LTC 電源ダイオードOR電流平衡コントローラ

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よしじろうつねざき
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1 電源ダイオード OR 電流平衡コントローラ特長 n n n n n n 高電位側の動作範囲 :V~8V n イネーブル入力 n MOSFET のオン状態出力 n デュアル理想ダイオードモード n 6 ピン DFN(4mm 3mm) および MSOP パッケージアプリケーション n 冗長電源 n 高可用性システムおよびサーバ n 通信機器およびネットワークのインフラ L LT LTC LTM Linear Technoogy および Linear のロゴはリニアテクノロジー社の登録商標です PowerPath および ThinSOT はリニアテクノロジー社の商標です他の全ての商標はそれぞれの所有者に所有権があります 793 および 8679 を含む米国特許によって保護されていますその他の特許も出願中です概要 LTC 437 MOSFET MOSFET.9V 8V MOSFET MOSFET / 標準的応用例 V A V INA V 39nF* SUM85N3-6P.µF NC EN CPO GND RANGE EN CPO V INB V 39nF* V IN V IN GATE OUT FETON FETON OUT GATE COMP SUM85N3-6P.8µF 437 TA mω mω OUT V, A SHARING ERROR (I VINA I VINB )/I L (%) V INA V INB (mv) TAb *OPTIONAL, FOR FAST TURN-ON 437f

2 絶対最大定格 Notes V IN V IN OUT OUT 電圧... V~4V 電圧....3V ~6.5V GATE GATE 電圧 (Note 3)....3V ~34V CPO CPO 電圧 (Note 3)....3V~34V RANGE の電圧....3V ~( +.3V) COMP の電圧....3V~3V EN EN FETON FETON の電圧....3V~4V CPO CPO 平均電流...mA FETON FETON の電流...5mA 動作周囲温度範囲 C... C ~7 C I... 4 C~85 C 保存温度範囲 C~5 C リード温度 ( 半田付け秒 ) MS パッケージ...3 C ピン配置 TOP VIEW EN RANGE COMP V IN GATE CPO OUT FETON EN 5 GND 4 3 V IN GATE CPO OUT 9 FETON DE PACKAGE 6-LEAD (4mm 3mm) PLASTIC DFN T JMAX = 5 C, θ JA = 43 C/W EXPOSED PAD (PIN 7) PCB GND CONNECTION IS OPTIONAL EN RANGE COMP V IN GATE CPO OUT FETON TOP VIEW MS PACKAGE 6-LEAD PLASTIC MSOP T JMAX = 5 C θ JA = 5 C/W 6 EN 5 GND 4 3 V IN GATE CPO OUT 9 FETON 発注情報 * CDE#PBF CDE#TRPBF ピン (4mm x 3mm) プラスチック DFN C~7 C IDE#PBF IDE#TRPBF ピン (4mm x 3mm) プラスチック DFN 4 C~85 C CMS#PBF CMS#TRPBF ピンプラスチック MSOP C ~ 7 C IMS#PBF IMS#TRPBF ピンプラスチック MSOP 4 C ~ 85 C さらに広い動作温度範囲で規定されるデバイスについては弊社または弊社代理店にお問い合わせください * 温度グレードは出荷時のコンテナのラベルで識別されます無鉛仕上げの製品マーキングの詳細についてはをご覧くださいテープアンドリールの仕様の詳細についてはをご覧ください 437f

