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Transcription:

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暗箱 100mm 定電流電源 図 2. 光度測定 (0.01sr) 約 7 2 ( 受光面積 : 100mm ) ドミナント波長 ピーク波長 から出力される光は単一の波長ではなく 特定の幅を持ったスペクトルとなります 発光波長の特性を測定する原理を図 3 に示します からの光は回折格子 ( グレーティング ) やプリズムにより波長毎に分解され 光検出器により光 - 電気変換され その波長での強度を得ることができます 回折格子やプリズムを回転させることにより 特定の波長範囲でのスペクトル強度を得ることができます ( 図 3) ピーク波長は得られたスペクトル特性から簡単に求められます 一方 ドミナント波長は得られたスペクトル特性の波長と強度の平均値として求められます 人間の目はスペクトル分布の面積平均値として色を見ておりますので 人間の感覚に合わせたスペクトル特性として表現できます 近年 可視光 における色調特性を表現するにはドミナント波長で表現することが一般的となってきました グレーティング回折格子 図 3. スリット 2/6

指向特性 図 4 のように 0.001sr の取り込み角にて をレンズトップ中心に回転させることにより指向特性を得ます 一般的には最も出力強度の大きい角度を相対的に 1 とし 表現されます 暗箱 316mm -90 0 (0.001sr) 約 2 定電流源 回転治具 +90 図 4 電気的特性 順電圧特定の順方向電流を流したときに のアノード カソード間に発生する電圧を測定します ( 図 5) 電圧値は半導体素子の材料に特有のものとなり 接合部の電位障壁と内部抵抗成分によって決まる電圧です 測定は 定電流電源で順方向電流を流し 電圧計により測定します 逆電流 は基本的には PN 接合ですので 一般的な整流用ダイオードと同様に逆方向のバイアスに対してはほとんど電流が流れない特性を示します ただし 一般的ダイオードと違い逆電流は大きく ( 数 u オーダー ) ブレークダウン電圧は小さくなっております 測定方法は定電圧電源により逆バイアスを印加し 電流計により測定します アノード カソード V V カソード アノード 定電流源 定電圧源 図 5. 図 6. 3/6

熱抵抗の測定方法について の接合部温度は直接測定することは不可能ですが 順方向電圧には温度依存性があり この特性を利用して素子の接合部温度を想定することが可能です この温度依存性は素子の材質やそのほかの条件によって変わりますのでまず この依存性を測定します まず -10 程度の低温の雰囲気中に を置き 素子の接合部の温度に影響を与えないであろう微少電流 ( 通常は 100u) にて順電圧を測定します 次に を 60 程度の高温の雰囲気に置き同様に微少電流での順電圧を測定します 得られた電圧値により順電圧の温度依存性を得ることができます 通常は-2mV/ 程度の値となります 圧値を得ます (Vf3) 得られた Vf3 と Vf1 の差の電圧は 印加された加熱電流により接合部の温度上昇を表すことになり 式 1 により導き出された温度は接合部が測定時の雰囲気温度からどれだけ上昇したかを示すことになります 印加するパルス電流の時間を変化させ 式 2 により熱抵抗を求めると一般的には図 8 の特性が得られます ( Vf 3 Vf 1) Δ Tj = 素子の温度係数 (1) ΔTj Rth = If Vf 2 (2) 次に電流印加時間とジャンクション温度の関係を測定します 図 7 に示したような電流波形により まず温度依存性を測定した電流と同じ微少電流値で順電圧を測定 (Vf1) します 次に実際に使用される程度の値の電流値を 所定のパルス ないしは直流を印加し 同様に順電圧値を得ます (Vf2) 所定のパルス印加後に微少電流により順電 製品仕様に応じた電流値 電流印加波形 100u 0 Vf2 順電圧測定波形 Vf1 Vf3 図 7. 4/6

接合部素子接着部リードレーム 基板などはんだ付け部デバイス実装基板 素子 デバイス 熱抵抗 [ /W] 図 8. 印加電流パルス時間 接合部で発生した温度は主に 素子基板 ダイボンド材料 リードフレーム はんだ付け部 実装基板という経路で放熱されます 図 8 の2 部はリードフレーム部での熱時定数を示しておりグラフのこの部分の数値や パルス 直流の電流値などをパラメータとして評価され 熱抵抗値としての仕様が決定されます 5/6

放射強度 放射強度とは エネルギーの放射源からある方向に放射された単位立体角あたりのエネルギーの仕事率を表す物理量です 単位立体角あたりの放射束で表される 単位は 国際単位系ではワット毎ステラジアン (W/sr) です 放射強度の測定は 国際照明委員会 (CIE) により発行された技術レポート CIE127 Condition B に準拠した測定機器を使用し 測定されます Condition B は のレンズトップから 100mm の距離で 0.01sr の光取り込み角となります ( 図 9) 光出力 : 放射束 放射束 ( ほうしゃそく radiant flux) とは 一定時間中に あるエネルギーの発生源から自由空間に移動するエネルギーの量のことです 単位は 国際単位系ではワット (W) である 放射束の測定には積分球が使われます 弊社の場合は 2π 積分球を標準的に使用しております 光束の測定には積分球が使われます 弊社の場合は 2π 積分球を標準的に使用しております 積分球内部は 100% に近い反射率を持つ特殊な塗料が塗布され の全光を球内部で均一にする機能があり その一部を光検出器で光 - 電気変換を行い測定します 暗箱 100mm 定電流電源 図 9. 放射強度測定 (0.01sr) 約 7 2 ( 受光面積 : 100mm ) 遮断周波数 遮断周波数 ( またはカットオフ周波数 ) とは 電気信号に対するの応答の限界を表します これを超える高速な電気信号に対して 電気を光に変える事ができなくなります 測定は に一定のバイアス電流を流してこれに交流信号を周波数を変えながら重畳させて 交流に対する応答特性を評価します -3dB 減衰する周波数を遮断周波数と定義しており 単位は (MHz) Network nalyzer Bias T 50 Line O / E Converter 応答速度 注入した電流 ( キャリア ) をどれだけ早く光に変換する事ができるかを示す値で 立ち上がり時間 立下り時間で表します 十分早い矩形波に対して 光出力が10% から90% ( または90% から10%) に達するまでに要する時間を表します 単位は ns もしくは μs P.G. 50 Line O / E Converter 47Ω 47Ω Oscilloscope 6/6