 1 電圧利得をどのように求めるか 電圧ー電流変換 入力信号の変化 dv BE I I e 1 v be の振幅から i b を求めるのは難しい? 電流増幅 電流ー電圧変換 di B di C h FE 電流と電圧の関係が指数関数になっているのが問題 (-RC), ただし RL がない場合 dv CE 出力信号の変化 2 pn 接合の非線形性への対処 I B 直流バイアスに対する抵抗

3.5 トランジスタ基本増幅回路 ベース接地基本増幅回路 C 1 C n n 2 R E p v V 2 v R E p 1 v EE 0 VCC 結合コンデンサ ベース接地基本増幅回路 V EE =0, V CC =0として交流分の回路 (C 1, C 2 により短絡 ) トランジスタ

3.4 の特性を表す諸量 入力 i 2 出力 負荷抵抗 4 端子 (2 端子対 ) 回路としての の動作量 (i) 入力インピーダンス : Z i = (ii) 電圧利得 : A v = (iii) 電流利得 : A i = (iv) 電力利得 : A p = i 2 v2 i 2 i 2 =i 2 (v) 出力インピーダンス : Z o = i 2 = 0 i 2 入力 出力 出力インピーダンスの求め方

Microsoft PowerPoint - m54583fp_j.ppt

M8FP 8-UNIT ma DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY 概要 M8FP は PNP トランジスタと NPN トランジスタで構成された 8 回路のコレクタ電流シンク形のダーリントントランジスタアレイであり 微小入力電流で大電流駆動のできる半導体集積回路です ピン接続図 ( 上面図 ) NC IN IN NC 9 O 8 O IN O 特長 高耐圧 (BCEO ) 大電流駆動

Microsoft PowerPoint _量子力学短大.pptx

. エネルギーギャップとrllouゾーン ブリルアン領域,t_8.. 周期ポテンシャル中の電子とエネルギーギャップ 簡単のため 次元に間隔 で原子が並んでいる結晶を考える 右方向に進行している電子の波は 間隔 で規則正しく並んでいる原子が作る格子によって散乱され 左向きに進行する波となる 波長 λ が の時 r の反射条件 式を満たし 両者の波が互いに強め合い 定在波を作る つまり 式 式を満たす波は

Microsoft PowerPoint - 集積回路工学(5)_ pptm

集積回路工学 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa (5MOS 論理回路の電気特性とスケーリング則 資料は松澤研のホームページ htt://c.e.titech.ac.j にあります 2009/0/4 集積回路工学 A.Matuzawa 2 インバータ回路 このようなインバータ回路をシミュレーションした 2009/0/4 集積回路工学

. 素子の定格 (rating) と絶対最大定格 (absolute maximum rating ). 定格値とは定格とは, この値で使ってください という推奨値のことで, それ以外の数値で使うと性能を発揮できなかったり破損する可能性があります. ふつうは示された定格通りの値で使用します.. 絶対

生産システム工学科 年後期必修 単位 : センシング演習基礎第 回 素子の最大定格と分圧回路の計算 講義の必要性 学習意義, 習得していないと困ること 電気回路の理論では, 例えば 5V の電源に Ω の抵抗をつなぐと.5A の電流が流れる. これは 理論 であるから, すべての素子が理想特性を持っている前提である. しなしながら, 実際には簡単に思いつくだけでも, 電源 ( 器 ) が.5A の電流を出力できるかどうか,

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部 電気電子工学科 12/08/'10 半導体電子工学 Ⅱ 1 全体の内容 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 6 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 11/24/'10 2 10 月 13 日 pn 接合ダイオード (1) 3 10 月 20 日 4 10 月 27 日 5 11 月 10 日 pn 接合ダイオード (2) pn 接合ダイオード (3)

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( 第 8 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 論理記号 5. 論理機能記号と論理記号 5.. 論理機能記号 5..2 論理記号 5..4 ダイオードによるゲート回路 5..3 論理回路の結線と論理ゲートの入出力特性 (DTL & TTL) 演習 頻度 中間試験結果 35 3 25 2 5 5 最小 3 最大 (6 名 ) 平均 74. 6 以上 86 人 (76%) 6 未満 27 人