3 電気的特性 T A 5 C V IN V IN V OUT V IN SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS V IN V IN, V IN Operating Range.9 8 V With Externa Suppy V (EXT) Externa Suppy Operating Range V IN, V IN.9 6 V (REG) Reguated Votage V I IN V IN, V IN Current Enabed, Higher Suppy Enabed, Lower Suppy Pu-Up Disabed Other V IN =.7V, Both EN = V Other V IN =.3V, Both EN = V Both V IN = V, = 5V, Both EN = V Both EN = V ma µa µa µa I CC Current Enabed Disabed = 5V, Both V IN =.V, Both EN = V = 5V, Both V IN =.V, Both EN = V (UVLO) Undervotage Lockout Threshod Rising V Δ(HYST) Undervotage Lockout Hysteresis 4 3 mv V EA(OS) Error Ampifier Input Offset ± mv g m(ea) Error Ampifier Gain ( ΔI COMP /ΔV OUT ) 5 µs V FR(MIN) Minimum Forward Reguation Votage (V IN OUT) V IN =.V, = 5V V IN = V mv mv V FR(MAX) Maximum Forward Reguation Votage (V IN OUT) R RANGE = 4.99k, V IN =.V, = 5V R RANGE = 4.99k, V IN = V R RANGE = 49.9k, V IN =.V, = 5V R RANGE = 49.9k, V IN = V I RANGE RANGE Pu-Up Current RANGE =.V 8.8. µa V RANGE(TH) RANGE Load Share Disabe Threshod.5.3. V ΔV GATE MOSFET Gate Drive (GATE V IN ) V FWD =.V; I =, μa; Highest V IN = V V FWD =.V; I =, μa; Highest V IN =.9V t ON(GATE) GATE, GATE Turn-On Propagation Deay V FWD (= V IN OUT) Step:.3V.3V.4 µs t OFF(GATE) GATE, GATE Turn-Off Propagation Deay V FWD Step:.3V.3V.4 µs I GATE(PK) GATE, GATE Peak Pu-Up Current GATE, GATE Peak Pu-Down Current V FWD =.4V, ΔV GATE = V, CPO = 7V V FWD = V, ΔV GATE = 5V A A I GATE(OFF) GATE, GATE Off Pu-Down Current Corresponding EN = V, ΔV GATE =.5V 65 6 µa / V EN(TH) EN, EN Threshod Votage EN Faing mv ΔV EN(TH) EN, EN Threshod Hysteresis 8 mv I EN EN, EN Current At.6V ± µa I OUT OUT, OUT Current Enabed OUTn = V, V; Both EN = V 7 6 µa Disabed Both EN = V 6 4 µa I CPO(UP) CPO, CPO Pu-Up Current CPO = V IN µa V OL FETON, FETON Output Low Votage I = ma I = 3mA V OH FETON, FETON Output High Votage I = μa, V FWD = V V ma µa mv mv mv mv V V V V 437f 3

4 電気的特性 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS I FETON FETON, FETON Leakage Current At V ± µa ΔV GATE(ON) MOSFET On Detect Threshod FETON Transitions High.8.7. V (GATE V IN ) Note 絶対最大定格に記載された値を超えるストレスはデバイスに永続的損傷を与える可能性がある絶対最大定格状態が長時間続くとデバイスの信頼性と寿命に悪影響を与える恐れがある Note デバイスピンに流れ込む電流はすべて正デバイスピンから流れ出す電流はすべて負注記がない限りすべての電圧はGND 基準 Note 3 内部クランプは GATE ピンと CPO ピンの電圧を V IN ピンの電圧より少なくとも V 高い値と V IN ピンの電圧よりもダイオード電圧分低い値に制限するこれらのピンをクランプより高い電圧にドライブするとデバイスを損傷するおそれがある標準的性能特性 T A 5 C V IN V IN V OUT V IN I IN (ma) V IN OTHER V IN = V OTHER V IN = V I IN (µa) V IN = 6V OTHER V IN = V I CC (ma) BOTH V IN = V V IN (V) G V IN (V) G (V) G3 3 5 OUT 3 5 V IN I OUT (µa) 5 5 VFR(MIN) (mv) 5 = 3.3V = 5V V OUT (V) G4 3 4 V IN (V) G f

5 標準的性能特性 T A 5 C V IN V IN V OUT V IN 5 V GATE 4 V GATE V IN V GATE V GATE V IN (V) V IN =.9V V IN = 8V V GATE V IN, (V) I GATE (µa) 437 G V IN (V) 437 G7 V FR(MAX) (mv) RANGE I COMP (µa) R RANGE (kω) 437 G V OUT V OUT (mv) 437 G9 V OL (mv) FETON Low V OH (V) FETON High I FETON (ma) G I FETON (µa) 437 G 437f 5

6 ピン機能 COMP GND MOSFET C ISS 5 na MΩ V.7mV CPO CPO V IN MOSFET C ISS EN EN.6V High MOSFET MOSFET 8mV EN High DE FETON FETON MOSFET GATE V IN.7V Low MOSFET g m MOSFET 5k GND GATE GATE MOSFET N MOSFET V CPO.4A GATE V IN.4A GATE GND OUT OUT MOSFET RANGE 6k GND μa V RANGE V RANGE.6V RANGE.μF V IN.9V 5V V IN.9V.9V 6V V IN V IN MOSFET V IN V IN MOSFET 6 437f

7 + 機能ブロック図 V SUPPLY M R C.6V 6 EN + CP V IN V IN LDO DISABLE 3 V IN GATE SA + CPO CHARGE PUMP f = 3MHz V FR + OUT V IN.7V GATE + + CP4 5k FETON COMP 9 3 C C C VCC 4.55V + CP LOW GATE OFF GATE OFF SERVO ADJUST EA g m = 5µS OUT OUT µa RANGE TO LOAD.6V EN + CP3 DISABLE + V FR CHARGE PUMP f = 3MHz Z GATE GND EXPOSED PAD* V IN GATE CPO OUT C SA + DISABLE LOAD SHARE CP V 5k FETON V IN 8.7V + + CP6 R3 *DE PACKAGE ONLY V SUPPLY M R 437 BD 437f 7

