THYRISTOR 100A Avg 800 Volts PGH100N8 回路図 CIRCUIT 外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:[mm] 総合定格 特性 Part of Diode Bridge & Thyristor 最大定格 Maximum Ratings 平均出力電流 Average RectifiedOutput Current 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperature Range 保存温度範囲 Storage Temperature Range 絶縁耐圧 IsolationVoltage ベース部 Mounting 締付トルク MountingTorque 主端子部 Terminal ゲート端子部 Gate Terminal Io (AV) Tjw TC=124 ( 電圧印加なし ) 三相全波整流 Non-Biasedfor Thyristor 3-Phase Full TC= 99 ( 電圧印加あり ) Wave Rectified Biased forthyristor 125~150 はサイリスタ部に順 逆電圧を印加しない事 Tj>125, Cannotbe Biasedfor Thyristor Max. Rated Value 100 100 A -40 ~ +150 Tstg -40 ~ +125 Viso F 端子 -ベース間,AC1 分間 Terminal to Base, AC1min. サーマルコンハ ウント 塗布 Greased M5 2.4 ~ 2.8 M5 2.4 ~ 2.8-2500 V - N m 熱特性 Thermal Characteristics 接触熱抵抗 Thermal Resistance Rth(c-f) ケース -フィン間 ( トータル ) サーマルコンハ ウント 塗布 CasetoFin,Total,Greased 特性値 ( 最大 ) MaximumValue 0.06 /W ダイオードブリッジ部 (6 素子 ) Part of Diode Bridge(6 Arm.) 最大定格 Maximum Rating Max.RatedValue くり返しヒ ーク逆電圧 *1 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 800 V 非くり返しヒ ーク逆電圧 *1 Non-Repetitive PeakReverse Voltage VRSM 900 V Max. Rated Value サージ順電流 *1 50Hz 正弦半波,1 サイクル, 非くり返し IFSM Surge Forward Current HalfSine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 1000 A 電流二乗時間積 *1 I Squaredt I 2 t 2~10ms 5000 A 2 s 許容周波数 Allowable OperatingFrequency f 400 Hz *1:1 アーム当たりの値 ValuePer1Arm.
ダイオードブリッジ部 (6 素子 ) Part of Diode Bridge(6 Arm.) 電気的特性 Electrical Characteristics ピーク逆電流 *1 Peak Reverse Current ピーク順電圧 *1 Peak ForwardVoltage 熱抵抗 Thermal Resistance 特性値 ( 最大 ) Maximum Value IRM Tj = 125, VRM= VRRM 5 m A VFM Tj = 25, IFM=100A 1.20 V Rth(j-c) 接合部 ケース間 ( トータル ) Junctionto Case, Total 0.09 /W *1:1 アーム当たりの値 ValuePer1Arm. サイリスタ部 (1 素子 ) Part of Thyristor(1 Arm.) 最大定格 Maximum Rating Max.RatedValue くり返しヒ ークオフ電圧 *2 Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 800 V 非くり返しヒ ークオフ電圧 *2 Non-Repetitive PeakOff-State Voltage VDSM 900 V *2: 逆電圧を印加しないこと CannotbeBiasedforThyristor サージオン電流 Surge On-State Current 電流二乗時間績 ISquaredt 臨界オン電流上昇率 Critical Rateof Rise of Turned-OnCurrent ピークゲート電力損失 Peak Gate Power 平均ゲート電力損失 Average Gate Power ピークゲート電流 Peak Gate Current ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage 電気的特性 Electrical Characteristics ピークオフ電流 Peak Off-State Current ピークオン電圧 Peak Off-State Voltage トリガゲート電流 Gate Currentto Trigger トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rateof Rise ofoff-state Voltage ターンオフ時間 Turn-Off Time ITSM 50Hz 正弦半波,1 サイクル, 非くり返し HalfSine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive Max. Rated Value 2000 A I 2 t 2~10ms 20000 A 2 s di/dt VD=2/3VDRM, ITM =2 Io, Tj=125 IG=200mA, dig/dt= 0.2A/μs 100 A/μs PGM 5 W PG(AV) 1 W IGM 2 A VGM 10 V VRGM 5 V 特性値 ( 最大 ) MaximumValue 最小 Min 標準 Typ 最大 Max IDM Tj = 125, VDM=VDRM 20 ma VTM Tj = 25, ITM=100A 1.15 V IGT VGT VD=6 V, IT=1A VD=6 V, IT=1A Tj=-40 200 Tj= 25 100 Tj=125 50 Tj=-40 4.0 Tj= 25 2.5 Tj=125 2.0 VGD Tj =125, VD=2/3VDRM 0.25 V dv/dt Tj =125, VD=2/3VDRM 500 V/μs t q Tj =125, ITM=Io, VD=2/3 VDRM dv/dt =20V/μs, VR=100V, di/dt = 20A/μs ma V 150 μs
ターンオン時間 Turn-On Time 遅れ時間 Delay Time 立ち上がり時間 Rise Time ラッチング電流 LatchingCurrent 保持電流 HoldingCurrent 熱抵抗 Thermal Resistance t gt 特性値 ( 最大 ) MaximumValue 最小 Min 標準 Typ 最大 Max 6 μs Tj =25, VD=2/3 VDRM, IT=3 IO t d 2 μs IG=200mA, dig/dt= 0.2A/μs t r 4 μs I L Tj =25 150 ma I H Tj =25 100 ma Rth(j-c) 接合部 - ケース間 Junctionto Case 0.25 /W 質量 - 約 225g Approximate Weight
過渡熱抵抗特性 Transient Thermal Impedance 1 PGH100N8(Diode Per 1 Arm.) 過渡熱抵抗 ( C/W) Transient Thermal Impedance Rth(j-c) ( C/W) 0.5 0.2 0.1 0.05 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 Time t (s) 時間 t (s) 過渡熱抵抗特性 Transient Thermal Impedance 0.5 PGH100N8(Thyristor) 過渡熱抵抗 ( C/W) Transient Thermal Impedance Rth(j-c) ( C/W) 0.2 0.1 0.05 0.02 0.001 0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 Time t (s) 時間 t (s)