走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) Principle and Application of Scanning Electron Microscope/Syunya WATANABE 日立ハイテクノロジーズグローバルアプリケーションセンタ渡邉俊哉 1. はじめに走査電子顕微鏡 (Sca

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ひできのしろ
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1 走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) Principl and Application of Scanning Elctron icroscop/syunya WATANABE 日立ハイテクノロジーズグローバルアプリケーションセンタ渡邉俊哉 1. はじめに走査電子顕微鏡 (Scanning Elctron icroscop : SE) はナノテクノロジーからバイオテクノロジーまで幅広い分野で活用されている. これは, サブナノメータに迫る分解能が実現されたことに加え, 測定ニーズの多様化に対応してさまざまな信号を利用した観察手法が確立されつつあることによる. 本稿では,SE の原理,SE 観察の注意点と最近の SE を用いた応用例を紹介する. 角度に依存するため, 試料の表面凹凸が SE 像のコントラストを決める主な要因となる. BSE は, 入射電子が試料内部で相互作用を起したあとに後方散乱して真空中に放出された電子であり, 主に組成情報を有する. その保有エネルギーおよび放出領域は入射電子エネルギーに比例し, 高加速電圧ほどより深い領域の情報を有する. 従来は検出器の特性からある程度高い加速電圧 ( 数 kv 以上 ) が必要であったため,SE に比べて表面情報を得ることは困難であった. しかし, 近年では新し 2. 走査電子顕微鏡の原理と構造 2.1 SE の原理 SE は, 電子源から発生した電子線を試料上に二次元走査して, そこから発生した信号を結像して画像を取得する ( 図 1). このとき, 試料からは二次電子 (Scondary Elctron : SE), 後方散乱電子 (Backscattrd Elctron : BSE),X 線, 蛍光, 吸収電子などの信号が発生する ( 図 2).SE では主に表面情報を有する SE や組成情報を有する BSE を像情報形成に用いる. SE は入射電子によって試料内部の電子が励起されたものであり, その保有エネルギーは入射電子のエネルギーに関係なく数十 V 以下と低い. そのため SE の発生深さは 10 nm 程度と浅く, したがって SE は試料表面情報をもたらす. さらに図 3に示すように SE 放出効率は試料の傾斜図 2 電子線照射により試料から発生する信号図 1 SE の構造図図 3 電子線の入射角度と二次電子放出効率精密工学会誌 Vol.77, No.11,

走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) 図 4 (a)se 像 (b)bse 像各種信号による観察 ( 試料 : 白金触媒粒子, 加速電圧 :2kV, 測定倍率 : 250000) 図 6 光学顕微鏡と SE の焦点深度の違い図 5 電子線の走査幅と倍率

(a)SE 像では, 保持材となる数十 nm の炭素粒子の形態とその上に分散している数 nm 以下の白金粒子が確認されている.(b)BSE 像では組成情報が強調されるため, 炭素より原子番号の大きい白金粒子がより鮮明に観察できており, 分散状態の把握も可能である.

さらに, この細く絞った電子線は, 試料照射時の照射角度が非常に小さく, 光学顕微鏡に較べ深い焦点深度をもつ ( 図 6). SE の到達分解能は, 電子銃と対物レンズの組み合わせによって異なる ( 電子銃とレンズについては後述 ).

熱電子放出型電子銃はアウトレンズ方式の対物レンズと組み合わされて熱電子銃型 SE と呼ばれ, アウトレンズ方式 FE-SE とともにミクロンオーダの試料観察に用いられる.

ここで, 各方式の到達分解能に対応する観察倍率で表すと, 熱電子放出型 SE は数万倍程度まで, アウトレンズ方式 FE-SE は10 万倍程度まで, シュノーケルレンズ方式 FE-SE は 30 万倍程度まで, インレンズ方式 FE-SE は 50