8 動作 N MOSFET M M EA OUT OUT SA SA V FR V FR MOSFET V FWD V IN -OUT V FR EA SA OUT OUT OUT R OUT R V FR 5mV mv V RANGE 5mV V RANGE mv V RANGE R3 μa V FR RANGE CP5 V FR V FR MOSFET MOSFET I FET R DS ON MOSFET SA MOSFET SA CPO V IN C C GATE CPO V IN GND GATE CPO V IN V V IN GATE.7V FETON Low MOSFET LDO V IN 5V.9V.9V 6V EN CP CP3 EN.6V.55V MOSFET EN High 8 437f

9 アプリケーション情報 OR V INA 5V C VCC.µF R3 3.k V INB 5V C 39nF EN CPO GND RANGE EN CPO C 39nF M SUM85N3-6P V IN GATE OUT FETON FETON OUT V IN GATE COMP M SUM85N3-6P. 5V OR D SHARE OFF R4 8Ω C C.8µF 437 F R.5mΩ R.5mΩ OUT A D: RED LED LN5C MOSFET MOSFET V FR MIN mv 5mV MOSFET V FR MIN OUT a MOSFET V FWD 5mV RANGE 5mV V RANGE V FWD V FR MAX V RANGE OUT I NORMALIZED V RANGE = 5mV CURRENT I = R S SLOPE I NORMALIZED V RANGE = 5mV CURRENT I = R S SLOPE R S + R DS(ON).5 V FR(MIN).5 I I I I L R DS(ON) I 5mV 5mV V IN V IN 4mV 4mV V IN V IN SHARING CAPTURE RANGE ± V IN(SH) I L R S SHARING CAPTURE RANGE ± V IN(SH) mv + I L R S MAXIMUM M MOSFET POWER DISSIPATION MOSFET FORWARD DROP V FR(MAX) 55mV MAXIMUM M MOSFET POWER DISSIPATION MOSFET FORWARD DROP 55mV V FWD V FWD V FWD V FWD V FR(MIN) 5mV.5I L R DS(ON) 5mV 5mV 5mV 5mV V IN V IN 4mV 4mV V IN V IN (a) Low R DS(ON) : Can Servo 5mV Minimum Forward Reguation Votage at Haf Load DRAWING IS NOT TO SCALE!. (b) High R DS(ON) : Fuy-On MOSFET Drops 5mV at Haf Load 437 F 437f 9

10 アプリケーション情報 MOSFET MOSFET ΔV IN SH V RANGE a 5mV b MOSFET RANGE RANGE MOSFET R RANGE MOSFET V RANGE μa V RANGE V FR(MAX) = µa R RANGE + V FR(MIN) () R RANGE 6k 6mV V FR MAX 6mV 65mV MOSFET V GS.7V FETON Low RANGE 6mV RANGE MOSFET LTC4353 V.9V 6V V IN V IN 5V LDO Ω V IN GND.μF 3 V IN.9V.μF COMP V V V TO M.9V TO 8V (V TO 8V) M OPTIONAL OR HERE.9V TO 6V C VCC.µF V IN GATE V IN GATE C VCC.µF V IN GATE V IN GATE V TO M V TO 8V (.9V TO 8V) M 437 F f

11 アプリケーション情報 COMP g m EA V EA OS COMP.7V V IN < V IN.4V V IN > V IN ΔV OUT OUT- OUT I -I R S g m COMP 5 C C V COMP g m(ea) I L R S 4a V IN 4.9V A 5.V V IN ΔV OUT I R S COMP Low.V V IN V IN COMP.4V V IN ΔV IN V FR V FR MIN a ΔV IN V FR V FR MAX I V FR COMP.7V COMP.4V V FR ΔV IN.V V FR V IN < V IN V FR COMP.7V 4b MOSFET N MOSFET MOSFET BV DSS V GS MAX R DS ON P D MAX MOSFET BV DSS MOSFET V GS MAX 4V V IN GATE MOSFET R DS ON MOSFET V IN V 4.5V R DS ON OUT R DS ON ΔV IN(SH) = V FR(MAX).5I L R DS(ON) () CURRENT 5A/DIV I V IN = 5.V V IN = 4.9V I L = A CURRENT 5A/DIV I V IN = 4.9V V IN = 5.V I L = A I I OUT OUT VOLTAGE V/DIV V IN COMP (V/DIV) VOLTAGE V/DIV V IN COMP (.5V/DIV) 5ms/DIV 437 F4a 5ms/DIV 437 F4b (4a) V IN > V IN (4b) V IN < V IN 4.V IN 437f