2. コンデンサー 極板面積 S m 2, 極板間隔 d m で, 極板間の誘電率が ε F/m の平行板コンデンサー 容量 C F は C = ( )(23) 容量 C のコンデンサーの極板間に電圧をかけたとき 蓄えられる電荷 Q C Q = ( )(24) 蓄えられる静電エネルギー U J U

折戸の物理 簡単復習プリント 電磁気 1 基本事項の簡単な復習電磁気 1. 電場 クーロンの法則 電気量 q1,q2 C の電荷が距離 r m で置かれているとき働く 静電気力 F N は, クーロンの法則の比例定数を k N m 2 /s 2 として 電場 F = ( )(1) 力の向きは,q1,q2 が, 同符号の時 ( )(2) 異符号の時 ( )(3) 大きさ E V/m の電場に, 電気量

シャープ100年史：第7章

1986 1991 1 7-01 7-02 7-04 7-03 2 7-06 7-0 3 7-08 7-07 4 7-10 7-09 6 7-11 7-12 オプトデバイスのリードを支えた オンリーワン 応用製品とともに発展してきたオプトデバイス オプトデバイスとは 光学と電子工学を融合した半導体部品で 大量情報の伝達 記憶 変換を素早く 正確にでき 高度情報化社会で大きな役割を果たした 発光素子と受光素子から

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ハードウェア実験 組み込みシステム入門第 4 回 2012 年 10 月 11 日 IC TRAINER の導入 2 ブレッドボードとは何か! 手引き書 P8 半田付けせずに 簡単にリード線を差し込むだけで回路の動作を調べることができるボード! 部品挿入エリアでは ABCDE が縦に裏側で接続されている! 電源ラインでは 横に接続されている! 慣例として! 赤 : + 電源! 青 :- 電源または

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 09/01/21 半導体電子工学 II 日付内容 ( 予定 ) 備考 1 10 月 1 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 2 10 月 8 日半導体電子工学 I の基礎 ( 復習 ) 3 10 月 15 日 pn 接合ダイオード (1) 4 10 月 22 日 pn 接合ダイオード (2) 5 10 月 29 日 pn 接合ダイオード

Microsoft Word - 第９章発光デバイス＿

第 9 章発光デバイス 半導体デバイスを専門としない方たちでも EL( エレクトロルミネッセンス ) という言葉はよく耳にするのではないだろうか これは電界発光の意味で ディスプレイや LED 電球の基本的な動作原理を表す言葉でもある 半導体は我々の高度情報社会の基盤であることは言うまでもないが 情報端末と人間とのインターフェースとなるディスプレイおいても 今や半導体の技術範疇にある この章では 光を電荷注入により発することができる直接遷移半導体について学び

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 と

フィードバック ~ 様々な電子回路の性質 ~ 実験 (1) 目的実験 (1) では 非反転増幅器の増幅率や位相差が 回路を構成する抵抗値や入力信号の周波数によってどのように変わるのかを調べる 実験方法 図 1 のような自由振動回路を組み オペアンプの + 入力端子を接地したときの出力電圧 が 0 となるように半固定抵抗器を調整する ( ゼロ点調整のため ) 図 1 非反転増幅器 2010 年度版物理工学実験法

電流プローブと計測の基礎 (Tektronix 編 ) 電圧波形は違うのが当たり前 オームの法則 ( 図 1) により 電流は抵抗器によって電圧に変換することができます 電流波形を観測 するとき 電流経路に抵抗器を挿入し電圧に変換後 電圧波形として電圧プローブで観測する手法が あります この手法にお

電流プローブと計測の基礎 (Tektronix 編 ) 電圧波形は違うのが当たり前 オームの法則 ( 図 1) により 電流は抵抗器によって電圧に変換することができます 電流波形を観測 するとき 電流経路に抵抗器を挿入し電圧に変換後 電圧波形として電圧プローブで観測する手法が あります この手法において陥りやすいまちがいは 抵抗器を安易に純抵抗とみなしてしまうことで す 図 1: オームの法則 十分に低い周波数