2 走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) 図 4 (a)se 像 (b)bse 像各種信号による観察 ( 試料 : 白金触媒粒子, 加速電圧 :2kV, 測定倍率 : ) 図 6 光学顕微鏡と SE の焦点深度の違い図 5 電子線の走査幅と倍率い検出方式が開発されてより低加速電圧での BSE 像観察が実現し, 試料表面の組成情報が得られるようになった 1). 図 4は, 自動車排気ガスの浄化装置や燃料電池の触媒材料として利用されている白金触媒粒子を加速電圧 2 kv にて SE と BSE で観察した例である.(a)SE 像では, 保持材となる数十 nm の炭素粒子の形態とその上に分散している数 nm 以下の白金粒子が確認されている.(b)BSE 像では組成情報が強調されるため, 炭素より原子番号の大きい白金粒子がより鮮明に観察できており, 分散状態の把握も可能である. SE 像の倍率は, 試料表面での電子線走査幅を L 2, 表示ディスプレイ上の幅を L 1 とすると L 1/L 2 となる ( 図 5). よって SE の分解能は, 試料表面の走査幅を小さくするためにどれだけ細い電子線をつくれるかに依存する 1). さらに, この細く絞った電子線は, 試料照射時の照射角度が非常に小さく, 光学顕微鏡に較べ深い焦点深度をもつ ( 図 6). SE の到達分解能は, 電子銃と対物レンズの組み合わせによって異なる ( 電子銃とレンズについては後述 ). この分解能は, 値が小さいほど高分解能で高倍率の測定が可能となる. 図 7は主な SE についてその到達分解能の算出例である. 熱電子放出型電子銃はアウトレンズ方式の対物レンズと組み合わされて熱電子銃型 SE と呼ばれ, アウトレンズ方式 FE-SE とともにミクロンオーダの試料観察に用いられる. 一方, サブミクロンオーダ以下の観察にはシュノーケルレンズ方式 FE-SE やインレンズ方式図 7 一般的な SE の到達分解能 FE-SE が適している. ここで, 各方式の到達分解能に対応する観察倍率で表すと, 熱電子放出型 SE は数万倍程度まで, アウトレンズ方式 FE-SE は10 万倍程度まで, シュノーケルレンズ方式 FE-SE は 30 万倍程度まで, インレンズ方式 FE-SE は 50 万倍程度まで観察可能である. 2.2 SE の構造一般的な SE の構造は図 1 に示したとおりである. 装置内部は, 電子線の通過を妨げないように, 全体を真空ポンプにより排気され, 高真空に保たれている. 電子銃と対物レンズは SE の分解能を決定する重要な構成要素であり, 製品化以来さまざまな改良が加えられてきた 2) 5). 次章でこれらの技術的な内容を述べる. 1 電子銃電子線は電子銃によりつくられる.SE の電子銃は, 熱電子放出型と電界放出 (Fild Emission : FE) 型に大別される. その比較を表 1に示す. 熱電子放出型電子銃は, フィラメントに通電, 加熱することにより, 先端部から熱電子を放出するタイプの電子銃である. コストパフォーマ 1022 精密工学会誌 Vol.77, No.11, 2011

走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) ンスに優れており, かつ大きなプローブ電流を得られることから主として汎用形の SE で利用されている. 一方, FE 電子銃は, 細く尖らせたチップの先端に強い電界を作用させて, トンネル効果により電子を放出させる.

2レンズ系電子顕微鏡に用いられるレンズには, 通常の光学レンズと異なり, 電子線に対してレンズの作用をする, いわゆる電子レンズが用いられている. 一般的には磁界を用いたものが主流で, コイルに電流を流してその磁場を集中させレンズ作用を発生させるものである.

表 1 電子銃の比較電子銃の種類熱電子放出型電界放出型構造電子源の大きさ 30 mm 5 nm 輝度 (A/cm 3 sr) 10 6 10 9 エネルギー幅 (V) 2 0.

(b) に示すインレンズ方式はインレンズ SE 6) に用いられる強励磁対物レンズである. このレンズは試料サイズが数 mm 角に制約を受ける反面, 高分解能観察に用いられる. また SE はレンズ磁場により巻き上げられ, レンズ上方に配置した SE 検出器で捕集される.

SE 観察における注意点 3.1 観察試料ついて SE では, さまざまな試料の表面観察が可能だが, 試料状況に応じて観察装置 / 観察条件 / 前処理などの選択が必要となる. ここでは配慮を要する試料に対する必要条件や注意点について述べる.