12 アプリケーション情報 b.5i L R DS ON 5mV R DS ON High MOSFET 5mV V FR MIN a mv 5mV-5mV 4mV ΔV IN 5mV I L R S I L R DS ON 75mV MOSFET MOSFET a MOSFET P D MAX P D(MAX) I L V FR(MAX) (3) MOSFET. MOSFET MOSFET.5W ~ W SO-8 PCB W ~ W 露出パッド付き SO-8 D-Pak (TO-5) TO- PCB 自由空気内に直立 W ~ 4W DD-Pak(TO-63) TO- PCB 4W ~ W TO- スタンピング W ~ W TO- キャスティング押し出し成型 W ~ 5W TO-47 TO-3P 押し出し成型 I = I I = V EA(OS) = mv I L I L I L R S I L R S I I I L I I I L R S V EA OS 5mV I L R S 5mV 4% OUT V EA OS /R S R S R S = I I (5) CPO CPO V IN MOSFET C ISS MOSFET (4) 437f

13 アプリケーション情報 CPO CPO CPO CPO V IN CPO MOSFET 5 3.3V k CPO V k V IN CPO 8.7V V-3.3V M M MOSFET N MOSFET nf MOSFET nf COMP MOSFET C ISS x 5 CPO COMP xc ISS 6 Hz DC I L R DS ON 75mV COMP V EA OS /R S COMP.7V.4V V EA OS /R S V INA 3.3V C 39nF M TO SENSE RESISTOR V INA V EN NC CPO V IN M SUM85N3-6P GATE V k k V INB 3.3V CPO CPO C 39nF V IN GATE V IN GATE M 437 F5 TO SENSE RESISTOR C VCC.µF R3 47.5k GND RANGE EN V INB V CPO NC V IN OUT FETON FETON OUT GATE COMP M SUM85N3-6P D R4.7k C C.39µF R.5mΩ R.5mΩ 437 F6 D: RED LED, LN5C OUT A 5. CPO V 3.3V 6. V 437f 3

14 アプリケーション情報 V IN OUT 4V OR OUT μf 4V V A V % 6 5V MOSFET R DS ON V FWD 5mV R DS(ON) V FWD I LOAD = 5mV A = 5mΩ SUM85N3-6P R DS ON 4.5mΩ BV DSS 3V V GS MAX V DD-Pak TO-63.5I L R DS ON.5mV 5mV V RANGE V % 4mV ΔV IN SH 4mV 48mV R3 47.5k V RANGE 475mV V FR(MAX) = µa 47.5k + 5mV = 5mV 3 MOSFET P D(MAX) = A 5mV = 5W MOSFET PCB 75 C.5mΩ 5mV mv/ A.5mΩ 8% 4 A.5mΩ 5mW V CPO MOSFET C ISS 38pF COMP C C C ISS.39μF LED D MOSFET 3mA V.6V V OL R4.7k 5V 5V A 3% R3 C C C C R4 R3 3.k 3% 5V 3mV C C x C ISS.39μF C C 5 x C ISS.8μF 5V LED 3mA R4 8Ω 4 437f

15 アプリケーション情報 PCB OUT MOSFET MOSFET MOSFET PCB MOSFET 7 C VCC GND C C CPO V IN COMP CURRENT FLOW FROM SUPPLY A W G S D M DD-PAK VIA TO GROUND PLANE C VCC R TRACK WIDTH W:.3 PER AMPERE ON oz Cu FOIL DRAWING IS NOT TO SCALE! MSOP-6 TO LOAD R FROM SUPPLY B W G S D M DD-PAK CURRENT FLOW 437 FO7 7.M M C VCC R R PCB 437f 5

16 標準的応用例 A 3.3V V INA 3.3V ±3% C.µF M IRLS334PBF EN CPO V IN GATE C VCC.µF R3 k GND RANGE EN OUT FETON FETON OUT R mω R mω OUT A CPO C.µF V IN GATE COMP C C.47µF V INB 3.3V ±3% M IRLS334PBF 437 TA 6 437f

17 標準的応用例 RANGE V OR LTC4353 V INA V NC M SUM85N3-6P EN CPO V IN GATE OUT RANGE FETON C VCC.µF GND COMP FETON NC OUT A EN CPO V IN GATE OUT V INB V NC M SUM85N3-6P 437 TA3 437f 7