Microsoft Word - TC4013BP_BF_J_P9_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4013BP,TC4013BF TC4013BP/TC4013BF Dual D-Type Flip Flop は 2 回路の独立な D タイプ フリップフロップです DATA 入力に加えられた入力レベルはクロックパルスの立ち上がりで Q および Q 出力に伝送されます SET 入力を H RESET 入力を L にすると Q 出力は H Q

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25

配信先 : 東北大学 宮城県政記者会 東北電力記者クラブ科学技術振興機構 文部科学記者会 科学記者会配付日時 : 平成 30 年 5 月 25 日午後 2 時 ( 日本時間 ) 解禁日時 : 平成 30 年 5 月 29 日午前 0 時 ( 日本時間 ) 報道機関各位 平成 30 年 5 月 25 日 東北大学材料科学高等研究所 (AIMR) 東北大学金属材料研究所科学技術振興機構 (JST) スピン流スイッチの動作原理を発見

TC74HC00AP/AF

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC74HC00AP,TC74HC00AF Quad 2-Input NAND Gate TC74HC00A は シリコンゲート CMOS 技術を用いた高速 CMOS 2 入力 NAND ゲートです CMOS の特長である低い消費電力で LSTTL に匹敵する高速動作を実現できます 内部回路はバッファ付きの 3 段構成であり 高い雑音余裕度と安定な出力が得られます

Taro-F25理論　印刷原稿

第 種理論 A 問題 ( 配点は 問題当たり小問各 点, 計 0 点 ) 問 次の文章は, 真空中の静電界に関する諸法則の微分形に関する記述である 文中の に当てはまるものを解答群の中から選びなさい 図のように, 直交座標系において電界の z 軸成分が零となるような電界について, y 平面の二次元で電位や電界を考える ここで,4 点 (h,0),(0,h), (- h,0),(0,-h) の電位がそれぞれ

RLC 共振回路 概要 RLC 回路は, ラジオや通信工学, 発信器などに広く使われる. この回路の目的は, 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである. 使い方には, 周波数を設定し外へ発する, 外部からの周波数に合わせて同調する, がある. このように, 周波数を扱うことから, 交流を考える

共振回路 概要 回路は ラジオや通信工学 などに広く使われる この回路の目的は 特定の周波数のときに大きな電流を得ることである 使い方には 周波数を設定し外へ発する 外部からの周波数に合わせて同調する がある このように 周波数を扱うことから 交流を考える 特に ( キャパシタ ) と ( インダクタ ) のそれぞれが 周波数によってインピーダンス *) が変わることが回路解釈の鍵になることに注目する

光変調型フォト IC S , S6809, S6846, S6986, S7136/-10, S10053 外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LE

外乱光下でも誤動作の少ない検出が可能なフォト IC 外乱光下の光同期検出用に開発されたフォトICです フォトICチップ内にフォトダイオード プリアンプ コンパレータ 発振回路 LED 駆動回路 および信号処理回路などが集積化されています 外部に赤外 LEDを接続することによって 外乱光の影響の少ない光同期検出型のフォトリフレクタやフォトインタラプタが簡単に構成できます 独自の回路設計により 外乱光許容照度が10000

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電池 Fruit Cell 自然系 ( 理科 ) コース高嶋めぐみ佐藤尚子松本絵里子 Ⅰはじめに高校の化学における電池の単元は金属元素のイオン化傾向や酸化還元反応の応用として重要な単元である また 電池は日常においても様々な場面で活用されており 生徒にとっても興味を引きやすい その一方で 通常の電池の構造はブラックボックスとなっており その原理について十分な理解をさせるのが困難な教材である そこで

Microsoft Word - 実験2_p1-12キルヒホッフ（第1７-2版）P1-12.doc

実験. テスターの使用法と直流回路. 目的オームの法則 キルヒホッフの法則について理解する テスターの基本的使用法を学ぶ. 予習課題 テスターで測定できる物理量は何か また =00Ω =400Ω 3=500Ωとしてp3435 の計算をすること オームの法則 キルヒホッフの法則について回路図を書き 説明すること 3. 理論金属のように電気をよく通す物質を導体という 導体に電圧をかけると電流が流れる 流れる電流