3 走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) ンスに優れており, かつ大きなプローブ電流を得られることから主として汎用形の SE で利用されている. 一方, FE 電子銃は, 細く尖らせたチップの先端に強い電界を作用させて, トンネル効果により電子を放出させる. この FE 電子銃は電子源の大きさが小さく, かつ高輝度でエネルギー幅も小さいことから高分解能観察に適している. この他にも FE 電子銃と熱電子銃の中間的な特徴をもつ Schottky Emission 型電子銃があり, 組成や結晶方位解析などの分析を主目的とする SE に利用されている. 2レンズ系電子顕微鏡に用いられるレンズには, 通常の光学レンズと異なり, 電子線に対してレンズの作用をする, いわゆる電子レンズが用いられている. 一般的には磁界を用いたものが主流で, コイルに電流を流してその磁場を集中させレンズ作用を発生させるものである.SE では, このレンズを複数用いており, 特に対物レンズは電子線を試料上に収束させる最終レンズとして重要な役割を担っている. 代表的な SEの対物レンズを図 8に示す. 図中の仮想レンズとは, 磁場が集中したレンズ作用をする領域である. 表 1 電子銃の比較電子銃の種類熱電子放出型電界放出型構造電子源の大きさ 30 mm 5 nm 輝度 (A/cm 3 sr) エネルギー幅 (V) 陰極温度 ( ) 2500 室温使用圧力 (Pa) 以下寿命 50 hr 1 年以上 (a) は最も一般的な対物レンズでアウトレンズ方式と呼ばれる. 試料はレンズの下方に置かれ,SE はレンズ下面と試料の間にある検出器で捕集される. このレンズは大形試料や磁性をもつ試料の観察に適する.(b) に示すインレンズ方式はインレンズ SE 6) に用いられる強励磁対物レンズである. このレンズは試料サイズが数 mm 角に制約を受ける反面, 高分解能観察に用いられる. また SE はレンズ磁場により巻き上げられ, レンズ上方に配置した SE 検出器で捕集される.(c) はシュノーケルレンズ ( セミイ 7) ンレンズ ) 方式で, 仮想レンズを試料側に近づけることにより, インレンズ並みの高分解能化とアウトレンズ並みの大形試料観察を両立させたものである. また, ここで取り上げた対物レンズ方式以外にも, 静電界レンズと磁界レンズを組み合わせた静電界磁界複合方式なども存在する. 3.SE 観察における注意点 3.1 観察試料ついて SE では, さまざまな試料の表面観察が可能だが, 試料状況に応じて観察装置 / 観察条件 / 前処理などの選択が必要となる. ここでは配慮を要する試料に対する必要条件や注意点について述べる. 1 絶縁性試料絶縁性試料を SE で観察すると, 試料表面への帯電による異常コントラストや画像の乱れを生じる帯電現象が発生する. 特に SE 像は帯電の影響を受けやすい. 図 9に帯電現象の発生メカニズムを示す. 導電性試料の場合, 試料に入る電流 (I in) と試料から出る電流 (I out) は同じであり帯電現象は生じない. これは,SE 電流 (I s) と BSE 電流 (I bs) の電流量の過不足を吸収電流 (I ab) が導電性試料を通じて平衡となるよう調整できるためである. 一方, 絶縁性試料においては,I ab が流れないため,I in と I out の平衡が崩れて帯電現象を生じる. その低減法として低加速電圧観察, 低真空観察, 試料表面の金属コーティングなどが挙げられる. (a) アウトレンズ方式 (b) インレンズ方式 (c) シュノーケルレンズ ( セミインレンズ ) 方式図 8 SE の代表的な対物レンズ図 9 帯電現象の発生メカニズム精密工学会誌 Vol.77, No.11,

走査電子顕微鏡の原理と応用観察分析入射電子線 a b c d 対物レンズ帯電中和低真空雰囲気数十 Pa 数百 Pa 図 10 反射電子検出器試料絶縁物電子残留ガスプラスイオン低真空観察による帯電軽減効果 a 4 素子の信号を加算した SE 像 b 256 階調の等高線表示 c ラインプロファイル d 3 次元構築像 3 次元構築像 d を 180 度回転 1

帯電の軽減が可能となる図 11 3 次元計測例試料ポリスチレン破面加速電圧 10 kv 測定倍率 200 試料室圧力 30 Pa 2 低真空観察通常 SE の試料室は 10 3 10 4 Pa の高真空状態でだ切削金属くずのような試料はろ紙上に保持してそのまあるがこれを数十数百 Pa の低真空状態にすることでま観察や分析が可能である生物試料の場合は低真空で