18 パッケージ DE 6 DFN 4mm 3mm (Reference LTC DWG # Rev Ø).7 ± ±.5. ±.5.7 ± ±.5 パッケージの 3.5 REF.5 ±.5.45 BSC する半田パッドのピッチと半田付けされないには半田マスクを用する 4. ±. ( SIDES) R =.5 TYP 9 R =.5 TYP 6.4 ±. ピンのトップマーキング (NOTE 6). REF 3. ±. ( SIDES).75 ± ±..7 ± REF.3 ±.5.45 BSC ピンのノッチ R. またはのり (DE6) DFN 86 REV Ø..5 露出パッドの NOTE:. は JEDEC パッケージアトライン MO-9 のバージンのバリーシン (WGED-3) として. はとはなる 3. 全てのはリートル 4. パッケージの露出パッドのにはモールドのバリを含まないモールドのバリは ( もしあれ ) サイドで.5mm を超えないこと 5. 露出パッドは半田ッキとする 6. の部分はパッケージのトップとトムのピンの位のにない 8 437f

19 パッケージ寸法 MS 6 MSOP (Reference LTC DWG # Rev Ø).889 ±.7 (.35 ±.5) 5.3 (.6) MIN (.6.36).35 ±.38 (. ±.5) TYP.5 (.97) BSC する半田パッドのレイアト 4.39 ±. (.59 ±.4) (NOTE 3) ±.76 (. ±.3) REF.54 (.) DETAIL A 6 TYP 4.9 ±.5 (.93 ±.6) 3. ±. (.8 ±.4) (NOTE 4) ージプレーン.8 (.7) DETAIL A.53 ±.5 (. ±.6) シーティングプレーン. (.43) MAX.7.7 (.7.) TYP NOTE:. はリートル / ( インチ ). はとはなる 3. にはモールドのバリ出部またはートのバリを含まない (.97) BSC モールドのバリ出部またはートのバリはサイドで.5mm(.6") を超えないこと 4. にはリード間のバリまたは出部を含まないリード間のバリまたは出部はサイドで.5mm(.6") を超えないこと 5. リードの平度 ( 成のリードの ) は最大.mm (.4") であること.86 (.34) REF.6 ±.58 (.4 ±.) MSOP (MS6) 7 REV Ø 437f 9

20 標準的応用例.V V INA.V 39nF SUM85N3-6P 5V.µF 7.5k EN CPO V IN GATE GND RANGE EN CPO V IN GATE 39nF OUT FETON FETON OUT COMP.8µF mω mω OUT V INB.V SUM85N3-6P 437 TA4 関連製品 LTC473/ PowerPath TM N 4.75V 3V/3.3V V SSOP-6 LTC473L LTC479 PowerPath 3 N 6V 8V SSOP-36 LTC435 N V 8V UV OV MSOP- DFN- LTC4353 N V 8V MSOP-6 DFN-6 LTC4354 OR N 4.5V 8V SO-8 DFN-8 LTC4355 N 9V 8V SO-6 DFN-4 OR LTC4357 N 9V 8V MSOP-8 DFN-6 LTC4358 5A N 9V 6.5V TSSOP-6 DFN-4 LTC44.6A ThinSOT TM P.6V 5.5V 4μA I Q SOT-3 LTC44/ PowerPath ThinSOT P.5V 8V/36V μa I Q SOT-3 LTC44HV LTC443/.6A.5V 5.5V P.5V 5.5V DFN- LTC443- DFN- LTC444 P MOSFET 36V PowerPath P 3V 36V 3μA I Q MSOP-8 LTC445 4A P 5mΩ.7V 5.5V 5mV MSOP-6 DFN-6 LTC446/ LTC446- P MOSFET 36V PowerPath P 3.6V 36V 7μA I Q MSOP- -94 東京都千代田区紀尾井町 3-6 紀尾井町パークビル 8F TEL FAX f LT 5 PRINTED IN JAPAN LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION

LTC4361-1/LTC – 過電圧/過電流保護コントローラ

LTC4361-1/LTC – 過電圧/過電流保護コントローラ特長概要過電圧 / 過電流保護コントローラ.. 80V TVS %.8V 0% 0mV μs Nチャネル MOSFETを制御調整可能なパワーアップ dv/dtにより突入電流を制限逆電圧保護パワーグッド出力低電流のシャットダウン過電流後にラッチオフ (LTC-) または自動リトライ (LTC-) 8ピン ThinSOT パッケージと 8ピン (mm mm)dfnパッケージアプリケーション