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応用電力変換工学舟木剛 第 5 回本日のテーマ交流 - 直流変換半端整流回路 平成 6 年 月 7 日 整流器 (cfr) とは 交流を直流に変換する 半波整流器は 交直変換半波整流回路 小電力用途 入力電源側の平均電流が零にならない あんまり使われていない 全波整流回路の基本回路 変圧器が直流偏磁しやすい 変圧器の負荷電流に直流分を含むと その直流分により 鉄心が一方向に磁化する これにより 鉄心の磁束密度の増大

年間指導計画（1A工基)

( 技術基礎 ) 対象生徒 1A 教科書 単位数 3 副教材 技術基礎 ( 実教出版 ) 数学演習計測工作 単元 学習目標 数学演習 1 2 論理回路オームの法則抵抗の直並列接続テスターの製作 に関する基礎的技術を実験 実習によって体験させ 各分野における技術への興味関心を高め の意義や役割を理解させるとともに に関する広い視野と倫理観をもっての発展を図る意欲的な態度を育てる 学習内容 評価方法 計測工作

周波数特性解析

周波数特性解析 株式会社スマートエナジー研究所 Version 1.0.0, 2018-08-03 目次 1. アナログ / デジタルの周波数特性解析................................... 1 2. 一巡周波数特性 ( 電圧フィードバック )................................... 4 2.1. 部分周波数特性解析..........................................

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パワーエレトクロニクス ( 舟木担当分 ) 第三回サイリスタ位相制御回路逆変換動作 平成 年 月 日月曜日 限目 誘導負荷 位相制御単相全波整流回路 導通期間 ( 点弧角, 消弧角 β) ~β( 正の半波について ) ~ β( 負の半波について ) β> となる時に連続導通となる» この時, 正の半波の導通期間は~» ダイオードでは常に連続導通 連続導通と不連続導通の境界を求める オン状態の微分方程式

高校卒程度技術 ( 電気 ) 専門試験問題 問 1 次の各問いに答えなさい なお 解答欄に計算式を記入し解答すること 円周率 π は 3.14 で計算すること (1)40[Ω] の抵抗に 5[A] の電流を流した時の電圧 [V] を求めなさい (2) 下の回路図においてa-b 間の合成抵抗 [Ω]

高校卒程度技術 ( 電気 ) 専門試験問題 問 1 次の各問いに答えなさい なお 解答欄に計算式を記入し解答すること 円周率 π は 3.14 で計算すること (1)40[Ω] の抵抗に 5[A] の電流を流した時の電圧 [V] を求めなさい (2) 下の回路図においてa-b 間の合成抵抗 [Ω] を求めなさい 40[Ω] 26[Ω] a b 60[Ω] (3) ある電線の直径を 3 倍にし 長さを

(Microsoft Word - \202S\211\211\216Z\221\235\225\235\212\355.docx)

4 演算増幅器と応用 目的演算増幅器 (Operatinal Amplifier 日本ではオペアンプと俗称されることがある ) は, 入力インピーダンスと増幅率が極めて大きいという優れた特性をもつアナログ型の増幅器で, 種々の機能をもつ電子回路を実現するのに用いられる応用範囲の広い要素である. 演算増幅器は, トランジスタ, ダイオード, 抵抗, コンデンサなどを複雑に組み合わせて構成されるが, 現在では,

高校電磁気学 ~ 電磁誘導編 ~ 問題演習

高校電磁気学 ~ 電磁誘導編 ~ 問題演習 問 1 磁場中を動く導体棒に関する問題 滑車 導体棒の間隔 L m a θ (1) おもりの落下速度が のとき 導体棒 a に生じる誘導起電力の 大きさを求めよ 滑車 導体棒の間隔 L m a θ 導体棒の速度 水平方向の速度 cosθ Δt の時間に回路を貫く磁束の変化 ΔΦ は ΔΦ = ΔS = LcosθΔt ΔΦ ファラデーの法則 V = N より