試料表面が負に帯電が必要である磁性試料が磁界強度の強い仮想レンズ部 I in I out であればプラスイオンが帯電部に引き付けら図 8 参照に近いほど試料が磁化され電子線の調整がれ中和することができ逆に正に帯電 I in I out で困難になるまた磁界の影響を受けやすいサイズの大きいあれば電子が引き付けられ中和することができるま試料では

レンズの位置がもともと離れているアウトレンズ方式の定が可能である SE を用いるかシュノーケルレンズ方式の SE で作 3 金属コーティング動距離 WD/ワーキングディスタンスレンズ下面と試金属コーティングは試料表面に金属被膜を形成して導料表面との距離を試料交換位置かそれより長い状態で電性を保持させ帯電を防止するもので最も一般的であ使用すれば対応可能であるまた

4 走査電子顕微鏡の原理と応用観察分析入射電子線 a b c d 対物レンズ帯電中和低真空雰囲気数十 Pa 数百 Pa 図 10 反射電子検出器試料絶縁物電子残留ガスプラスイオン低真空観察による帯電軽減効果 a 4 素子の信号を加算した SE 像 b 256 階調の等高線表示 c ラインプロファイル d 3 次元構築像 3 次元構築像 d を 180 度回転 1 低加速電圧観察一般的な試料の観察では I in I out となるさらに I s I bs であることから I s が増加することで I in と I out の平衡を保ち帯電現象を軽減する結果となる SE の発生効率は低加速電圧 1 kv 付近にピークをもつ試料が多くそのために低加速電圧観察することで SE 発生量 I s が増加し帯電の軽減が可能となる図 11 3 次元計測例試料ポリスチレン破面加速電圧 10 kv 測定倍率 200 試料室圧力 30 Pa 2 低真空観察通常 SE の試料室は Pa の高真空状態でだ切削金属くずのような試料はろ紙上に保持してそのまあるがこれを数十数百 Pa の低真空状態にすることでま観察や分析が可能である生物試料の場合は低真空で帯電を軽減することができる図 10 は低真空観察によも観察するための前処理が必要であるが最近は簡易卓上る帯電軽減効果の模式図である低真空とは残留ガス分 SE も活用されている子が多く存在する状態であり図のように入射電子や反射 ③ 磁性試料電子がガス分子に衝突することでイオン化してプラスイオ磁性試料の観察は磁界レンズを用いる SE では注意ンと電子を発生させるこのとき試料表面が負に帯電が必要である磁性試料が磁界強度の強い仮想レンズ部 I in I out であればプラスイオンが帯電部に引き付けら図 8 参照に近いほど試料が磁化され電子線の調整がれ中和することができ逆に正に帯電 I in I out で困難になるまた磁界の影響を受けやすいサイズの大きいあれば電子が引き付けられ中和することができるま試料では試料台から外れてレンズ部に吸い付いてしまうた低真空観察では残留ガスの影響を受けにくい BSE 信可能性も生じるこれらを回避するためには仮想レンズ号を使用するのが一般的であるこの機能は一部の部と試料間の距離を遠ざける必要があるそれには仮想 SE で実現可能であり高真空と低真空を使い分けた測レンズの位置がもともと離れているアウトレンズ方式の定が可能である SE を用いるかシュノーケルレンズ方式の SE で作 3 金属コーティング動距離 WD/ワーキングディスタンスレンズ下面と試金属コーティングは試料表面に金属被膜を形成して導料表面との距離を試料交換位置かそれより長い状態で電性を保持させ帯電を防止するもので最も一般的であ使用すれば対応可能であるまた試料台から外れないよる過度のコーティングは試料表面を覆い構造を消失さう固定を強固にするために機械的なねじ止めや瞬間接着せてしまうことになるので注意が必要であるまた適度剤による固定なども必要であるな膜厚 1 nm 数 nm コーティングを実施した場合で 4 応も金コーティングなら 2 3 万倍白金コーティングな用例ら 10 万倍を超えるとコーティング粒子が確認されるため 4.1 表面構造解析では注意する必要がある 3 次元計測は試料表面の凹凸を立体的に把握する手法 3 次元計測 ② 含水試料で 4 分割型半導体 BSE 検出器を用いて行われている含水油分含む試料の観察は高真空下で観察を行うこの方法は 4 分割されたリング状の各素子で得られた信 SE において水分蒸発による試料変形や真空度の低下を号強度を計算や画像処理により 3 次元形状を構築するもの伴うため観察が困難であるが低真空下では水分の蒸発で試料を傾斜させずに凹凸などの立体情報を取得できを抑えることができ SE 観察が可能である油分を含んる図 11 はポリスチレンの破面を低真空 SE で 3 次 1024 精密工学会誌 Vol.77, No.11, 2011 精密77-11_09_はじめての_4.13.mcd Pag 4 11/10/25 17:58 v4.13