降圧コンバータIC のスナバ回路 : パワーマネジメント

スイッチングレギュレータシリーズ 降圧コンバータ IC では スイッチノードで多くの高周波ノイズが発生します これらの高調波ノイズを除去する手段の一つとしてスナバ回路があります このアプリケーションノートでは RC スナバ回路の設定方法について説明しています RC スナバ回路 スイッチングの 1 サイクルで合計 の損失が抵抗で発生し スイッチングの回数だけ損失が発生するので 発生する損失は となります

Microsoft PowerPoint - アナログ電子回路12回目.pptx

- 発振とは どのような現象か? - アナログ電 回路 理 学部 材料機能 学科岩 素顕 iwaya@meijo-u.ac.jp 発振回路 を いた 発振回路について理解する 晶振動 を いた 晶発振回路の原理を理解する 発振 ( 意味 ): 持続的振動を発 すること 発振回路 : 直流電源から持続した交流を作る電気回路 近な発振現象 ハウリング 発振とはどのような現象か? -3 発振とは どのような現象か?

Microsoft Word - TC4017BP_BF_J_P10_060601_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC4017BP,TC4017BF TC4017BP/TC4017BF Decade Counter/Divider は ステージの D タイプ フリップフロップより成る 進ジョンソンカウンタで 出力を 進数に変換するためのデコーダを内蔵しています CLOCK あるいは CLOCK INHIBIT 入力に印加されたカウントパルスの数により Q0~Q9

Microsoft PowerPoint - 受信機.ppt[読み取り専用]

受信機 1. 直線受信機 2. スーパヘテロダイン受信機 受信機 1.AM 受信機 DSB 受信機 SSB 受信機 2.FM 受信機 高周波増幅器 アンテナで受信した希望周波数 f s を増幅する 周波数変換回路 混合器と局部発振器からなり 高周波増幅された信号を中間周波数に変換する 局部発振器 スーパヘテロダイン受信機の局部発信周波数は受信周波数より中間周波数だけ高く ( 低く ) 設定する 混合器

TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ TLP521-1,TLP521-2,TLP521-4 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信

東芝フォトカプラ赤外 LED + フォトトランジスタ 電子計算機の I / O インタフェース システム機器や計測器のノイズカット 各種コントローラ 複写機 自動販売機 電位が異なる回路間の信号伝達 単位 : mm TLP521 シリーズは GaAs 赤外 LED とシリコンフォトトランジスタを組 み合わせた高密度実装タイプのフォトカプラです TLP521 1 DIP 4 ピン 1 回路 TLP521

スライド 1

パワーエレクトロニクス工学論 10. 各種シングル インダクタデュアル アウトプット (SIDO) 電源 10-1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 10-2 リプル制御 SIDO 電源 10-3 ZVS-PWM 制御 SIDO 電源 10-4 ソフトスイッチングSIDO 電源 SIDO: Single Inductor Dual Output H28 群馬大学大学院講義パワーエレクトロニクス工学論

スライド 1

パワーエレクトロニクス工学論 10. 各種シングル インダクタデュアル アウトプット (SIDO) 電源 10-1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 10-2 リプル制御 SIDO 電源 10-3 ZVS-PWM 制御 SIDO 電源 10-4 ソフトスイッチングSIDO 電源 SIDO: Single Inductor Dual Output 10-1 10.1 降圧形 昇圧形 SIDO 電源 (1)

Hanako-RMSeminar_No04.jhd

仙台市 / 仙台市産業振興事業団ロボット博士の基礎からのメカトロニクスセミナー C4/Rev 1.1 第 4 回 アナログ信号の基礎 仙台市地域連携フェロー熊谷正朗 kumagai@tjcc.tohoku-gakuin.ac.jp 東北学院大学工学部ロボット開発工学研究室 RDE 今回の目的 アナログ信号の基礎テーマ1: アナログを触る基礎知識 抵抗 / コンデンサ / コイルと基本法則 テーマ2:

アクティブフィルタ テスト容易化設計

発振を利用したアナログフィルタの テスト 調整 群馬大学工学部電気電子工学科高橋洋介林海軍小林春夫小室貴紀高井伸和 発表内容. 研究背景と目的. 提案回路 3. 題材に利用したアクティブフィルタ 4. 提案する発振によるテスト方法 AG( 自動利得制御 ) バンドパス出力の帰還による発振 3ローパス出力の帰還による発振 4ハイパス出力の帰還による発振. 結果 6. まとめ 発表内容. 研究背景と目的.