走査電子顕微鏡の原理と応用観察分析元計測した結果である a は 4 素子の信号を加算した画像 b は観察視野中の高さ情報を 256

試料表面の凹凸形状を反映しており Z 方向の計測も可能である d は 3 次元構築した画像では d を 180 度回転させた方向から見た 3

2 低真空観察および磁性材料の観察図 12 は砥石の観察例で帯電軽減のために低真空観図 12 低真空観察例試料砥石加速電圧 10

1 mm 以下の微細な構造が存在しているのがわかる図 13 は鉄系金属鋼材のアウトレンズ FE-SE による観察例であるこれは

13 磁性材料の観察例試料鉄系金属鋼材加速電圧 10 kv 測定倍率 50000 高真空 SE 像イオンエッチング加工面特長

B 92 U X 線検出器 EDS までの分析が可能である分析速度が速く感度が高い X 線の波長による回折条件の差を利用し回

エネルギー分解能が高く微量元素の検出限界が高い後方散乱電子回折結晶面と回折を起こして散乱する電子を検出パターン EBSP し

不純物などを把握できる 10 μm a 低真空 BSE 像 b カーボン c 酸素 d アルミニウムシリコン f 鉄図 14 複合材料の

5 走査電子顕微鏡の原理と応用観察分析元計測した結果である a は 4 素子の信号を加算した画像 b は観察視野中の高さ情報を 256 階調の等高線形式で表示した画像で高さの情報分布を視覚的に把握できる c は a の画像の任意位置でのラインプロファイルで試料表面の凹凸形状を反映しており Z 方向の計測も可能である d は 3 次元構築した画像では d を 180 度回転させた方向から見た 3 次元構築画像であるこのように 3 次元計測を行うことで任意方向から試料の立体形状を把握することができる 4.2 低真空観察および磁性材料の観察図 12 は砥石の観察例で帯電軽減のために低真空観図 12 低真空観察例試料砥石加速電圧 10 kv 測定倍率 1000 試料室圧力 50 Pa 低真空 BSE 像察を行っている図より表面には数十 mm の粒子が存在しさらにその上に 1 mm 以下の微細な構造が存在しているのがわかる図 13 は鉄系金属鋼材のアウトレンズ FE-SE による観察例であるこれは機械研磨後にイオンエッチングにより処理を行った試料で表面にはエッチングによって表 2 SE に装着される主な分析装置主な検出器の種類図 13 磁性材料の観察例試料鉄系金属鋼材加速電圧 10 kv 測定倍率高真空 SE 像イオンエッチング加工面特長発生した種々の X 線を検出素子でパルス信号エネルギー分散形に変換しエネルギーごとの発生回数を測定することで多元素同時分析ができる 5 B 92 U X 線検出器 EDS までの分析が可能である分析速度が速く感度が高い X 線の波長による回折条件の差を利用し回折格子を用いて目的の X 線を検出し元素分波長分散型 X 線析を行う 4B 92U までの分析が可能である検出器 WDS エネルギー分解能が高く微量元素の検出限界が高い後方散乱電子回折結晶面と回折を起こして散乱する電子を検出パターン EBSP し結晶方位を同定する検出器カソードルミネッ発生した陰極光を検出する物質の化学的な結センス CL 検出器合状態や結晶欠陥不純物などを把握できる 10 μm a 低真空 BSE 像 b カーボン c 酸素 d アルミニウムシリコン f 鉄図 14 複合材料の EDS マッピング分析例試料樹脂無機粒子複合材料加速電圧 5 kv 測定倍率 3000 試料室圧力 10 Pa 精密工学会誌 Vol.77, No.11, 精密77-11_09_はじめての_4.13.mcd Pag 5 11/10/25 17:58 v4.13

走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) きる. 5. 極表面構造観察例図 15 極表面構造の観察例 ( 試料 :Si 基板上のペンタセン, 加速電圧 :100 V, 測定倍率 : 30000) 現れた波状のラメラ構造が観察されている. この試料はほぼ純鉄に近い組成であるが, アウトレンズ方式を用いているため磁性の影響を受けずに数万倍レベルの観察が容易にできている. 4.