第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門 上級編 ダイオードは二極菅という真空管だった 図1 ダイオードの起源は二極菅という真空管 プレート アノード ダイオードは もともと図1に示す 二極菅 と呼ばれる真空管のことを指しました この二極菅の特許も かのエジソン

6 太陽電池のための半導体デバイス入門 ( 上級編 ) 太陽電池は pn 接合ダイオードという半導体デバイスが基本です そのため 太陽電池をきちんと理解するには 半導体デバイスの基礎知識が必要になります ここでは 第 5 章で取り上げたバンド描像による半導体物性の基礎知識を生かして 半導体デバイスの基礎を手ほどきします 第6章 072 太陽電池はダイオードの一種 太陽電池のための半導体デバイス入門

正転時とは反対に回転する これが逆転である 図 2(d) の様に 4 つのスイッチ全てが OFF の場合 DC モータには電流が流れず 停止する ただし 元々 DC モータが回転していた場合は 惰性でしばらく回転を続ける 図 2(e) の様に SW2 と SW4 を ON SW1 と SW3 を O

コンピュータ工学講義プリント (1 月 29 日 ) 今回は TA7257P というモータ制御 IC を使って DC モータを制御する方法について学ぶ DC モータの仕組み DC モータは直流の電源を接続すると回転するモータである 回転数やトルク ( 回転させる力 ) は 電源電圧で調整でき 電源の極性を入れ替えると 逆回転するなどの特徴がある 図 1 に DC モータの仕組みを示す DC モータは

音質改善 DSP ラジオの音声信号出力はヘッドホンをある程度駆動できます しかし大音量で駆動することはできません 音割れを起こすことがあります ヘッドホンアンプを追加すれば音割れしません 同様にスピーカーを接続するときにもアンプが必要です FM のノイズ改善 FM 受信時 無音の場合に 非常に小さな

はじめに DSP ラジオキットはダイレクトコンバージョン方式の AM/FM ラジオです ハードウェアの調整箇所はありません 一見 改造の余地は残されていないように思われますが いくつか例を挙げて解説します ソフトウェアを改良し ファームウェアを書き換えることができます 製品紹介のページ http://bit-trade-one.co.jp/product/assemblydisk/ad00024/

Microsoft PowerPoint - MEpractice10.ppt [互換モード]

抵抗器の実験 抵抗 CdS 電池 テスターを使って オームの法則 キルヒホッフの法則 ブリッジ回路を理解する 用意するもの ラグ板 電池 配線コード グ 数本 抵抗 １本４円 1ｋΩ ３本 １０ｋΩ ３本 １０ｋΩ 1本 １００ｋΩ 1本 １００ｋΩ １本 １本 可変抵抗 20kΩボリューム 100円 CdS １本 120円 テスター デジタルマルチメータ 9800円 テスターは 電池で作動している

アナログ回路 I 参考資料 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用

アナログ回路 I 参考資料 2014.04.27 版 LTspice を用いたアナログ回路 I の再現 第 2 回目の内容 電通大 先進理工 坂本克好 [ 目的と内容について ] この文章の目的は 電気通信大学 先進理工学科におけるアナログ回路 I の第二回目の実験内容について LTspice を用いて再現することである 従って LTspice の使用方法などの詳細は 各自で調査する必要があります

Microsoft Word - TC4538BP_BF_J_2002_040917_.doc

東芝 CMOS デジタル集積回路シリコンモノリシック TC438BP,TC438BF TC438BP/TC438BF Dual Precision Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator は リトリガ動作 リセット動作の可能な単安定マルチバイブレータでトリガは A B 2 つの入力により立ち上がり および立ち下がりのどちらでも行うこともできます

フロントエンド IC 付光センサ S CR S CR 各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています

各種光量の検出に適した小型 APD Si APD とプリアンプを一体化した小型光デバイスです 外乱光の影響を低減するための DC フィードバック回路を内蔵していま す また 優れたノイズ特性 周波数特性を実現しています なお 本製品の評価キットを用意しています 詳細については 当社 営業までお問い合わせください 特長 高速応答 増倍率 2 段階切替機能 (Low ゲイン : シングル出力, High

交流 のための三角関数 1. 次の変数 t についての関数を微分しなさい ただし A および ω は定数とする 1 f(t) = sin t 2 f(t) = A sin t 3 f(t) = A sinωt 4 f(t) = A cosωt 2. 次の変数 t についての関数を積分しなさい ただし

交流 のための三角関数 1. 次の変数 t についての関数を微分しなさい ただし A および ω は定数とする 1 f(t) = sin t 2 f(t) = A sin t 3 f(t) = A sinωt 4 f(t) = A cosωt 2. 次の変数 t についての関数を積分しなさい ただし 積分定数を 0 とすること 1 f(t) = sin t 2 f(t) = A sin t 3 f(t)

名称 型名 SiC ゲートドライバー SDM1810 仕様書 適用 本仕様書は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー SDM1810 について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET

1 1. 適用 本は SiC-MOSFET 一体取付形 2 回路ゲートドライバー について適用いたします 2. 概要本ドライバーは ROHM 社製 2ch 入り 180A/1200V クラス SiC-MOSFET パワーモジュール BSM180D12P2C101 に直接実装できる形状で SiC-MOSFET のゲート駆動回路と DC-DC コンバータを 1 ユニット化したものです SiC-MOSFET

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第二種 電気工事士 筆記試験編 2 3 4 5 6 7 8 9 0 2 3 4 5 6 7 8 9 20 2 22 電気の正体 オームの法則 ていこうりつ抵抗率 抵抗の直列接続と並列接続 電力と電力量 熱量 ( ジュール熱 ) 交流電圧 電流 コイルとコンデンサ リアクタンス RLC 直列回路 RLC 並列回路 りきりつ交流の電力と力率 さんそうこうりゅう三相交流 配電理論と配線設計 でんあつこうかでんりょくそんしつ単相

教師の持つ指導ポイント 評価規準 中国地方の送電線網の図を利用し, 発電所からの電力を消費地に届けていることを示す その際, 送電の途中では, 電線の抵抗のために電線が発熱して電気エネルギーが損失することを, 本単元の内容をもとに考察させる ( 自然事象への関心 意欲 態度 ) エネルギーは変換の際

理科中学 2 年生 ( 発電と送電 ~ 電気を効率よく届けるために ~) 単元計画 構成 提案項目 実施時期 6 月ごろ ( 学校によって異なる ) キーワード 電磁誘導, 発電, 直流と交流, 送電 エネルギー教育実践パイロット校 4 つの課題との関連 単元計画 構成 ( 全 3 時間 ) 他の単元との連関 子どもが獲得する見方や考え方 教師の持つ指導ポイント 内容 B-2 温室効果ガスの排出削減のためには

開発の社会的背景 パワーデバイスは 電気機器の電力制御に不可欠な半導体デバイスであり インバーターの普及に伴い省エネルギー技術の基盤となっている 最近では高電圧 大電流動作が技術的に可能になり ハイブリッド自動車のモーター駆動にも使われるなど急速に普及し 市場規模は 2 兆円に及ぶといわれる パワー

ダイヤモンドパワーデバイスの高速 高温動作を実証 - 次世代半導体材料としての優位性を確認 - 平成 22 年 9 月 8 日独立行政法人産業技術総合研究所国立大学法人大阪大学 ポイント ダイヤモンドダイオードを用いたパワーデバイス用整流素子の動作を世界で初めて確認 高速かつ低損失の動作を確認でき 将来の実用化に期待 将来のパワーデバイスとして省エネルギー効果に期待 概要 独立行政法人産業技術総合研究所

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半導体電子工学 II 神戸大学工学部電気電子工学科 小川真人 11//'11 1 1. 復習 : 基本方程式 キャリア密度の式フェルミレベルの位置の計算ポアソン方程式電流密度の式 連続の式 ( 再結合 ). 接合. 接合の形成 b. 接合中のキャリア密度分布 c. 拡散電位. 空乏層幅 e. 電流 - 電圧特性 本日の内容 11//'11 基本方程式 ポアソン方程式 x x x 電子 正孔 キャリア密度の式