6 走査電子顕微鏡の原理と応用 ( 観察, 分析 ) きる. 5. 極表面構造観察例図 15 極表面構造の観察例 ( 試料 :Si 基板上のペンタセン, 加速電圧 :100 V, 測定倍率 : 30000) 現れた波状のラメラ構造が観察されている. この試料はほぼ純鉄に近い組成であるが, アウトレンズ方式を用いているため磁性の影響を受けずに数万倍レベルの観察が容易にできている. 4.3 複合材料の EDS 分析 SE に装着する主な分析装置の種類と特長を表 2に示す. 一般的な像観察では, 加速電圧は 1 15 kv 程度が利用されるが, 表の分析では特性信号の発生効率を上げるために, 数 kv から 25 kv 程度の高めの加速電圧が必要となる. ここでは EDS の分析例を紹介する. 図 14は, 樹脂, 無機粒子複合材料の EDS マッピング例で帯電軽減のために低真空観察を行っている. 図のようにマッピングでは各元素の分布を可視化することができ,BSE 像で見えたコントラストの差がアルミやカーボン, 酸化シリコンや鉄に由来していたことがわかり, その分布も把握することがで最近の SE では, 減速電界法 ( リターディング法 ) やブースティング法などの手法を用いて今まで困難であった加速電圧 V の極低加速電圧観察が可能となっている. この手法を用いて,10 nm 以下の微細な表面凹凸も容易に観察できる. 図 15は, 有機薄膜トランジスタへの応用が期待されているペンタセン薄膜の極低加速電圧 SE 像である. 下地の層は Si 基板であり, そこから 3 6 層のペンタセンのステップ構造が明瞭に観察できている. この段差は, それぞれ 1.5 nm 程度であり, 非常に微小なステップが極低加速電圧観察にて確認できているのがわかる. 6. おわりに本稿では,SE の原理から観察上の注意点や応用例などについて紹介した.SE は, ミリメートルからナノメートルオーダでの観察や分析が可能であり, 表面形態の評価ツールとして広く応用されている. 最近では, 観察目的や対象材料に応じた新たな解析手法も検討されており, 今後, ますます活用範囲の拡大が期待できる. 参考文献 1) 澤畠他 :LSI テスティングシンポジウム /2000 資料,pp ) T.E. Evrhtart and R.F.. Thornly : J. Sci. Instru., 37, 246 (1960). 3) A.V. Crw: Rv. Sci. Instr., 39, 576(1968). 4) O.C. Wlls : SE/1974(O.. Johari d.)iitri, 1,(1974). 5) H. Tamura and H. Kimura : J. Elctron icrosc., (1968). 6) T. Nagatani, S. Saito,. Sato and. Yamada : Scanning icrosc., 1, 901(1987). 7) T. urvy : Scanning Elctron icrosc., 1, 43(1974). 走査顕微鏡の参考文献 ( 入門書籍 ) 日本顕微鏡学会関東支部編 : 新走査顕微鏡, 共立出版 (2011) 1026 精密工学会誌 Vol.77, No.11, 2011

EDS分析ってなんですか？どのようにすればうまく分析できますか？（EDS分析の基礎）

EDS分析ってなんですか？どのようにすればうまく分析できますか？（EDS分析の基礎） EDS 分析ってなんですか? どのようにすればうまく分析できますか?(EDS 分析の基礎 ) ブルカーエイエックスエス ( 株 ) 山崎巌 Innovation with Integrity 目次 1 SEM EDS とは 1-1 走査電子顕微鏡と X 線分析 1-2 微少領域の観察分析 1-3 SEM で何がわかる 1-4 試料から出てくる情報 2 EDS でどうして元素がわかるの 2-1 X