電気基礎

電気基礎 Ⅰ 1. 電流 電圧 電力 2. オームの法則 直流回路 3. 抵抗の性質 4. キルヒホッフの法則 5. 電力 6. 磁気の性質 7. 電流の磁気作用 8. 鉄の磁化 9. 磁気と電流の間に働く力 10. 電磁誘導作用とインダクタンス 11. 静電気の性質 12. 静電容量とコンデンサ 参考文献 : 新編電気理論 Ⅰ [ 東京電機大学出版局 ] 1. 電流 電圧 電力. 電荷の電気量電荷の持っている電気の量を電荷量といい

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実験 No 電気回路の応答 交流回路とインピーダンスの計測 平成 26 年 4 月 担当教員 : 三宅 T A : 許斐 (M2) 齋藤 (M) 目的 2 世紀の社会において 電気エネルギーの占める割合は増加の一途をたどっている このような電気エネルギーを制御して使いこなすには その基礎となる電気回路をまず理解する必要がある 本実験の目的は 電気回路の基礎特性について 実験 計測を通じて理解を深めることである

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC TLP250 TLP250 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm TLP250 は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光

暫定資料 東芝フォトカプラ GaAlAs LED + フォト IC 汎用インバータ エアコン用インバータ パワー MOS FET のゲートドライブ IGBT のゲートドライブ 単位 : mm は GaAlAs 赤外発光ダイオードと 高利得 高速の集積回路受光チップを組み合せた 8PIN DIP のフォトカプラです は IGBT およびパワー MOS FET のゲート駆動用に適しています 入力しきい値電流

ＶＬＳＩ工学

25/1/18 計算機論理設計 A.Matsuzawa 1 計算機論理設計 (A) (Computer Logic Design (A)) 東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻 松澤昭 3. フリップフロップ回路とその応用 25/1/18 計算機論理設計 A.Matsuzawa 2 25/1/18 計算機論理設計 A.Matsuzawa 3 注意 この教科書では記憶回路を全てフリップフロップと説明している

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( 第 5 回 ) 鹿間信介摂南大学理工学部電気電子工学科 後半部 (4~5 章 ) のまとめ 4. 導体 4.3 誘電体 5. 磁性体 5. 電気抵抗 演習 導体表面の電界強度 () 外部電界があっても導体内部の電界は ( ゼロ ) になる () 導体の電位は一定 () 導体表面は等電位面 (3) 導体表面の電界は導体に垂直 導体表面と平行な成分があると, 導体表面の電子が移動 導体表面の電界は不連続

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第 7 章デジタル演算回路 1 デジタル信号処理音声, 音楽, 通信信号 信号 = 符号付き 2 進データ 負の数値の表現方法 2 2 進数 n ビット n-1 =Σb i 2 i 0 2 の補数 +=2 n n-1 n-1 2 n =1+Σb i 2 i +Σb i 2 i 0 0 n-1 =2 n ー =1+Σb i 2 i 0 3 2 進数の補数 2 の補数 各桁のビットを反転した後で最下位に

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2-1 情報デバイス工学特論 第 2 回 MOT の基本特性 最初に半導体の電子状態について復習 2-2 i 結晶 エネルギー 分子の形成 2-3 原子 エネルギー 反結合状態結合状態反結合状態 分子 結合状態 波動関数.4 電子のエネルギー.3.2.1 -.1 -.2 結合エネルギー 反結合状態 2 4 6 8 結合状態 原子間の距離 ボンド長 結晶における電子のエネルギー 2-4 原子間距離大

QOBU1011_40.pdf

印字データ名 ＱＯＢＵ1 0 1 1 (1165) コメント 研究紹介 片山 作成日時 07.10.04 19:33 図 2 (a )センサー素子の外観 (b )センサー基板 色の濃い部分が Pt 形電極 幅 50μm, 間隔 50μm (c ),(d )単層ナノ チューブ薄膜の SEM 像 (c )Al O 基板上, (d )Pt 電極との境 界 熱 CVD 条件 触媒金属 Fe(0.5nm)/Al(5nm)